JPH04238086A - 光情報記録媒体 - Google Patents
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- JPH04238086A JPH04238086A JP3019235A JP1923591A JPH04238086A JP H04238086 A JPH04238086 A JP H04238086A JP 3019235 A JP3019235 A JP 3019235A JP 1923591 A JP1923591 A JP 1923591A JP H04238086 A JPH04238086 A JP H04238086A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光情報記録媒体に関する
。
。
【従来の技術】これまで提案されている光情報記録媒体
には次のようなタイプのものがある。 (a) 低融点金属薄膜を記録層に用いたもの(b)
反射膜と有機光吸収層の2層構造型記録層としたも
の (c) 高反射率の有機色素膜を記録層に用いたもの
上記(a)のタイプの記録媒体は低融点金属のTe等を
主成分とした薄膜により記録層を構成したもので、穴あ
け型と、結晶−アモルファスの相転移に伴う反射率変化
を利用した相変化型がある。このタイプの記録媒体は保
存安定性が悪く、穴あけ型のものは分解能が低く記録密
度があがらず、また相変化型のものは製造条件が難かし
くコストが高くなるという欠点がある。上記(b)のタ
イプの記録媒体は金属の反射膜上に有機光吸収層をコ―
ティングにより設け、該有機光吸収層にレ―ザ光を照射
して窪みを作り、情報の記録を行うものである。このタ
イプの記録媒体は、記録層が金属反射膜上に有機吸収層
を積層した2層構造となっているため製造が面倒であり
、また光や熱によって変形又は変質しない金属の反射層
を持つため基板側からの記録・再生が難かしいという欠
点がある。
には次のようなタイプのものがある。 (a) 低融点金属薄膜を記録層に用いたもの(b)
反射膜と有機光吸収層の2層構造型記録層としたも
の (c) 高反射率の有機色素膜を記録層に用いたもの
上記(a)のタイプの記録媒体は低融点金属のTe等を
主成分とした薄膜により記録層を構成したもので、穴あ
け型と、結晶−アモルファスの相転移に伴う反射率変化
を利用した相変化型がある。このタイプの記録媒体は保
存安定性が悪く、穴あけ型のものは分解能が低く記録密
度があがらず、また相変化型のものは製造条件が難かし
くコストが高くなるという欠点がある。上記(b)のタ
イプの記録媒体は金属の反射膜上に有機光吸収層をコ―
ティングにより設け、該有機光吸収層にレ―ザ光を照射
して窪みを作り、情報の記録を行うものである。このタ
イプの記録媒体は、記録層が金属反射膜上に有機吸収層
を積層した2層構造となっているため製造が面倒であり
、また光や熱によって変形又は変質しない金属の反射層
を持つため基板側からの記録・再生が難かしいという欠
点がある。
【0002】上記(c)のタイプの記録媒体は基板上に
反射率の高い有機色素薄膜を記録層として設けたもので
ある。有機色素薄膜は融点、分解温度が高く、熱伝導率
も低いので高感度、高C/N化、高信頼性が期待でき、
また膜形成がコ―ティングにより可能なため量産性が良
く、低コスト化が期待できる等の利点がある。従来から
光ディスクは、大容量高密度記録が特徴とされているが
、記録密度をさらに向上させるためには現状の半導体レ
―ザを用いる限り限界に近い状態まできている。それは
、光ディスクの記録密度が記録再生に用いられる光の波
長により大きく支配されているからであり、大体記録再
生波長と同程度の記録ピットの記録再生が限界とされて
いるからであり、したがって、現在世の中で用いられて
いる記録再生用光源の半導体レ―ザの波長が約800n
mであるので最小記録ピットは0.8μm程度である。 この最小記録ピットを更に小さくするためには、記録再
生波長を短くしなければならない。近年これらに用いら
れる短波長レ―ザの開発が盛んに進められておりガスレ
―ザの小型化、半導体レ―ザと非線形光学素子との組合
せによるブル―レ―ザまた半導体レ―ザそのものの短波
長化が計られている。このように短い波長の光源、例え
ば700〜500nmの光を用いれば記録ピットを小さ
くすることが可能となり、記録密度は従来の約1.3〜
2.5倍以上にすることが可能となる。本発明は、これ
ら短波長光源を用いた大容量光メモリシステムに用いる
光情報記録媒体を提供することを目的とする。
反射率の高い有機色素薄膜を記録層として設けたもので
ある。有機色素薄膜は融点、分解温度が高く、熱伝導率
も低いので高感度、高C/N化、高信頼性が期待でき、
また膜形成がコ―ティングにより可能なため量産性が良
く、低コスト化が期待できる等の利点がある。従来から
光ディスクは、大容量高密度記録が特徴とされているが
、記録密度をさらに向上させるためには現状の半導体レ
―ザを用いる限り限界に近い状態まできている。それは
、光ディスクの記録密度が記録再生に用いられる光の波
