JPH04240107A - ポリシラザンの変性方法 - Google Patents
ポリシラザンの変性方法Info
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- JPH04240107A JPH04240107A JP2264091A JP2264091A JPH04240107A JP H04240107 A JPH04240107 A JP H04240107A JP 2264091 A JP2264091 A JP 2264091A JP 2264091 A JP2264091 A JP 2264091A JP H04240107 A JPH04240107 A JP H04240107A
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Landscapes
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ポリシラザンの変性方
法、詳しくは高重合度ないしは高窒素含有率でしかも常
温における成形性にすぐれたポリシラザンを高収率かつ
経済的に製造するためのポリシラザンの変性方法に関す
る。
法、詳しくは高重合度ないしは高窒素含有率でしかも常
温における成形性にすぐれたポリシラザンを高収率かつ
経済的に製造するためのポリシラザンの変性方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】ポリシラザンは、高温(800 〜20
00℃)で焼成することにより、窒化珪素系のセラミッ
クとなるSi−N結合を主鎖とするポリマーであり、こ
のポリマーを成形した後焼成すると窒化珪素系セラミッ
ク成形体が得られることから、今までに達成されなかっ
た形状のセラミック材料を得ることができる。
00℃)で焼成することにより、窒化珪素系のセラミッ
クとなるSi−N結合を主鎖とするポリマーであり、こ
のポリマーを成形した後焼成すると窒化珪素系セラミッ
ク成形体が得られることから、今までに達成されなかっ
た形状のセラミック材料を得ることができる。
【0003】従来より、ポリシラザンの製造法ないしは
変性法については種々の提案がある。例えば特公昭63
−16325号公報には、ジハロシランと塩基とからア
ダクトを形成させた後アンモニアと反応させて無機ポリ
シラザンを製造することが記載されている。また、特開
平1−138107号公報には、ポリシラザンを塩基性
下、アンモニア又はヒドラジンと反応させることによっ
てポリシラザンを架橋させ、分子量を増加させる改質方
法が記載されている。
変性法については種々の提案がある。例えば特公昭63
−16325号公報には、ジハロシランと塩基とからア
ダクトを形成させた後アンモニアと反応させて無機ポリ
シラザンを製造することが記載されている。また、特開
平1−138107号公報には、ポリシラザンを塩基性
下、アンモニア又はヒドラジンと反応させることによっ
てポリシラザンを架橋させ、分子量を増加させる改質方
法が記載されている。
【0004】しかし、特公昭63−16325号公報で
は、無機ポリシラザンの収率は77% にしか過ぎず、
原料のジハロシランが高価であることから、より高収率
で経済的に無機ポリシラザンを製造する方法の開発が待
たれていた。 一方、特開平1−138107号公報による改質方法で
は、ポリシラザンの溶けた溶液の溶媒を高濃度の塩基を
含む溶媒で置換する必要があり、プロセス上経済的では
なかった。
は、無機ポリシラザンの収率は77% にしか過ぎず、
原料のジハロシランが高価であることから、より高収率
で経済的に無機ポリシラザンを製造する方法の開発が待
たれていた。 一方、特開平1−138107号公報による改質方法で
は、ポリシラザンの溶けた溶液の溶媒を高濃度の塩基を
含む溶媒で置換する必要があり、プロセス上経済的では
なかった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の問題
点を解決し、高重合度のポリシラザンないしは窒化珪素
