JPH04232919A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関するも
のであり、さらに詳しくは強誘電性液晶を用いた液晶表
示装置、いわゆる強誘電性液晶表示装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】典型的な先行技術のネマティック液晶を
用いた液晶表示装置としては、ツイストネマティック型
（Ｔｗｉｓｔｅｄ　　Ｎｅｍａｔｉｃ　　ＴＮ　　型）
液晶表示装置、スーパーツイステッド型（Ｓｕｐｅｒｔ
ｗｉｓｔｅｄ　　Ｂｉｒｅｆｒｅｎｇｅｎｃｅ　　Ｅｆ
ｅｃｔ、ＳＢＥ　　型）液晶表示装置がある。

【０００３】しかしながらツイステッドネマティック型
液晶表示装置では、駆動方式のマルチプレックス化が進
むに従って駆動マージンが狭くなり、十分なコントラス
トが得られないという欠点が生じている。また、ツイス
テッドネマティック型液晶表示装置の改良型であり、大
きなツイスト角を用いるスーパーツイステッド型液晶表
示装置では、大容量表示に用いるとコントラストが低下
したり、応答速度が遅くなるという欠点が生じている。

【０００４】そこで、このようなネマティック液晶を用
いる液晶表示装置を改良する装置として、１９８０年に
クラーク（Ｎ．Ａ．Ｃｌａｒｋ）とラガバル（Ｌａｇｅ
ｒｗａｌｌ）によって、キラルスメクチックＣ液晶、す
なわち強誘電性液晶を用いた液晶表示装置が提案されて
いる。（特開昭５６ー１０７２１６号公報、米国特許第
４３６７９２４号）この液晶表示装置は、液晶分子の誘
電異方性を利用する電界効果を用いる前記の液晶表示装
置とは異なり、強誘電性液晶の自発分極の極性と電界の
極性と電卓の極性とを整合させる回転力を用いる液晶表
示装置である。

【０００５】この液晶装置の特徴として双安定性、メモ
リー性、高速応答性などを挙げる事が出来る。すなわち
、強誘電性液晶をギャップを薄くしたセルに注入すると
、界面の影響を受けて強誘電性液晶の螺旋構造がほどけ
、液晶分子がスメクチック層法線にたいして傾き角θだ
け傾いて安定する領域と、逆方向に−θだけ傾いて安定
する領域とが混在し、双安定性を有する。このセル内の
強誘電性液晶に対して電圧を印加することによって、液
晶分子とその自発分極の向きを一様に揃える事ができ、
印加する電圧の極性を切り替えることによって液晶分子
の配向をある一定の状態から別の一定の状態へと切り替
えるスイッチング駆動が可能となる。

【０００６】このスイッチング駆動に伴い、セル内の強
誘電性液晶では、複屈折光が変化するので２つの偏光子
間に上記セルを挟むことによって、透過光を制御するこ
とができる。さらに、電圧の印加を停止しても液晶分子
の配向は、界面の配向規制力によって電圧印加停止前の
状態に維持されるので、メモリ効果も得ることができる
。また、スイッチング駆動に必要な時間は、液晶の自発
分極性と電界が直接作用するためにツイステッドネマテ
ィック型液晶表示装置の１／１０００以下と高速応答性
をもち、高速表示が可能である。

【０００７】そこで、この強誘電性液晶のメモリ効果や
高速応答性を利用してマルチプレックス駆動方式による
走査線の数が多い高解像度の液晶表示装置を構成するこ
とが従来より試みられている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、クラー
ク、ラガバル型の液晶表示装置にも多くの問題点があっ
た。

【０００９】まず当初のモデルでは、スメクチックＣ相
の層構造は、図１に示すようなブックシェルフ型とよば
れる基板に垂直な構造をとると考えられていた。しかし
ながら、従来のラビング等による配向法を用いて、セル
を作成した場合、予想されたスイッチング現象や、光学
的特性が大きく食い違い、提案されたモデルとは全く異
なるスイッチングをしていたことが判ってきた。

【００１０】その要因の一つとして、層構造が図２に示
すようなシェブロンと呼ばれる『く』の字型に折れ曲が
った構造をしていることがＸ線の小角散乱法を用いて解
析された［Ｒｉｅｋｅｒ，Ｔ．Ｐ．，Ｃｌａｒｋ，Ｎ．
Ａら、Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．，５９，ｐ．２６
５８（１９８７）］もう一つ当初のモデルと異なる点は
、自発分極の方向や、液晶分子が一様な方向に揃ったユ
ニフォーム配向を取るだけでなく、分子が上基板と下基
板でねじれたツイスト配向をする事が報告されている。 ［Ｇｌｏｇａｒｏｖａ，Ｍ．ａｎｄＰａｖｅｌ，Ｊ．Ｐ
ｈｙｓ．（Ｆｒａｎｃｅ），４５，Ｐ．１４３（１９８
４）］特に、ラビングにより配向させた強誘電性液晶素
子は、界面での規制力が強く働くため、ツイスト配向で
あることが分かってきた。このような配向をとった場合
、一般的に２状態間のスイッチングでの光学的な分子軸
の差が効果的に現れず、高いコントラスト特性が得られ
ないことが判った。

【００１１】これらの欠点を解消するために、当初クラ
ークらが提案した、層構造モデルを達成する方式が幾つ
か提案されてきた。

【００１２】その一つとしてＳｉＯ斜蒸着法を用いたも
ので、比較的高いプレチルトを基板界面に付与すること
で、層の折れ曲がりを防ぎ、斜めに傾斜した層構造を達
成した報告がある。また第二の方法として、折れ曲がり
構造をもつセルに高い電圧の交番電界を印加することに
より、層構造をブックシェルフ構造に変える方法が提案
されており［佐藤ら、第１２回液晶討論会（名古屋）、
１Ｆ１６（１９８６）］、いずれも高いコントラスト特
性が得られた事が報告されている。

【００１３】しかしながら前記の斜め蒸着法は、蒸着角
度を均一にする技術が難しいことや、真空プロセスを有
するために、生産面で大きな問題がある。また電界を印
加する方法は、均一に層構造を変化させるのが難しく、
長期の時間の経過とともに徐々に元のシェブロン構造に
変化するものも多く、未だ実用化には至っていない。そ
こで、本発明はこのような問題点を解決するためにシェ
ブロン構造にも拘わらず高いコントラスト特性の液晶表
示装置を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、表面に電極を
選択的に形成し、更にその上に絶縁膜、配向膜を形成し
た後、一軸配向処理を施した一対の基板を、その一軸配
向処理の方向を上下基板において略平行になるよう互い
に対向して配置するとともに、これらの基板間にカイラ
ルスメクチックＣ相を有する液晶を介在させ液晶パネル
とし、前記電極に選択的に電圧を印加することによって
液晶の光軸を切り替える駆動手段と、光軸の切り替えを
光学的に識別する手段を有する強誘電性液晶表示装置に
おいて、カイラルスメクチックＣ相に於ける層構造がく
の字形状に折れ曲がったシェブロン構造であり、上記折
れ曲がり方向が一軸配向処理方向に発生するライトニン
グ欠陥とその欠陥の後方に発生するヘアピン欠陥に囲ま
れた領域の内側、もしくは、一軸配向処理方向に発生す
るヘアピン欠陥とその後方に発生するライトニング欠陥
に囲まれた領域の外側に発生する方向であって、かつ上
記切り替えの際に液晶分子の基板近傍での反転を伴うも
のであることを特徴とするものであって、このことによ
り上記目的を達成する。

【００１５】また、本発明によれば、配向膜がラビング
法により一軸配向処理を施こされてなるものであること
によって上記目的を達成することができる。

【００１６】

【作用】本発明によれば、駆動手段により液晶の光軸を
切り替えた際に、液晶分子は一対の基板間のほぼ中央で
発生するシェブロン構造の折れ曲りの境界の近傍で反転
するのみならず、基板近傍でも反転するため、液晶分子
は一対の基板間にあって略一様に配向する。すなわち、
液晶分子は基板の一方から上記近傍の間にあっては略一
様に配向し、上記境界の近傍では配向が折れ曲がりのた
めに多少異なるが、この境界の近傍から基板の他方の間
では略一様に配向する。この結果、一対の基板間にあっ
て、液晶分子はほとんどねじられることのない配向（ほ
とんどツイストされない配向）を示す。

【００１７】このように、液晶分子がほとんどねじられ
ることがないため、光軸の切り替えを光学的に識別する
手段、例えば偏光子と組み合わせて用いることにより遮
光の際に光の漏れを少なくすることが可能となり、コン
トラスト特性の改善が可能となる。

