JPH04234190A - 高密度面放射型半導体レーザアレイ - Google Patents
高密度面放射型半導体レーザアレイInfo
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- JPH04234190A JPH04234190A JP3259992A JP25999291A JPH04234190A JP H04234190 A JPH04234190 A JP H04234190A JP 3259992 A JP3259992 A JP 3259992A JP 25999291 A JP25999291 A JP 25999291A JP H04234190 A JPH04234190 A JP H04234190A
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
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- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は面放射型半導体レーザ／
発光ダイオード構造に関し、特に、独立にアドレス可能
な個別発光素子を有する高密度面放射型半導体構造に関
する。
発光ダイオード構造に関し、特に、独立にアドレス可能
な個別発光素子を有する高密度面放射型半導体構造に関
する。
【０００２】
【従来の技術】密接間隔の、または高密度の、独立にア
ドレス可能なレーザ及び発光ダイオード（ＬＥＤ）光源
を制作する能力は、光ディスク技術、レーザ印字及び走
査、光相互接続及びファイバ光通信のような多くの用途
に対して重要である。個別的には、半導体発光ダイオー
ド及び半導体レーザは低出力装置である。出力を増大し
、及び光システムの設計を簡単にするため、半導体発光
ダイオードまたは半導体レーザのアレイを用いることが
できる。このアレイを発光素子の互いの良好な光学的整
合を提供及び保持し、ならびにこれに含まれる組立体を
最小にするため、アレイは、その発光素子が単一の半導
体基体内にあるように作られている。
ドレス可能なレーザ及び発光ダイオード（ＬＥＤ）光源
を制作する能力は、光ディスク技術、レーザ印字及び走
査、光相互接続及びファイバ光通信のような多くの用途
に対して重要である。個別的には、半導体発光ダイオー
ド及び半導体レーザは低出力装置である。出力を増大し
、及び光システムの設計を簡単にするため、半導体発光
ダイオードまたは半導体レーザのアレイを用いることが
できる。このアレイを発光素子の互いの良好な光学的整
合を提供及び保持し、ならびにこれに含まれる組立体を
最小にするため、アレイは、その発光素子が単一の半導
体基体内にあるように作られている。
【０００３】このようなアレイに伴う一つの問題は、個
別の発光素子相互間に電気的及び光学的隔離を保持する
ことである。他の問題は、前記隔離を保持し、熱消散問
題を避け、及び発光素子の精密整合を提供しながら、素
子を密接間隔配置することにより、基体内の発光素子の
密度を増大することである。更に他の問題は、アレイ内
の各個別発光素子を独立にアドレス可能にすることであ
る。発光素子の配置間隔を密にして密度を高くするにつ
れ、各素子を一つずつ個別に且つ独立に発光させること
が難しくなる。
別の発光素子相互間に電気的及び光学的隔離を保持する
ことである。他の問題は、前記隔離を保持し、熱消散問
題を避け、及び発光素子の精密整合を提供しながら、素
子を密接間隔配置することにより、基体内の発光素子の
密度を増大することである。更に他の問題は、アレイ内
の各個別発光素子を独立にアドレス可能にすることであ
る。発光素子の配置間隔を密にして密度を高くするにつ
れ、各素子を一つずつ個別に且つ独立に発光させること
が難しくなる。
【０００４】従来からある一般的なレーザ及びＬＥＤ光
源はエッジエミッタである。光はモノリシック構造の半
導体層の縁から放射される。他の構造は面エミッタであ
り、光はモノリック構造の半導体層の面から放射される
。面放射型半導体光源はエッジエミックに対していくつ
かの利点を有す。即ち、面エミッタの発光面はエッジエ
ミッタの発光面よりも大きい。光を放射させるのに必要
な電力は、エッジエミッタよりも面エミッタの方が少な
い。面放射型ＬＥＤは、光放射面積が大きいので、エッ
ジ放射型ＬＥＤよりも効果的である。面放射型レーザの
製作は、エッジエミッタに必要なクリービング（ｃｌｅ
ａｖｉｎｇ） 及びミラーパッシベーション（ｍｉｒｒ
ｏｒ ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ） の操作がないので、
エッジ放射型レーザの制作よりも簡単である。
源はエッジエミッタである。光はモノリシック構造の半
導体層の縁から放射される。他の構造は面エミッタであ
り、光はモノリック構造の半導体層の面から放射される
。面放射型半導体光源はエッジエミックに対していくつ
かの利点を有す。即ち、面エミッタの発光面はエッジエ
ミッタの発光面よりも大きい。光を放射させるのに必要
な電力は、エッジエミッタよりも面エミッタの方が少な
い。面放射型ＬＥＤは、光放射面積が大きいので、エッ
ジ放射型ＬＥＤよりも効果的である。面放射型レーザの
製作は、エッジエミッタに必要なクリービング（ｃｌｅ
ａｖｉｎｇ） 及びミラーパッシベーション（ｍｉｒｒ
ｏｒ ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ） の操作がないので、
エッジ放射型レーザの制作よりも簡単である。
【０００５】アレイの各面エミッタを独立にアドレス可
能にする個別接点が半導体の発光面と同じ面にある場合
には、面発光源相互間の横方向間隔が制限され、従って
アレイの密度が制限される。接点の直径は発光面の直径
よりも大きくなる。環状の接点はまた、発光面に対して
邪魔物のない隙間を保持しながら接触するのが困難であ
る。直径ワイヤ結合のために、接点は補助パッドを必要
とする。面接点及び発光面が同じであると、また、熱の
発生量が多くなり、熱消散の問題が生ずる。
能にする個別接点が半導体の発光面と同じ面にある場合
には、面発光源相互間の横方向間隔が制限され、従って
アレイの密度が制限される。接点の直径は発光面の直径
よりも大きくなる。環状の接点はまた、発光面に対して
邪魔物のない隙間を保持しながら接触するのが困難であ
る。直径ワイヤ結合のために、接点は補助パッドを必要
とする。面接点及び発光面が同じであると、また、熱の
発生量が多くなり、熱消散の問題が生ずる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】アレイの面エミッタを
独立にアドレス可能にする個別接点はまた光放射空洞と
直接整合すべきである。整合は、電気抵抗、各エミッタ
への電流広がり、及び電極の大きさを最小にするので、
有利である。これはまた、ヒートシンクの場所を光放射
領域へできるだけ接近させる。電流広がりを最小にする
ことは、個別素子を電気的に隔離することを助ける。
独立にアドレス可能にする個別接点はまた光放射空洞と
直接整合すべきである。整合は、電気抵抗、各エミッタ
への電流広がり、及び電極の大きさを最小にするので、
有利である。これはまた、ヒートシンクの場所を光放射
領域へできるだけ接近させる。電流広がりを最小にする
ことは、個別素子を電気的に隔離することを助ける。
【０００７】従って、本発明の目的は、単一基体上に光
源面エミッタの高密度アレイを提供することにある。本
発明の他の目的は、この高密度アレイ内の個別のレーザ
または発光ダイオード素子の独立アドレス指定のための
手段を提供することにある。本発明の更に他の目的は、
面放射型半導体光源の光放射面と反対の面上にアレイの
独立にアドレス可能な個別接点を提供することにある。 本発明の更に他の目的は、アレイの独立にアドレス可能
な個別接点を光放射光学空洞と直接に整合させ、これに
より、エミッタの密度を最大にすることにある。
源面エミッタの高密度アレイを提供することにある。本
発明の他の目的は、この高密度アレイ内の個別のレーザ
または発光ダイオード素子の独立アドレス指定のための
手段を提供することにある。本発明の更に他の目的は、
面放射型半導体光源の光放射面と反対の面上にアレイの
独立にアドレス可能な個別接点を提供することにある。 本発明の更に他の目的は、アレイの独立にアドレス可能
な個別接点を光放射光学空洞と直接に整合させ、これに
