JPH04233305A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、チューナーのＲＦ増幅
器などの低入力インピーダンスでしかも広帯域の周波数
特性をもつ増幅器として使用される高周波回路ならびに
チューナーの局部発振増幅器として使用される高周波回
路、ならびにチューナーのミキサ回路として使用される
変換利得を有する周波数変換回路を集積化した半導体装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】代表的な従来例について図９〜図１１を
用いて説明する。図１１はチューナーの周波数変換回路
として使用される高周波回路を集積化して構成された半
導体装置を示す回路図であり、ＲＦ増幅器５０ｃとＲＦ
差動増幅器５３とダブルバランスドミキサ回路５２と局
部発振増幅器（以下ＬＯ増幅器という）５１ａを接続し
た構成を示すものである。図９は前記ＲＦ増幅器５０ｃ
を示す回路図であり、第１のトランジスタ１のゲートを
接地し、この第１のトランジスタ１のソースを入力端子
とすると同時に第１のコイル３を介して接地し、前記第
１のトランジスタ１のドレインを出力端子とすると同時
に第１の抵抗９を介して正の直流電圧源６に接続されて
構成されていた。

【０００３】また、図１０はＬＯ増幅器５１ａを示す回
路図であり、第４のトランジスタ１３ならびに第５のト
ランジスタ１４のドレイン負荷として第５の抵抗４４な
らびに第６の抵抗４５が接続されて構成されていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では前記図９で示すＲＦ増幅器５０ｃについては
第１の抵抗９の値によって第１のトランジスタ１の利得
を固定させる作用と第１のトランジスタ１のドレイン−
ソース間電圧（以下、ＶＤＳという）を決める作用を兼
ねているので、半導体装置の製造上から生じるトランジ
スタのしきい値が変動した場合に、それによって追従す
る電流の変化によって第１の抵抗９による電圧降下が変
化するために第１のトランジスタ１のＶＤＳが変化して
しまい結果としてＲＦ増幅器５０ｃの利得が変動すると
いう課題があった。

【０００５】また、前記図１０で示すＬＯ増幅器５１ａ
についても同様に第４のトランジスタ１３のドレインと
第５のトランジスタ１４のドレインに接続された第５の
抵抗４４と第６の抵抗４５によって利得とＶＤＳが与え
られているので前記ＲＦ増幅器５０ｃの場合と同じよう
にトランジスタのしきい値が変動した場合に、結果とし
てＬＯ増幅器５１ａの利得が変動するという課題があっ
た。

【０００６】さらに、前記図９に示すような従来のＲＦ
増幅器５０ｃと、図１０に示すような従来のＬＯ増幅器
５１ａを図１１に示すように周波数変換回路を構成する
ＲＦ差動増幅器５３とダブルバランスドミキサ回路５２
に接続した場合、半導体装置の製造上から生じるトラン
ジスタのしきい値の変動に対して追従する電流の変化が
起きたときにＲＦ増幅器５０ｃを構成する第１の抵抗９
による電圧降下分、すなわち第１のトランジスタ１のド
レイン電圧が変化してしまうので、第１のトランジスタ
１のドレインに接続されたＲＦ差動増幅器５３を構成す
る第９のトランジスタ２５のゲートバイアスが設計値か
らずれてしまい結果としてＲＦ差動増幅器５３が動作し
なくなるという課題があった。

【０００７】同様にＬＯ増幅器５１ａを構成する第５の
抵抗４４および第６の抵抗４５による電圧降下分、すな
わち第４のトランジスタ１３と第５のトランジスタ１４
のドレイン電圧も変化してしまうので、第４のトランジ
スタ１３のドレインに接続されたダブルバランスドミキ
サ回路５２を構成する第１３のトランジスタ２２と第１
４のトランジスタ２３のゲートバイアスが、また第５の
トランジスタ１４のドレインに接続されたダブルバラン
スドミキサ回路５２を構成する第１２のトランジスタ２
１と第１５のトランジスタ２４のゲートバイアスが設計
値からずれてしまうので、結果としてダブルバランスド
ミキサ回路５２が動作しなくなるという課題があった。

