JPH04240778A - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
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- JPH04240778A JPH04240778A JP3007580A JP758091A JPH04240778A JP H04240778 A JPH04240778 A JP H04240778A JP 3007580 A JP3007580 A JP 3007580A JP 758091 A JP758091 A JP 758091A JP H04240778 A JPH04240778 A JP H04240778A
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- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 88
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000002463 transducing effect Effects 0.000 abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はアモルファスシリコン
系光電変換層を備えた光電変換素子に関する。
系光電変換層を備えた光電変換素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光電変換素子として、図１０にみ
るように、アモルファスシリコン系薄膜複数を積層した
ｐｉｎ光電変換層９１の表面と裏面に電極９３、９４が
設けられてなる光電変換素子素子９０がある。この素子
９０の場合、ｐｉｎ光電変換層９１は、ｐ型（又はｎ型
）アモルファスシリコン層９１ａ、ｉ型アモルファスシ
リコン層９１ｂ、ｎ型（又はｐ型）アモルファスシリコ
ン層９１ｃの３層が順に積層された構成であり、電極９
３、９４の少なくとも一方が光透過性を有する透明電極
となっている。もちろん、透明電極側から光入射がなさ
れることは言うまでもない。
るように、アモルファスシリコン系薄膜複数を積層した
ｐｉｎ光電変換層９１の表面と裏面に電極９３、９４が
設けられてなる光電変換素子素子９０がある。この素子
９０の場合、ｐｉｎ光電変換層９１は、ｐ型（又はｎ型
）アモルファスシリコン層９１ａ、ｉ型アモルファスシ
リコン層９１ｂ、ｎ型（又はｐ型）アモルファスシリコ
ン層９１ｃの３層が順に積層された構成であり、電極９
３、９４の少なくとも一方が光透過性を有する透明電極
となっている。もちろん、透明電極側から光入射がなさ
れることは言うまでもない。
【０００３】また、図１１にみるように、上記のｐｉｎ
光電変換層９１が複数（図１１の場合は３個）積層され
たタンデム構造の光電変換素子９８もある。
光電変換層９１が複数（図１１の場合は３個）積層され
たタンデム構造の光電変換素子９８もある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の光電変換素子は
、所定の受光量で引き出せる電流量（電流容量）が多い
ほど利用価値が高いので、電流容量の増大が強く望まれ
ている。光電変換層の面積を大きくすれば電流容量を増
大させることができるが、光電変換層の面積増加は素子
の大型化を必然的に伴うため、適切な電流容量増大策と
は言えない。
、所定の受光量で引き出せる電流量（電流容量）が多い
ほど利用価値が高いので、電流容量の増大が強く望まれ
ている。光電変換層の面積を大きくすれば電流容量を増
大させることができるが、光電変換層の面積増加は素子