より、エミッタの密度を最大にすることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明においては、高密
度面放射型半導体ＬＥＤアレイは、一つの伝導形の第１
の閉込め層及び基体と、活性層と、第２の閉込め層と、
反対伝導形の第２の閉込め層及び接点層とを具備する。 不規則化領域が前記接点層からこれを通って前記第１の
閉込め層まで延び、これらの間に発光領域を形成する。 前記発光領域は最適使用に対する横方向形状に作られる
。各発光領域と整合する前記第２の閉込め層上の個別接
点は、前記発光領域を通じて前記基体上の接点に電流を
注入し、前記発光領域内の活性層から前記第１の閉込め
層の表面を通って光を放射させる。
度面放射型半導体ＬＥＤアレイは、一つの伝導形の第１
の閉込め層及び基体と、活性層と、第２の閉込め層と、
反対伝導形の第２の閉込め層及び接点層とを具備する。 不規則化領域が前記接点層からこれを通って前記第１の
閉込め層まで延び、これらの間に発光領域を形成する。 前記発光領域は最適使用に対する横方向形状に作られる
。各発光領域と整合する前記第２の閉込め層上の個別接
点は、前記発光領域を通じて前記基体上の接点に電流を
注入し、前記発光領域内の活性層から前記第１の閉込め
層の表面を通って光を放射させる。
【０００９】前記第２の閉込め層を多重層で置き換えて
分布ブラッグ反射体（ＤＢＲ）として知られている高反
射率ミラーを作り、強化ＬＥＤアレイを形成することが
できる。両方の閉込め層をＤＢＲで置き換え、発光領域
の代わりに光学空洞を、及び、ＬＥＤアレイの代わりに
レーザアレイを形成することができる。同様に、一方ま
たは両方のＤＢＲを閉込め層及び高反射率被覆で置き換
えることができる。
分布ブラッグ反射体（ＤＢＲ）として知られている高反
射率ミラーを作り、強化ＬＥＤアレイを形成することが
できる。両方の閉込め層をＤＢＲで置き換え、発光領域
の代わりに光学空洞を、及び、ＬＥＤアレイの代わりに
レーザアレイを形成することができる。同様に、一方ま
たは両方のＤＢＲを閉込め層及び高反射率被覆で置き換
えることができる。
【００１０】透明屈折層を前記基体と第１の閉込め層と
の間に堆積させ、放射光を発散させることができる。或
いはまた、前記第１の閉込め層、第１のＤＢＲまたは屈
折層の出力面をエッチングしてフレネルレイズを形成し
、レーザ出力を視準または合焦させることができる。 マイクロレンズアレイを面放射領域に隣接配置すること
ができる。前記半導体レーザ／発光ダイオードアレイを
また二次元アレイに形成することができる。前記半導体
レーザ／発光ダイオードアレイをまた基体なしに作るこ
ともできる。
の間に堆積させ、放射光を発散させることができる。或
いはまた、前記第１の閉込め層、第１のＤＢＲまたは屈
折層の出力面をエッチングしてフレネルレイズを形成し
、レーザ出力を視準または合焦させることができる。 マイクロレンズアレイを面放射領域に隣接配置すること
ができる。前記半導体レーザ／発光ダイオードアレイを
また二次元アレイに形成することができる。前記半導体
レーザ／発光ダイオードアレイをまた基体なしに作るこ
ともできる。
【００１１】以下、本発明をその実施例について図面を
参照して詳細に説明する。
参照して詳細に説明する。
【００１２】
【実施例】図１は本発明にかかる高密度の独立にアドレ
ス可能な面放射型半導体ＬＥＤアレイ１０を示すもので
ある。ＬＥＤアレイ１０はｎ形ＧａＡｓの基体１２を備
えており、この基体の上に、ｎ形Ａ１ｘ Ｇａ１−ｘ
Ａｓの第１の閉込め層１４、光波を発生及び伝播させる
ためのドーピングなしＧａＡｓの活性層１６、ｐ形Ａ１
ｙ Ｇａ１−ｙ Ａｓ、及びｐ形ＧａＡｓの接点層２０
がエピタキシャル堆積されている。前記化学式において
、ｘ＝ｙまたはｘ≠ｙである。活性層１６の半導体材料
の禁止体幅は、第１の閉込め層が活性層内で発生した光
に対して透明となるように、第１の閉込め層１４の禁止
体幅よりも小さくあるべきである。第１の閉込め層はま
た、第１の閉込め層が活性層内で発生した光に対して透
明となるように、不必要な抵抗を導入することなしにで
きるだけ低いドーピングレベルを持つべきである。他方
、基体は、電気伝導率を高くするために強くドーピング
されるべきである。
ス可能な面放射型半導体ＬＥＤアレイ１０を示すもので
ある。ＬＥＤアレイ１０はｎ形ＧａＡｓの基体１２を備
えており、この基体の上に、ｎ形Ａ１ｘ Ｇａ１−ｘ
Ａｓの第１の閉込め層１４、光波を発生及び伝播させる
ためのドーピングなしＧａＡｓの活性層１６、ｐ形Ａ１
ｙ Ｇａ１−ｙ Ａｓ、及びｐ形ＧａＡｓの接点層２０
がエピタキシャル堆積されている。前記化学式において
、ｘ＝ｙまたはｘ≠ｙである。活性層１６の半導体材料
の禁止体幅は、第１の閉込め層が活性層内で発生した光
に対して透明となるように、第１の閉込め層１４の禁止
体幅よりも小さくあるべきである。第１の閉込め層はま
た、第１の閉込め層が活性層内で発生した光に対して透
明となるように、不必要な抵抗を導入することなしにで
きるだけ低いドーピングレベルを持つべきである。他方
、基体は、電気伝導率を高くするために強くドーピング
されるべきである。
【００１３】第１の閉込め層１４及び基体１２はいずれ
もｎ伝導形であるから、活性層からのＬＥＤアレイの側
をＬＥＤアレイのｎ形側と呼ぶ。同様に、第２の閉込め
層１８及び接点層２０はいずれもｐ伝導形であるから、
活性層からのＬＥＤアレイの側をＬＥＤアレイのｐ形側
と呼ぶ。活性層は、他の熊様においては、ドーピングな
しもしくはｐドーピング形もしくはｎドーピング形、Ｇ
ａＡｓ、Ａ１ｚ Ｇａ１−ｚ Ａｓ、もしくは（Ａ１ｚ
Ｇａ１−ｚ ）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ、または、比
較的薄い通例の二重ヘテロ構造（ＤＨ）活性層、または
、ＧａＡｓもしくはＡ１ｚ Ｇａ１−ｚ Ａｓ（ｚは極
めて小さく、ｚ＜ｘ及びｚ＜ｙ）、または、ＧａＡｓ及
びＡ１ｚ Ｇａ１−ｚ Ａｓ（ｚ＜ｘ及びｚ＜ｙ）の交
番層もしくはＡ１ｗ Ｇａ１−ｗ Ａｓ及びＡ１Ｂ Ｇ
ａ１−Ｂ Ａｓ（ｗ＜Ｂ＜ｘまたはｗ＜Ｂ＜ｙであり、
ｗは井戸に対し、Ｂは障壁に対する）の交番層のような
多重量子井戸超格子である。また、他の熊様においては
、前述の活性層のどれかを、Ａ１ｍ Ｇａ１−ｍ Ａｓ
及びＡ１ｎ Ｇａ１−ｎ Ａｓ（ｍ＝ｎまたはｍ≠ｎ）
の２つの半導体閉込め層の間に堆積させる。しかし、分
離閉込め構造においては、禁止帯幅は、活性層ならびに
第１及び第２の閉込め層の禁止帯幅の中間にある。
もｎ伝導形であるから、活性層からのＬＥＤアレイの側
をＬＥＤアレイのｎ形側と呼ぶ。同様に、第２の閉込め
層１８及び接点層２０はいずれもｐ伝導形であるから、
活性層からのＬＥＤアレイの側をＬＥＤアレイのｐ形側
と呼ぶ。活性層は、他の熊様においては、ドーピングな
しもしくはｐドーピング形もしくはｎドーピング形、Ｇ
ａＡｓ、Ａ１ｚ Ｇａ１−ｚ Ａｓ、もしくは（Ａ１ｚ
Ｇａ１−ｚ ）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ、または、比
較的薄い通例の二重ヘテロ構造（ＤＨ）活性層、または
、ＧａＡｓもしくはＡ１ｚ Ｇａ１−ｚ Ａｓ（ｚは極
めて小さく、ｚ＜ｘ及びｚ＜ｙ）、または、ＧａＡｓ及
びＡ１ｚ Ｇａ１−ｚ Ａｓ（ｚ＜ｘ及びｚ＜ｙ）の交
番層もしくはＡ１ｗ Ｇａ１−ｗ Ａｓ及びＡ１Ｂ Ｇ
ａ１−Ｂ Ａｓ（ｗ＜Ｂ＜ｘまたはｗ＜Ｂ＜ｙであり、
ｗは井戸に対し、Ｂは障壁に対する）の交番層のような
多重量子井戸超格子である。また、他の熊様においては
、前述の活性層のどれかを、Ａ１ｍ Ｇａ１−ｍ Ａｓ
及びＡ１ｎ Ｇａ１−ｎ Ａｓ（ｍ＝ｎまたはｍ≠ｎ）
の２つの半導体閉込め層の間に堆積させる。しかし、分
離閉込め構造においては、禁止帯幅は、活性層ならびに
第１及び第２の閉込め層の禁止帯幅の中間にある。
【００１４】業界に周知のように、ＬＥＤアレイ１０の
エピタキシャル成長は分子線エピタキシ（ＭＢＥ）また
は金属有機化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）によって行われる。 基体１２は厚さ約１００ミクロンである。閉込め層１４
及び１８は０．１ないし１ミクロンの厚さである。活性
１６は、５０ナノメートルないし２ミクロンの厚さの通
例の薄い層であるか、または３ないし５０ナノメートル
の厚さの量子井戸の超格子構造から成る。接点層は一般
に０．１ないし０．２ミクロンの厚さである。