含有率の高いセラミックを得るための窒素含有率の高い
ポリシラザンを、高収率かつ経済的に製造することがで
きるポリシラザンの改質方法を提供することを目的とす
る。
点を解決し、高重合度のポリシラザンないしは窒化珪素
含有率の高いセラミックを得るための窒素含有率の高い
ポリシラザンを、高収率かつ経済的に製造することがで
きるポリシラザンの改質方法を提供することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、S
i−H基とN−H基を有するポリシラザンをエーテル溶
媒に溶解した状態でアンモニアと接触させることを特徴
とするポリシラザンの変性方法を要旨とするものである
。
i−H基とN−H基を有するポリシラザンをエーテル溶
媒に溶解した状態でアンモニアと接触させることを特徴
とするポリシラザンの変性方法を要旨とするものである
。
【0007】以下、さらに詳しく本発明について説明す
る。本発明で使用されるエーテル溶媒は、例えばジエチ
ルエーテル、イソプロピルエーテル等の鎖状モノエーテ
ル;ジアルコキシエタン例えば1,2−ジメトキシエタ
ン、ジエチレングリコールジアルキルエーテル等の鎖状
ポリエーテル;テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラ
ン等の環状エーテルなどのように本発明の反応に対して
不活性なエーテル溶媒一般、及び該エーテル溶媒を10
wt% 以上含む混合溶媒である。
る。本発明で使用されるエーテル溶媒は、例えばジエチ
ルエーテル、イソプロピルエーテル等の鎖状モノエーテ
ル;ジアルコキシエタン例えば1,2−ジメトキシエタ
ン、ジエチレングリコールジアルキルエーテル等の鎖状
ポリエーテル;テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラ
ン等の環状エーテルなどのように本発明の反応に対して
不活性なエーテル溶媒一般、及び該エーテル溶媒を10
wt% 以上含む混合溶媒である。
【0008】「本発明の反応に対して不活性」とは、原
料のジクロロシランやアンモニア、他方のエーテル溶媒
及び生成ポリシラザンが以下に説明する処理条件におい
ては普通では反応しないことをいう。これらのエーテル
溶媒のうち特にテトラヒドロフラン、1,2−ジメトキ
シエタンが好ましい。
料のジクロロシランやアンモニア、他方のエーテル溶媒
及び生成ポリシラザンが以下に説明する処理条件におい
ては普通では反応しないことをいう。これらのエーテル
溶媒のうち特にテトラヒドロフラン、1,2−ジメトキ
シエタンが好ましい。
【0009】混合溶媒の場合における一方の溶媒として
は、本発明の反応に対して不活性であれば任意の溶媒を
用いることができる。その例をあげれば、ヘキサン、ヘ
プタン等の飽和炭化水素;ベンゼン、トルエン、キシレ
ン等の不飽和炭化水素;ジクロロメタン、クロロホルム
、1,1,1−トリクロロエタン、1,2−ジブロモエ
タン等のハロゲン化炭化水素などである。
は、本発明の反応に対して不活性であれば任意の溶媒を
用いることができる。その例をあげれば、ヘキサン、ヘ
プタン等の飽和炭化水素;ベンゼン、トルエン、キシレ
ン等の不飽和炭化水素;ジクロロメタン、クロロホルム
、1,1,1−トリクロロエタン、1,2−ジブロモエ
タン等のハロゲン化炭化水素などである。
【0010】一方、本発明で使用されるポリシラザンは
、例えば、一般式SiH2X2 (式中Xはハロゲン原
子を表す)で示されるジハロシランとアンモニアとをエ
ーテル溶媒中で反応させて得られたもの(US特許第4
397828 号明細書)や、ジハロシランと塩基との
反応によりアダクトを形成させた後アンモニアと反応さ
せて得られたもの(特公昭63−16325号公報)
などをあげることができる。
、例えば、一般式SiH2X2 (式中Xはハロゲン原
子を表す)で示されるジハロシランとアンモニアとをエ
ーテル溶媒中で反応させて得られたもの(US特許第4
397828 号明細書)や、ジハロシランと塩基との
反応によりアダクトを形成させた後アンモニアと反応さ