長により大きく支配されているからであり、大体記録再
生波長と同程度の記録ピットの記録再生が限界とされて
いるからであり、したがって、現在世の中で用いられて
いる記録再生用光源の半導体レ―ザの波長が約800n
mであるので最小記録ピットは0.8μm程度である。 この最小記録ピットを更に小さくするためには、記録再
生波長を短くしなければならない。近年これらに用いら
れる短波長レ―ザの開発が盛んに進められておりガスレ
―ザの小型化、半導体レ―ザと非線形光学素子との組合
せによるブル―レ―ザまた半導体レ―ザそのものの短波
長化が計られている。このように短い波長の光源、例え
ば700〜500nmの光を用いれば記録ピットを小さ
くすることが可能となり、記録密度は従来の約1.3〜
2.5倍以上にすることが可能となる。本発明は、これ
ら短波長光源を用いた大容量光メモリシステムに用いる
光情報記録媒体を提供することを目的とする。
【0003】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討し
た結果、記録層中に特定の化合物を含有せしめることが
有効であることを知見し、本発明に至った。すなわち、
本発明は、基板上に直接又は下引層を介して記録層を設
け、さらに必要に応じて保護層を設けてなる光情報記録
媒体において、前記記録層中に下記[化1]、[化2]
で示される化合物を少なくとも1種含有してなることを
特徴とする光情報記録媒体である。本発明に使用する前
記[化1]、[化2]の化合物として好ましいものを以
下に示す。
た結果、記録層中に特定の化合物を含有せしめることが
有効であることを知見し、本発明に至った。すなわち、
本発明は、基板上に直接又は下引層を介して記録層を設
け、さらに必要に応じて保護層を設けてなる光情報記録
媒体において、前記記録層中に下記[化1]、[化2]
で示される化合物を少なくとも1種含有してなることを
特徴とする光情報記録媒体である。本発明に使用する前
記[化1]、[化2]の化合物として好ましいものを以
下に示す。
【化3】
【0004】
【表1】
【0005】
【表2】表1 つづき
【0006】次に、本発明の光情報記録媒体に用いる他
の構成要素について説明する。 基板 基板の必要特性としては基板側より記録再生を行う場合
のみ使用レ―ザ光に対して透明でなければならず、記録
層側から行う場合は透明である必要はない。基板材料と
しては例えばポリエステル、アクリル樹脂、ポリアミド
、ポリカ―ボネ―ト樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノ
―ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドなどのプラスチッ
ク、ガラス、セラミックあるいは金属などを用いること
ができる。なお、基板の表面にはトラッキング用の案内
溝や案内ピット、さらにアドレス信号などのプレフォ―
マットが形成されていてもよい。 下引き層 下引き層は(a)接着性の向上、(b)水又はガスなど
のバリヤ―、(c)記録層の保存安定性の向上及び(d
)反射率の向上、(e)溶剤からの基板の保護、(f)
案内溝、案内ピット、プレフォ―マットの形成などを目
的として使用される。(a)の目的に対しては高分子材
料例えばアイオノマ―樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系
樹脂、天然樹脂、天然高分子、シリコ―ン、液状ゴムな
どの種々の高分子物質及びシランカップリング剤などを
用いることができ、(b)及び(c)の目的に対しては
上記高分子材料以外に無機化合物例えばSiO2、Mg
F2、SiO、TiO2、ZnO、TiN、SiNなど
、金属または半金属例えばZn、Cu、S、Ni、Cr
、Ge、Se、Au、Ag、Alなどを用いることがで
きる。また、(d)の目的に対しては金属、例えば、A
l、Ag、等や、金属光沢を有する有機薄膜、例えば、
メチン染料、キサンテン系染料等を用いることができ、
(e)及び(f)の目的に対しては、紫外線硬化樹脂、
熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。
の構成要素について説明する。 基板 基板の必要特性としては基板側より記録再生を行う場合
のみ使用レ―ザ光に対して透明でなければならず、記録
層側から行う場合は透明である必要はない。基板材料と
しては例えばポリエステル、アクリル樹脂、ポリアミド
、ポリカ―ボネ―ト樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノ
―ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドなどのプラスチッ
ク、ガラス、セラミックあるいは金属などを用いること
ができる。なお、基板の表面にはトラッキング用の案内
溝や案内ピット、さらにアドレス信号などのプレフォ―
マットが形成されていてもよい。 下引き層 下引き層は(a)接着性の向上、(b)水又はガスなど
