JPH04235789A - 製造廃液の処理方法及びその処理生成物 - Google Patents
製造廃液の処理方法及びその処理生成物Info
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- JPH04235789A JPH04235789A JP3003608A JP360891A JPH04235789A JP H04235789 A JPH04235789 A JP H04235789A JP 3003608 A JP3003608 A JP 3003608A JP 360891 A JP360891 A JP 360891A JP H04235789 A JPH04235789 A JP H04235789A
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Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Dicing (AREA)
- Separation Of Suspended Particles By Flocculating Agents (AREA)
- Treatment Of Sludge (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、製造廃液の処理方法及
びその処理生成物に関し、特にシリコンウェハーをダイ
シングして、半導体チップを得る工程で発生する廃液等
を処理する製造廃液の処理方法及びその処理生成物に関
する。
びその処理生成物に関し、特にシリコンウェハーをダイ
シングして、半導体チップを得る工程で発生する廃液等
を処理する製造廃液の処理方法及びその処理生成物に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の製造廃液の処理方法は、
図４の流れ図に示すように、まず、手順Ｓ１において、
半導体製品用の回路が複数個配列形成されたシリコンウ
ェハーを、ダイシング装置により純水を注入しながらダ
イシングして、半導体チップを得る工程で発生する廃液
を、廃液回収槽に回収する。次に、手順Ｓ２において、
回収された廃液に凝集沈澱剤を混入して攪拌し、廃液中
の汚泥を凝集沈澱させる。次に、手順Ｓ３において、沈
澱した汚泥を取出して遠心分離機等により脱水し、汚泥
中の水分を少なくする。この後、手順Ｓ２０において脱
水して得られた汚泥は、産業廃棄物として所定の方法に
より廃棄処分されていた。
図４の流れ図に示すように、まず、手順Ｓ１において、
半導体製品用の回路が複数個配列形成されたシリコンウ
ェハーを、ダイシング装置により純水を注入しながらダ
イシングして、半導体チップを得る工程で発生する廃液
を、廃液回収槽に回収する。次に、手順Ｓ２において、
回収された廃液に凝集沈澱剤を混入して攪拌し、廃液中
の汚泥を凝集沈澱させる。次に、手順Ｓ３において、沈
澱した汚泥を取出して遠心分離機等により脱水し、汚泥
中の水分を少なくする。この後、手順Ｓ２０において脱
水して得られた汚泥は、産業廃棄物として所定の方法に
より廃棄処分されていた。
【０００３】この製造廃液の処理方法において、廃棄処
分される汚泥中には、処理工程中、高純度のシリコンか
らなるシリコンウェハーをダイシングした廃液に、凝集
沈澱剤として通常ポリ塩化アルミニウム等が加えられて
いるので、多量の単体シリコンとアルミニウム酸化物と
を含んでいる。
分される汚泥中には、処理工程中、高純度のシリコンか
らなるシリコンウェハーをダイシングした廃液に、凝集
沈澱剤として通常ポリ塩化アルミニウム等が加えられて
いるので、多量の単体シリコンとアルミニウム酸化物と
を含んでいる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の製造廃
液の処理方法及びその処理生成物は、得られた汚泥を廃
棄処分する方法を採っているので、汚泥中には多量の単
体シリコンやアルミニウム酸化物が含まれているにもか
かわらず、これらの大切な資源が無駄に捨てられている
という問題点があり、また環境保全上の問題点がある。
液の処理方法及びその処理生成物は、得られた汚泥を廃
棄処分する方法を採っているので、汚泥中には多量の単
体シリコンやアルミニウム酸化物が含まれているにもか
かわらず、これらの大切な資源が無駄に捨てられている