エピタキシャル成長は分子線エピタキシ（ＭＢＥ）また
は金属有機化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）によって行われる。 基体１２は厚さ約１００ミクロンである。閉込め層１４
及び１８は０．１ないし１ミクロンの厚さである。活性
１６は、５０ナノメートルないし２ミクロンの厚さの通
例の薄い層であるか、または３ないし５０ナノメートル
の厚さの量子井戸の超格子構造から成る。接点層は一般
に０．１ないし０．２ミクロンの厚さである。
【００１５】所望の不規則化または元素打込み／アニー
リング法を行なうためには通例行なわれている他の方法
及び拡散／打込み方法がある。以下、不純物誘発不規則
化について説明する。しかし、他の方法及び元素拡散ま
たは打込みも同様に適用可能である。エピタキシャル成
長が完了したら、Ｓｉ３Ｎ４マスクを接点層２０の上面
２２に形成する。この接点層には、半導体構造の諸領域
を不純物誘発不規則化に露出させる開口部がある。前記
マスクはＬＥＤ発光領域を形成及び成形する非露出領域
を保護する。この光放射領域は、円形、楕円形、正方形
、平行四辺形、台形、三角形、または任意の所望の形状
及び大きさに作ることができる。
リング法を行なうためには通例行なわれている他の方法
及び拡散／打込み方法がある。以下、不純物誘発不規則
化について説明する。しかし、他の方法及び元素拡散ま
たは打込みも同様に適用可能である。エピタキシャル成
長が完了したら、Ｓｉ３Ｎ４マスクを接点層２０の上面
２２に形成する。この接点層には、半導体構造の諸領域
を不純物誘発不規則化に露出させる開口部がある。前記
マスクはＬＥＤ発光領域を形成及び成形する非露出領域
を保護する。この光放射領域は、円形、楕円形、正方形
、平行四辺形、台形、三角形、または任意の所望の形状
及び大きさに作ることができる。
【００１６】前記発光領域は、先ず、シリコンのような
高濃度ｎ形不純物ドーピング剤を、前記マスクを通って
露出した半導体構造の領域内に選択的に拡散させること
によって形成される。他のｎ形不純物ドーピング剤とし
てはＧｅ及びＳｎがある。前記Ｓｉ３ Ｎ４ マスク内
の開口部内にシリコン層を堆積させ、次いで、その上に
追加のＳｉ３ Ｎ４ 層をかぶせる。シリコンの拡散を
約８００℃の温度で行ない、そして、接点層２０、第２
の閉込め層１８及び活性層１６を貫通して第１の閉込め
層１４を部分的に貫通するのに十分に長い時間、例えば
７〜８時間にわたって保持する。
高濃度ｎ形不純物ドーピング剤を、前記マスクを通って
露出した半導体構造の領域内に選択的に拡散させること
によって形成される。他のｎ形不純物ドーピング剤とし
てはＧｅ及びＳｎがある。前記Ｓｉ３ Ｎ４ マスク内
の開口部内にシリコン層を堆積させ、次いで、その上に
追加のＳｉ３ Ｎ４ 層をかぶせる。シリコンの拡散を
約８００℃の温度で行ない、そして、接点層２０、第２
の閉込め層１８及び活性層１６を貫通して第１の閉込め
層１４を部分的に貫通するのに十分に長い時間、例えば
７〜８時間にわたって保持する。
【００１７】活性層１６、接点層２０ならびに閉込め層
１４及び１８を通過してその中へ行なわれるシリコンの
拡散により、活性層１６、接点層２０ならびに閉込め層
１４及び１８内でＧａ及びＡ１が混合させられ、これに
より、ｎ形不純物誘発不規則化領域２４が形成される。 不純物誘発不規則化段階が完了すると、上面２２を通る
陽子打込みによって不規則化領域２４内に電気絶縁領域
２６が形成され、各個別発光領域の独立のアドレス可能
性を許すレベルのＬＥＤ発光領域の電気絶縁が提供され
る。
１４及び１８を通過してその中へ行なわれるシリコンの
拡散により、活性層１６、接点層２０ならびに閉込め層
１４及び１８内でＧａ及びＡ１が混合させられ、これに
より、ｎ形不純物誘発不規則化領域２４が形成される。 不純物誘発不規則化段階が完了すると、上面２２を通る
陽子打込みによって不規則化領域２４内に電気絶縁領域
２６が形成され、各個別発光領域の独立のアドレス可能
性を許すレベルのＬＥＤ発光領域の電気絶縁が提供され
る。
【００１８】半導体ＬＥＤアレイ内の不規則化領域２４
相互間にＬＥＤ発光領域２８があり、この発光領域は、
第２の閉込め層１８、活性層１６及び第１の閉込め層１
４の非不規則化部から成る。前記不規則化領域は光学的
及び電気的に前記発光領域相互を隔離及び分離する。こ
の発光領域は、垂直方向において閉込め層により、及び
水平方向において不規則化領域の形状によって形作られ
る。
相互間にＬＥＤ発光領域２８があり、この発光領域は、
第２の閉込め層１８、活性層１６及び第１の閉込め層１
４の非不規則化部から成る。前記不規則化領域は光学的
及び電気的に前記発光領域相互を隔離及び分離する。こ
の発光領域は、垂直方向において閉込め層により、及び
水平方向において不規則化領域の形状によって形作られ
る。
【００１９】標準の化学エッチング手段または他の方法
を用い、各光学空洞２８と整合する非不規則化接点層２
０の上面２２上にＣｒ−ＡｕまたはＴｉ−Ｐｔ−Ａｕの
金属接点３０を形成する。各接点３０は、別々に、独立
に、及び個別に光学空洞と接触する。接点３０は、ＬＥ
Ｄアレイのｐ形側にあるので、ｐ形接点と呼ばれる。前
記接点は、高密度アレイの形成を容易にするため、一般
に円形または環状である。ただし、この接点は楕円形、
半月形または他の形状であってもよい。個別の接点は、
大きさが整合済み発光領域内の活性層に等しいかまたは
これよりも小さく、また、活性層または発光領域と整合
するように形作られる。前記接点は、金属化マスク内に
穴を作ることによって形作られる。
を用い、各光学空洞２８と整合する非不規則化接点層２
０の上面２２上にＣｒ−ＡｕまたはＴｉ−Ｐｔ−Ａｕの
金属接点３０を形成する。各接点３０は、別々に、独立
に、及び個別に光学空洞と接触する。接点３０は、ＬＥ
Ｄアレイのｐ形側にあるので、ｐ形接点と呼ばれる。前
記接点は、高密度アレイの形成を容易にするため、一般
に円形または環状である。ただし、この接点は楕円形、
半月形または他の形状であってもよい。個別の接点は、
大きさが整合済み発光領域内の活性層に等しいかまたは
これよりも小さく、また、活性層または発光領域と整合
するように形作られる。前記接点は、金属化マスク内に
穴を作ることによって形作られる。
【００２０】前記接点の形状は重要であり、従って前記
接点は、エミッタの密度を制限することなしに電気抵抗
を最小にするため、及び効果的放熱のためのボンディン
グパッドと整合するように、可及的最大面積を有す。各
接点３０の下の非不規則化接点層２０は、他の半導体層
に対する低い接触抵抗を提供し、及び接触加熱を最小に
する。
接点は、エミッタの密度を制限することなしに電気抵抗
を最小にするため、及び効果的放熱のためのボンディン
グパッドと整合するように、可及的最大面積を有す。各
接点３０の下の非不規則化接点層２０は、他の半導体層
に対する低い接触抵抗を提供し、及び接触加熱を最小に
する。
【００２１】基体１２の下面３２もＡｕ／Ｇｅで金属化
され、基体接点３４を形成する。この基体接点はアース
に対する基準とされ、そして、ＬＥＤアレイのｎ形側に
あるのでｎ形接点と呼ばれる。電流がｐ形接点３０とｎ
形接点３４との間で注入されてｐ形閉込め層１８及びｎ
形閉込め層１４のｐｎ接合を順方向にバイアスし、活性
層１６をして発光領域２８から光３６を放射させる。こ
の電流は、個別発光領域のｐ形接点３０、ｐ形層２０、
ｐ形閉込め層１８及び活性層１６を通ってＬＥＤ発光領
域にほぼ並列に注入され、次いで、ｎ形閉込め層１４内
に広がって基体１２に入り、ｎ形接点３４から出てゆく
。
され、基体接点３４を形成する。この基体接点はアース
に対する基準とされ、そして、ＬＥＤアレイのｎ形側に
あるのでｎ形接点と呼ばれる。電流がｐ形接点３０とｎ
形接点３４との間で注入されてｐ形閉込め層１８及びｎ
形閉込め層１４のｐｎ接合を順方向にバイアスし、活性
層１６をして発光領域２８から光３６を放射させる。こ
の電流は、個別発光領域のｐ形接点３０、ｐ形層２０、
ｐ形閉込め層１８及び活性層１６を通ってＬＥＤ発光領
域にほぼ並列に注入され、次いで、ｎ形閉込め層１４内
に広がって基体１２に入り、ｎ形接点３４から出てゆく
。
【００２２】アースまたはｎ形接点は全ての発光領域に
共通である。しかし、各発光領域またはＬＥＤ素子はｐ
ｎ接合を含んでおり、この接合は、そのｐ形接点を介し
て他の全ての接合とは別にバイアスされる。各ｐ形接点
