JPH04229716A - Output buffer circuit - Google Patents

Output buffer circuit

Info

Publication number
JPH04229716A
JPH04229716A JP2414922A JP41492290A JPH04229716A JP H04229716 A JPH04229716 A JP H04229716A JP 2414922 A JP2414922 A JP 2414922A JP 41492290 A JP41492290 A JP 41492290A JP H04229716 A JPH04229716 A JP H04229716A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
state
final stage
output
stage transistor
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2414922A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshinori Yamamoto
義典 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kawasaki Steel Corp filed Critical Kawasaki Steel Corp
Priority to JP2414922A priority Critical patent/JPH04229716A/en
Publication of JPH04229716A publication Critical patent/JPH04229716A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce power consumption and a temperature rise due to a Joule heat. CONSTITUTION:With respect to the output buffer circuit employing a 1st final stage transistor(TR) T1 switching its output to an H state and a 2nd final stage TR T2 switching its output to an L state, a 1st pre-driver 10 delays a changeover of the 1st final stage TR T1 from OFF to ON state more than a changeover of the 2nd final stage TR T2 from ON to OFF state. A 2nd pre-driver 20 delays a changeover of the 2nd final stage TR T2 from OFF to ON state more than a changeover of the 1st final stage TR T1 from ON to OFF state. The delay employs a transient transition of a voltage or a current of an input signal caused at the changeover of the logic state of the input signal. Thus, the simultaneous ON state of the 1st final stage TR T1 and the 2nd final stage TR T2 is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、出力をH状態にスイッ
チングする第1最終段トランジスタと、出力をL状態に
スイッチングする第2最終段トランジスタとによる最終
段トランジスタを用いた出力バッファ回路に係り、特に
、消費電力の低減やジュール熱による温度上昇を低減可
能な出力バッファ回路に関する。
[Field of Industrial Application] The present invention relates to an output buffer circuit using final stage transistors, including a first final stage transistor that switches the output to an H state and a second final stage transistor that switches the output to an L state. In particular, the present invention relates to an output buffer circuit that can reduce power consumption and temperature rise due to Joule heat.

【0002】0002

【従来の技術】2進数の論理演算を行うデジタル回路で
ある論理ゲートは、この論理演算の結果として、出力回
路により、2つの電気的状態の出力を行う。
2. Description of the Related Art A logic gate, which is a digital circuit that performs a binary logic operation, outputs two electrical states through an output circuit as a result of the logic operation.

【0003】通常、出力されるこの2つの電気的な状態
は、2種類の電圧値となっている。即ち、論理値“0”
に対応したLow電圧状態(あるいはOV電圧状態。以
降、L状態と呼ぶ)と、論理値“1”に対応したHig
h 電圧状態(又は電源電圧状態。以降、H状態と呼ぶ
)となっている。
[0003] Normally, these two electrical states are output as two types of voltage values. That is, logical value “0”
Low voltage state (or OV voltage state, hereinafter referred to as L state) corresponding to the logic value “1” and High voltage state corresponding to the logical value “1”.
h voltage state (or power supply voltage state; hereinafter referred to as H state).

【0004】又、論理ゲートの出力回路からのL状態又
はH状態の出力は、トランジスタのスイッチング動作に
より行われている。
[0004] Further, the L-state or H-state output from the output circuit of the logic gate is performed by a switching operation of a transistor.

【0005】例えば、TTL(transistor 
transistorlogic )回路や、LSTT
L(lowpower schottky  TTL)
回路においては、出力状態の切替を行う出力回路に、バ
イポーラトランジスタが用いられている。又、MOS(
metal oxide semiconductor
 )デジタル回路においては、出力状態の切替を行う出
力回路にMOS  FET(firld effect
 transistor)トランジスタ(以降、単にM
OSトランジスタと呼ぶ。又、構造に従って、Pチャル
ルMOSトランジスタ又はNチャネルMOSトランジス
タと呼ぶ)が用いられている。
[0005] For example, TTL (transistor
transistorlogic) circuits, LSTT
L (lowpower schottky TTL)
In the circuit, a bipolar transistor is used in an output circuit that switches output states. Also, MOS(
metal oxide semiconductor
) In a digital circuit, a MOS FET (first effect) is used in the output circuit that switches the output state.
transistor) transistor (hereinafter simply referred to as M
It is called an OS transistor. Depending on the structure, a P-channel MOS transistor or an N-channel MOS transistor is used.