【０００８】また、これらの制限を行うために設定した
トランジスタのしきい値の変動に対する生産の歩留りが
極めて低いという課題があった。

【０００９】そこで本発明はトランジスタのしきい値が
変動した場合でも、増幅回路の利得とトランジスタのＶ
ＤＳが安定したＲＦ増幅器ならびにＬＯ増幅器を提供し
、この両増幅器などによって構成される周波数変換回路
の変換利得低下を阻止し、半導体装置の生産歩留り向上
を提供することを目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明による半導体装置は、第１のトランジスタのゲ
ートを接地し、この第１のトランジスタのソースを入力
端子とすると同時に第１のコイルを介して接地し、第２
のトランジスタのゲートをこの第２のトランジスタのソ
ースに接続し、この第２のトランジスタのドレインを第
１のコンデンサの一端に接続すると同時に正の直流電圧
源に接続し、前記第２のトランジスタのソースを前記第
１のコンデンサの他端に接続すると同時に第１の抵抗と
第２のコイルの並列回路を介して前記第１のトランジス
タのドレインに接続し、この第１のトランジスタのドレ
インを出力端子としたものである。

【００１１】上記構成に加えて、少なくとも２つ以上の
トランジスタと定電流回路で構成される差動増幅器にお
いて、第４のトランジスタのゲートを入力端子とし、第
５のトランジスタのゲートを第３のコンデンサを介して
接地し、前記第４のトランジスタのソースを前記第５の
トランジスタのソースに接続すると同時に第６のトラン
ジスタのドレインに接続し、この第６のトランジスタの
ゲートとソースを接地し、第７のトランジスタのドレイ
ンと第８のトランジスタのドレインを正の直流電圧源に
接続し、前記第７のトランジスタのゲートを、この第７
のトランジスタのソースに接続すると同時に前記第４の
トランジスタのドレインに接続し、前記第８のトランジ
スタのゲートを、この第８のトランジスタのソースに接
続すると同時に前記第５のトランジスタのドレインに接
続し、第３の抵抗の一端を前記第４のトランジスタのゲ
ートに接続し、第４の抵抗の一端を前記第５のトランジ
スタのゲートに接続し、前記第３の抵抗の他端を前記第
４の抵抗の他端に接続すると同時に第７の抵抗の一端と
第８の抵抗の一端に接続し、前記第７の抵抗の他端を正
の直流電圧源に接続し、前記第８の抵抗の他端を接地し
、前記第４のトランジスタのドレインと前記第５のトラ
ンジスタのドレインを出力端子としたものである。

【００１２】更に、上記構成に加え少なくとも２つ以上
のトランジスタと定電流回路から構成されるＲＦ差動増
幅器の入力端子に請求項１記載の出力端子を接続し、少
なくとも４つ以上のトランジスタで構成されるダブルバ
ランスドミキサ回路のＲＦ入力端子に前記ＲＦ差動増幅
器の出力端子を接続し、前記ダブルバランスドミキサ回
路のＬＯＣＡＬ入力端子に請求項２記載の出力端子を接
続し、前記ダブルバランスドミキサ回路のＩＦ出力端子
から中間周波数信号を取り出すようにしたものである。

【００１３】

【作用】以上の構成とした場合、第１のトランジスタの
ドレイン，第４のトランジスタのドレイン，第５のトラ
ンジスタのドレインの負荷が、いずれも抵抗ではなくト
ランジスタであるのでトランジスタのしきい値の変動が
生じて電流が変化しても、第１のトランジスタのドレイ
ン，第４のトランジスタのドレイン，第５のトランジス
タのドレインの直流バイアス値が設計値からずれること
はなく、周波数変換回路を構成した場合、ＲＦ差動増幅
器を構成するトランジスタのゲートバイアスならびにダ
ブルバランスドミキサ回路を構成するトランジスタのゲ
ートバイアスが安定するので、結果として歩留りの向上
した半導体装置が供給できる。

【００１４】

【実施例】以下、本発明による一実施例について図１〜
図６を用いて説明する。図１は本発明によるＲＦ増幅器
５０の構成を示す回路図、図２は同ＲＦ増幅器５０ｂの
構成を示す回路図、図３は同ＬＯ増幅器５１の構成を示
す回路図、図４は上記ＲＦ増幅器５０とＬＯ増幅器５１
にＲＦ差動増幅器５３とダブルバランスドミキサ回路５
２を接続することによってチューナーの周波数変換回路
として使用される高周波回路を集積化して構成された半
導体装置を示す回路図、図５および図６は上記図４の構
成に加えＬＯ緩衝増幅器５４を接続して構成した半導体
装置を示す回路図であり、以下に個々の構成と動作につ
いて詳細に説明する。