はアースに対して正にバイアスされるので、電流は各ｐ
形接点からアースへのみ流れる。電気的に隔離された領
域及び不規則化領域は、どれかの単一ｐ形接点が隣の発
光領域をして光を放射させることを防げる。アドレス指
定されるｐ形接点と隣のｐ形接点との間のどんな小さな
電位差も前記隣のｐ形接点に対する逆電圧に対応するの
で、相異なる接点間に電流は生じない。
共通である。しかし、各発光領域またはＬＥＤ素子はｐ
ｎ接合を含んでおり、この接合は、そのｐ形接点を介し
て他の全ての接合とは別にバイアスされる。各ｐ形接点
はアースに対して正にバイアスされるので、電流は各ｐ
形接点からアースへのみ流れる。電気的に隔離された領
域及び不規則化領域は、どれかの単一ｐ形接点が隣の発
光領域をして光を放射させることを防げる。アドレス指
定されるｐ形接点と隣のｐ形接点との間のどんな小さな
電位差も前記隣のｐ形接点に対する逆電圧に対応するの
で、相異なる接点間に電流は生じない。
【００２３】光３６は、エミッタ面領域３８を通り、基
体１２の下面３２とほぼ垂直に、ｐ形接点３０及びＬＥ
Ｄ発光領域２８と整合して放射される。従って、ＬＥＤ
アレイ１０は面放射型ＬＥＤである。発光領域２８と整
合しているｐ形接点３０は、光が発光領域によってＬＥ
Ｄアレイのｐ形側を通って放射されるのを妨げる。エミ
ッタ面領域及び放射光の形状は、ＬＥＤ発光領域の形状
によって決定され、円形、楕円形、正方形、平行四辺形
、台形、三角形、または任意の所望形状もしくは大きさ
となる。放射光自体は連続波またはパルスとなることが
できる。
体１２の下面３２とほぼ垂直に、ｐ形接点３０及びＬＥ
Ｄ発光領域２８と整合して放射される。従って、ＬＥＤ
アレイ１０は面放射型ＬＥＤである。発光領域２８と整
合しているｐ形接点３０は、光が発光領域によってＬＥ
Ｄアレイのｐ形側を通って放射されるのを妨げる。エミ
ッタ面領域及び放射光の形状は、ＬＥＤ発光領域の形状
によって決定され、円形、楕円形、正方形、平行四辺形
、台形、三角形、または任意の所望形状もしくは大きさ
となる。放射光自体は連続波またはパルスとなることが
できる。
【００２４】一般に、ＬＥＤあアレイ１０は、個々の発
光素子当たり約１０ミリアンペアの動作電流及び３０マ
イクロワットの出力を有す。図２は図１のＬＥＤアレイ
１０の基体の下面３２を示す下面である。この下面には
、縞状のｎ形接点３４及びＬＥＤ発光領域の円形エミッ
タ面領域３８のアレイがあり、この発光領域においてｎ
形接点相互間の面を通って光が放射される。
光素子当たり約１０ミリアンペアの動作電流及び３０マ
イクロワットの出力を有す。図２は図１のＬＥＤアレイ
１０の基体の下面３２を示す下面である。この下面には
、縞状のｎ形接点３４及びＬＥＤ発光領域の円形エミッ
タ面領域３８のアレイがあり、この発光領域においてｎ
形接点相互間の面を通って光が放射される。
【００２５】基体１２の厚さは、ＬＥＤアレイの活性層
からの光の放射を妨げる可能性がある。この障害を避け
るためには、活性層を、基体の禁止帯幅よりも小さい禁
止帯幅を有する半導体材料で作ればよい。或いはまた、
基体を除去すればよい。ｎ形接点の形成の前に、標準の
化学エッチングまたは他の方法で基体１２の面３２に溝
４０または縞をエッチングし、これにより、第１の閉込
め層１４の面４２を露出させてその下のＬＥＤ光学空洞
２８のエミッタ面領域３８を露出させ、光放射を容易に
する。第１の閉込め層の露出した面をまた反射防止被覆
で被覆し、これによってまた光放射を容易にする。この
ＬＥＤアレイ１０の処理は、ＬＥＤアレイのｐ形側及び
ｎ形側の両方から行なう。
からの光の放射を妨げる可能性がある。この障害を避け
るためには、活性層を、基体の禁止帯幅よりも小さい禁
止帯幅を有する半導体材料で作ればよい。或いはまた、
基体を除去すればよい。ｎ形接点の形成の前に、標準の
化学エッチングまたは他の方法で基体１２の面３２に溝
４０または縞をエッチングし、これにより、第１の閉込
め層１４の面４２を露出させてその下のＬＥＤ光学空洞
２８のエミッタ面領域３８を露出させ、光放射を容易に
する。第１の閉込め層の露出した面をまた反射防止被覆
で被覆し、これによってまた光放射を容易にする。この
ＬＥＤアレイ１０の処理は、ＬＥＤアレイのｐ形側及び
ｎ形側の両方から行なう。
【００２６】活性層は、ＬＥＤアレイ内で浅く、且つ発
光面に近い。同様に、活性層から放射される光は、個別
接点及び発光面領域が発光半導体の同じ側にあるときと
異なり、強くドープされた接点層を通過しない。エタミ
ッタ面領域３８の直径は一般に２ミクロンまたはそれ以
下である。一つの個別ＬＥＤ素子の中心４６から次のＬ
ＥＤ素子の中心４６までの間隔４４は、エミッタ面領域
３８から計って、３ミクロンまたはそれ以下であり、こ
れはアレイ内のＬＥＤの高い密度を考慮したものである
。不純物誘発不規則化は個別ＬＥＤ素子の正確且つより
小さい中心間間隔を提供する。
光面に近い。同様に、活性層から放射される光は、個別
接点及び発光面領域が発光半導体の同じ側にあるときと
異なり、強くドープされた接点層を通過しない。エタミ
ッタ面領域３８の直径は一般に２ミクロンまたはそれ以
下である。一つの個別ＬＥＤ素子の中心４６から次のＬ
ＥＤ素子の中心４６までの間隔４４は、エミッタ面領域
３８から計って、３ミクロンまたはそれ以下であり、こ
れはアレイ内のＬＥＤの高い密度を考慮したものである
。不純物誘発不規則化は個別ＬＥＤ素子の正確且つより
小さい中心間間隔を提供する。
【００２７】個別にアドレス可能な接点即ちｐ形接点は
発光領域と同じ面にないので、発光素子の横間隔は若干
小さくなる。また、ｐ形接点及び発光領域が千鳥状にな
っている場合には、光エミッタの形状も、図示のｐ形接
点及びＬＥＤエミッタ面領域の直線状配置とせずに、千
鳥状または食違い状とすることができる。千鳥状または
食違い状の形状は、言うまでもなく、ＬＥＤ素子のより
高い密度を提供する。
発光領域と同じ面にないので、発光素子の横間隔は若干
小さくなる。また、ｐ形接点及び発光領域が千鳥状にな
っている場合には、光エミッタの形状も、図示のｐ形接
点及びＬＥＤエミッタ面領域の直線状配置とせずに、千
鳥状または食違い状とすることができる。千鳥状または
食違い状の形状は、言うまでもなく、ＬＥＤ素子のより
高い密度を提供する。
【００２８】図３において、強化ＬＥＤアレイ４８は図
１のＬＥＤアレイ１０と同構造である。但し、図１のｐ
形閉込め層１８は、図３においては分布ブラック反射体
に（ＤＢＲ）５０で置き換えられている。即ち、ＬＥＤ
アレイ４８はｎ形ＧａＡｓの基体５２を備えており、そ
の上に、ｎ形Ａ１ｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓの閉込め層５４
、光波を発生及び伝播させるためのドープなしＧａＡｓ
の活性層５６、ｐ形Ａ１ｙ Ｇａ１−ｙ Ａｓ及びｐ形
Ａ１ｚ Ｇａ１−ｚ Ａｓ（ｚ≠ｙ）の交番層のｐ形Ｄ
ＢＲ５０、及びｐ形ＧａＡｓの接点層５８がエピタキシ
ャル堆積させられている。
１のＬＥＤアレイ１０と同構造である。但し、図１のｐ
形閉込め層１８は、図３においては分布ブラック反射体
に（ＤＢＲ）５０で置き換えられている。即ち、ＬＥＤ
アレイ４８はｎ形ＧａＡｓの基体５２を備えており、そ
の上に、ｎ形Ａ１ｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓの閉込め層５４
、光波を発生及び伝播させるためのドープなしＧａＡｓ
の活性層５６、ｐ形Ａ１ｙ Ｇａ１−ｙ Ａｓ及びｐ形
Ａ１ｚ Ｇａ１−ｚ Ａｓ（ｚ≠ｙ）の交番層のｐ形Ｄ
ＢＲ５０、及びｐ形ＧａＡｓの接点層５８がエピタキシ
ャル堆積させられている。
【００２９】ｎ形不純物誘発不規則化領域６０が、強化
ＬＥＤアレイ４８内に形成され、接点層５８、ｐ形ＤＢ
Ｒ５０、活性層５６およずｎ形閉込め層５４の諸部分を
通って延びている。電気的隔離領域６２が前記不規則化
領域の上面上に形成されている。強化ＬＥＤアレイ４８
内の不規則化領域６０相互間に、ｐ形ＤＢＲ５０、活性
層５６及びｎ形閉込め層５４の非不規則化部から成る強
化ＬＥＤ発光領域６４がある。ｐ形ＤＥＲは、１にでき
るだけ近い反射率を持つように作られている。
ＬＥＤアレイ４８内に形成され、接点層５８、ｐ形ＤＢ
Ｒ５０、活性層５６およずｎ形閉込め層５４の諸部分を
通って延びている。電気的隔離領域６２が前記不規則化
領域の上面上に形成されている。強化ＬＥＤアレイ４８
内の不規則化領域６０相互間に、ｐ形ＤＢＲ５０、活性