の大型化を必然的に伴うため、適切な電流容量増大策と
は言えない。
【０００５】この発明は、前記事情に鑑み、素子の大型
化を伴うことなく、電流容量の増大が図れる光電変換素
子を提供することを課題とする。
化を伴うことなく、電流容量の増大が図れる光電変換素
子を提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
、この発明にかかる光電変換素子では、アモルファスシ
リコン系光電変換層の表面と裏面にそれぞれ設けられた
電極の少なくとも一方の電極と前記光電変換層の間に微
結晶シリコン層を設けるようにしている。以下、この発
明にかかる光電変換素子を、図面を参照しながら、より
具体的に説明する。
、この発明にかかる光電変換素子では、アモルファスシ
リコン系光電変換層の表面と裏面にそれぞれ設けられた
電極の少なくとも一方の電極と前記光電変換層の間に微
結晶シリコン層を設けるようにしている。以下、この発
明にかかる光電変換素子を、図面を参照しながら、より
具体的に説明する。
【０００７】図１、図２は、それぞれ、この発明の光電
変換素子の要部構成例をあらわす断面図である。図１の
光電変換素子１は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）
系薄膜を積層してなるｐｉｎ光電変換層３の表面と裏面
に電極５、６が設けられているとともに、ｐｉｎ光電変
換層３と電極５の間に微結晶シリコン（μＣ−Ｓｉ）層
７が設けられている。ｐｉｎ光電変換層３は、ｐ型（又
はｎ型）ａ−Ｓｉ層３ａ、ｉ型ａ−Ｓｉ層３ｂ、ｎ型（
又はｐ型）ａ−Ｓｉ層３ｃの３層が順に積層された光電
池機能を持つ光電変換層であり、電極５、６の少なくと
も一方は光透過性を有する透明電極である。もちろん、
透明電極側から光入射がなされる。なお、μＣ−Ｓｉ層
７はｎ型とｐ型のいずれでもよく、隣接するａ−Ｓｉ層
３ａと同じ導電型である必要はない。
変換素子の要部構成例をあらわす断面図である。図１の
光電変換素子１は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）
系薄膜を積層してなるｐｉｎ光電変換層３の表面と裏面
に電極５、６が設けられているとともに、ｐｉｎ光電変
換層３と電極５の間に微結晶シリコン（μＣ−Ｓｉ）層
７が設けられている。ｐｉｎ光電変換層３は、ｐ型（又
はｎ型）ａ−Ｓｉ層３ａ、ｉ型ａ−Ｓｉ層３ｂ、ｎ型（
又はｐ型）ａ−Ｓｉ層３ｃの３層が順に積層された光電
池機能を持つ光電変換層であり、電極５、６の少なくと
も一方は光透過性を有する透明電極である。もちろん、
透明電極側から光入射がなされる。なお、μＣ−Ｓｉ層
７はｎ型とｐ型のいずれでもよく、隣接するａ−Ｓｉ層
３ａと同じ導電型である必要はない。
【０００８】図２の光電変換素子２は、さらに、ｐｉｎ
光電変換層３と電極６の間にもμＣ−Ｓｉ層８が設けら
れている他は、図１の素子と同じ構成である。μＣ−Ｓ
ｉ層８もｎ型とｐ型のいずれでもよく、隣接するａ−Ｓ
ｉ３ｃと同じ導電型である必要はない。さらに、図２に
おいて、ｐｉｎ光電変換層３と電極５の間にはμＣ−Ｓ
ｉ層がないものも、この発明の光電変換素子の要部構成
例として挙げられる。
光電変換層３と電極６の間にもμＣ−Ｓｉ層８が設けら
れている他は、図１の素子と同じ構成である。μＣ−Ｓ
ｉ層８もｎ型とｐ型のいずれでもよく、隣接するａ−Ｓ
ｉ３ｃと同じ導電型である必要はない。さらに、図２に
おいて、ｐｉｎ光電変換層３と電極５の間にはμＣ−Ｓ
ｉ層がないものも、この発明の光電変換素子の要部構成
例として挙げられる。
【０００９】また、この発明の光電変換素子としては、
図３にみるように、上記のｐｉｎ光電変換層３が複数（