という問題点があり、また環境保全上の問題点がある。
【０００５】本発明の目的は、大切な資源を有効活用し
、かつ、廃棄物を最低限に減らして環境の保全に有効な
製造廃液の処理方法及びその処理生成物を提供すること
にある。
、かつ、廃棄物を最低限に減らして環境の保全に有効な
製造廃液の処理方法及びその処理生成物を提供すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明の製造廃液の
処理方法は、半導体製品用の回路が複数個配列形成され
たシリコンウェハーを、純水を注入しながらダイシング
して、半導体チップを得る工程で発生する廃液を回収す
る工程と、回収された前記廃液に凝集沈澱剤を混入して
攪拌し、前記廃液中の汚泥を凝集沈澱させる工程と、凝
集沈澱した前記汚泥を取出す工程と、取出された前記汚
泥に所定の処理を加え、処理生成物を得る工程とを含ん
で構成される。また、取出された汚泥に所定の処理を加
え、処理生成物を得る工程が、前記汚泥に所定量のつな
ぎ材を混合する工程と、前記つなぎ材を混合した汚泥を
所定の形状に成形して、前記処理生成物の一つの陶器の
原形体を得る工程と、前記陶器の原形体を素焼きし、中
間焼成体を得る工程と、前記中間焼成体に釉薬を塗布す
る工程と、前記釉薬を塗布した中間焼成体を本焼きし、
完成した陶器としての処理生成物を得る工程とを含んで
構成される。
処理方法は、半導体製品用の回路が複数個配列形成され
たシリコンウェハーを、純水を注入しながらダイシング
して、半導体チップを得る工程で発生する廃液を回収す
る工程と、回収された前記廃液に凝集沈澱剤を混入して
攪拌し、前記廃液中の汚泥を凝集沈澱させる工程と、凝
集沈澱した前記汚泥を取出す工程と、取出された前記汚
泥に所定の処理を加え、処理生成物を得る工程とを含ん
で構成される。また、取出された汚泥に所定の処理を加
え、処理生成物を得る工程が、前記汚泥に所定量のつな
ぎ材を混合する工程と、前記つなぎ材を混合した汚泥を
所定の形状に成形して、前記処理生成物の一つの陶器の
原形体を得る工程と、前記陶器の原形体を素焼きし、中
間焼成体を得る工程と、前記中間焼成体に釉薬を塗布す
る工程と、前記釉薬を塗布した中間焼成体を本焼きし、
完成した陶器としての処理生成物を得る工程とを含んで
構成される。
【０００７】また、取出された汚泥に所定の処理を加え
、処理生成物を得る工程が、前記汚泥に木質灰、藁灰、
及び石灰石の１種類以上を、所定量混合して水溶液とす
る工程を含み、前記水溶液を前記処理生成物の一つの釉
薬とする構成を有している。また、取出された汚泥に所
定の処理を加え、処理生成物を得る工程が、前記汚泥を
所定の形状に成形して、前記処理生成物の一つの電波吸
収体の原形体を得る工程と、前記電波吸収体の原形体を
、必要により還元性ガス雰囲気中で還元焼成する工程と
を含んで構成される。
、処理生成物を得る工程が、前記汚泥に木質灰、藁灰、
及び石灰石の１種類以上を、所定量混合して水溶液とす
る工程を含み、前記水溶液を前記処理生成物の一つの釉
薬とする構成を有している。また、取出された汚泥に所
定の処理を加え、処理生成物を得る工程が、前記汚泥を
所定の形状に成形して、前記処理生成物の一つの電波吸
収体の原形体を得る工程と、前記電波吸収体の原形体を
、必要により還元性ガス雰囲気中で還元焼成する工程と
を含んで構成される。
【０００８】第２の発明の製造廃液の処理生成物は、半
導体製品用の回路が複数個配列形成されたシリコンウェ
ハーを、純水を注入しながらダイシングして、半導体チ
ップを得る製造工程で発生する廃液を回収し、この回収
された廃液に凝集沈澱剤を混入して攪拌し、前記廃液中
の汚泥を凝集沈澱させて取出し、この取出した汚泥を含
んで生成される。第３の発明の製造廃液の処理方法は、
製造廃液から得られた単体シリコンを含む汚泥に所定の
処理を加え、処理生成物を得る構成を有している。第４
の発明の製造廃液の処理生成物は、製造廃液から得られ
た単体シリコンを含む汚泥を成分として生成される。
導体製品用の回路が複数個配列形成されたシリコンウェ
ハーを、純水を注入しながらダイシングして、半導体チ
ップを得る製造工程で発生する廃液を回収し、この回収
された廃液に凝集沈澱剤を混入して攪拌し、前記廃液中
の汚泥を凝集沈澱させて取出し、この取出した汚泥を含
んで生成される。第３の発明の製造廃液の処理方法は、