層５６及びｎ形閉込め層５４の非不規則化部から成る強
化ＬＥＤ発光領域６４がある。ｐ形ＤＥＲは、１にでき
るだけ近い反射率を持つように作られている。
【００３０】ｐ形接点６６がｐ形接点層５８上に形成さ
れて各強化ＬＥＤ発光領域６４と整合しており、ｎ形接
点６８が、基体内に形成された溝（図示せず）を除き、
基体５２上に形成されている。光７０は、ｎ形閉込め層
の下面上のエミック面領域７２を通って、基体５２の下
面７４とほぼ垂直に放射される。ｐ形ＤＢＲは、光学空
洞によってＬＥＤアレイのｐ形側へ向かって放射さる光
を反射してＬＥＤアレイのｎ形側上の面領域を通って送
り返し、このようにしてＬＥＤアレイの光放射量を増強
する。前記閉込め層の露出面及び溝内のエミッタ面領域
はまた反射防止被覆で被覆され、光放射を更に容易にす
る。
れて各強化ＬＥＤ発光領域６４と整合しており、ｎ形接
点６８が、基体内に形成された溝（図示せず）を除き、
基体５２上に形成されている。光７０は、ｎ形閉込め層
の下面上のエミック面領域７２を通って、基体５２の下
面７４とほぼ垂直に放射される。ｐ形ＤＢＲは、光学空
洞によってＬＥＤアレイのｐ形側へ向かって放射さる光
を反射してＬＥＤアレイのｎ形側上の面領域を通って送
り返し、このようにしてＬＥＤアレイの光放射量を増強
する。前記閉込め層の露出面及び溝内のエミッタ面領域
はまた反射防止被覆で被覆され、光放射を更に容易にす
る。
【００３１】一般に、強化ＬＥＤアレイ４８は約１０ミ
リアイペアの動作電流及び約６０マイクロワットの出力
を有す。他の熊様においては、活性層５６を別々の閉込
め層内に置き、キャリアをＤＢＲから離しておくように
することができる。更に他の熊様においては、図１のｐ
形閉込め層１８を、電気伝導性の光反射体として働く高
反射率金属で被覆し、強化ＬＥＤアレイを形成すること
ができる。
リアイペアの動作電流及び約６０マイクロワットの出力
を有す。他の熊様においては、活性層５６を別々の閉込
め層内に置き、キャリアをＤＢＲから離しておくように
することができる。更に他の熊様においては、図１のｐ
形閉込め層１８を、電気伝導性の光反射体として働く高
反射率金属で被覆し、強化ＬＥＤアレイを形成すること
ができる。
【００３２】図４において、レーザアレイ７８は図３の
強化ＬＥＤアレイ４８と同構造である。但し、図３のｎ
形閉込め層５４を図４においてはＤＢＲ７８で置き換え
、光波を発生及び伝播させる図３の活性層５６を図４に
おいてはレーザ動作条件の下で光波を発生及び伝播させ
る活性層８０で置き換えてある。即ち、レーザアレイ７
６はｎ形ＧａＡｓの基体８２を備えており、その上に、
ｎ形Ａ１ｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ及びｎ形Ａ１ｙ Ｇａ１
−ｙＡｓ（ｘ＝ｙ）の交番層のｎ形ＤＢＲ７８、レーザ
動作条件の下で光波を発生及び伝播させるためのドープ
なしＧａＡｓの活性層８０、ｐ形Ａ１Ａ Ｇａ１−Ａ
Ａｓ及びｐ形Ａ１Ｂ Ｇａ１−Ｂ Ａｓ（Ａ≠Ｂ）の交
番層のｐ形ＤＢＲ８４、ならびにｐ形ＧａＡｓの接点層
８６がエピタキシャル堆積されている。
強化ＬＥＤアレイ４８と同構造である。但し、図３のｎ
形閉込め層５４を図４においてはＤＢＲ７８で置き換え
、光波を発生及び伝播させる図３の活性層５６を図４に
おいてはレーザ動作条件の下で光波を発生及び伝播させ
る活性層８０で置き換えてある。即ち、レーザアレイ７
６はｎ形ＧａＡｓの基体８２を備えており、その上に、
ｎ形Ａ１ｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ及びｎ形Ａ１ｙ Ｇａ１
−ｙＡｓ（ｘ＝ｙ）の交番層のｎ形ＤＢＲ７８、レーザ
動作条件の下で光波を発生及び伝播させるためのドープ
なしＧａＡｓの活性層８０、ｐ形Ａ１Ａ Ｇａ１−Ａ
Ａｓ及びｐ形Ａ１Ｂ Ｇａ１−Ｂ Ａｓ（Ａ≠Ｂ）の交
番層のｐ形ＤＢＲ８４、ならびにｐ形ＧａＡｓの接点層
８６がエピタキシャル堆積されている。
【００３３】ｎ形不純物誘発不規則化領域８８がレーザ
アレイ７６内に形成され、接点層８６、ｐ形ＤＢＲ８４
、活性層８０及びｎ形ＤＢＲ７８の諸部分を通って延び
ている。電気的隔離領域９０が前記不規則化領域の上面
に形成されている。図５において、レーザアレイ１０４
は図４のレーザアレイ７６と同構造である。但し、図４
のｎ形ＤＢＲ７８を、図５においてはｎ形閉込め層１０
６及び高反射率被覆１０８で置き変えてある。即ち、レ
ーザアレイ１０４は、ｎ形ＧａＡｓの基体１１０、ｎ形
Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓの閉込め層１０６、ドープな
しＧａＡｓの活性層１１２、ｐ形Ａｌｙ Ｇａ１−ｙＡ
ｓ及びｐ形Ａｌｚ Ｇａ１−ｚ Ａｓ（ｚ≠ｙ）の交番
層のｐ形ＤＢＲ１１４、接点層１１６、ｎ形不純物誘発
不規則化領域１１８、電気的隔離領域１２０、レーザ光
学空洞１２２、ｐ形接点１２４、及び基体内の溝（図示
せず）に沿って基体１１０上に形成された縞状ｎ形接点
１２６を備えている。
アレイ７６内に形成され、接点層８６、ｐ形ＤＢＲ８４
、活性層８０及びｎ形ＤＢＲ７８の諸部分を通って延び
ている。電気的隔離領域９０が前記不規則化領域の上面
に形成されている。図５において、レーザアレイ１０４
は図４のレーザアレイ７６と同構造である。但し、図４
のｎ形ＤＢＲ７８を、図５においてはｎ形閉込め層１０
６及び高反射率被覆１０８で置き変えてある。即ち、レ
ーザアレイ１０４は、ｎ形ＧａＡｓの基体１１０、ｎ形
Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓの閉込め層１０６、ドープな
しＧａＡｓの活性層１１２、ｐ形Ａｌｙ Ｇａ１−ｙＡ
ｓ及びｐ形Ａｌｚ Ｇａ１−ｚ Ａｓ（ｚ≠ｙ）の交番
層のｐ形ＤＢＲ１１４、接点層１１６、ｎ形不純物誘発
不規則化領域１１８、電気的隔離領域１２０、レーザ光
学空洞１２２、ｐ形接点１２４、及び基体内の溝（図示
せず）に沿って基体１１０上に形成された縞状ｎ形接点
１２６を備えている。
【００３４】基体内に溝をエッチングした後、高反射率
被覆１０８をｎ形閉込め層１０６の露出面に蒸着する。 この被覆は面エミッタ領域１２８を被覆し、レーザ光学
空洞１２２の端部を形成する。この高反射率被覆は、一
般に、業界に周知のシリコン及び酸化アルミニウムのよ
うな材料の多重積重ね体である。他の態様においては、
活性層１１２を別々の閉込め構造内に置いてキャリヤを
ＤＢＲから離しておくことができる。図５において分布
ブラッグ反射体（ＤＢＲ）１１４で置き変えられた図１
のｐ形閉込め層１８を高反射率金属で被覆し、導電性光
反射体として働くようにすることもできる。
被覆１０８をｎ形閉込め層１０６の露出面に蒸着する。 この被覆は面エミッタ領域１２８を被覆し、レーザ光学
空洞１２２の端部を形成する。この高反射率被覆は、一
般に、業界に周知のシリコン及び酸化アルミニウムのよ
うな材料の多重積重ね体である。他の態様においては、
活性層１１２を別々の閉込め構造内に置いてキャリヤを
ＤＢＲから離しておくことができる。図５において分布
ブラッグ反射体（ＤＢＲ）１１４で置き変えられた図１
のｐ形閉込め層１８を高反射率金属で被覆し、導電性光
反射体として働くようにすることもできる。
【００３５】図５において、レーザアレイ１３０は図４
のレーザアレイ７６と同構造である。但し、屈折層１３
２が基体１３４とｎ形ＤＢＲ１３６との間に配置されて
いる。即ち、レーザアレイ１３０はｎ形ＧａＡｓの基体
１３０を備え、その上に、Ａｌｖ Ｇａ１−ｖ Ａｓの
屈折層１３２、ｎ形Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ及びｎ形
Ａｌｙ Ｇａ１−ｙ Ａｓ（ｘ≠ｙ）の交番層のｎ形Ｄ
ＢＲ１３６、ドープなしＧａＡｓの活性層１３８、ｐ形
Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ及びｐ形Ａｌｙ Ｇａ１−ｙ
Ａｓ（ｘ≠ｙ）の交番層のｐ形ＤＢＲ１４０、及びｐ
形ＧａＡｓの接点層１４２が堆積されている。このレー
ザアレイは、ｎ形不純物誘発不規則化領域１４４、及び
電気的隔離領域１４６を更に備えている。
のレーザアレイ７６と同構造である。但し、屈折層１３
２が基体１３４とｎ形ＤＢＲ１３６との間に配置されて
いる。即ち、レーザアレイ１３０はｎ形ＧａＡｓの基体
１３０を備え、その上に、Ａｌｖ Ｇａ１−ｖ Ａｓの
屈折層１３２、ｎ形Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ及びｎ形
Ａｌｙ Ｇａ１−ｙ Ａｓ（ｘ≠ｙ）の交番層のｎ形Ｄ
ＢＲ１３６、ドープなしＧａＡｓの活性層１３８、ｐ形
Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ及びｐ形Ａｌｙ Ｇａ１−ｙ
Ａｓ（ｘ≠ｙ）の交番層のｐ形ＤＢＲ１４０、及びｐ
形ＧａＡｓの接点層１４２が堆積されている。このレー
ザアレイは、ｎ形不純物誘発不規則化領域１４４、及び
電気的隔離領域１４６を更に備えている。
【００３６】レーザ光学空洞１４８は、ｐ形ＤＢＲ１４
０、活性層１３８及びｎ形ＤＢＲ１３６の非不規則化部
からなる。エミッタ面領域１５０はｎ形ＤＢＲ１３６と
屈折層１３２との間の界面である。ｐ形接点１５４がｐ
形ＤＢＲ１４０上に形成され、縞状ｎ形接点１５６が基
体１３４上に形成されている。溝（図示せず）が基体１
３４内にエッチングされて屈折層１３２の面１５８を露
出させている。
０、活性層１３８及びｎ形ＤＢＲ１３６の非不規則化部
からなる。エミッタ面領域１５０はｎ形ＤＢＲ１３６と
屈折層１３２との間の界面である。ｐ形接点１５４がｐ
形ＤＢＲ１４０上に形成され、縞状ｎ形接点１５６が基
体１３４上に形成されている。溝（図示せず）が基体１
３４内にエッチングされて屈折層１３２の面１５８を露
出させている。
【００３７】前記屈折層は、レーザ光学空洞から放射さ
れてエミッタ面領域を通る光に対して透明であるが、こ
の屈折層はレーザアレイから放射される光１６０を発散
させて出力スポットの大きさを増大させる。この屈折層
は、スポットの大きさを適切に拡大させるのに十分な厚
さであるべきである。例えば、５〜１０ミクロンの厚さ
の屈折層はスポットの大きさを２倍にする。
れてエミッタ面領域を通る光に対して透明であるが、こ
の屈折層はレーザアレイから放射される光１６０を発散
させて出力スポットの大きさを増大させる。この屈折層
は、スポットの大きさを適切に拡大させるのに十分な厚
さであるべきである。例えば、５〜１０ミクロンの厚さ
の屈折層はスポットの大きさを２倍にする。
【００３８】屈折層１３２の厚さを増すと屈折力が増し
、放射光の角度が更に発散し、出力スポットの大きさが
大きくなる。屈折層に対する適切な厚さを選択すると、
相隣るレーザ光学空洞間の放射光の出力スポットが部分
的にオーバラップする。例えば、面エミッタ領域を楕円
形に作ると、この楕円の短軸方向の発散放射光のオーバ
ラップが更に容易になる。長軸方向オーバラップは、行
から行までの制御されたオーバラップが望ましい場合の
印字に適切である。
、放射光の角度が更に発散し、出力スポットの大きさが
大きくなる。屈折層に対する適切な厚さを選択すると、
相隣るレーザ光学空洞間の放射光の出力スポットが部分
的にオーバラップする。例えば、面エミッタ領域を楕円
形に作ると、この楕円の短軸方向の発散放射光のオーバ
ラップが更に容易になる。長軸方向オーバラップは、行
から行までの制御されたオーバラップが望ましい場合の
印字に適切である。
【００３９】屈折層の一つの利点は、相隣るレーザエミ
ッタ間に位相干渉性が導入されないということである。 従って、光学的干渉を生じさせることなしにオーバラッ
プビームを光学的に用いることができる。ＬＥＤアレイ
及び強化ＬＥＤアレイから放射される光は干渉性がない
が、ＡｌＧａＡｓの屈折層を用いることにより、前記ア
レイから放射される光を発散させることができる。しか
し、これは、レーザから放射される光の場合ほどには効
果的でない。即ち、ＬＥＤからの放射線パターンはラン
バートの法則に従うからである。
ッタ間に位相干渉性が導入されないということである。 従って、光学的干渉を生じさせることなしにオーバラッ
プビームを光学的に用いることができる。ＬＥＤアレイ
及び強化ＬＥＤアレイから放射される光は干渉性がない
が、ＡｌＧａＡｓの屈折層を用いることにより、前記ア
レイから放射される光を発散させることができる。しか
し、これは、レーザから放射される光の場合ほどには効
果的でない。即ち、ＬＥＤからの放射線パターンはラン
バートの法則に従うからである。
【００４０】図７において、レーザアレイ１６２は図４
のレーザアレイ７６と同構造に作られている。但し、フ
レネルレンズ１６４がエミッタ面領域１６８上の露出ｎ
形ＤＢＲ１６６上に形成されている。即ち、レーザアレ
イ１６２は縞状ｎ形接点１７２を有し、この接点は、エ
ミッタ面領域１６８を有するｎ形ＤＢＲの露出面１６６
の溝１７２と交番している。フレネルレンズ１６４は、
イオンミリングまたは、反応性イオンエッチングまたは
業界に周知の他の手段により、各個別レーザ素子に対し
て形成される。各レンズを、放射光のスポットの大きさ
を拡大する。放射光の方向を変化させる、または放射光
をその他変化させるような形状に作ることができる。レ
ンズの横形状を光学空洞の横断形状と整合するように形
成することができる。
のレーザアレイ７６と同構造に作られている。但し、フ
レネルレンズ１６４がエミッタ面領域１６８上の露出ｎ
形ＤＢＲ１６６上に形成されている。即ち、レーザアレ
イ１６２は縞状ｎ形接点１７２を有し、この接点は、エ
ミッタ面領域１６８を有するｎ形ＤＢＲの露出面１６６
の溝１７２と交番している。フレネルレンズ１６４は、
イオンミリングまたは、反応性イオンエッチングまたは
業界に周知の他の手段により、各個別レーザ素子に対し
て形成される。各レンズを、放射光のスポットの大きさ
を拡大する。放射光の方向を変化させる、または放射光
をその他変化させるような形状に作ることができる。レ
ンズの横形状を光学空洞の横断形状と整合するように形
成することができる。
【００４１】ここでも、ＬＥＤアレイ及び強化ＬＥＤア
レイから放射される光は干渉性でないが、フレネルレン
ズを用い、エミッタ面領域上のｎ形閉込め層内にレンズ
を形成することにより、前記アレイから放射される光を
視準、発散、合焦またはその他変形することができる。 しかし、これは、レーザから放射される光の場合ほどに
は効果的ではない。即ち、ＬＥＤからの放射線パターン
はランバートの法則に従うからである。フレネルレンズ
はまた、図６の屈折層内にエミッタ面領域上に形成する
こともできる。
レイから放射される光は干渉性でないが、フレネルレン
ズを用い、エミッタ面領域上のｎ形閉込め層内にレンズ
を形成することにより、前記アレイから放射される光を
視準、発散、合焦またはその他変形することができる。 しかし、これは、レーザから放射される光の場合ほどに
は効果的ではない。即ち、ＬＥＤからの放射線パターン
はランバートの法則に従うからである。フレネルレンズ
はまた、図６の屈折層内にエミッタ面領域上に形成する
こともできる。
【００４２】図８において、レーザアレイ１７４は図４
のレーザアレイ７６と同構造に作られている。マイクロ
レンズ１７８のアレイ１７６がｎ形ＤＢＲ１８４の露出
面１８２の溝１８０内にこれと同平面に配置されている
。各マイクロレンズ１７８はエミッタ面領域１８６と整
合している。レーザアレイ１７４は、溝１８０及びこの
溝内に配置されたマイクロレンズアレイ１７６と交番す
る縞状ｎ形接点１８８を有す。
のレーザアレイ７６と同構造に作られている。マイクロ
レンズ１７８のアレイ１７６がｎ形ＤＢＲ１８４の露出
面１８２の溝１８０内にこれと同平面に配置されている
。各マイクロレンズ１７８はエミッタ面領域１８６と整
合している。レーザアレイ１７４は、溝１８０及びこの
溝内に配置されたマイクロレンズアレイ１７６と交番す
る縞状ｎ形接点１８８を有す。
【００４３】各マイクロレンズ１７８は業界に周知の手
段で各個別レーザ素子に対して形成される。各マイクロ
レンズを、放射光のスポットの大きさを拡大する、放射
光の方向を変化させる、または放射光をその他変化させ
るような形状に作ることができる。マイクロレンズの横
形状を光学空洞の横断形状と整合するように形成するこ
とができる。
段で各個別レーザ素子に対して形成される。各マイクロ
レンズを、放射光のスポットの大きさを拡大する、放射
光の方向を変化させる、または放射光をその他変化させ
るような形状に作ることができる。マイクロレンズの横
形状を光学空洞の横断形状と整合するように形成するこ
とができる。
【００４４】他の態様においては、マイクロレンズアレ
イをＬＥＤアレイのエミッタ面領域に隣接配置し、これ
により、発行領域の大きさ及び間隔を拡大することがで
きる。一例をあげると、３センチメートルの距離にわた
って光学倍率７で３ミクロン間隔のアレイを作ると、約
２１６ミリメートル（８．５インチ）のページ幅にわた
って２５．４ミリメートル（１インチ）当たり１２００
のスポットができる。同様に、アレイの間隔を４．５ミ
クロンにすると、ページ幅に対して２５．４ミリメート
ル当たり８００のスポットができる。
イをＬＥＤアレイのエミッタ面領域に隣接配置し、これ
により、発行領域の大きさ及び間隔を拡大することがで
きる。一例をあげると、３センチメートルの距離にわた
って光学倍率７で３ミクロン間隔のアレイを作ると、約
２１６ミリメートル（８．５インチ）のページ幅にわた
って２５．４ミリメートル（１インチ）当たり１２００
のスポットができる。同様に、アレイの間隔を４．５ミ
クロンにすると、ページ幅に対して２５．４ミリメート
ル当たり８００のスポットができる。
【００４５】ここでも、ＬＥＤアレイ及び強化ＬＥＤア
レイから放射される光は干渉性でないが、マイクロレン
ズを用い、エミッタ面領域上にマイクロレンズアレイを
配置することにより、ＬＥＤまたは強化ＬＥＤアレイか
ら放射される光を視準、発散、合焦またはその他変形す
ることができる。しかし、マイクロレンズアレイは、レ
ーザから放射される光の場合ほどには効果的でない。即
ち、ＬＥＤから放射線パターンはランバートの法則に従
うからである。マイクロレンズはまた、エミッタ面領域
上に図６の屈折層と共に用いることができる。
レイから放射される光は干渉性でないが、マイクロレン
ズを用い、エミッタ面領域上にマイクロレンズアレイを
配置することにより、ＬＥＤまたは強化ＬＥＤアレイか
ら放射される光を視準、発散、合焦またはその他変形す
ることができる。しかし、マイクロレンズアレイは、レ
ーザから放射される光の場合ほどには効果的でない。即
ち、ＬＥＤから放射線パターンはランバートの法則に従
うからである。マイクロレンズはまた、エミッタ面領域
上に図６の屈折層と共に用いることができる。
【００４６】ｐ形接点のための駆動回路及び必要なボン
ディングパッドをシリコンチップ（図示せず）上に作り
、ＬＥＤまたはレーザアレイの上面に対してこれと同平
面に配置することができる。光は前記ＬＥＤまたはレー
ザアレイの他面から放射されるから、前記シリコンチッ
プは光学的に透明である必要はない。或いはまた、電子
駆動回路を、半導体ＬＥＤまたはレーザアレイ上に、ま
たは前記アレイと分離且つこれと隣接して、または前記
半導体アレイの基体内に作ることができる。ｐ形接点は
活性領域の直下にあり、そして光はアレイのｎ形側の面
から放射されるから、アレイの全横断面積を熱放散のた
めに用いることができる。
ディングパッドをシリコンチップ（図示せず）上に作り
、ＬＥＤまたはレーザアレイの上面に対してこれと同平
面に配置することができる。光は前記ＬＥＤまたはレー
ザアレイの他面から放射されるから、前記シリコンチッ
プは光学的に透明である必要はない。或いはまた、電子
駆動回路を、半導体ＬＥＤまたはレーザアレイ上に、ま
たは前記アレイと分離且つこれと隣接して、または前記
半導体アレイの基体内に作ることができる。ｐ形接点は
活性領域の直下にあり、そして光はアレイのｎ形側の面
から放射されるから、アレイの全横断面積を熱放散のた
めに用いることができる。
【００４７】図９において、二次元アレイ１９０が図４
のレーザアレイ７６と同構造に作られている。但し、図
４の線形アレイを互い隣接形成してある。即ち、二次元
アレイ１９０は、楕円形エミッタ面領域１９８を有する
ｎ形ＤＢＲの露出面１９６の溝１９４と交番する縞状ｎ
形接点１９２を有す。一つの線形アレイ行内の一つの個
別レーザ素子の中心２０２から、次の線形アレイ行内の
対応の個別レーザ素子の中心２０２までの間隔は、エミ
ッタ面領域１９８から計って、一般に９〜１８ミクロン
であり、これは、この二次元アレイ内のレーザ素子の高
い密度を考慮したものである。
のレーザアレイ７６と同構造に作られている。但し、図
４の線形アレイを互い隣接形成してある。即ち、二次元
アレイ１９０は、楕円形エミッタ面領域１９８を有する
ｎ形ＤＢＲの露出面１９６の溝１９４と交番する縞状ｎ
形接点１９２を有す。一つの線形アレイ行内の一つの個
別レーザ素子の中心２０２から、次の線形アレイ行内の
対応の個別レーザ素子の中心２０２までの間隔は、エミ
ッタ面領域１９８から計って、一般に９〜１８ミクロン
であり、これは、この二次元アレイ内のレーザ素子の高
い密度を考慮したものである。
【００４８】二次元アレイの面エミッタを用い、いくつ
かの行を同時に露光し、また印字行を順次インタレース
することができる。屈折層と組み合わせると、二次元ア
レイは走査行を最適にオーバラップさせることができる
。二次元アレイはまた線形の行及び列の面エミッタに制
限されるものではなく、面エミッタのレイアウトは千鳥
状または食違い状とすることができる。
かの行を同時に露光し、また印字行を順次インタレース
することができる。屈折層と組み合わせると、二次元ア
レイは走査行を最適にオーバラップさせることができる
。二次元アレイはまた線形の行及び列の面エミッタに制
限されるものではなく、面エミッタのレイアウトは千鳥
状または食違い状とすることができる。
【００４９】前述の二次元レーザアレイは一例として示
したものである。ＬＥＤまたは強化ＬＥＤアレイを二次
元アレイに作ることもできる。前述の屈折層、フレネル
レンズ及びマイクロレンズを二次元アレイと共に用いる
こともできる。本発明のレーザ／発光ダイオードアレイ
についての前述の実施例は基体を用いて作ったものであ
り、この基体は、光放射を容易にするため、基体内に閉
込め層またはＤＢＲまでエッチングされて面エミッタを
露出させる溝を有す。他の態様においては、本発明のレ
ーザ／発光ダイオードアレイを基体なしで作ることがで
き、ヤブロニッチ（Ｙａｂｌｏｎｉｃｈ）等によって説
明されているエピタキシャルリフトオフ（ｅｐｉｔａｘ
ｉａｌ ｌｉｆｔｏｆｆ）方法でエッチング溝を作る（
ＩＥＥＥフォトニクス技術論文集（ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ） 第１巻、
第２号（１９８９年２月）、４１〜４２頁所載の「ガラ
ス基体上の二重ヘテロ構造ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ薄膜
ダイオードレーザ」（Ｄｏｕｂｌｅ Ｈｅｔｅｒｏｓｔ
ｒｕｃｔｕｒｅ ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ Ｔｈｉｎ
ＦｉｌｍＤｉｏｄｅ Ｌａｓｅｒ ｏｎ Ｓｕｂｓｔｒ
ａｔｅｓ））。
したものである。ＬＥＤまたは強化ＬＥＤアレイを二次
元アレイに作ることもできる。前述の屈折層、フレネル
レンズ及びマイクロレンズを二次元アレイと共に用いる
こともできる。本発明のレーザ／発光ダイオードアレイ
についての前述の実施例は基体を用いて作ったものであ
り、この基体は、光放射を容易にするため、基体内に閉
込め層またはＤＢＲまでエッチングされて面エミッタを
露出させる溝を有す。他の態様においては、本発明のレ
ーザ／発光ダイオードアレイを基体なしで作ることがで
き、ヤブロニッチ（Ｙａｂｌｏｎｉｃｈ）等によって説
明されているエピタキシャルリフトオフ（ｅｐｉｔａｘ
ｉａｌ ｌｉｆｔｏｆｆ）方法でエッチング溝を作る（
ＩＥＥＥフォトニクス技術論文集（ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ） 第１巻、
第２号（１９８９年２月）、４１〜４２頁所載の「ガラ
ス基体上の二重ヘテロ構造ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ薄膜
ダイオードレーザ」（Ｄｏｕｂｌｅ Ｈｅｔｅｒｏｓｔ
ｒｕｃｔｕｒｅ ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ Ｔｈｉｎ
ＦｉｌｍＤｉｏｄｅ Ｌａｓｅｒ ｏｎ Ｓｕｂｓｔｒ
ａｔｅｓ））。
【００５０】図１０に示すように、エピタキシャルリフ
トオフ方法により、ｎ形ＡｌＡｓの選択的剥離層２０４
をＧａＡｓの基体２０６上に堆積させる。この剥離層は
厚さ約５００オングストロームである。次いで、ＬＥＤ
アレイ２０８を選択的剥離層２０４上に作る。ｎ形Ａｌ
ｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓの第１の閉込め層２１０を前記剥