【0006】従来、このようにトランジスタのスイッチ
ング動作により出力を駆動する出力回路において、より
高速にスイッチング動作を行うためには、このスイッチ
ングに用いられる出力トランジスタのインピーダンスを
下げることにより対処している。
Conventionally, in such an output circuit that drives the output by the switching operation of a transistor, in order to perform the switching operation at a higher speed, the impedance of the output transistor used for this switching has been lowered.

【0007】しかしながら、出力トランジスタのインピ
ーダンスを下げることにより、スイッチング動作により
出力が切替わる瞬間に、大きな負荷容量を駆動するため
出力トランジスタを介して、大きな電流が流れる。この
ようなピーク電流の発生により、この出力回路に電源を
供給する電源線やグランド線に電源ノイズやグランドノ
イズが発生してしまい、この電源を用いている他の論理
回路に誤動作を生じてしまう。
However, by lowering the impedance of the output transistor, a large current flows through the output transistor to drive a large load capacitance at the moment the output is switched by a switching operation. The generation of such peak current generates power supply noise and ground noise on the power supply line and ground line that supply power to this output circuit, causing malfunctions in other logic circuits that use this power supply. .

【0008】又、出力をH状態にスイッチングするPチ
ャネルMOSトランジスタと、出力をL状態にスイッチ
ングするNチャネルMOSトンジスタとを用いた出力バ
ッファ回路において、該出力バッファ回路の出力のL状
態からH状態への論理状態の切替わり時、あるいはH状
態からL状態への論理状態の切替わり時に、これらPチ
ャネルMOSトランジスタとNチャネルMOSトランジ
スタとが共にオン状態あるいはほぼオン状態となってし
まうことにより、電源からグランドへの貫通電流が発生
してしまうという問題があった。
Furthermore, in an output buffer circuit using a P-channel MOS transistor that switches the output to the H state and an N-channel MOS transistor that switches the output to the L state, the output of the output buffer circuit changes from the L state to the H state. When the logic state changes from the H state to the L state, both the P channel MOS transistor and the N channel MOS transistor become on state or almost on state. There is a problem in that a through current occurs from the power supply to the ground.

【0009】特開昭63−31217では、出力バッフ
ァ回路に用いられている前述のPチャネルMOSトラン
ジスタとNチャネルMOSトランジスタとのそれぞれの
ターンオンタイミングを、互いに他方のトランジスタの
ターンオフタイミングに比べて緩やかにするという技術
が開示されている。即ち、出力バッファ回路の出力のL
状態からH状態への論理状態の切替わり時には、Nチャ
ネルMOSトランジスタを速やかにターンオフする一方
、PチャネルMOSトンジスタを緩やかにターンオンす
るというものである。一方、出力バッファ回路の出力の
H状態からL状態への論理状態の切替わり時には、Pチ
ャネルMOSトランジスタを速やかにターンオフする一
方、NチャネルMOSトランジスタは緩やかにターンオ
ンするというものである。
In Japanese Patent Laid-Open No. 63-31217, the turn-on timing of each of the aforementioned P-channel MOS transistor and N-channel MOS transistor used in the output buffer circuit is made gentler than the turn-off timing of the other transistor. A technique has been disclosed to do this. That is, the output of the output buffer circuit is L.
When the logic state changes from the high state to the high state, the N-channel MOS transistor is quickly turned off, while the P-channel MOS transistor is slowly turned on. On the other hand, when the logic state of the output of the output buffer circuit changes from the H state to the L state, the P channel MOS transistor is quickly turned off, while the N channel MOS transistor is slowly turned on.

【0010】この特開昭63−31217の技術によれ
ば、出力バッファ回路の出力に用いられているPチャネ
ルMOSトランジスタとNチャネルMOSトランジスタ
とが共にオン状態あるいはほぼオン状態となってしまう
ことを低減し、これにより電源からグランドへの貫通電
流を減少することが可能である。又、これら出力に用い
られているPチャネルMOSトランジスタ及びNチャネ
ルMOSトンラジスタのターンオンのタイミングが緩や
かになることにより、この出力バッファから出力される
信号の電流変化を緩やかにすることができる。又、この
出力バッファ回路の消費電流の変化も穏やかになり、電
源ノイズやグランドノイズも低減することが可能である
According to the technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 63-31217, it is possible to prevent both the P-channel MOS transistor and the N-channel MOS transistor used for the output of the output buffer circuit from being in the on state or almost on state. It is possible to reduce the through current from the power supply to ground. Further, by slowing down the turn-on timing of the P-channel MOS transistor and N-channel MOS transistor used for these outputs, it is possible to slow down the current change of the signal output from the output buffer. Further, the change in current consumption of this output buffer circuit becomes gentle, and power supply noise and ground noise can also be reduced.

【0011】[0011]

【発明が達成しようとする課題】しかしながら、前述の
特開昭63−31217では、出力バッファ回路に入力
される入力信号の立上りや立下りが緩やかであった場合
には、該出力バッファ回路の出力に用いられているPチ
ャネルMOSトランジスタ及びNチャネルMOSトラン
ジスタのターンオフタイミングも緩やかになってしまう
However, in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-31217, when the rise or fall of the input signal input to the output buffer circuit is gradual, the output of the output buffer circuit is The turn-off timing of the P-channel MOS transistor and the N-channel MOS transistor used in this case also becomes slow.

【0012】このとき、これらPチャネルMOSトラン
ジスタのターンオフが緩やかになる度合と、Nチャネル
MOSトランジスタのターンオフが緩やかになる度合と
が、この特開昭63−31217で行っている互いに一
方のトランジスタのターンオフタイミングに比べて他方
のトランジスタのターンオンタイミングを穏やかにする
ことに比べて長くなってしまった場合には、電源からグ
ランドへの貫通電流が生じてしまうという問題が生じて
しまう。
At this time, the degree to which the turn-off of the P-channel MOS transistor becomes gradual and the degree to which the turn-off of the N-channel MOS transistor becomes gradual differs from each other as described in Japanese Patent Laid-Open No. 63-31217. If the turn-on timing of the other transistor is longer than the turn-off timing, a problem arises in that a through current is generated from the power supply to the ground.

【0013】即ち、これらPチャネルMOSトランジス
タとNチャネルMOSトランジスタとが、該出力バッフ
ァ回路の出力のL状態からH状態への論理状態の切替わ
り時、あるいはH状態からL状態への論理状態の切替わ
り時に、共にほぼオン状態となってしまい、電源からグ
ランドへの貫通電流が生じてしまうという問題がある。
That is, these P-channel MOS transistors and N-channel MOS transistors are activated when the logic state of the output of the output buffer circuit changes from the L state to the H state, or when the logic state of the output of the output buffer circuit changes from the H state to the L state. At the time of switching, both are almost in an on state, causing a problem that a through current occurs from the power supply to the ground.

【0014】本発明は、前記従来の問題点を解決するべ
くなされたもので、出力をH状態にスイッチングする第
1最終段トランジスタと、出力をL状態にスイッチング
する第2最終段トランジスタとによる最終段トランジス
タを用いた出力バッファ回路において、該出力バッファ
回路の出力のL状態からH状態への論理状態の切替わり
時、あるいはH状態からL状態へり論理状態の切替わり
時に、これら第1最終段トランジスタと第2最終段トラ
ンジスタとが共にオン状態あるいはほぼオン状態となっ
てしまうことによる電源からグランドへの貫通電流を減
少し、これにより消費電力の低減や、ジュール熱による
温度上昇を低減可能な出力バッファ回路を提供すること
を目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the conventional art. In an output buffer circuit using stage transistors, when the logic state of the output of the output buffer circuit changes from the L state to the H state, or from the H state to the L state, these first and final stages Reduces the through current from the power supply to the ground due to both the transistor and the second final stage transistor being on or almost on, thereby reducing power consumption and temperature rise due to Joule heat. The purpose is to provide an output buffer circuit.