製造廃液から得られた単体シリコンを含む汚泥に所定の
処理を加え、処理生成物を得る構成を有している。第４
の発明の製造廃液の処理生成物は、製造廃液から得られ
た単体シリコンを含む汚泥を成分として生成される。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は、本発明の第１の実施例を説明する
ための廃液処理手順を示す流れ図である。まず、手順Ｓ
１〜Ｓ３において、図４に示された従来例と同様の工程
を経て脱水した汚泥を得る。次に、手順Ｓ４において得
られた汚泥に、つなぎ材として粘土を所定量（例えば５
０％）混合する。つなぎ材を混合する理由は、焼成する
と脆くなるためであり、粘土等をつなぎ材として混合し
、強度を増すためである。次に、手順Ｓ５において、粘
土を混合した汚泥をろくろ等に載せ、処理生成物の一つ
としての陶器の原形体を成形し、乾燥する。次に、手順
Ｓ６において、十分乾燥した陶器の原形体を素焼きし、
中間焼成体を得る。
て説明する。図１は、本発明の第１の実施例を説明する
ための廃液処理手順を示す流れ図である。まず、手順Ｓ
１〜Ｓ３において、図４に示された従来例と同様の工程
を経て脱水した汚泥を得る。次に、手順Ｓ４において得
られた汚泥に、つなぎ材として粘土を所定量（例えば５
０％）混合する。つなぎ材を混合する理由は、焼成する
と脆くなるためであり、粘土等をつなぎ材として混合し
、強度を増すためである。次に、手順Ｓ５において、粘
土を混合した汚泥をろくろ等に載せ、処理生成物の一つ
としての陶器の原形体を成形し、乾燥する。次に、手順
Ｓ６において、十分乾燥した陶器の原形体を素焼きし、
中間焼成体を得る。
【００１０】一方、手順Ｓ９において手順Ｓ３で得られ
た汚泥に、木質灰、藁灰、及び石灰石の１種類以上を所
定量混合して水溶液とし、処理生成物の一つとしての釉
薬（うわぐすり）を作っておく。この釉薬は、汚泥、木
質灰、藁灰、石灰石の混合比率を変えることにより、様
々な色合いに焼き上げることができる。次に、手順Ｓ７
において、手順Ｓ６で得られた中間焼成体に、手順Ｓ９
で作っておいた釉薬や顔料により、絵柄入れ、釉薬の塗
布が施された中間焼成体を本焼きし、完成した陶器を得
る。
た汚泥に、木質灰、藁灰、及び石灰石の１種類以上を所
定量混合して水溶液とし、処理生成物の一つとしての釉
薬（うわぐすり）を作っておく。この釉薬は、汚泥、木
質灰、藁灰、石灰石の混合比率を変えることにより、様
々な色合いに焼き上げることができる。次に、手順Ｓ７
において、手順Ｓ６で得られた中間焼成体に、手順Ｓ９
で作っておいた釉薬や顔料により、絵柄入れ、釉薬の塗
布が施された中間焼成体を本焼きし、完成した陶器を得
る。
【００１１】図２（ａ）〜（ｃ）は、それぞれこの実施
例の所定の工程で得られる中間物品及び完成物品の斜視
図である。同図（ａ）は、手順Ｓ４において、汚泥に粘
土を混合して得られた粘土入りスラッジ１、同図（ｂ）
は、手順Ｓ５において粘土入りスラッジ１から陶器の原
形体を成形して乾燥させ、手順Ｓ６において素焼きして
得られた中間焼成体、同図（ｃ）は手順Ｓ７において、
絵柄入れ、釉薬４を塗布された中間焼成体を手順Ｓ８に
おいて本焼きして得られた完成陶器３を示している。
例の所定の工程で得られる中間物品及び完成物品の斜視
図である。同図（ａ）は、手順Ｓ４において、汚泥に粘
土を混合して得られた粘土入りスラッジ１、同図（ｂ）
は、手順Ｓ５において粘土入りスラッジ１から陶器の原
形体を成形して乾燥させ、手順Ｓ６において素焼きして
得られた中間焼成体、同図（ｃ）は手順Ｓ７において、
絵柄入れ、釉薬４を塗布された中間焼成体を手順Ｓ８に
おいて本焼きして得られた完成陶器３を示している。
【００１２】手順Ｓ３で得られた汚泥は、前述したよう
に、多量のシリコンを含み、有機物を殆ど含んでおらず
、また、鉄分が極めて少ないので、乾燥或いは焼成する
と白色となる。従って、この汚泥に混合する粘土の質に
より、中間焼成体の色合いを様々に変えることができる
。この実施例においては、半導体製品の製造廃液から得
られた汚泥を、殆ど無駄なく再利用することができるの
で、資源を有効に活用することができ、しかも、産業廃
棄物を殆ど無くすことができる。なお、この実施例にお
いて得られる陶器には、図２に示されたような容器に限
らず、絵皿、灰皿、敷物、置物等、多くの形状、用途の