図３の場合は３個）積層されたタンデム構造の光電変換
素子１０も挙げられる。さらに、図３において、ｐｉｎ
光電変換層３と電極６の間にもμＣ−Ｓｉ層が設けられ
たものも、この発明の光電変換素子として挙げられる。
図３にみるように、上記のｐｉｎ光電変換層３が複数（
図３の場合は３個）積層されたタンデム構造の光電変換
素子１０も挙げられる。さらに、図３において、ｐｉｎ
光電変換層３と電極６の間にもμＣ−Ｓｉ層が設けられ
たものも、この発明の光電変換素子として挙げられる。
【００１０】この発明の光電変換素子におけるａ−Ｓｉ
層は、例えば、シラン（ＳｉＨ４ ）ガスを用いてグロ
ー放電分解法により形成することができる。ｎ型ａ−Ｓ
ｉ層の形成の場合は、ホスフィン（ＰＨ３ ）等がドー
ピングガスとして使われ、ｐ型ａ−Ｓｉ層の形成の場合
は、ジボラン（Ｂ２Ｈ６ ）等がドーピングガスとして
使われる。
層は、例えば、シラン（ＳｉＨ４ ）ガスを用いてグロ
ー放電分解法により形成することができる。ｎ型ａ−Ｓ
ｉ層の形成の場合は、ホスフィン（ＰＨ３ ）等がドー
ピングガスとして使われ、ｐ型ａ−Ｓｉ層の形成の場合
は、ジボラン（Ｂ２Ｈ６ ）等がドーピングガスとして
使われる。
【００１１】この発明の光電変換素子におけるμＣ−Ｓ
ｉ層も、シラン（ＳｉＨ４ ）ガスを用いてグロー放電
分解法により形成することができる。ｎ型μＣ−Ｓｉ層
の形成の場合は、ホスフィン（ＰＨ３ ）等がドーピン
グガスとして使われ（シランガスに対し０．０５〜５モ
ル％程度）、ｐ型μＣ−Ｓｉ層の形成の場合は、ジボラ
ン（Ｂ２ Ｈ６ ）等がドーピングガスとして使われる
（シランガスに対し０．０５〜５モル％程度）。このμ
Ｃ−Ｓｉ層の厚みは、通常、５０〜５０００オングスト
ローム程度である。
ｉ層も、シラン（ＳｉＨ４ ）ガスを用いてグロー放電
分解法により形成することができる。ｎ型μＣ−Ｓｉ層
の形成の場合は、ホスフィン（ＰＨ３ ）等がドーピン
グガスとして使われ（シランガスに対し０．０５〜５モ
ル％程度）、ｐ型μＣ−Ｓｉ層の形成の場合は、ジボラ
ン（Ｂ２ Ｈ６ ）等がドーピングガスとして使われる
（シランガスに対し０．０５〜５モル％程度）。このμ
Ｃ−Ｓｉ層の厚みは、通常、５０〜５０００オングスト
ローム程度である。
【００１２】なお、この発明の光電変換素子の場合、電
極と光電変換層の間にμＣ−Ｓｉ層を設けた構成であり
、このため、製造の際、光電変換素子の形成と同時に抵
抗素子を同じ基板に形成することも可能である。先に説
明したこの発明の光電変換素子を製造する場合、μＣ−
Ｓｉ膜および複数の光電変換層用ａ−Ｓｉ系薄膜を積層
した積層膜を基板表面に形成しておいて、この積層膜を
パターン化するわけであるが、光電変換素子用パターン
の他に光電変換層３と同じ積層形態をとる抵抗素子用パ
ターンを同時に形成するとともに、図４、５にみるよう
に、μＣ−Ｓｉ層７、８表面に引出電極２７、２８を設
け抵抗素子２０、２３を同時に作り込むことができるの
である。勿論、引出電極２７、２８も光電変換素子用電
極の形成と同時に作り込める。なお、２５は絶縁基板、
２６は絶縁保護膜である。
極と光電変換層の間にμＣ−Ｓｉ層を設けた構成であり
、このため、製造の際、光電変換素子の形成と同時に抵
抗素子を同じ基板に形成することも可能である。先に説
明したこの発明の光電変換素子を製造する場合、μＣ−
Ｓｉ膜および複数の光電変換層用ａ−Ｓｉ系薄膜を積層
した積層膜を基板表面に形成しておいて、この積層膜を
パターン化するわけであるが、光電変換素子用パターン
の他に光電変換層３と同じ積層形態をとる抵抗素子用パ
ターンを同時に形成するとともに、図４、５にみるよう
に、μＣ−Ｓｉ層７、８表面に引出電極２７、２８を設