のバリヤ―、(c)記録層の保存安定性の向上及び(d
)反射率の向上、(e)溶剤からの基板の保護、(f)
案内溝、案内ピット、プレフォ―マットの形成などを目
的として使用される。(a)の目的に対しては高分子材
料例えばアイオノマ―樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系
樹脂、天然樹脂、天然高分子、シリコ―ン、液状ゴムな
どの種々の高分子物質及びシランカップリング剤などを
用いることができ、(b)及び(c)の目的に対しては
上記高分子材料以外に無機化合物例えばSiO2、Mg
F2、SiO、TiO2、ZnO、TiN、SiNなど
、金属または半金属例えばZn、Cu、S、Ni、Cr
、Ge、Se、Au、Ag、Alなどを用いることがで
きる。また、(d)の目的に対しては金属、例えば、A
l、Ag、等や、金属光沢を有する有機薄膜、例えば、
メチン染料、キサンテン系染料等を用いることができ、
(e)及び(f)の目的に対しては、紫外線硬化樹脂、
熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。
【0007】保護層
保護層は、(a)光反射吸収層をその傷、ホコリ、汚れ
等から保護する。(b)光反射吸収層の保存安定性の向
上、(c)反射率の向上等を目的として使用される。こ
れらの目的に対しては、前記下引き層に示した材料を用
いることができる。また無機材料として、SiO、Si
O2なども用いることができ、有機材料として、ポリメ
チルアクリレ―ト、ポリカ―ボネ―ト、エポキシ樹脂、
ポリスチレン、ポリエステル樹脂、ビニル樹脂、セルロ
―ス、脂肪族系炭化水素樹脂、芳香族系炭化水素樹脂、
天然ゴム、スチンブタジエン樹脂、クロロプレンゴム、
ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジン等の熱軟化
性、熱溶融性樹脂も用いることができる。本発明におい
て、前記下引き層及び保護層には記録層の場合と同様に
、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活
性剤、可塑剤等を含有させることができる。本発明の光
情報記録媒体は、基本的には基板上に請求項中化合物を
主成分とする有機色素からなる記録層を設けることによ
り構成されるが、必要に応じて基板と記録層との間に下
引き層をあるいは記録層の上に保護層を設けることがで
きる。また、このようにして構成された一対の記録媒体
を記録層を内側にして他の基板と空間を介して密封した
エア―サンドイッチ構造にしてもよく、あるいは保護層
を介して接着した密着サンドイッチ(貼合せ)構造にし
てもよい。記録層の膜厚は100Å〜10μm、好まし
くは200Å〜2μmである。記録層の形成方法として
は、蒸着、CVD法、スパッタ―法の他、溶剤塗工法、
例えば、浸漬コ―ティング、スプレ―コ―ティング、ス
ピナ―コ―ティング、ブレ―ドコ―ティング、ロ―ラコ
―ティング、カ―テンコ―ティング等を用いることがで
きる。
等から保護する。(b)光反射吸収層の保存安定性の向
上、(c)反射率の向上等を目的として使用される。こ
れらの目的に対しては、前記下引き層に示した材料を用
いることができる。また無機材料として、SiO、Si
O2なども用いることができ、有機材料として、ポリメ
チルアクリレ―ト、ポリカ―ボネ―ト、エポキシ樹脂、
ポリスチレン、ポリエステル樹脂、ビニル樹脂、セルロ
―ス、脂肪族系炭化水素樹脂、芳香族系炭化水素樹脂、
天然ゴム、スチンブタジエン樹脂、クロロプレンゴム、
ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジン等の熱軟化
性、熱溶融性樹脂も用いることができる。本発明におい
て、前記下引き層及び保護層には記録層の場合と同様に
、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活
性剤、可塑剤等を含有させることができる。本発明の光
情報記録媒体は、基本的には基板上に請求項中化合物を
主成分とする有機色素からなる記録層を設けることによ
り構成されるが、必要に応じて基板と記録層との間に下
引き層をあるいは記録層の上に保護層を設けることがで
きる。また、このようにして構成された一対の記録媒体
を記録層を内側にして他の基板と空間を介して密封した
エア―サンドイッチ構造にしてもよく、あるいは保護層
を介して接着した密着サンドイッチ(貼合せ)構造にし
てもよい。記録層の膜厚は100Å〜10μm、好まし
くは200Å〜2μmである。記録層の形成方法として
は、蒸着、CVD法、スパッタ―法の他、溶剤塗工法、
例えば、浸漬コ―ティング、スプレ―コ―ティング、ス
ピナ―コ―ティング、ブレ―ドコ―ティング、ロ―ラコ
―ティング、カ―テンコ―ティング等を用いることがで
きる。
【0008】
【実施例】実施例1.厚さ1.2mmのPMMA基板上
にアクリル系フォトポリマ―により、ピッチ1.3μm
のら線状の案内溝を設けた基板上に前記化合物例No.