【００１５】なお本実施例において、従来例と同一部品
には同一番号をつけて説明を行うものとする。

【００１６】（実施例１）図１は本発明によるＲＦ増幅
器５０を示す回路図であり、第１のトランジスタ１はＲ
Ｆ入力信号を増幅するためのゲート接地型増幅器で、そ
の特性はしきい値−０．４Ｖ，相互コンダクタンス２０
０ｍＳ／ｍｍ，ゲート幅２００μｍのＧａＡｓＭＥＳＦ
ＥＴ（メタルショットキーゲート電界効果トランジスタ
）である（以降、トランジスタはゲート幅以外、全て同
じ特性を有するＧａＡｓＭＥＳＦＥＴを用いるものとす
る。）。

【００１７】第１のコイル３は第１のトランジスタ１の
ソースを直流的に接地し、入力端子８から入力されるＲ
Ｆ入力信号を高周波的に阻止するために設けており、そ
の値は１μＨである。第１の抵抗９は第１のトランジス
タ１のドレイン負荷として設けており、その値は３００
Ωである。また、第２のコイル４は第１の抵抗９を直流
的に短絡するために設けており、その値は１μＨである
。

【００１８】第２のトランジスタ２は直流バイアスをレ
ベルシフトさせるために設けており、その特性は、第１
のトランジスタ１と全く同じものである。第１のコンデ
ンサ５は高周波のバイパス用コンデンサであり第２のト
ランジスタ２が第１のトランジスタ１のドレイン負荷に
ならないために設けており、その値は１００ｐＦである
。

【００１９】図１に示すごとく、本実施例においては第
２のトランジスタ２を用いた構成にしたがこの第２のト
ランジスタ２はゲートがソースに接続されているのでゲ
ート−ソース間電圧（以下、ＶＧＳという）は、０Ｖで
ある。一方、第１のトランジスタ１も直流的には第１の
コイル３によってドレインとソースが短絡されているの
でＶＧＳは、０Ｖである。そしてこの状態において、直
流的に第１のトランジスタ１のドレインが第２のコイル
４を介して第２のトランジスタ２のソースおよびゲート
に接続されている。このように直流的には電源端子６（
５Ｖ）と接地の間にＶＧＳが０Ｖの全く特性の同じトラ
ンジスタが２つ直列に接続されているので、出力端子７
の直流バイアスは、トランジスタのしきい値が変動して
回路を流れる電流が変化しても、第１の抵抗９には直流
電流が流れないので常に２等分され２．５Ｖとなる。従
って、従来のような第１のトランジスタ１のドレイン負
荷である第１の抵抗９による電圧降下はなくなるので第
１のトランジスタ１のＶＤＳが変化することなく安定し
た増幅作用を行うことが可能となる。

【００２０】また、図２も本発明によるＲＦ増幅器５０
ｂを示す回路図であり、この回路は前記図１で示した実
施例１よりも発展した回路で、第１のトランジスタ１の
ドレイン負荷を第３のトランジスタ９ａで構成したもの
である。すなわち、第３のトランジスタ９ａによって第
１のトランジスタ１で構成したゲート接地型増幅器の利
得を変化させることができるものであり第３のトランジ
スタ９ａのゲート端子１０を制御して第１のトランジス
タ１のドレイン負荷を変化させることにより利得を変化
させることが可能となる。

【００２１】さらに、第２のコンデンサ５ａ（０．５ｐ
Ｆ〜１．０ｐＦ）を出力端子７と第１のトランジスタ１
のドレインの間に入れ直流経路用の第２のコイル４（５
ｎＨ〜５０ｎＨ）との間で同調をとることにより利得の
変化に対して周波数特性が劣化しないようにしたもので
ある。

【００２２】（実施例２）図３は本発明によるＬＯ増幅
器５１を示す回路図であり、第４のトランジスタ１３お
よび第５のトランジスタ１４は、ＬＯ増幅器５１を構成
する差動型の増幅器で、そのゲート幅は１００μｍであ
る。第７のトランジスタ１１および第８のトランジスタ
１２は、第４のトランジスタ１３および第５のトランジ
スタ１４のドレイン負荷であり、そのゲート幅は１００
μｍである。第６のトランジスタ１５は、ＬＯ増幅器５
１の定電流源であり、そのゲート幅は２００μｍである
。