【００１８】更に、本発明のシェブロン構造の折れ曲が
り方向が、一軸配向処理方向に発生するライトニング欠
陥とその欠陥の後方に発生するヘアピン欠陥に囲まれた
領域の内側、もしくは、一軸配向処理方向に発生するヘ
アピン欠陥とその後方に発生するライトニング欠陥に囲
まれた領域の外側に発生する方向であるため、本発明の
折れ曲がり方向とは逆の方向に比べて本発明では駆動手
段により液晶の光軸を切り替えた際２状態間の光学的な
分子軸の差、いわゆるメモリー角度が大きくなっている
。従って、液晶の光軸を切り替えた際、光軸の切り替え
を光学的に識別する手段、例えば偏光子と組み合わせて
用いた場合に光の透過する状態と光の非透過の状態との
間の光の透過量の差を大きくできるため、高いコントラ
スト特性を示す。　　更に、本発明によれば簡便なラビ
ング法を用いた配向膜とし、そのラビング方向と液晶層
の折れ曲がり方向を決めることで、基板近傍、換言すれ
ば界面での液晶分子の反転を容易にすることができ、シ
ェブロン構造を有する略一様な配向（ユニフォーム配向
）を実現した。この結果、比較的簡単に高いコントラス
ト特性を実現することができた。

【００１９】

【実施例】本発明の液晶表示装置について、まずその基
本となる概念を説明する。

【００２０】カイラルスメクチックＣ層における層構造
は、一般的には、『く』の字形状におれまがった構造を
していることが、知られている。このような構造を取る
理由は、カイラルスメクチックＣ相よりも高温側にある
液晶相（一般的には、スメクチックＡ相）での層間隔が
、カイラルスメクチックＣ相に変わるとき液晶分子が傾
くことにより小さくなるのに対して、基板界面付近の分
子は動きにくく、高温側の相での分子間隔を保とうとす
るために、界面での分子間隔を保ちながら、層間隔を縮
める必要が生じ、層が折れ曲がると考えられている。

【００２１】ところが、この層の折れ曲がる方向は図３
に示すように、二通りの方向１７，１８に発生し、二つ
の異なった配向状態を生じる。そのとき層と層の折れ曲
がりの方向が異なった場所には、ジグザグ欠陥と呼ばれ
る配向欠陥が生じてくる。なお、図３は欠陥を模式的に
説明する断面図と平面図である。図３に示すように、ジ
グザグ欠陥には層の折れ曲がる方向で２種類の欠陥が発
生し、その形状から前者１５をライトニング欠陥、後者
１６をヘアピン欠陥と名付けられており、この形状を観
察することで層の折れ曲がり方向が推定できる。［Ｊｐ
ｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，２８，ｐ５０（１９８
８）］本発明においては、この折れ曲がり構造を利用す
るものであって以下に説明する。

【００２２】配向処理方向が、上下基板で同じ方向の場
合、配向処理方向に対して層の折れ曲がり方向が同じ方
向に折れ曲がるか、反対方向に折れ曲がるかで二つの異
なった配向状態をとる。この関係を図４に示す。図４中
に記されている円錐状の図形は、スイッチングの際に、
液晶分子が動きうる軌道で、層法線２５に対して液晶の
ティルト角２６だけ傾いた軌道である。この関係に関し
ては、特開平１−１５８４１５の中でも論じられており
、ラビング軸１９と層の折れ曲がり方向が逆である図４
中２３の場合をシェブロン１（Ｃ１配向）、同じである
図４中２４の場合をシェブロン２（Ｃ２配向）と定義し
ている。以下本発明でも同様の名称を使う。

【００２３】Ｃ１配向とＣ２配向は、基板界面の液晶分
子のプレティルトが無い場合には、ほぼ等価な配向状態
を示すが、しかしながらラビング処理などの一軸配向処
理をした場合図５に示すような方向に、液晶分子のプレ
ティルト２２が、生ずる。このプレチルトを大きくして
やると、Ｃ１配向とＣ２配向で液晶分子の配向状態の差
が顕著になっていく。プレチルト角度は２度程度以上あ
れば差は顕著である。図６にその配向状態の違いを示す
。図６ａ，ｂ、図６ｃ，ｄは、基板界面での分子が動き
にくい場合のＣ１，Ｃ２配向のメモリ状態の分子（Ｃダ
イレクター）の様子を記したものである。