1を真空蒸着により厚さ900Åの記録層を形成し、こ
れをエア―サンドイッチタイプに封止し、光情報記録媒
体とした。この時の膜の最大吸収波長は695nmであ
った。上記光情報記録媒体を、発振波長632.8nm
のHe−Neレ―ザ光を用い5.0mwパワ―で以下の
条件で記録を行なった。 線速 2.1m/sec 記録周波数 1.6MHz ピックアップレンズNA:0.5 上記記録位置を記録に用いた装置でパワ―を0.2mW
の連続光にして再生を行なったところ、スキャニングバ
ンド幅30kHzで47dBのC/N比を得た。 実施例2. 実施例1において基板をポリカ―ボネ―ト射出成形基板
に変え、化合物を前記化合物例No.2とし、同様に光
情報記録媒体を得た。この時の膜の最大吸収波長は、5
89nmであり、C/N比、45dBを得た。 実施例3. 実施例2において、化合物を前記化合物例No.14と
して以下同様に光情報記録媒体を得た。この時の膜の最
大吸収波長は、595nmであり、C/N比、46dB
を得た。
にアクリル系フォトポリマ―により、ピッチ1.3μm
のら線状の案内溝を設けた基板上に前記化合物例No.
1を真空蒸着により厚さ900Åの記録層を形成し、こ
れをエア―サンドイッチタイプに封止し、光情報記録媒
体とした。この時の膜の最大吸収波長は695nmであ
った。上記光情報記録媒体を、発振波長632.8nm
のHe−Neレ―ザ光を用い5.0mwパワ―で以下の
条件で記録を行なった。 線速 2.1m/sec 記録周波数 1.6MHz ピックアップレンズNA:0.5 上記記録位置を記録に用いた装置でパワ―を0.2mW
の連続光にして再生を行なったところ、スキャニングバ
ンド幅30kHzで47dBのC/N比を得た。 実施例2. 実施例1において基板をポリカ―ボネ―ト射出成形基板
に変え、化合物を前記化合物例No.2とし、同様に光
情報記録媒体を得た。この時の膜の最大吸収波長は、5
89nmであり、C/N比、45dBを得た。 実施例3. 実施例2において、化合物を前記化合物例No.14と
して以下同様に光情報記録媒体を得た。この時の膜の最
大吸収波長は、595nmであり、C/N比、46dB
を得た。
【0009】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光情報記
録媒体は、記録密度が従来の1.3〜2.5倍以上と非
常に大きく、短波長半導体レ―ザ用記録材料とし有用で
ある。
録媒体は、記録密度が従来の1.3〜2.5倍以上と非
常に大きく、短波長半導体レ―ザ用記録材料とし有用で
ある。
Claims (2)
- 【請求項1】 基板上に直接又は下引層を介して記録
層を設け、さらに必要に応じて保護層を設けてなる光情
報記録媒体において、前記記録層中に下記[化1]、[
化2]で示される化合物を少なくとも1種含有してなる
ことを特徴とする光情報記録媒体。 【化1】 【化2】 ([化1]、[化2]おいて、R1 〜R8 は同じで
あっても異なっていてもよく、水素、水酸基、ハロゲン
、置換又は未置換のアルキル基、アルキルアミノ基、ア
ルコキシ基、アミノ基、ニトロ基、アシル基、アリ―ル
基、アラルキル基、モルフォリノ基、又、上記一般式中
で他の芳香族環と縮合可能な部品が他の芳香族環と縮合
されてもよい) - 【請求項2】 請求項1記載の光情報記録媒体に波長
が500〜700nmの間にあるレ―ザ光で記録する高
密度記録方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3019235A JP3032588B2 (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3019235A JP3032588B2 (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04238086A true JPH04238086A (ja) | 1992-08-26 |
JP3032588B2 JP3032588B2 (ja) | 2000-04-17 |
Family
ID=11993728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3019235A Expired - Fee Related JP3032588B2 (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3032588B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7087282B2 (en) | 2003-07-15 | 2006-08-08 | General Electric Company | Limited play optical storage medium, method for making the same |
US7202292B2 (en) | 2003-07-15 | 2007-04-10 | General Electric Company | Colored polymeric resin composition with 1,8-diaminoanthraquinone derivative, article made therefrom, and method for making the same |
US7419762B2 (en) * | 2001-03-14 | 2008-09-02 | General Electric Company | Media and method for limiting access to data thereon |
-
1991
- 1991-01-21 JP JP3019235A patent/JP3032588B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7419762B2 (en) * | 2001-03-14 | 2008-09-02 | General Electric Company | Media and method for limiting access to data thereon |
US7087282B2 (en) | 2003-07-15 | 2006-08-08 | General Electric Company | Limited play optical storage medium, method for making the same |
US7202292B2 (en) | 2003-07-15 | 2007-04-10 | General Electric Company | Colored polymeric resin composition with 1,8-diaminoanthraquinone derivative, article made therefrom, and method for making the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3032588B2 (ja) | 2000-04-17 |
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---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |