JPH0423343A

JPH0423343A - 半導体素子の突き上げ方法

Info

Publication number: JPH0423343A
Application number: JP2123926A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Sasaki; 淳佐々木
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1990-05-14
Filing date: 1990-05-14
Publication date: 1992-01-27

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は半導体ペレットマウント装置において、半導体
素子（以下、ペレットという）を粘着テープより剥がす
ためのペレット突き上げ方法に関する。

［従来の技術］従来、この種のペレットの突き上げ機構は第３図（ａ）
に示すような構造であった。すなわち、取りはずし可能
なペレットステージ４０は突き上げ機梼本体４１に固定
されており、本体４１内部には真空源に接続された継手
４２を備えており、常に真空保持されている。突き上げ
針４３は図示されない駆動源により上下動するホルダ４
４に固定されている。またペレット４５は粘着テープ４
６に貼付けられ、一定間隔ごとに並べられている。そし
て粘着テープ４６は図示されないリングに固定されてい
る。

このペレット突き上げ方法による動作を第３図（ロ）に
より説明する。まず、第３図（ハ）に示すようにペレッ
ト４５は粘着テープ４６ごとペレットステージ４０に真
空保持され、突き上げ針４３は粘着テープ４６より下方
に位置している。その状態でペレット吸着ノズル４７が
下降してくる。

第３図（ｃ）に示すようにペレット吸着ノズル４７がペ
レット４５の表面近傍に達したら該ペレット４５を吸着
し、第３図（ｄ）に示すように数十ｍｓ後に今度は上昇
し始め、それに合わせ突き上げ針４３が上昇する。

第３図（ｅ）に示すように突き上げ針４３がペレットを
突き上げ、ペレット吸着ノズル４７とでペレット４５を
挾んだ状態で上昇する。これにより、ペレット４５が粘
着テープ４６から剥がれ始め、遂には粘着テープ４６上
より突き上げ針４３が飛び出し、ペレット４５は完全に
剥がれる（第３図（０）。その間粘着テープはペレット
ステージ４０に真空吸着されている。

ここで、突き上げ針４３の上昇は停止し、ペレット４５
は図示されないフレーム上へ運ばれる（第３図（ロ））
。

［発明が解決しようとする課題］上述した従来の突き上げ機構での真空源は真空ポンプ又
は工事配管が使用されているが、リークや配管サイズ及
びペレットステージ形状の影響により、ペレットステー
ジ内で４００〜５００ｍｍ）Ｉｇと真空力が落ちている
。

その圧力で粘着テープを、ペレットステージ上面の吸着
孔を通して真空引きをしても、ペレットが大きくなれば
なる程、粘着テープに対するペレットの接着強度は強い
ため、突き上げ針で突き上げた際、ペレットが粘着テー
プより剥がれるよりも先に粘着テープがペレットステー
ジより離れてしまい、粘着テープを突き破ることができ
ず、ペレットがうまく剥がれないという問題があった。

本発明の目的は前記課題を解決した半導体素子の突き上
げ方法を提供することにある。

［発明の従来技術に対する相違点］上述した従来のペレットの突き上げ方法に対し、本発明
は、突き上げ針がペレットをテープ下方から突き上げよ
うとしたときに先端に突き上げ針を固定した円柱形状ホ
ルダとペレットステージ内部とで密閉した空間を作り真
空を遮断し、密封したまま、突き上げ針を徐々に上昇さ
せペレットを突き上げてペレットを剥離させるという相
違点を有する。

［課題を解決するための手段］前記目的を達成するため、本発明に係る半導体素子の突
き上げ方法においては、第１及び第２の突き上げ工程と
、吸着工程と、密閉空間形成工程とを含む半導体素子の
突き上げ方法であって、吸着工程は、半導体素子を貼付
けたテープをペレットステージ上に真空吸着するもので
あり、第１の突き上げ工程は、ペレット吸着ノズルに吸
着された半導体素子をテープを介して、ペレットステー
ジを貫通する突き上げ針にてペレットステージに対して
設定高さ位置まで押上げるものであり、密閉空間形成工程は、半導体素子がペレットステージに
対して設定高さ位置まで押上げられた際に、テープとペ
レットステージとの間に真空引きされた密閉空間を形成
するものであり、第２の突き上げ工程は、真空引きされ
た密閉空間内の真空圧をテープに作用させつつ、さらに
半導体素子の突き上げ針にて突き上げることにより該半
導体素子をテープから剥離するものである。