【００２４】液晶分子は上下基板間で捩れた状態を取っ
ているので、この場合のＣ１配向をＣ１Ｔｗ（シェブロ
ン１ツイスト）、Ｃ２配向をＣ２Ｔｗ（シェブロン２ツ
イスト）と定義する。電界を印加した時のスイッチング
は、それぞれ、図６ａｂ間および図６ｃｄ間で起こって
いる。この場合においては、メモリー状態の切り替えは
、シェブロン構造のつなぎめ部分（折れ曲がり部分）１
４だけで起こっている。この場合図４を参照して、上下
基板での、界面における分子の配置を考えると、図６ａ
．ｂのＣ１Ｔｗ配向ではｎダイレクタ２０は大きくねじ
れた状態になっており、図６ｃ，ｄのＣ２Ｔｗ配向では
小さなねじれ状態になっている。いまセルの上下に偏光
板を直交させて配置し、セルをその中で回転させると、
Ｃ１Ｔｗ配向では消光する角度がなく、Ｃ２Ｔｗ配向で
は消光する角度があり、Ｃ１Ｔｗ配向に比べＣ２Ｔｗ配
向の方が、良いコントラスト特性をしめすことが、報告
されている（特開平−１５８４１５）。

【００２５】ところが、界面付近の分子を動き易くし、
分子の界面反転が発生した場合を考えると、状況が異な
ってくる。図６ｅ，ｆ，図６ｇ，ｈは界面反転が、発生
した場合のＣ１，Ｃ２配向のメモリー状態の様子を記し
たものである。

【００２６】上下基板での液晶分子の捩れが解消される
ため、分子はほぼ一様に並んでいる。この場合のＣ１配
向をＣＩＵ（シェブロン１ユニフォーム）配向、Ｃ２配
向をＣ２Ｕ（シェブロン２Ｔｗユニフォーム）配向と定
義する。今、電界を印加した時のスイッチングは、それ
ぞれ図６ｅｆ間および図６ｇｈ間で起こっている。

【００２７】この場合ＣＩＵ配向においては、２つのメ
モリ−状態共に上下基板の分子のねじれ状態はなくなり
、しかも、２つのメモリ−状態間の光軸角度（メモリ−
角）が広くなることから、直交ニコル中で消光が可能な
だけでなく、セルを消光位置に設置し、電圧印加をおこ
なうことで、もうひとつのメモリ−状態に光軸を切り替
えると、光軸角の動きが大きいために、大きな透過光強
度変化を得られる。

【００２８】ところが、Ｃ２Ｕ配向においては、界面近
傍の分子の反転が起こったとしても、図６から分かるよ
うに、第一のメモリ−状態と第二のメモリ−状態との間
では、光軸の変化が、大きく取れない。従ってＣＩＵ配
向の方が、よりコントラストがとれることが理解できる
。

【００２９】以上のことから、コントラスト特性につい
ては、次の関係が成り立つ。

【００３０】コントラスト大　　Ｃ１Ｕ＞Ｃ２Ｕ≧Ｃ２
Ｔｗ＞Ｃ１Ｔｗ　　コントラスト小本発明においては、
以上の知見に基づいて液晶表示装置としてＣ１Ｕの配向
を用いるものであることを特徴としており、この配向状
態の見分け方を下記に述べる。

【００３１】まずＣ１かＣ２の見分け方について述べる
。セル内のスペーサーや傷から発生するジグザグ欠陥の
形状から層の折れ曲がり方向が推定できる。欠陥はライ
トニング欠陥とヘヤピン欠陥の２種類の形状があり、二
つの欠陥は通常つながって閉じており、その欠陥でかこ
まれた領域とその外側では、層の折れ曲がり方向が異な
る事が知られているので（図３参照）、ラビング方向と
層の折れ曲がり方向を推定できる。またラビング方向は
分子のプレチルトの方向で図５の関係になる。つぎにツ
イスト配向であるか、ユニフォーム配向かを見分けるた
めの判別法は、次の２点が判定基準となる。

【００３２】１．セルに低周波の三角波を印加しながら
顕微鏡観察をすると、反転ドメインが観察される。その
際、シェブロン構造のつなぎめ（折れ曲がり部）で発生
する内部回位の移動によるドメイン反転は（舟型のドメ
インと呼ばれている）、ツイスト配向であるとユニフォ
ーム配向であるとに拘わらず発生する、従ってその反転
以外にもう一つ以上ドメイン反転が観測された場合、界
面での反転と判断でき、配向がユニフォームと判断でき
る。