け抵抗素子２０、２３を同時に作り込むことができるの
である。勿論、引出電極２７、２８も光電変換素子用電
極の形成と同時に作り込める。なお、２５は絶縁基板、
２６は絶縁保護膜である。
【００１３】もちろん、ｐｉｎ光電変換層が複数あるタ
ンデム構造の場合も、図６、７にみるように、同様にし
て、抵抗素子３０、３３を光電変換素子と同時に同じ基
板上に作り込むことができる。この発明の光電変換素子
のより具体的な構成例を図８、９に示す。図８、９にお
いて、４０はアルミニウム配線であり、４１は配線４０
と同時形成したアルミニウム遮光膜である。図９の場合
、先に説明した通り、光電変換素子Ａと抵抗素子Ｂが同
一の絶縁基板上２５に同時に作り込まれている。
ンデム構造の場合も、図６、７にみるように、同様にし
て、抵抗素子３０、３３を光電変換素子と同時に同じ基
板上に作り込むことができる。この発明の光電変換素子
のより具体的な構成例を図８、９に示す。図８、９にお
いて、４０はアルミニウム配線であり、４１は配線４０
と同時形成したアルミニウム遮光膜である。図９の場合
、先に説明した通り、光電変換素子Ａと抵抗素子Ｂが同
一の絶縁基板上２５に同時に作り込まれている。
【００１４】
【作用】この発明の光電変換素子は、電極（例えば、Ｃ
ｒ電極やＡｌ電極）とａ−Ｓｉ系光電変換層の間に設け
られるμＣ−Ｓｉ層は欠陥が少なく電極でのキャリア再
結合が抑えられるため、電極とのコンコクト性が向上し
て電流が多くとれるようになる。ａ−Ｓｉ層はダングリ
ングボンド等の欠陥があるため、電極でのキャリア再結
合が多くて、電流が多くとれないのである。
ｒ電極やＡｌ電極）とａ−Ｓｉ系光電変換層の間に設け
られるμＣ−Ｓｉ層は欠陥が少なく電極でのキャリア再
結合が抑えられるため、電極とのコンコクト性が向上し
て電流が多くとれるようになる。ａ−Ｓｉ層はダングリ
ングボンド等の欠陥があるため、電極でのキャリア再結
合が多くて、電流が多くとれないのである。
【００１５】μＣ−Ｓｉ層はａ−Ｓｉ層に比べ導電率が
非常に高いため、介在させてもシリース抵抗の増大を招
かない。μＣ−Ｓｉ層の場合、同じドーピングガス濃度
であれば、ｎ型の方がｐ型よりも抵抗率が２〜３桁低く
、そのため、μＣ−Ｓｉ層はｎ型である方が効果的であ
る。
非常に高いため、介在させてもシリース抵抗の増大を招
かない。μＣ−Ｓｉ層の場合、同じドーピングガス濃度
であれば、ｎ型の方がｐ型よりも抵抗率が２〜３桁低く
、そのため、μＣ−Ｓｉ層はｎ型である方が効果的であ
る。
【００１６】また、μＣ−Ｓｉ層は光電変換層に積層さ
れ、μＣ−Ｓｉ層形成に余分な場所を必要としないため
、素子の大型化を伴わない。
れ、μＣ−Ｓｉ層形成に余分な場所を必要としないため
、素子の大型化を伴わない。
【００１７】
【実施例】−実施例１−
実施例１の場合、図９に示すように、抵抗素子も同時に
形成するようにして光電変換素子を作製した。まず、絶
縁基板として、表面を熱酸化したＳｉウエハを用い、そ
の表面に光電変換素子の電極５用および抵抗素子の電極
２７、２８用にクロム薄膜を電子ビーム蒸着法により形
成しパターン化して電極形成を行った。
形成するようにして光電変換素子を作製した。まず、絶
縁基板として、表面を熱酸化したＳｉウエハを用い、そ
の表面に光電変換素子の電極５用および抵抗素子の電極
２７、２８用にクロム薄膜を電子ビーム蒸着法により形
成しパターン化して電極形成を行った。
【００１８】ついで、グロー放電分解法により、ｎ型μ
Ｃ−Ｓｉ薄膜を厚み２０００オングストローム堆積させ
た。なお、このμＣ−Ｓｉ薄膜の場合、ホスフィン１モ
ル％を加えた水素希釈のモノシランガスを使い、基板温
度２５０℃、圧力０．７ｔｏｒｒ、放電電力３００Ｗの
条件で分解させるようにした。続いて、グロー放電分解