せて得られたもの(特公昭63−16325号公報)
などをあげることができる。
【0011】本発明では、上記方法において、特にジハ
ロシランとアンモニアを溶媒中で反応させてポリシラザ
ンを合成する場合、溶媒としてエーテルを用いると、合
成後に得られるポリシラザンのエーテル溶媒溶液(反応
液)を溶媒置換することなしにアンモニア処理を行うこ
とができるので、プロセスの簡略化と溶媒コストの点で
有益である。
ロシランとアンモニアを溶媒中で反応させてポリシラザ
ンを合成する場合、溶媒としてエーテルを用いると、合
成後に得られるポリシラザンのエーテル溶媒溶液(反応
液)を溶媒置換することなしにアンモニア処理を行うこ
とができるので、プロセスの簡略化と溶媒コストの点で
有益である。
【0012】さらに、本発明では、特にジハロシランと
アンモニアを溶媒中で反応させてポリシラザンを製造す
る際に、溶媒としてテトラヒドロフラン又は1,2−ジ
メトキシエタンを選択して用いると、ポリシラザンがか
つてない高収率で得られ、しかも溶媒置換を行うことな
くアンモニア処理を行うことができるので非常に有利と
なる。
アンモニアを溶媒中で反応させてポリシラザンを製造す
る際に、溶媒としてテトラヒドロフラン又は1,2−ジ
メトキシエタンを選択して用いると、ポリシラザンがか
つてない高収率で得られ、しかも溶媒置換を行うことな
くアンモニア処理を行うことができるので非常に有利と
なる。
【0013】本発明の処理目的が主として高分子量のポ
リシラザンを得ることにある場合には、ポリシラザン濃
度を比較的高くする方が効果的であり、1wt%以上5
0wt% 以下、特に2wt%以上50wt% 以下が
好ましい。1wt%未満では十分な処理効果が得られず
、一方、50wt% を超えてはポリシラザンがゲル化
(不溶化)しやすくなるので好ましくない。
リシラザンを得ることにある場合には、ポリシラザン濃
度を比較的高くする方が効果的であり、1wt%以上5
0wt% 以下、特に2wt%以上50wt% 以下が
好ましい。1wt%未満では十分な処理効果が得られず
、一方、50wt% を超えてはポリシラザンがゲル化
(不溶化)しやすくなるので好ましくない。
【0014】一方、本発明の処理目的が主としてポリシ
ラザン中の含有窒素分の増加にある場合には、、ポリシ
ラザン濃度は比較的低いことが効果的であり、40wt
% 以下、特に30wt% 以下が好ましい。40wt
% を超えると窒素含有量を増加させる速度が遅くなる
。
ラザン中の含有窒素分の増加にある場合には、、ポリシ
ラザン濃度は比較的低いことが効果的であり、40wt
% 以下、特に30wt% 以下が好ましい。40wt
% を超えると窒素含有量を増加させる速度が遅くなる
。
【0015】本発明において、ポリシラザンが溶解した
エーテル溶液とアンモニアとを接触させる方法としては
、同一系内の液相部にポリシラザン溶液、気相部にアン
モニアを含むガスが存在する状態を実現させ、気液界面
でポリシラザン分子とアンモニア分子とを接触させる方
法や、エーテル溶媒にポリシラザンとアンモニアが溶解
した状態を実現させ、該液相中でポリシラザン分子とア
ンモニア分子とを接触させる方法などが採用される。
エーテル溶液とアンモニアとを接触させる方法としては
、同一系内の液相部にポリシラザン溶液、気相部にアン
モニアを含むガスが存在する状態を実現させ、気液界面
でポリシラザン分子とアンモニア分子とを接触させる方
法や、エーテル溶媒にポリシラザンとアンモニアが溶解
した状態を実現させ、該液相中でポリシラザン分子とア
ンモニア分子とを接触させる方法などが採用される。
【0016】本発明で使用されるアンモニアの使用量は
、本発明の処理目的が主として原料ポリシラザンよりも
高分子量のポリシラザンを得ることにある場合には、ポ
リシラザン中のSi−H結合1つ当たり0.01分子以
上のアンモニアが存在する量が好ましい。一方、本発明
の処理目的が特にポリシラザン中の窒素含有量の増加に
ある場合には、比較的アンモニア濃度を高くすることが
効果的であり、ポリシラザン中のSi−H結合1つ当た