離層上にエピタキシャル堆積し、次いで、光波を発生及
び伝播させるためのドープなしＧａＡｓの活性層２１２
、ｐ形ＡｌｙＧａ１−ｙ Ａｓの第２の閉込め層２１４
（ｘ＝ｙまたはｘ≠ｙ）、及びｐ形ＧａＡｓの第２の接
点層２１６を堆積する。図１のＬＥＤアレイ１０につい
て説明した方法で、ｎ形不規則化領域２１８、電気的絶
縁領域２２０、及びｐ形接点２２２をＬＥＤアレイ２０
８上に形成する。
トオフ方法により、ｎ形ＡｌＡｓの選択的剥離層２０４
をＧａＡｓの基体２０６上に堆積させる。この剥離層は
厚さ約５００オングストロームである。次いで、ＬＥＤ
アレイ２０８を選択的剥離層２０４上に作る。ｎ形Ａｌ
ｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓの第１の閉込め層２１０を前記剥
離層上にエピタキシャル堆積し、次いで、光波を発生及
び伝播させるためのドープなしＧａＡｓの活性層２１２
、ｐ形ＡｌｙＧａ１−ｙ Ａｓの第２の閉込め層２１４
（ｘ＝ｙまたはｘ≠ｙ）、及びｐ形ＧａＡｓの第２の接
点層２１６を堆積する。図１のＬＥＤアレイ１０につい
て説明した方法で、ｎ形不規則化領域２１８、電気的絶
縁領域２２０、及びｐ形接点２２２をＬＥＤアレイ２０
８上に形成する。
【００５１】次いで、希釈弗化水素酸で剥離層２０４を
除去し、ＬＥＤアレイ２０８を基体２０６から取り去る
。次いで、ＬＥＤまたはレーザアレイを、前述しかよう
な必要な駆動回路に取り付けるかまたはその一部にする
。或いはまた、このアレイをパターン付け済みキャリヤ
に取り付け、各素子に対する別々のアドレス指定を可能
にする。次いで、ＣｒＡｕまたはＴｉ−Ｐｔ−Ａｕの縞
状ｎ形接点（図示せず）を、金属化により、第１の閉込
め層２１０の面上に形成する。基体がないから、この第
１の閉込め層の面上に面エミッタを露出させる溝の必要
がない。面エミッタはすでにｎ形接点相互間に露出して
いる。
除去し、ＬＥＤアレイ２０８を基体２０６から取り去る
。次いで、ＬＥＤまたはレーザアレイを、前述しかよう
な必要な駆動回路に取り付けるかまたはその一部にする
。或いはまた、このアレイをパターン付け済みキャリヤ
に取り付け、各素子に対する別々のアドレス指定を可能
にする。次いで、ＣｒＡｕまたはＴｉ−Ｐｔ−Ａｕの縞
状ｎ形接点（図示せず）を、金属化により、第１の閉込
め層２１０の面上に形成する。基体がないから、この第
１の閉込め層の面上に面エミッタを露出させる溝の必要
がない。面エミッタはすでにｎ形接点相互間に露出して
いる。
【００５２】ＬＥＤアレイ２０８は、例として、エピタ
キシャルリフトオフ方法で作った。強化ＬＥＤ及びレー
ザアレイも同じ方法で作ることができ、基体の半導体素
子、及び基体内に閉込め層またはＤＢＲまでエッチング
される溝を用いない。図６について説明したように、屈
折層を選択的剥離層上にエピタキシャル堆積し、次いで
第１の閉込め層または分布ブラッグ反射体を形成するこ
とができる。また、図７について説明したように、エピ
タキシャルリフトオフ方法で基体からＬＥＤまたはレー
ザアレイを取り去ったら、フレネルレンズを面放射領域
の上に作ることができる。また、図８について説明した
ように、エピタキシャルリフトオフ方法で基体からＬＥ
Ｄまたはレーザアレイを取り去ったら、マイクロレンズ
を、面放射領域と同一面に配置し、または面放射領域に
隣接配置することができる。また、図９について説明し
たように、ＬＥＤ／レーザ素子の二次元アレイを、図１
０について説明したと同じ方法で作ることができ、基体
の半導体素子、及び基体内に閉込め層またはＤＢＲまで
エッチングされる溝を用いない。
キシャルリフトオフ方法で作った。強化ＬＥＤ及びレー
ザアレイも同じ方法で作ることができ、基体の半導体素
子、及び基体内に閉込め層またはＤＢＲまでエッチング
される溝を用いない。図６について説明したように、屈
折層を選択的剥離層上にエピタキシャル堆積し、次いで
第１の閉込め層または分布ブラッグ反射体を形成するこ
とができる。また、図７について説明したように、エピ
タキシャルリフトオフ方法で基体からＬＥＤまたはレー
ザアレイを取り去ったら、フレネルレンズを面放射領域
の上に作ることができる。また、図８について説明した
ように、エピタキシャルリフトオフ方法で基体からＬＥ
Ｄまたはレーザアレイを取り去ったら、マイクロレンズ
を、面放射領域と同一面に配置し、または面放射領域に
隣接配置することができる。また、図９について説明し
たように、ＬＥＤ／レーザ素子の二次元アレイを、図１
０について説明したと同じ方法で作ることができ、基体
の半導体素子、及び基体内に閉込め層またはＤＢＲまで
エッチングされる溝を用いない。
【００５３】以上、本発明をその実施例について説明し
たが、当業者には明らかなように、種々の代替、変形及
び変更が可能である。即ち、特許請求の範囲に記載のご
とき本発明の精神及び範囲内で種々の代替、変形及び変
更を行なうことができる。
たが、当業者には明らかなように、種々の代替、変形及
び変更が可能である。即ち、特許請求の範囲に記載のご
とき本発明の精神及び範囲内で種々の代替、変形及び変
更を行なうことができる。
【図１】本発明にかかる高密度の独立にアドレス可能な
面放射型半導体ＬＥＤアレイの縦断側面図である。
面放射型半導体ＬＥＤアレイの縦断側面図である。
【図２】図１のＬＥＤアレイの下面図である。
【図３】本発明にかかるＤＢＲ具備の強化高密度の独立
にアドレス可能な面放射型半導体ＬＥＤアレイの縦断側
面図である。
にアドレス可能な面放射型半導体ＬＥＤアレイの縦断側
面図である。
【図４】本発明にかかる高密度の独立にアドレス可能な
面放射型半導体レーザアレイの縦断側面図である。
面放射型半導体レーザアレイの縦断側面図である。
【図５】本発明にかかる高密度の独立にアドレス可能な
面放射半導体レーザアレイの他の実施例の縦断側面図で
ある。
面放射半導体レーザアレイの他の実施例の縦断側面図で
ある。
【図６】本発明にかかるオーバラップ光放射を有する高
密度の独立にアドレス可能な面放射型半導体レーザアレ
イの他の実施例の縦断側面図である。
密度の独立にアドレス可能な面放射型半導体レーザアレ
イの他の実施例の縦断側面図である。
【図７】本発明にかかる個別フパネルレンズ具備の高密
度の独立にアドレス可能な面放射型半導体レーザまたは
ＬＥＤアレイの他の実施例の下面図である。
度の独立にアドレス可能な面放射型半導体レーザまたは
ＬＥＤアレイの他の実施例の下面図である。
【図８】本発明にかかるマイクロレンズ具備の高密度の
独立にアドレス可能な面放射型半導体レーザまたはＬＥ
Ｄアレイの他の実施例の下面図である。
独立にアドレス可能な面放射型半導体レーザまたはＬＥ
Ｄアレイの他の実施例の下面図である。
【図９】本発明にかかる二次元高密度の独立にアドレス
可能な面放射型半導体レーザアレイの他の実施例の下面
図である。
可能な面放射型半導体レーザアレイの他の実施例の下面
図である。
【図１０】本発明にかかる基体なしの高密度の独立にア
ドレス可能な面放射型半導体ＬＥＤアレイの他の実施例
の側面図である。
ドレス可能な面放射型半導体ＬＥＤアレイの他の実施例
の側面図である。
７８ ｎ形ＤＢＲ
８０ 活性層
８４ ｐ形ＤＢＲ
８８ 不規則化領域
９２ 光学空洞領域
９４ ｐ形接点
９６ ｎ形接点
Claims (1)
- 【請求項１】 一つの導電形を有する第１の分布ブラ
ッグ反射体（ＤＢＲ）を形成する交番半導体層と、前記
第１のＤＢＲ上に付着され、光波を発生して下へ伝播さ
せる活性層と、前記活性層上に付着され、前記第１のＤ
ＢＲとは反対の導電形を有する第２の分布ブラッグ反射
体（ＤＢＲ）を形成する交番半導体層と、前記第２のＤ
ＢＲ、前記活性層、及び少なくとも部分的に前記第１の
ＤＢＲを通って延び、前記第２のＤＢＲとは反対の導電
形を有する不規則化領域と、前記第１のＤＢＲ上に形成
された少なくとも１つの接点と、前記不規則化領域相互
間に形成された光学空洞、及び前記第２のＤＢＲ上に形
成された接点とを備えて成り、前記第２のＤＢＲ上に形
成された前記接点の一つは前記光学空洞の各々と整合し
、前記第の２のＤＢＲ上の前記接点の一つと前記第１の
ＤＢＲ上の前記少なくとも１つの接点との間で注入され
る電流は、前記光学空洞の一つから、前記第１のＤＢＲ
の、前記接点が前記ＤＢＲ上に形成されていない面を通
って、発光させることを特徴とする高密度面放射型半導
体レーザアレイ。
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