法により、厚み３００オングストロームのｐ型ａ−Ｓｉ
薄膜、厚み４０００オングストロームのｉ型ａ−Ｓｉ薄
膜、厚み１００オングストロームのｎ型ａ−Ｓｉ薄膜を
順に堆積させた。ｐ型ａ−Ｓｉ薄膜の場合は１モル％の
ジボランを加えた水素希釈モノシランガスを用い、ｉ型
ａ−Ｓｉ薄膜の場合は水素希釈モノシランガスを用い、
ｎ型ａ−Ｓｉ薄膜の場合は１モル％のホスフィンを加え
た水素希釈モノシランガスを用いた。基板温度は１８０
℃、圧力は０．９ｔｏｒｒ、放電電力は２０Ｗとした。
Ｃ−Ｓｉ薄膜を厚み２０００オングストローム堆積させ
た。なお、このμＣ−Ｓｉ薄膜の場合、ホスフィン１モ
ル％を加えた水素希釈のモノシランガスを使い、基板温
度２５０℃、圧力０．７ｔｏｒｒ、放電電力３００Ｗの
条件で分解させるようにした。続いて、グロー放電分解
法により、厚み３００オングストロームのｐ型ａ−Ｓｉ
薄膜、厚み４０００オングストロームのｉ型ａ−Ｓｉ薄
膜、厚み１００オングストロームのｎ型ａ−Ｓｉ薄膜を
順に堆積させた。ｐ型ａ−Ｓｉ薄膜の場合は１モル％の
ジボランを加えた水素希釈モノシランガスを用い、ｉ型
ａ−Ｓｉ薄膜の場合は水素希釈モノシランガスを用い、
ｎ型ａ−Ｓｉ薄膜の場合は１モル％のホスフィンを加え
た水素希釈モノシランガスを用いた。基板温度は１８０
℃、圧力は０．９ｔｏｒｒ、放電電力は２０Ｗとした。
【００１９】続いて、微細加工を施してパターン化し、
光電変換素子および抵抗素子の両方の光電変換層３およ
びμＣ−Ｓｉ層７を同時に形成した。この後、電子ビー
ム蒸着法により、酸素ガス雰囲気、６．０×１０−４ｔ
ｏｒｒの条件で厚み９００オングストロームの透明なＩ
ＴＯ薄膜を堆積し、パターン化して透明な電極６を形成
した。
光電変換素子および抵抗素子の両方の光電変換層３およ
びμＣ−Ｓｉ層７を同時に形成した。この後、電子ビー
ム蒸着法により、酸素ガス雰囲気、６．０×１０−４ｔ
ｏｒｒの条件で厚み９００オングストロームの透明なＩ
ＴＯ薄膜を堆積し、パターン化して透明な電極６を形成
した。
【００２０】さらに、酸化シリコン膜を積み保護膜２６
を形成するとともにアルミニウム薄膜を蒸着しパターン
化することにより配線４０および遮光膜４１を形成し、
光電変換素子Ａおよび抵抗素子Ｂを同時に完成させた。 −実施例２− ｐ型ａ−Ｓｉ薄膜、ｉ型ａ−Ｓｉ薄膜、ｎ型ａ−Ｓｉ薄
膜の３層の積層を３回繰り返すようにした他は、実施例
１と同様にして、光電変換素子Ａと抵抗素子Ｂを同時に
完成させるようにした。但し、ｉ型ａ−Ｓｉ薄膜の厚み
は、１回目：３０００オングストローム、２回目：２７
００オングストローム、３回目：２５００オングストロ
ームとした。
を形成するとともにアルミニウム薄膜を蒸着しパターン
化することにより配線４０および遮光膜４１を形成し、
光電変換素子Ａおよび抵抗素子Ｂを同時に完成させた。 −実施例２− ｐ型ａ−Ｓｉ薄膜、ｉ型ａ−Ｓｉ薄膜、ｎ型ａ−Ｓｉ薄
膜の３層の積層を３回繰り返すようにした他は、実施例
１と同様にして、光電変換素子Ａと抵抗素子Ｂを同時に
完成させるようにした。但し、ｉ型ａ−Ｓｉ薄膜の厚み
は、１回目：３０００オングストローム、２回目：２７
００オングストローム、３回目：２５００オングストロ
ームとした。
【００２１】−実施例３−
実施例３の場合、図８に示すように、抵抗素子の形成は
行わず、μＣ−Ｓｉ層８を光電変換層３と電極６の間に
も設けるようにした。実施例１と同様にして、ｎ型μＣ
−Ｓｉ薄膜、ｐ型ａ−Ｓｉ薄膜、ｉ型ａ−Ｓｉ薄膜、お
よび、ｎ型ａ−Ｓｉ薄膜の堆積までの工程を行い、さら
に、厚み１００オングストロームのμＣ−Ｓｉ薄膜を先
の場合と同様の条件で堆積し、微細加工を施してパター
ン化し、光電変換素子の光電変換層３およびμＣ−Ｓｉ