【００２３】第３の抵抗１６および第４の抵抗１７は、
第４のトランジスタ１３のゲートおよび第５のトランジ
スタ１４のゲートに直流バイアスを与えるためと入力端
子８ａから入力される高周波信号の漏洩を阻止するため
に設けており、その値は１０ｋΩである。第７の抵抗１
８および第８の抵抗１９は、電源端子６と接地の間に直
列に接続されたブリーダ抵抗であり、第４のトランジス
タ１３のゲートおよび第５のトランジスタ１４のゲート
に与える直流バイアスを定めるために設けている。

【００２４】第３のコンデンサ２０は高周波の接地用コ
ンデンサであり、その値は１００ｐＦである。図３に示
すごとく、本実施例においては第７のトランジスタ１１
および第８のトランジスタ１２を用いた構成にしたがこ
の第７のトランジスタ１１のゲートはソースに接続され
ているので、このトランジスタのＶＧＳは０Ｖであり、
さらに第４のトランジスタ１３のドレインに接続されて
いる。また第８のトランジスタ１２のゲートもソースに
接続されているので、このトランジスタのＶＧＳも０Ｖ
であり、さらに第５のトランジスタ１４のドレインに接
続されている。そしてこの状態において、定電流源であ
る第６のトランジスタ１５のドレインに第４のトランジ
スタ１３のソースおよび第５のトランジスタ１４のソー
スが接続されている。このとき、電源端子６（５Ｖ）と
接地の間に直列に接続された第７の抵抗１８および第８
の抵抗１９によって与えられる第４のトランジスタ１３
のゲートバイアスおよび第５のトランジスタ１４のゲー
トバイアスをこれらトランジスタのＶＧＳが０Ｖとなる
ように設定すれば見かけ上、電源端子６（５Ｖ）と接地
の間にＶＧＳが０Ｖの全く特性の同じトランジスタが３
つ直列に接続されていることになるので、出力端子７ａ
の直流バイアスはトランジスタのしきい値が変動して回
路を流れる電流が変化しても、常に３等分され１．６７
Ｖとなる。

【００２５】従って、従来のような第４のトランジスタ
１３のドレイン負荷である第５の抵抗４４による電圧降
下はなくなるので第４のトランジスタ１３のＶＤＳが変
化することなく安定した増幅作用を行うことが可能とな
る。

【００２６】差動対である第５のトランジスタ１４につ
いても全く同様のことがいえる。すなわち、第５のトラ
ンジスタ１４のドレイン負荷である第６の抵抗４５によ
る電圧降下はなくなるので第５のトランジスタ１４のＶ
ＤＳが変化することなく安定した増幅作用を行うことが
可能となる。しかしながら、実際にトランジスタの製造
上、完全に特性の同じ差動対ができるとは限らないので
、実際の回路においては図４に示すように第４のトラン
ジスタ１３のドレインと第５のトランジスタ１４のドレ
インの間に安定化抵抗３３（５００Ω〜１０００Ω）を
入れＬＯ増幅器５１の周波数特性の向上を図り利得を安
定化させるとともに第４のトランジスタ１３のドレイン
バイアスと第５のトランジスタ１４のドレインバイアス
をなお一層安定なものにしている。こうすることにより
、トランジスタのしきい値が変動しても安定に動作する
ＬＯ増幅器５１の提供を行うことが可能となる。

【００２７】（実施例３）図４は本発明によるチューナ
ーの周波数変換回路として使用される高周波回路を集積
化して構成された半導体装置を示す回路図であり、前記
実施例１で説明したＲＦ増幅器５０と同実施例２で説明
したＬＯ増幅器５１にＲＦ差動増幅器５３とダブルバラ
ンスドミキサ回路５２を接続することによって構成され
たものであり、以下に詳細に説明する。前記実施例１の
発明内容であるゲート接地型のＲＦ増幅器５０の出力端
子７をＲＦ差動増幅器５３の入力端子に接続し、前記実
施例２の発明内容であるＬＯ増幅器５１の出力端子７ａ
を第１１のトランジスタ２１と第１２のトランジスタ２
２と第１３のトランジスタ２３と第１４のトランジスタ
２４の４つのトランジスタで構成したダブルバランスド
ミキサ回路５２のＬＯＣＡＬ入力端子である４つのトラ
ンジスタのゲートに接続し、ＲＦ差動増幅器５３の出力
端子にダブルバランスドミキサ回路５２のＲＦ入力端子
を縦続接続して周波数変換回路を構成したものである。