り0.1 分子以上のアンモニアが存在する量が好まし
い。0.1分子未満のアンモニア量では窒素含有量は十
分にあがらない。
、本発明の処理目的が主として原料ポリシラザンよりも
高分子量のポリシラザンを得ることにある場合には、ポ
リシラザン中のSi−H結合1つ当たり0.01分子以
上のアンモニアが存在する量が好ましい。一方、本発明
の処理目的が特にポリシラザン中の窒素含有量の増加に
ある場合には、比較的アンモニア濃度を高くすることが
効果的であり、ポリシラザン中のSi−H結合1つ当た
り0.1 分子以上のアンモニアが存在する量が好まし
い。0.1分子未満のアンモニア量では窒素含有量は十
分にあがらない。
【0017】本発明の処理を行う際のポリシラザン溶液
の温度は、−30 ℃以上250 ℃以下が好ましい。 −30 ℃より低い温度では処理時間が長くなり、一方
、250 ℃よりも高い温度ではポリシラザンの不溶化
が進行するので、いずれの場合も好ましくない。本発明
の処理目的が主にポリシラザンよりも高分子量のポリシ
ラザンを得ることにある場合には、処理温度をより高く
設定する方が効果的であり、50℃以上250 ℃以下
が好ましい。
の温度は、−30 ℃以上250 ℃以下が好ましい。 −30 ℃より低い温度では処理時間が長くなり、一方
、250 ℃よりも高い温度ではポリシラザンの不溶化
が進行するので、いずれの場合も好ましくない。本発明
の処理目的が主にポリシラザンよりも高分子量のポリシ
ラザンを得ることにある場合には、処理温度をより高く
設定する方が効果的であり、50℃以上250 ℃以下
が好ましい。
【0018】本発明の処理が行われる雰囲気としては、
本質的に無水の雰囲気が好ましく、例えば窒素、不活性
ガス等の雰囲気下である。本発明で使用されるテトラヒ
ドロフラン等のエーテル溶媒はその水分が低いことが望
まれ、4000ppm 以下、特に400ppm以下で
あることが好ましい。本発明ではその脱水方法により特
に制約を受けるものではないが、例えばモレキュラーシ
ーブによる脱水や蒸留操作等の既知の方法が採用される
。
本質的に無水の雰囲気が好ましく、例えば窒素、不活性
ガス等の雰囲気下である。本発明で使用されるテトラヒ
ドロフラン等のエーテル溶媒はその水分が低いことが望
まれ、4000ppm 以下、特に400ppm以下で
あることが好ましい。本発明ではその脱水方法により特
に制約を受けるものではないが、例えばモレキュラーシ
ーブによる脱水や蒸留操作等の既知の方法が採用される
。
【0019】
【実施例】以下、実施例と比較例をあげてさらに具体的
に本発明を説明する。
に本発明を説明する。
【0020】ポリシラザンの製造例1
1000ml四つ口フラスコにガス吹き込み口、メカニ
カルスターラー、及び真空トラップ型コンデンサーをセ
ットしフラスコ内部を窒素置換した後、予め脱水・脱気
したテトラヒドロフラン500ml を仕込み、0 ℃
に冷却した。次にジクロロシラン65.4g を入れ、
更に撹拌しながらアンモニア44.0g を1時間かけ
て加えた。反応終了後、副生成物の固形分をろ過除去し
てポリシラザンのテトラヒドロフラン溶液を得た。
カルスターラー、及び真空トラップ型コンデンサーをセ
ットしフラスコ内部を窒素置換した後、予め脱水・脱気
したテトラヒドロフラン500ml を仕込み、0 ℃
に冷却した。次にジクロロシラン65.4g を入れ、
更に撹拌しながらアンモニア44.0g を1時間かけ
て加えた。反応終了後、副生成物の固形分をろ過除去し
てポリシラザンのテトラヒドロフラン溶液を得た。
【0021】この溶液から溶媒をロータリーエバポレー
ターを用いて減圧除去(20℃)したところ、30分で
無色透明のオイル状生成物28.8gが得られた。
ターを用いて減圧除去(20℃)したところ、30分で
無色透明のオイル状生成物28.8gが得られた。
【0022】オイル状生成物の赤外吸収スペクトルを液
膜法により測定したところ、N−H 結合(3390、
1180;単位はcm−1以下同じ)、Si−H結合(
2170)、Si−N−Si 結合(1020、840
)の存在が示された。