［実施例］以下、本発明の実施例を図により説明する。

（実施例１）第１図（ａ）は本発明に係る半導体素子の突き上げ方法
を実施するための装置を示す断面図、第１図（ロ）は同
平面図である。

図において、本発明に係る装置は、ペレットステージ４
と、突き上げ機構本体１と、ホルダ７と、遮断部品１１
と、突き上げ針５とを有する。

突き上げ機構本体（以下本体という）■は筒状体であり
、その内部に図示されない真空源に接続された継手２が
開口して取付けられ、常に本体１の内部は真空引きされ
ている。さらに、本体１の上部開口縁には、内方に張出
した環状の鍔部３を一体に設けである。

ペレットステージ４は本体１に連通して取付けられ、そ
の上部のステージ面４ａの中央部には突き上げ針５を挿
通させる軸孔４ｂを備え、軸孔４ｂを中心として複数の
吸着孔６，６・・・を同心円上に開口しである。

突き上げ針５は図示されない駆動源により上下動するホ
ルダの上端に固定されている。また突き上げ針５はホル
ダ上面８に接する部分に、ホルダ上面８より外方に張り
出した環状のストッパ部９を形成しである。

ホルダ７は円柱形状になっており、本体１内に上下方向
に摺動可能に収納してあり、その先端部に縮径したスラ
イド部１０を備え、スライド部１０の先端に位置するホ
ルダ上面８に突き上げ針５を備えている。

遮断部品１１は、ホルダ７のスライド部１０に摺動可能
に保持してあり、その上端面に、本体ｌの鍔部３に着座
させる環状のＯリング１２を装着してあり、また、遮断
部品１１はスプリングＩ３により上方向に付勢され、突
き上げ針５のストッパ部９に押し当てられている。また
ペレット１４は粘着テープ１５ごとペレットステージ４
に真空保持され、突き上げ針５は粘着テープ１５より下
方に位置している。

本発明の方法では、第１図（ｃ）に示すようにペレット
吸着ノズル１６がペレット１４の表面近傍に達した時点
でホルダ７を基準高さより距離ａたけ上昇させ、突き上
げ針５の先端をペレットステージ４の軸孔４ｂに通して
ペレット１４の裏面に移動させる。

この際遮断部品＋１上のＯリング１２は本体１の鍔部３
に接し、ペレットステージ４内の空間Ａは密封される。

その密封された空間Ａ（容積を■とする）はそのときの
圧力Ｐで保持される。ホルダ７が上昇してもＯリング１
２はスプリング１３により鍔部３に当接されたままであ
り、空間Ａは密閉状態に保持される。さらに、第１図（
ｄ）に示すように突き上げ針５を距離すだけ突き上げる
と、粘着テープ１５はペレットステージ４の中央部で離
れようとするが、仮にｂたけ離れて粘着テープ１５とペ
レットステージ４との間に空間Ｂ（容積ＶＬ）が形成さ
れたとすると、このときの容積と真空の関係はｐｖ　＝
　ｐ　、　（Ｖ＋Ｖ１）になり空間内の圧力は減少する
。したがって、より高い真空圧力で粘着テープ】５を吸
着したのと同様にペレットステージ４に吸着保持できる
。

第１図（ｅ）、（ト）のようにさらに距離Ｃだけ突き上
げると、突き上げ針５は粘着テープ１５を破り、ペレッ
ト１４の裏面は粘着テープ１５より完全に剥がれる。そ
の際空間Ｃ内の体積Ｐ２は増大するため、圧力■２は減
少し、高い真空圧力で粘着テープ１５を吸着する。続い
てペレット吸着ノズル１６がペレット１４を吸着したま
ま上昇し、突き上げ針５は下降し、第１図（ｃ）の位置
に戻る。

（実施例２）第２図（ａ）は本発明に係る半導体素子の突き上げ方法
を実施する装置の他の実施例を示す断面図、第２図（ロ
）は同平面図である。

本実施例の本体１７は筒状形状となっており、本体１の
上面１８においてペレットステージ１９が乗せられるよ
うに縁が高くなっている。上面１８よりわずかばかり下
方位置に本体１７の中心に向けて接続口２２が開口され
、そこに継手２０が固定されている。

継手２０にはチューブ２１が固定され、チューブ２１は
図示されない真空源に接続されている。接続口２２から
は接続口２３が分岐されており、本体１７の上面１８に
開口している。本体１７は接続口２２より上部の内径が
縮径され、内方に張り出した鍔部２４を備えている。ペ
レットステージ１９はテフロンからなる薄形円板２５を
２枚貼り合わせである。

第２図（ロ）で示すように外周吸着孔２６．２７は円板
２５の外周縁に設けられており、各外周吸着孔２６゜２
７は環状の吸着管路２８により相互に連通しており、一
部の外周吸着孔２６は本体１７の接続口２３に達するよ
うに延長されている。また、ペレットステージ１９上に
は、その中心に突き上げ針３４を挿通させる軸孔３９ａ
と、その周囲に内部吸着孔３９ｂが開口しである。