【００２８】ダブルバランスドミキサ回路５２を構成す
る第１１のトランジスタ２１と第１２のトランジスタ２
２と第１３のトランジスタ２３と第１４のトランジスタ
２４の４つのトランジスタのゲート幅はすべて２５０μ
ｍである。また、ＲＦ差動増幅器５３を構成する第９の
トランジスタ２５と第１０のトランジスタ２６のゲート
幅は各々２５０μｍであり、定電流源である第１１のト
ランジスタ２９のゲート幅は５００μｍである。

【００２９】本実施例は、ＬＯ増幅器５１の第３のトラ
ンジスタ１３のゲートと第４のトランジスタ１４のゲー
トに与える直流バイアスと、ＲＦ差動増幅器５３の第９
のトランジスタ２５のゲートと第１０のトランジスタ２
６のゲートに与える直流バイアスを同一のブリーダ抵抗
（第７の抵抗１８と第８の抵抗１９）で与えておりＲＦ
差動増幅器５３も安定に動作するように配慮している。 さらにＲＦ差動増幅器５３の定電流源である第１１のト
ランジスタ２９にはソース抵抗３０（１２Ω）を直列に
入れておりトランジスタのしきい値の変動に対して追従
する電流の変化を最小限に抑えている。このように構成
することによりしきい値の変動に対してバイアス変化の
ない安定した周波数変換回路が実現できる。

【００３０】（実施例４）図５は前記実施例３の図４で
説明した半導体装置に緩衝用の増幅器を接続して構成し
た半導体装置を示す回路図であり、ＬＯ増幅器５１とダ
ブルバランスドミキサ回路５２の間に緩衝用の増幅器（
ＬＯ緩衝増幅器５４）を入れている。このＬＯ緩衝増幅
器５４は、ソースフォロア型の増幅器であり、第１６の
トランジスタ３５と第１７のトランジスタ３６のゲート
幅は２５０μｍである。このようにソースフォロア型の
差動対を構成するトランジスタのゲート幅は、ダブルバ
ランスドミキサ回路５２を構成するトランジスタのゲー
ト幅以上にしている。

【００３１】第１２の抵抗３７と第１３の抵抗３８はソ
ース抵抗であり、その値は２５０Ωである。第１８のト
ランジスタ３９は定電流源であり、そのゲート幅は５０
０μｍである。この第１８のトランジスタ３９のソース
にもトランジスタのしきい値の変動に対して追従する電
流の変化を最小限に抑えるために１２Ωのソース抵抗４
０を直列に入れている。

【００３２】図５に示すごとく本実施例においては、ダ
ブルバランスドミキサ回路５２を構成する４つのトラン
ジスタのゲート幅とＬＯ緩衝増幅器５４を構成する第１
６のトランジスタ３５と第１７のトランジスタ３６のゲ
ート幅を同じ値にしているので、歪の少ないＬＯＣＡＬ
信号をダブルバランスドミキサ回路５２に注入すること
ができる。またＲＦ増幅器５０ａはレベルシフト用のト
ランジスタを第１のコンデンサ５の両端に２つ直列に接
続しているので、第１のトランジスタ１のドレインの直
流バイアスは、トランジスタのしきい値が変動して回路
を流れる電流が変化しても、第１の抵抗９には直流電流
が流れないので常に３等分され１．６７Ｖとなる。

【００３３】そしてこの状態において、第１のトランジ
スタ１のドレインがＲＦ差動増幅器５３ａを構成する第
１０のトランジスタ２６のゲートに接続されている。こ
のＲＦ差動増幅器５３ａを構成する第９のトランジスタ
２５のゲートと第１０のトランジスタ２６のゲートは、
９００Ωのゲート抵抗２７ａの両端に接続されており、
第１のトランジスタ１のドレイン負荷が４００Ωの第１
の抵抗９とゲート抵抗２７ａの並列接続の形で与えられ
ている。このように構成することにより、しきい値の変
動に対してバイアス変化のない安定した周波数変換回路
が実現できる。