膜法により測定したところ、N−H 結合(3390、
1180;単位はcm−1以下同じ)、Si−H結合(
2170)、Si−N−Si 結合(1020、840
)の存在が示された。
【0023】また、重水素置換クロロホルムに溶解して
1H−NMRスペクトルを測定したところ、Si原子に
結合したH 原子(δ4.7ppm及びδ4.3ppm
)、N 原子に結合したH 原子(δ1.3ppm)の
存在が示された。
1H−NMRスペクトルを測定したところ、Si原子に
結合したH 原子(δ4.7ppm及びδ4.3ppm
)、N 原子に結合したH 原子(δ1.3ppm)の
存在が示された。
【0024】以上のことから、得られた物質は基本骨格
(SiH2NH)を有するポリシラザンであることが確
かめられた。
(SiH2NH)を有するポリシラザンであることが確
かめられた。
【0025】オイル状ポリシラザンの1H−NMRスペ
クトルに現れたテトラヒドロフラン溶媒のピーク強度よ
りポリシラザン中に残留した溶媒量を差し引くと、ポリ
シラザンの収率(Si原子ベース)は95%であり、以
下に示す従来報告されている値に比べて非常に高いもの
であった。 従来報告されているポリシラザンの収率US特許第43
97828 号明細書ではジクロロメタンを溶媒とした
場合は74%特公昭63−16325号公報では77%
クトルに現れたテトラヒドロフラン溶媒のピーク強度よ
りポリシラザン中に残留した溶媒量を差し引くと、ポリ
シラザンの収率(Si原子ベース)は95%であり、以
下に示す従来報告されている値に比べて非常に高いもの
であった。 従来報告されているポリシラザンの収率US特許第43
97828 号明細書ではジクロロメタンを溶媒とした
場合は74%特公昭63−16325号公報では77%
【0026】また、オイル状ポリシラザンの1H−NM
Rのピーク強度比はI( δ4.3)/I( δ4.7
)=0.642 、I( δ1.3)/I( δ4.7
)=0.472であった。
Rのピーク強度比はI( δ4.3)/I( δ4.7
)=0.642 、I( δ1.3)/I( δ4.7
)=0.472であった。
【0027】さらに、オイル状ポリシラザンの数平均分
子量はベンゼン蒸気圧降下法により、630 と測定さ
れた。
子量はベンゼン蒸気圧降下法により、630 と測定さ
れた。
【0028】得られたオイル状ポリシラザンは不活性ガ
ス雰囲気下で自己重合し1日で固化した。この固化物の
組成比を化学分析したところ、珪素と窒素のモル比でN
/Si=0.51であった。また固化物の窒素中におけ
るTGスペクトルを測定したところ、1000℃での残
存率は87% であった。
ス雰囲気下で自己重合し1日で固化した。この固化物の
組成比を化学分析したところ、珪素と窒素のモル比でN
/Si=0.51であった。また固化物の窒素中におけ
るTGスペクトルを測定したところ、1000℃での残
存率は87% であった。
【0029】実施例1
上記ポリシラザンの製造例1で得られたポリシラザン含
有のテトラヒドロフラン溶液を、溶媒置換なしに10w
t% まで減圧濃縮した。窒素置換された200ml
オートクレーブ反応器中に該濃縮液160ml とアン
モニア1.6gを導入した後、反応器温度を80℃まで
昇温しその温度で3時間保持したところ、圧力は4.9
kgf/cm2まで上昇した。大気圧まで反応器気相部
のガスを排出し、窒素ガスを導入置換しながら室温まで
冷却した。微量の析出物をろ過除去した後、ロータリー
エバポレーターを用いてろ液から溶媒を減圧除去して粘
凋オイル状のアンモニア処理ポリシラザンを得た。
有のテトラヒドロフラン溶液を、溶媒置換なしに10w
t% まで減圧濃縮した。窒素置換された200ml
オートクレーブ反応器中に該濃縮液160ml とアン
モニア1.6gを導入した後、反応器温度を80℃まで
昇温しその温度で3時間保持したところ、圧力は4.9
kgf/cm2まで上昇した。大気圧まで反応器気相部
のガスを排出し、窒素ガスを導入置換しながら室温まで
冷却した。微量の析出物をろ過除去した後、ロータリー
エバポレーターを用いてろ液から溶媒を減圧除去して粘