ものがある。
に、多量のシリコンを含み、有機物を殆ど含んでおらず
、また、鉄分が極めて少ないので、乾燥或いは焼成する
と白色となる。従って、この汚泥に混合する粘土の質に
より、中間焼成体の色合いを様々に変えることができる
。この実施例においては、半導体製品の製造廃液から得
られた汚泥を、殆ど無駄なく再利用することができるの
で、資源を有効に活用することができ、しかも、産業廃
棄物を殆ど無くすことができる。なお、この実施例にお
いて得られる陶器には、図２に示されたような容器に限
らず、絵皿、灰皿、敷物、置物等、多くの形状、用途の
ものがある。
【００１３】図３（ａ）は、本発明の第２の実施例を説
明するための廃液処理手順を示す流れ図である。まず、
手順Ｓ１〜Ｓ３において、第１の実施例及び従来例と同
様の工程を経て脱水した汚泥を得る。次に、手順Ｓ１１
において得られた汚泥を加圧成形し、例えばタイル状の
処理生成物の一つとしての電波吸収体の原形体を作り、
乾燥する。次に、手順Ｓ１２において十分乾燥した電波
吸収体の原形体を、例えばＣＯ等の還元性ガス雰囲気中
で還元焼成し、電波焼成体を得る。還元性ガス雰囲気中
で還元焼成する理由は、通常の焼成では、多量に含まれ
るＳｉ（シリコン）が、ＳｉＯ２ 等の絶縁物になって
しまい、電波吸収体として機能しなくなるからである。 なお、手順Ｓ１１で得られた電波吸収体の原形体は、こ
のままの状態で電波吸収体として用いることができる。 しかしながら、硬度等、機械的強度が必要な場合、手順
Ｓ１２の焼成を行なった後、使用に供する。
明するための廃液処理手順を示す流れ図である。まず、
手順Ｓ１〜Ｓ３において、第１の実施例及び従来例と同
様の工程を経て脱水した汚泥を得る。次に、手順Ｓ１１
において得られた汚泥を加圧成形し、例えばタイル状の
処理生成物の一つとしての電波吸収体の原形体を作り、
乾燥する。次に、手順Ｓ１２において十分乾燥した電波
吸収体の原形体を、例えばＣＯ等の還元性ガス雰囲気中
で還元焼成し、電波焼成体を得る。還元性ガス雰囲気中
で還元焼成する理由は、通常の焼成では、多量に含まれ
るＳｉ（シリコン）が、ＳｉＯ２ 等の絶縁物になって
しまい、電波吸収体として機能しなくなるからである。 なお、手順Ｓ１１で得られた電波吸収体の原形体は、こ
のままの状態で電波吸収体として用いることができる。 しかしながら、硬度等、機械的強度が必要な場合、手順
Ｓ１２の焼成を行なった後、使用に供する。
【００１４】図３（ｂ）は、この実施例によって得られ
た電波吸収体の斜視図である。なお、この実施例におい
ては、電波吸収体１１の原形体を加圧成形により得る方
法について述べたが、汚泥に若干のつなぎ材を混入して
成形してもよい。形状は、板状に限られることなく、く
さび形など電波吸収効率を高めるための変形も、又、電
子機器等不要電波放射を抑制するための、収納容器とし
ての利用も可能である。この実施例においても、製造廃
液から得られた汚泥を全て有用な電波吸収体１１に変え
ることができるので、資源を有効活用し、産業廃棄物を
無くすことができる。なお、これらの実施例においては
、処理生成物が陶器、釉薬、及び電波吸収体である場合
について述べたが、本発明の処理生成物はこれらに限定
されるものではない。
た電波吸収体の斜視図である。なお、この実施例におい
ては、電波吸収体１１の原形体を加圧成形により得る方
法について述べたが、汚泥に若干のつなぎ材を混入して
成形してもよい。形状は、板状に限られることなく、く
さび形など電波吸収効率を高めるための変形も、又、電
子機器等不要電波放射を抑制するための、収納容器とし
ての利用も可能である。この実施例においても、製造廃
液から得られた汚泥を全て有用な電波吸収体１１に変え
ることができるので、資源を有効活用し、産業廃棄物を
無くすことができる。なお、これらの実施例においては
、処理生成物が陶器、釉薬、及び電波吸収体である場合
について述べたが、本発明の処理生成物はこれらに限定
されるものではない。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は廃液中の
汚泥を凝集沈澱させて取出し、この取出された汚泥に所
定の処理を加えて、処理生成物を得る構成とすることに
より、汚泥の殆ど全てを有用な処理生成物に変えること
ができるので、資源の有効活用をはかることができ、ま