【００３４】（実施例５）図６は前記実施例４の図５で
説明した半導体装置のＲＦ増幅器５０ａを、前記実施例
１で説明したＲＦ増幅器５０ｂに変えて構成した半導体
装置を示す回路図であり、このＲＦ増幅器５０ｂの第３
のトランジスタ９ａのゲート端子１０を制御することに
よってＲＦ増幅器５０ｂの利得を変化させることができ
る。ＲＦ差動増幅器５３ｂは定電流源を構成するトラン
ジスタのゲート幅を２５０μｍの２つのトランジスタで
Π型にしているのでＲＦ差動増幅器５３ｂもゲート幅が
４００μｍである第１８のトランジスタ４２のゲートを
制御することによって利得を変化させることができる。 さらに２００Ωの第１５の抵抗４１を第９のトランジス
タ２５のソースと第１０のトランジスタ２６のソースの
間に接続して、ＲＦ差動増幅器５３ｂの利得制御範囲が
必要以上にならないように配慮している。

【００３５】このように構成することによりＲＦ増幅器
５０ｂで１５ｄＢ、ＲＦ差動増幅器５３ｂで１５ｄＢの
利得制御を行うことが可能となり、ＲＦ入力信号が−２
０ｄＢｍという大入力時においても３次の相互変調歪の
抑圧比が６６ｄＢｃという優れた値を実現することがで
き、チューナーとしての利用範囲を向上させることが可
能となる。

【００３６】図７は、トランジスタのしきい値の変動に
対する周波数変換回路の変換利得を表したグラフであり
、図１１に示す従来例と図５に示した本発明による実施
例とを比較したものである。図７に示すごとく、従来例
のものはしきい値が−０．４５Ｖより深くなると急激に
変換利得が低下するのに対して本発明による実施例では
変換利得の急激な低下は見られない。これは図８に示し
たトランジスタのゲートバイアスのしきい値依存性から
わかるように、従来例ではトランジスタのしきい値の変
動に伴ってトランジスタのゲートバイアスが大きく変化
するのに対して本発明による実施例ではほとんど変化し
ないためであり、トランジスタのしきい値の変動に対し
て非常に強い回路構成をしているといえる。

【００３７】

【発明の効果】以上のように本発明による半導体装置は
半導体装置の製造上から生じるトランジスタのしきい値
が変動した場合に、それによって追従する電流が変化し
ても出力端子のバイアスが変化することはなく、その結
果、第１のトランジスタならびに第４のトランジスタと
第５のトランジスタのＶＤＳも変化しないので、安定し
たＲＦ増幅器ならびにＬＯ増幅器を提供することができ
る。

【００３８】また同様にトランジスタのしきい値が変動
した場合に、それによって追従する電流が変化してもＲ
Ｆ増幅器の出力端子ならびにＬＯ増幅器の出力端子のバ
イアスが変化することはなく、その結果、ＲＦ差動増幅
器を構成する第９のトランジスタと第１０のトランジス
タのゲートバイアスならびにダブルバランスドミキサ回
路を構成する４つのトランジスタのゲートバイアスも変
化しないので、変換利得の安定した周波数変換回路を実
現することができ、トランジスタのしきい値の変動に対
して歩留りの向上した半導体装置を供給することができ
る工業的価値の大なるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１によるＲＦ増幅器を示す回路
図