凋オイル状のアンモニア処理ポリシラザンを得た。
【0030】上記アンモニア処理ポリシラザンの1H−
NMRスペクトルのピーク強度比は、I(δ4.3)/
I( δ4.7)=0.459 、I( δ1.3)/
I( δ1.3)=0.512 であり、アンモニア処
理によって、(N−H 結合数)/(Si−H結合数)
比の増加、及び(SiH3基数)/(トータルSi−H
結合数)比の減少が見られた。
NMRスペクトルのピーク強度比は、I(δ4.3)/
I( δ4.7)=0.459 、I( δ1.3)/
I( δ1.3)=0.512 であり、アンモニア処
理によって、(N−H 結合数)/(Si−H結合数)
比の増加、及び(SiH3基数)/(トータルSi−H
結合数)比の減少が見られた。
【0031】上記アンモニア処理ポリシラザンの蒸気圧
降下法による平均分子量は1750であり、本発明の処
理によって2.8 倍までの増加が達成成された。また
、このポリシラザンは不活性ガス雰囲気下で自己重合し
1日で固化した。
降下法による平均分子量は1750であり、本発明の処
理によって2.8 倍までの増加が達成成された。また
、このポリシラザンは不活性ガス雰囲気下で自己重合し
1日で固化した。
【0032】上記固化物の組成比を化学分析したところ
、珪素と窒素のモル比はN/Si=0.79であり、本
発明の処理により窒素比率の増加が達成された。さらに
固化物の窒素中におけるTGスペクトルを測定したとこ
ろ、1000℃での残存率は93wt% であり、本発
明の処理によりセラミック収率(焼成時の重量残存率)
も増加できることが示された。
、珪素と窒素のモル比はN/Si=0.79であり、本
発明の処理により窒素比率の増加が達成された。さらに
固化物の窒素中におけるTGスペクトルを測定したとこ
ろ、1000℃での残存率は93wt% であり、本発
明の処理によりセラミック収率(焼成時の重量残存率)
も増加できることが示された。
【0033】ポリシラザンの製造例2
テトラヒドロフランのかわりに1,2−ジメトキシエタ
ンを用いたこと以外はポリシラザンの製造例1と同様に
して前駆体ポリシラザン含有の1,2−ジメトキシエタ
ン溶液を得、この溶液から溶媒をロータリーエバポレー
ターにより減圧除去したところ、30分で無色透明のオ
イル状生成物28.3g が得られた。
ンを用いたこと以外はポリシラザンの製造例1と同様に
して前駆体ポリシラザン含有の1,2−ジメトキシエタ
ン溶液を得、この溶液から溶媒をロータリーエバポレー
ターにより減圧除去したところ、30分で無色透明のオ
イル状生成物28.3g が得られた。
【0034】オイル状生成物の赤外吸収スペクトルを液
膜法により測定したところ、N−H 結合(3390、
1180)、Si−H結合(2170)、Si−N−S
i 結合(1020、840 )の存在が示された。ま
た、重水素置換クロロホルムに溶解して1H−NMRス
ペクトルを測定したところ、Si原子に結合したH 原
子(δ4.7ppm及びδ4.3ppm)、N 原子に
結合したH 原子(δ1.3ppm)の存在が示された
。
膜法により測定したところ、N−H 結合(3390、
1180)、Si−H結合(2170)、Si−N−S
i 結合(1020、840 )の存在が示された。ま
た、重水素置換クロロホルムに溶解して1H−NMRス
ペクトルを測定したところ、Si原子に結合したH 原
子(δ4.7ppm及びδ4.3ppm)、N 原子に
結合したH 原子(δ1.3ppm)の存在が示された
。
【0035】以上のことから得られた物質は、基本骨格
(SiH2NH)を有するポリシラザンであることが確
かめられた。
(SiH2NH)を有するポリシラザンであることが確
かめられた。
【0036】上記オイル状ポリシラザンの1H−NMR
スペクトルに現れた1,2−ジメトキシエタン溶媒のピ
ーク強度よりポリシラザン中に残留した溶媒量を差し引
くと、ポリシラザンの収率(Si原子ベース)は92%
であり、従来報告されている値に比べて非常に高いもの
であった。1H−NMRのピーク強度比はI( δ4.