ホルダ２９は円柱形状になっており、上部で直径が小さ
くなっており、スライド部３０が形成しである。遮断部
品３１は円柱管状になっておりスライド部３０上を摺動
可能になっている。遮断部品３１の外形は本体内径より
わずか小さくなっている。遮断部品３１はスプリング３
２により常にホルダ先端のストッパ部３３に押し当てら
れている。ホルダ中心において真上に向かって突き上げ
針３４が固定されている。尚、ホルダ２９は図示されな
い駆動源により本体内を摺動する。

以上の機構を使いペレットを突き上げる方法を説明する
。

第２図（ａ）、　（ｃ）に示すように、ホルダ上面は基
準高さの位置にある。この位置において、接続口２２゜
本体内、ペレットステージ上面の吸着孔を通してペレッ
ト３５を粘着テープ３６ごと真空保持している。

また接続口２３においても外周吸着孔を通して粘着テー
プ３６を真空保持している。

ペレット吸着ノズル３７は図示されない駆動機構により
下降されてペレット表面近傍で停止している。続いてホ
ルダ２９を高さａ上昇させると、突き上げ針３４の先端
は粘着テープ３６の表面に達する。

そのときには遮断部品３１の側面により接続口２２は遮
へいされ、遮断部品３１の上面は鍔部２４に当たりそれ
以上上に上昇しない。それにより遮断部品上面と本体内
面と吸着孔と粘着テープ３６とで密封された空間３８が
形成される（第２図（ｄ））。

これ以降の動作は第２図（ｅ）、（ｆ）に示すように実
施例１と同様である。

但し、本実施例においては接続口２２を遮断部品３１で
遮断しても、もう一方の接続口２３を通して常に外周吸
着孔で粘着テープを真空保持しているので、さらにテー
プが剥がれにくく、より確実にペレットの突き上げが可
能である。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は突き上げ針がペレットをテ
ープ下方から突き上げようとしたときに突き上げ針を固
定したホルダとペレットステージ内部とで密封した空間
を作り真空を遮断し、その空間内の圧力を保持した状態
で突き上げ針を徐々に上昇させペレットを突き上げるた
め、ペレットがテープごと上に持ち上げられた際にペレ
ットステージ上面とテープとの間に形成される空間が増
すにつれて真空度を増し、ペレットが粘着テープより剥
離する前にペレットステージより粘着テープが離れるこ
とはなく、突き上げ針が確実にテープを突き剥すペレッ
トを剥がすことができるという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明に係る半導体素子の突き上げ方法
を実施する装置を示す断面図、第１図（ロ）は同平面図
、第１図（ｃ）〜（ト）は動作説明図、第２図（ａ）は
本発明に係る半導体素子の突き上げ方法を実施する装置
の他の例を示す断面図、第２図（ロ）は同平面図、第２
図（Ｃ）〜■は動作説明図、第３図（ａ）は従来例の装
置を示す断面図、（ロ）〜■は動作説明図である。ｌ、１７・・・本体　　　　　　２，２０．４２・・・
継手３．２４・・・鍔部　　　　４，１９．４０・・・
ペレットステージ５．３４．４３・・・突き上げ針　６
・・・吸着孔７．２９．４４・・・ホルダ　　　　８・
・・ホルダ上面９．３３・・・ストッパ部　　　１０．
３０・・・スライド部１１．３１・・・遮断部品　　　
１２・・・○リング１．３．３２・・スプリング　　１
４，３５．４５・・・ペレット１５．３６．４６・・・
粘着テープ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）第１及び第２の突き上げ工程と、吸着工程と、密
閉空間形成工程とを含む半導体素子の突き上げ方法であ
って、吸着工程は、半導体素子を貼付けたテープをペレットス
テージ上に真空吸着するものであり、第１の突き上げ工
程は、ペレット吸着ノズルに吸着された半導体素子をテ
ープを介して、ペレットステージを貫通する突き上げ針
にてペレットステージに対して設定高さ位置まで押上げ
るものであり、密閉空間形成工程は、半導体素子がペレットステージに
対して設定高さ位置まで押上げられた際に、テープとペ
レットステージとの間に真空引きされた密閉空間を形成
するものであり、第２の突き上げ工程は、真空引きされた密閉空間内の真
空圧をテープに作用させつつ、さらに半導体素子の突き
上げ針にて突き上げることにより該半導体素子をテープ
から剥離するものであることを特徴とする半導体素子の
突き上げ方法。