た、産業廃棄物を無くすことができるので、環境保全上
の問題を解決することができる。
汚泥を凝集沈澱させて取出し、この取出された汚泥に所
定の処理を加えて、処理生成物を得る構成とすることに
より、汚泥の殆ど全てを有用な処理生成物に変えること
ができるので、資源の有効活用をはかることができ、ま
た、産業廃棄物を無くすことができるので、環境保全上
の問題を解決することができる。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための廃液処
理手順を示す流れ図である。
理手順を示す流れ図である。
【図２】本発明の第１の実施例の所定の工程で得られる
処理生成物の中間物体、及び完成物体を示す図で、同図
（ａ）〜（ｃ）はそれぞれその斜視図である。
処理生成物の中間物体、及び完成物体を示す図で、同図
（ａ）〜（ｃ）はそれぞれその斜視図である。
【図３】本発明の第２の実施例を説明するための図で、
同図（ａ）は廃液処理手順を示す流れ図、同図（ｂ）は
この実施例で得られる処理生成物の斜視図である。
同図（ａ）は廃液処理手順を示す流れ図、同図（ｂ）は
この実施例で得られる処理生成物の斜視図である。
【図４】従来の製造廃液の処理方法を説明するための廃
液処理手順を示す流れ図である。
液処理手順を示す流れ図である。
１ 粘土入りスラッジ
２ 中間焼成体
３ 完成陶器
４ 釉薬
５ 回転ろくろ
１１ 電波吸収体
Claims (13)
- 【請求項１】 半導体製品用の回路が複数個配列形成
されたシリコンウェハーを、純水を注入しながらダイシ
ングして、半導体チップを得る製造工程で発生する廃液
を回収する工程と、回収された前記廃液に、凝集沈澱剤
を混入して攪拌し、前記廃液中の汚泥を凝集沈澱させる
工程と、凝集沈澱した前記汚泥を取出す工程と、取出さ
れた前記汚泥に所定の処理を加え、処理生成物を得る工
程とを含むことを特徴とする製造廃液の処理方法。 - 【請求項２】 取出された汚泥に所定の処理を加え、
処理生成物を得る工程が、前記汚泥に所定量のつなぎ材
を混合する工程と、前記つなぎ材を混合した汚泥を所定
の形状に形成して、前記処理生成物の一つの陶器の原形
体を得る工程と、前記陶器の原形体を素焼きし、中間焼
成体を得る工程と、前記中間焼成体に釉薬を塗布する工
程と、前記釉薬を塗布した中間焼成体を本焼きし、完成
した陶器としての処理生成物を得る工程とを含んで構成
された請求項１記載の製造廃液の処理方法。 - 【請求項３】 取出された汚泥に所定の処理を加え、
処理生成物を得る工程が、前記汚泥に木質灰、藁灰、及
び石灰石の１種類以上を所定量混合して水溶液とする工
程を含み、前記水溶液を前記処理生成物の一つの釉薬と
する請求項１記載の製造廃液の処理方法。 - 【請求項４】 つなぎ材が粘土である請求項２記載の
製造廃液の処理方法。 - 【請求項５】 取出された汚泥に所定の処理を加え、
処理生成物を得る工程が、前記汚泥を所定の形状に形成
して、前記処理生成物の一つの電波吸収体の原形体を得
る工程とを含んで構成された請求項１記載の製造廃液の
処理方法。 - 【請求項６】 取出された汚泥に所定の処理を加え、
処理生成物を得る工程が、前記汚泥を所定の形状に成形
して、前記処理生成物の一つの電波吸収体の原形体を得
る工程と、前記電波吸収体の原形体を還元性ガス雰囲気
中で還元焼成する工程とを含んで構成された請求項１記
載の製造廃液の処理方法。 - 【請求項７】 半導体製品用の回路が複数個配列形成
されたシリコンウェハーを、純水を注入しながらダイシ
ングして半導体チップを得る製造工程で発生する廃液を
回収し、この回収された廃液に凝集沈澱剤を混入して攪
拌し、前記廃液中の汚泥を凝集沈澱させて取出し、この
取出した汚泥を含んで生成されたことを特徴とする製造
廃液の処理生成物。 - 【請求項８】 製造廃液から得られ、単体シリコンを
含む汚泥に所定の処理を加え、処理生成物を得ることを
特徴とする製造廃液の処理方法。 - 【請求項９】 汚泥に加えられる処理が、前記汚泥に
所定量のつなぎ材を混合する工程と、前記つなぎ材を混
合した汚泥を所定の形状に成形して、陶器の原形体を得
る工程と、前記陶器の原形体を素焼きし、中間焼成体を
得る工程と、前記中間焼成体に釉薬を塗布する工程と、
前記釉薬を塗布した中間焼成体を本焼きする工程を含み
、処理生成物が完成した陶器である請求項８記載の製造