3)/I( δ4.7)=0.487、I( δ1.3
)/I( δ4.7)=0.415 であった。また、
数平均分子量はベンゼン蒸気圧降下法により550 と
測定された。
スペクトルに現れた1,2−ジメトキシエタン溶媒のピ
ーク強度よりポリシラザン中に残留した溶媒量を差し引
くと、ポリシラザンの収率(Si原子ベース)は92%
であり、従来報告されている値に比べて非常に高いもの
であった。1H−NMRのピーク強度比はI( δ4.
3)/I( δ4.7)=0.487、I( δ1.3
)/I( δ4.7)=0.415 であった。また、
数平均分子量はベンゼン蒸気圧降下法により550 と
測定された。
【0037】上記オイル状ポリシラザンは不活性ガス雰
囲気下で自己重合し1日で固化した。この固化物の組成
比を化学分析したところ、珪素と窒素のモル比はN/S
i=0.46であった。固化物の窒素中におけるTGス
ペクトルを測定したところ、1000℃での残存率は8
5wt% であった。
囲気下で自己重合し1日で固化した。この固化物の組成
比を化学分析したところ、珪素と窒素のモル比はN/S
i=0.46であった。固化物の窒素中におけるTGス
ペクトルを測定したところ、1000℃での残存率は8
5wt% であった。
【0038】実施例2
上記ポリシラザンの製造例2で得られた前駆体ポリシラ
ザン含有の1,2−ジメトキシエタン溶液を、溶媒置換
なしに10wt% まで減圧濃縮した。窒素置換された
200ml オートクレーブ反応器中に該濃縮液160
ml とアンモニア1.6gを導入した後、反応器温度
を80℃まで昇温し3時間保持したところ、圧力は4.
8kgf/cm2まで上昇した。大気圧まで反応器気相
部のガスを排出し、窒素ガスを導入置換しながら室温ま
で冷却した。微量の析出物をろ過除去した後、ロータリ
ーエバポレーターを用いてろ液から溶媒を減圧除去して
粘凋オイル状のアンモニア処理ポリシラザンを得た。
ザン含有の1,2−ジメトキシエタン溶液を、溶媒置換
なしに10wt% まで減圧濃縮した。窒素置換された
200ml オートクレーブ反応器中に該濃縮液160
ml とアンモニア1.6gを導入した後、反応器温度
を80℃まで昇温し3時間保持したところ、圧力は4.
8kgf/cm2まで上昇した。大気圧まで反応器気相
部のガスを排出し、窒素ガスを導入置換しながら室温ま
で冷却した。微量の析出物をろ過除去した後、ロータリ
ーエバポレーターを用いてろ液から溶媒を減圧除去して
粘凋オイル状のアンモニア処理ポリシラザンを得た。
【0039】上記アンモニア処理ポリシラザンの1H−
NMRスペクトルのピーク強度比は、I(δ4.3)/
I( δ4.7)=0.368 、I( δ1.3)/
I( δ1.3)=0.453 であり、アンモニア処
理によって(N−H 結合数)/(Si−H結合数)比
の増加と(SiH3基数)/(トータルSi−H結合数
)比の減少が見られた。蒸気圧降下法による平均分子量
は1480であり、本発明の処理により2.7 倍まで
増加した。
NMRスペクトルのピーク強度比は、I(δ4.3)/
I( δ4.7)=0.368 、I( δ1.3)/
I( δ1.3)=0.453 であり、アンモニア処
理によって(N−H 結合数)/(Si−H結合数)比
の増加と(SiH3基数)/(トータルSi−H結合数
)比の減少が見られた。蒸気圧降下法による平均分子量
は1480であり、本発明の処理により2.7 倍まで
増加した。
【0040】上記ポリシラザンは不活性ガス雰囲気下で
自己重合し1日で固化した。この固化物の組成比を化学
分析したところ、珪素と窒素のモル比はN/Si=0.
77であり、本発明の処理により窒素比率の増加が達成
された。 固化物の窒素中におけるTGスペクトルを測定したとこ
ろ、1000℃での残存率は90wt% であり、本発
明の処理によりセラミック収率(焼成時の重量残存率)
が増加することが示された。
自己重合し1日で固化した。この固化物の組成比を化学
分析したところ、珪素と窒素のモル比はN/Si=0.