層７、８を形成した。
行わず、μＣ−Ｓｉ層８を光電変換層３と電極６の間に
も設けるようにした。実施例１と同様にして、ｎ型μＣ
−Ｓｉ薄膜、ｐ型ａ−Ｓｉ薄膜、ｉ型ａ−Ｓｉ薄膜、お
よび、ｎ型ａ−Ｓｉ薄膜の堆積までの工程を行い、さら
に、厚み１００オングストロームのμＣ−Ｓｉ薄膜を先
の場合と同様の条件で堆積し、微細加工を施してパター
ン化し、光電変換素子の光電変換層３およびμＣ−Ｓｉ
層７、８を形成した。
【００２２】この後、実施例１と同様にして、保護膜２
６および配線４０を形成し、光電変換素子を完成させた
。 −比較例１− μＣ−Ｓｉ層を形成しなかった他は、実施例１と同様に
して光電変換素子を得た。
６および配線４０を形成し、光電変換素子を完成させた
。 −比較例１− μＣ−Ｓｉ層を形成しなかった他は、実施例１と同様に
して光電変換素子を得た。
【００２３】実施例および比較例の光電変換素子につい
て、、５００ルックス、波長６６０ｎｍの光を照射して
、短絡電流（Ｉｓｃ）、開放電圧（Ｖｏｃ）、最高出力
（Ｐｍａｘ ）、曲線因子（ＦＦ）を測定した。測定結
果を表１に示す。なお、実施例１、２の抵抗素子の抵抗
値は３ＭΩであった。
て、、５００ルックス、波長６６０ｎｍの光を照射して
、短絡電流（Ｉｓｃ）、開放電圧（Ｖｏｃ）、最高出力
（Ｐｍａｘ ）、曲線因子（ＦＦ）を測定した。測定結
果を表１に示す。なお、実施例１、２の抵抗素子の抵抗
値は３ＭΩであった。
【００２４】
【表１】
【００２５】表１において、実施例１、３の光電変換素
子は比較例１の光電変換素子に比べ、特に短絡電流が増
加しており、μＣ−Ｓｉ層を設けることが効率を良くし
電流容量を増大させるものであることが良く分かる。実
施例３の場合、上の電極と光電変換層の間にも、μＣ−
Ｓｉ層を設けることにより、実施例１の光電変換素子よ
りもさらに電流容量を増大させていることも分かる。
子は比較例１の光電変換素子に比べ、特に短絡電流が増
加しており、μＣ−Ｓｉ層を設けることが効率を良くし
電流容量を増大させるものであることが良く分かる。実
施例３の場合、上の電極と光電変換層の間にも、μＣ−
Ｓｉ層を設けることにより、実施例１の光電変換素子よ
りもさらに電流容量を増大させていることも分かる。
【００２６】
【発明の効果】前述したように、この発明の光電変換素
子は、ａ−Ｓｉ系光電変換層と電極の間に微結晶シリコ
ン層が設けられているため、素子の大型化を伴わずに電
流容量の増大が図れる。
子は、ａ−Ｓｉ系光電変換層と電極の間に微結晶シリコ
ン層が設けられているため、素子の大型化を伴わずに電
流容量の増大が図れる。
【図１】この発明の光電変換素子の要部構成例をあらわ
す断面図である。
す断面図である。
【図２】この発明の光電変換素子の要部構成例をあらわ
す断面図である。
す断面図である。
【図３】この発明の光電変換素子の要部構成例をあらわ
す断面図である。
す断面図である。
【図４】この発明の光電変換素子と同時形成できる抵抗
素子の要部構成例をあらわす断面図である。
素子の要部構成例をあらわす断面図である。
【図５】この発明の光電変換素子と同時形成できる抵抗
素子の要部構成例をあらわす断面図である。
素子の要部構成例をあらわす断面図である。
【図６】この発明の光電変換素子と同時形成できる抵抗
素子の要部構成例をあらわす断面図である。
素子の要部構成例をあらわす断面図である。
【図７】この発明の光電変換素子と同時形成できる抵抗
素子の要部構成例をあらわす断面図である。
素子の要部構成例をあらわす断面図である。
【図８】この発明の光電変換素子の具体的な構成例をあ
らわす断面図である。
らわす断面図である。
【図９】この発明の光電変換素子の具体的な構成例をあ
らわす断面図である。