廃液の処理方法。 - 【請求項１０】 汚泥に加えられる処理が、前記汚泥
に木質灰、藁灰、及び石灰石の１種類以上を所定量混合
して水溶液とする工程を含み、前記水溶液を処理生成物
の一つの釉薬とする請求項８記載の製造廃液の処理方法
。 - 【請求項１１】 汚泥に加えられる処理が、前記汚泥
を所定の形状にして電波吸収体の原形体を得る工程とを
含んで構成された請求項８記載の製造廃液の処理方法。 - 【請求項１２】 汚泥に加えられる処理が、前記汚泥
を所定の形状にして電波吸収体の原形体を得る工程と、
前記電波吸収体の原形体を還元性ガス雰囲気中で還元焼
成する工程とを含んで構成された請求項８記載の製造廃
液の処理方法。 - 【請求項１３】 製造廃液から得られ、単体シリコン
を含む汚泥を成分として生成されたことを特徴とする製
造廃液の処理生成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3003608A JPH04235789A (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | 製造廃液の処理方法及びその処理生成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3003608A JPH04235789A (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | 製造廃液の処理方法及びその処理生成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04235789A true JPH04235789A (ja) | 1992-08-24 |
Family
ID=11562210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3003608A Pending JPH04235789A (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | 製造廃液の処理方法及びその処理生成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04235789A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002040407A1 (en) * | 2000-11-17 | 2002-05-23 | Metallkraft As | Method for utilising a waste slurry from silicon wafer production |
| JP2010501349A (ja) * | 2006-08-25 | 2010-01-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板研磨液のユースポイント処理のための方法及びシステム |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50107764A (ja) * | 1974-02-04 | 1975-08-25 |
-
1991
- 1991-01-17 JP JP3003608A patent/JPH04235789A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50107764A (ja) * | 1974-02-04 | 1975-08-25 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002040407A1 (en) * | 2000-11-17 | 2002-05-23 | Metallkraft As | Method for utilising a waste slurry from silicon wafer production |
| JP2010501349A (ja) * | 2006-08-25 | 2010-01-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板研磨液のユースポイント処理のための方法及びシステム |
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