77であり、本発明の処理により窒素比率の増加が達成
された。 固化物の窒素中におけるTGスペクトルを測定したとこ
ろ、1000℃での残存率は90wt% であり、本発
明の処理によりセラミック収率(焼成時の重量残存率)
が増加することが示された。
【0041】
【発明の効果】本発明の処理により、ポリシラザンの分
子量と窒素含有量を所望の値に制御することができる。 特にエーテル溶媒中でジハロシランとアンモニアの反応
によりポリシラザンを合成した場合には、溶媒置換する
ことなく、該ポリシラザン溶液に本発明の処理を施すこ
とができるのでコスト上有益である。また、特にテトラ
ヒドロフラン溶媒中又は1,2−ジメトキシエタン溶媒
中でジハロシランとアンモニアの反応によりポリシラザ
ンを合成した場合、これまでにない高収率でポリシラザ
ンを製造することができ、しかも溶媒置換することなく
本発明の処理を施すことができる。
子量と窒素含有量を所望の値に制御することができる。 特にエーテル溶媒中でジハロシランとアンモニアの反応
によりポリシラザンを合成した場合には、溶媒置換する
ことなく、該ポリシラザン溶液に本発明の処理を施すこ
とができるのでコスト上有益である。また、特にテトラ
ヒドロフラン溶媒中又は1,2−ジメトキシエタン溶媒
中でジハロシランとアンモニアの反応によりポリシラザ
ンを合成した場合、これまでにない高収率でポリシラザ
ンを製造することができ、しかも溶媒置換することなく
本発明の処理を施すことができる。
【0042】本発明によって得られたポリシラザンは、
例えば窒化珪素構造材料、窒化珪素薄膜、窒化珪素繊維
等の製造原料や無機粉末の結合剤として使用することが
できる。
例えば窒化珪素構造材料、窒化珪素薄膜、窒化珪素繊維
等の製造原料や無機粉末の結合剤として使用することが
できる。
Claims (4)
- 【請求項1】 Si−H基とN−H 基を有するポリ
シラザンをエーテル溶媒に溶解した状態でアンモニアと
接触させることを特徴とするポリシラザンの変性方法。 - 【請求項2】 Si−H基とN−H 基を有するポリ
シラザンは、一般式 SiH2X2 (式中X はハロ
ゲン原子を表す)で示されるジハロシランとアンモニア
とをエーテル溶媒中で反応させて得られたものであるこ
とを特徴とする請求項1記載のポリシラザンの変性方法
。 - 【請求項3】 エーテル溶媒がテトラヒドロフランで
あることを特徴とする請求項2記載のポリシラザンの変
性方法。 - 【請求項4】 エーテル溶媒が1,2−ジメトキシエ
タンであることを特徴とする請求項2記載のポリシラザ
ンの変性方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2264091A JPH04240107A (ja) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | ポリシラザンの変性方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2264091A JPH04240107A (ja) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | ポリシラザンの変性方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04240107A true JPH04240107A (ja) | 1992-08-27 |
Family
ID=12088440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2264091A Pending JPH04240107A (ja) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | ポリシラザンの変性方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04240107A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013118642A1 (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-15 | アーゼット・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 無機ポリシラザン樹脂 |
-
1991
- 1991-01-24 JP JP2264091A patent/JPH04240107A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013118642A1 (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-15 | アーゼット・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 無機ポリシラザン樹脂 |
JP2013162072A (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-19 | Az Electronic Materials Mfg Co Ltd | 無機ポリシラザン樹脂 |
CN104114483A (zh) * | 2012-02-08 | 2014-10-22 | Az电子材料(卢森堡)有限公司 | 无机聚硅氮烷树脂 |
EP2813467A4 (en) * | 2012-02-08 | 2015-10-14 | Az Electronic Materials Luxembourg S R L | INORGANIC POLYSILAZAN RESIN |
US10494261B2 (en) | 2012-02-08 | 2019-12-03 | Ridgefield Acquisition | Inorganic polysilazane resin |
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