【図２】本発明の実施例１によるＲＦ増幅器を示す回路
図

【図３】本発明の実施例２によるＬＯ増幅器を示す回路
図

【図４】本発明の実施例３による半導体装置を示す回路
図

【図５】本発明の実施例４による半導体装置を示す回路
図

【図６】本発明の実施例５による半導体装置を示す回路
図

【図７】周波数変換回路における変換利得のしきい値依
存特性図

【図８】各トランジスタのゲートバイアスのしきい値依
存特性図

【図９】従来のＲＦ増幅器を示す回路図

【図１０】従来
のＬＯ増幅器を示す回路図

【図１１】従来の半導体装置
を示す回路図

【符号の説明】

１　　第１のトランジスタ ２　　第２のトランジスタ ３　　第１のコイル ４　　第２のコイル ５　　第１のコンデンサ ５ａ　　第２のコンデンサ ６　　電源端子 ７　　出力端子 ７ａ　　出力端子 ８　　入力端子 ８ａ　　入力端子 ９　　第１の抵抗 ９ａ　　第３のトランジスタ １０　　ゲート端子 １１　　第７のトランジスタ １２　　第８のトランジスタ １３　　第４のトランジスタ １４　　第５のトランジスタ １５　　第６のトランジスタ １６　　第３の抵抗 １７　　第４の抵抗 １８　　第７の抵抗 １９　　第８の抵抗 ２０　　第３のコンデンサ ２１　　第１２のトランジスタ ２２　　第１３のトランジスタ ２３　　第１４のトランジスタ ２４　　第１５のトランジスタ ２５　　第９のトランジスタ ２６　　第１０のトランジスタ ２７　　第１０の抵抗 ２７ａ　　ゲート抵抗 ２８　　第１１の抵抗 ２９　　第１１のトランジスタ ３０　　第９の抵抗（ソース抵抗） ３１　　ＩＦ出力端子 ３２　　ＩＦ出力端子 ３３　　安定化抵抗 ３４　　第４のコンデンサ ３５　　第１６のトランジスタ ３６　　第１７のトランジスタ ３７　　第１２の抵抗 ３８　　第１３の抵抗 ３９　　第１８のトランジスタ ４０　　第１４の抵抗（ソース抵抗） ４１　　第１５の抵抗 ４２　　第１９のトランジスタ ４３　　第１のダイオード ４４　　第５の抵抗 ４５　　第６の抵抗 ５０，５０ａ，５０ｂ，５０ｃ　　ＲＦ増幅器５１，５
１ａ　　ＬＯ増幅器 ５２　　ダブルバランスドミキサ回路 ５３，５３ａ，５３ｂ　　ＲＦ差動増幅器５４　　ＬＯ
緩衝増幅器

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１のトランジスタのゲートを接地し、こ
   の第１のトランジスタのソースを入力端子とすると同時
   に第１のコイルを介して接地し、第２のトランジスタの
   ゲートをこの第２のトランジスタのソースに接続し、こ
   の第２のトランジスタのドレインを第１のコンデンサの
   一端に接続すると同時に正の直流電圧源に接続し、前記
   第２のトランジスタのソースを前記第１のコンデンサの
   他端に接続すると同時に第１の抵抗と第２のコイルの並
   列回路を介して前記第１のトランジスタのドレインに接
   続し、この第１のトランジスタのドレインを出力端子と
   することを特徴とした高周波回路を集積化した半導体装
   置。
2. 【請求項２】少なくとも２つ以上のトランジスタと定電
   流回路で構成される差動増幅器において、第４のトラン
   ジスタのゲートを入力端子とし、第５のトランジスタの
   ゲートを第３のコンデンサを介して接地し、前記第４の
   トランジスタのソースを前記第５のトランジスタのソー
   スに接続すると同時に第６のトランジスタのドレインに
   接続し、この第６のトランジスタのゲートとソースを接
   地し、第７のトランジスタのドレインと第８のトランジ
   スタのドレインを正の直流電圧源に接続し、前記第７の
   トランジスタのゲートを、この第７のトランジスタのソ
   ースに接続すると同時に前記第４のトランジスタのドレ
   インに接続し、前記第８のトランジスタのゲートを、こ
   の第８のトランジスタのソースに接続すると同時に前記
   第５のトランジスタのドレインに接続し、第３の抵抗の
   一端を前記第４のトランジスタのゲートに接続し、第４
   の抵抗の一端を前記第５のトランジスタのゲートに接続
   し、前記第３の抵抗の他端を前記第４の抵抗の他端に接
   続すると同時に第７の抵抗の一端と第８の抵抗の一端に
   接続し、前記第７の抵抗の他端を正の直流電圧源に接続
   し、前記第８の抵抗の他端を接地し、前記第４のトラン
   ジスタのドレインと前記第５のトランジスタのドレイン
   を出力端子とすることを特徴とした高周波回路を集積化
   した半導体装置。
3. 【請求項３】少なくとも２つ以上のトランジスタと定電
   流回路から構成されるＲＦ差動増幅器の入力端子に請求
   項１記載の出力端子を接続し、少なくとも４つ以上のト
   ランジスタで構成されるダブルバランスドミキサ回路の
   ＲＦ入力端子に前記ＲＦ差動増幅器の出力端子を接続し
   、前記ダブルバランスドミキサ回路のＬＯＣＡＬ入力端
   子に請求項２記載の出力端子を接続し、前記ダブルバラ
   ンスドミキサ回路のＩＦ出力端子から中間周波数信号を
   取り出すことを特徴とした高周波回路を集積化した半導
   体装置。