らわす断面図である。
【図１０】従来の光電変換素子の構成例をあらわす断面
図である。
図である。
【図１１】従来の光電変換素子の構成例をあらわす断面
図である。
図である。
１、２、１０・・・光電変換素子
３・・・ａ−Ｓｉ系ｐｉｎ光電変換層
５、６・・・電極
７、８・・・μＣ−Ｓｉ層
Claims (3)
- 【請求項１】 アモルファスシリコン系光電変換層の
表面と裏面にそれぞれ電極が設けられてなる光電変換素
子において、前記電極の少なくとも一方の電極と前記光
電変換層の間に微結晶シリコン層が設けられていること
を特徴とする光電変換素子。 - 【請求項２】 アモルファスシリコン系光電変換層が
、ｐ型アモルファスシリコン層、ｉ型アモルファスシリ
コン層、ｎ型アモルファスシリコン層の３層が積層され
たｐｉｎ光電変換層であって、微結晶シリコン層がｎ型
アモルファスシリコン層の側にある請求項１記載の光電
変換素子。 - 【請求項３】 アモルファスシリコン系光電変換層が
、ｐ型アモルファスシリコン層、ｉ型アモルファスシリ
コン層、ｎ型アモルファスシリコン層の３層が積層され
たｐｉｎ光電変換層であって、微結晶シリコン層がｐ型
アモルファスシリコン層の側にある請求項１記載の光電
変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3007580A JPH04240778A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3007580A JPH04240778A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 光電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04240778A true JPH04240778A (ja) | 1992-08-28 |
Family
ID=11669753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3007580A Pending JPH04240778A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04240778A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5769963A (en) * | 1995-08-31 | 1998-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device |
| US7910916B2 (en) * | 2003-06-26 | 2011-03-22 | Kyocera Corporation | Multi-junction type solar cell device |
-
1991
- 1991-01-25 JP JP3007580A patent/JPH04240778A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5769963A (en) * | 1995-08-31 | 1998-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device |
| US7910916B2 (en) * | 2003-06-26 | 2011-03-22 | Kyocera Corporation | Multi-junction type solar cell device |
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