【００３３】２．セルに十分な電界を、（±１０Ｖ程度
）印加して求めた光軸の移動角度に対して、メモリー時
の二つの安定状態間の光軸角度が、前者の４０％以上あ
るものがユニフォーム配向と言える。

【００３４】

【実施例】図７は、本発明の一実施例である液晶表示装
置の断面を示した図である。

【００３５】ガラス基板１ａ上に３００〜５０００Å、
好ましくは１０００から３０００Åの厚さの複数本の透
明電極２ａが互いに平行となるようにストライプ状に配
列して形成され、その上に３００〜５０００Å、好まし
くは５００〜２０００ÅのＳｉＯ２の電極保護膜３ａが
スパッタで形成され、チッソ石油化学（株）製のＸーＡ
ー２００１（ポリイミド）、及びチッソ石油化学（株）
製ＰＳＩー８７１ｐｐｄ（ポリイミド）をスピンコータ
ーにて４００Åの厚さに形成し、この後、レーヨン系の
布を用いてラビングによる一軸配向処理を行い基板９を
形成した。

【００３６】一方、もう片側のガラス基板１ｂ上にも同
様の条件で複数本の透明電極２ｂが、互いに平行となる
ようにストライプ状に配列して形成され、その上に同様
の条件で電極保護膜３ｂを介して配向膜４ｂが形成され
、この後ラビングによって一軸配向処理を行い基板１０
を形成した。

【００３７】ついで、この基板１０は、もう一方の基板
９と互いに配向膜４ａ，４ｂが対向しあい、互いの透明
電極２ａ，２ｂが直交し、ラビング方向がほぼ一致する
ようにし、１．５μの間隔を隔ててシリカスペーサー５
を介してエポキシ樹脂製のシール部材６で貼り合わせた
。

【００３８】これらの基板９，１０間には液晶を加熱し
つつ、真空注入法で注入口からカイラルスメクチックＣ
相を示す液晶７（チッソ石油化学（株）製ＣＳー１０１
４）を注入したのちアクリル系のＵＶ硬化型の樹脂８で
注入口を封止して液晶セル１１を作成した。

【００３９】更に、このセル１１の上下に偏光軸をほぼ
直交させた偏光板１２ａ，１２ｂを配置させ、偏光板の
一方の偏光軸をセル１１の液晶のどちらか一方の光軸に
ほぼ一致させて液晶表示装置とした。

【００４０】当該液晶表示装置について配向の様子を実
験により調べたところ、スメクティックＡ相からスメク
ティックＣ＊相への転移点（ＴＡＣ）から室温（２５℃
）付近までＣ１Ｕ配向を示した。なお、上記の見分け方
によりＣ１Ｕ配向であることを確認した。

【００４１】次に、上記の構造のうち配向膜をナイロン
（ＮＹＬＯＮ６６）、ポリビニールアルコール（ＰＶＡ
）に変え、同様にセル化したものについて実験したとこ
ろ、ＴＡＣ以下２℃から室温付近までＣ２Ｔｗ配向が得
られた。

【００４２】また上記の構造で、配向膜をポリビニール
アルコール、液晶をメルク社製ＺＬＩー４２３７ー００
０としたものについて実験したところＴＡＣから室温に
至るまで、Ｃ１Ｔｗ配向が得られた。

【００４３】それぞれの配向状態とそのときのコントラ
スト（ＣＲ）を次の表に示す。

【００４４】

【表１】

【００４５】コントラストの測定法は、セルの分子の光
軸を電界を印加して一方向に合わせたのち、偏光板の偏
光軸を直交させた中にセルを挟み、セルを回転させて最
も光の漏れが小さくなる消光位を求め、その光強度Ｉａ
を測定する。次にセルに反対方向の極性の電圧を印加し
、もう一方の光軸に切り替え、そのときの光強度Ｉｂを
測定し、両者の強度比Ｉｂ／Ｉａの値をコントラストの
値とした。表から判るようにＣＩＵ配向をとる実施例の
ものは、高いコントラスト特性を示した。

【００４６】尚、コントラストを測定した各のセルにお
いて、スペーサーの周辺部分で、ＣＩＵ，Ｃ１Ｔｗ配向
ではＣ２Ｔｗ配向が、Ｃ２Ｔｗ配向ではＣ１Ｔｗあるい
はＣＩＵ配向といったように、反対向きのシェプロン構
造が欠陥として発生する傾向にあるが、本実施例におけ
るＣＩＵ配向のものは、面積的には、２〜３％程度と小
さくコントロールされているため、コントラスト特性に
殆ど影響しなかった。また、本実施例では配向膜として
ポリイミドを用いてＣＩＵ配向を実現したのに対し比較
例のように配向膜としてナイロンやポリビニールアルコ
ールを用いるとＣＩＵ配向を実現できなかったのは後者
ではプレチルト角が２〜３程度であってポリイミドに比
べて小さく、液晶分子に対する配向規制力が働き、この
ためスイッチングによっても配向膜の近傍、界面では液
晶分子の反転が困難であることによるものと考えられる
。この反転の困難さを解消するためには、配向膜である
ナイロンやポリビニールアルコールの液晶側に接する側
について配向規制力を弱める処理例えば液晶との電気的
相互作用の少ない基を付加したものとするとか、プレチ
ルト角が大きくなるような処理を施す等が考えられ、適
当な処理によりＣＩＵ配向を実現する可能性もある。 従って、本実施例に限らず、配向膜の材料、処理、液晶
材料を選定することによりＣＩＵ配向を実現しうること
が理解されよう。

【００４７】

【発明の効果】本発明の液晶表示装置によれば、以上の
ようにシェブロン構造であるにも拘わらず高コントラス
ト特性を得ることができ、強誘電液晶表示装置の実用性
を高めるものである。しかも、液晶表示装置の配向膜は
ラビング法を用いた配向膜で実現することができるため
、従来より用いられているラビング法の簡便さを活用で
きるので、一層の実用性のメリット大なるものがある。

【図面の簡単な説明】

【図１】スメクチックＣ相の層構造を模式的に説明する
斜視図である。

【図２】スメクチックＣ相の層構造を模式的に説明する
斜視図である。

【図３】スメクチックＣ相の層構造の欠陥を模式的に説
明する断面図及び平面図である。

【図４】層構造の折れ曲がり方向と配向状態を模式的に
説明する図である。

【図５】ラビング処理をした場合の液晶分子のプレチル
トを模式的に説明する図である。

【図６】各種配向状態における液晶分子の様子をダイレ
クターにより模式的に示す図である。

【図７】本発明の液晶表示装置の実施例を示す断面図で
ある。

【符号の説明】

１ａ，１ｂ，４ａ，４ｂ…配向膜 ７…液晶 １２ａ，１２ｂ…偏光板 １３…スメクチック層 １４…シェブロン構造のつなぎめ部分 １５…ライトニング欠陥 １６…ヘアピン欠陥 １７，１８…シェブロン構造 １９…ラビング方向 ２０…液晶分子：Ｎダイレクター ２１…Ｃダイレクター ２２…プレティルト角度 ２３…Ｃ１配向 ２４…Ｃ２配向 ２５…スメクチック層の法線 ２６…液晶のティルト角 ２７…ローラー

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　表面に電極を選択的に形成し、さらに
   その上に絶縁膜、配向膜を形成した後、一軸配向処理を
   施した一対の基板を、その一軸配向処理の方向を上下基
   板において略平行になるよう互いに対向して配置すると
   ともに、これらの基板間にカイラルスメクチックＣ相を
   有する液晶を介在させ液晶パネルとし、前記電極に選択
   的に電圧を印加することによって液晶の光軸を切り替え
   る駆動手段と、光軸の切り替えを光学的に識別する手段
   を有する強誘電性液晶表示装置において、カイラルスメ
   クチックＣ相に於ける層構造がくの字形状に折れ曲がっ
   たシェブロン構造であり、上記折れ曲がり方向が一軸配
   向処理方向に発生するライトニング欠陥とその欠陥の後
   方に発生するヘアピン欠陥に囲まれた領域の内側、もし
   くは、一軸配向処理方向に発生するヘアピン欠陥とその
   後方に発生するライトニング欠陥に囲まれた領域の外側
   に発生する方向であって、かつ上記切り替えの際に液晶
   分子の基板近傍での反転を伴うものであることを特徴と
   する液晶表示装置。
2. 【請求項２】　　上記配向膜がラビング法により上記一
   軸配向処理を施こされてなるものであることを特徴とす
   る請求項１項記載の液晶表示装置。