【0015】[0015]

【課題を達成するための手段】本発明は、出力をH状態
にスイッチングする第1最終段トランジスタと、出力を
L状態にスイッチングする第2最終段トランジスタとに
よる最終段トランジスタを用いた出力バッファ回路にお
いて、入力信号の論理状態の切り替わり時に生じる入力
信号の電圧又は電流の過渡的な遷移を利用して、前記第
1最終段トランジスタのオフからオンへの切り替わりを
、前記第2最終段トランジスタのオンからオフへの切り
替わりに比べて遅延させる第1プリドライバと、入力信
号の論理状態の切り替わり時に生じる入力信号の電圧又
は電流の過渡的な遷移を利用して、前記第2最終段トラ
ンジスタのオフからオンへの切り替わりを、前記第1最
終段トランジスタのオンからオフへの切り替わりに比べ
て遅延させる第2プリドライバと、を用いて、前記第1
最終段トランジスタと前記第2最終段トランジスタとが
、共にオン状態となる時間を短縮するか、あるいは共に
オン状態となることを防止することにより、前記課題を
達成したものである。
[Means for Accomplishing the Object] The present invention provides an output buffer circuit using a final stage transistor including a first final stage transistor that switches the output to an H state and a second final stage transistor that switches the output to an L state. In this step, the first final stage transistor is switched from off to on by utilizing a transient transition of the voltage or current of the input signal that occurs when the logic state of the input signal is switched, and the second final stage transistor is switched from off to on. The second final stage transistor is switched from OFF to OFF by using a first pre-driver that delays the switching from OFF to OFF, and a transient transition of the voltage or current of the input signal that occurs when the logic state of the input signal changes. a second pre-driver that delays switching from on to off compared to switching from on to off of the first final stage transistor;
The above object is achieved by shortening the time during which both the final stage transistor and the second final stage transistor are in the on state, or by preventing both from being in the on state.

【0016】又、前記第1プリドライバあるいは前記第
2プリドライバに、広義のシュミットトリガ回路を用い
ていることにしてもよい。
Furthermore, a Schmitt trigger circuit in a broad sense may be used for the first pre-driver or the second pre-driver.

【0017】[0017]

【作用】本発明は、出力バッファ回路に入力される入力
信号の論理状態の切替わり時、即ち、論理状態がL状態
からH状態に切替わるときやH状態からL状態に切替わ
るときに、この論理状態の切替わりに伴う該入力信号の
電圧又は電流に過渡的な遷移が生じるという点に着目し
てなされたものである。
[Operation] The present invention provides the following effects when the logic state of the input signal input to the output buffer circuit changes, that is, when the logic state changes from the L state to the H state or from the H state to the L state. This was done by focusing on the fact that a transient transition occurs in the voltage or current of the input signal as the logic state changes.

【0018】図1は、本発明の要旨を示すブロック図で
ある。
FIG. 1 is a block diagram showing the gist of the present invention.

【0019】この図1において、符号T1は本発明の第
1最終段トランジスタであり、一例としてPチャネルM
OSトランジスタが示されている。又、符号T2は本発
明の第2最終段トランジスタであり、一例としてNチャ
ネルMOSトランジスタが示されている。
In FIG. 1, reference numeral T1 is a first final stage transistor of the present invention, and as an example, a P channel M
An OS transistor is shown. Further, reference numeral T2 is a second final stage transistor of the present invention, and an N-channel MOS transistor is shown as an example.

【0020】又、この図1において、符号10は本発明
の第1プリドライバであり、この第1プリドライバ10
のL状態からH状態へのスレッショルド電圧はVTHH
1で示され、H状態からL状態へのスレッショルド電圧
はVTHL1で示されている。又、符号20は本発明の
第2プリドライバであり、この第2プリドライバ20の
L状態からH状態へのスレッショルド電圧はVTHH2
で示され、H状態からL状態へのスレッショルド電圧は
VTHL2で示されている。
Further, in FIG. 1, reference numeral 10 indicates a first predriver of the present invention, and this first predriver 10
The threshold voltage from L state to H state is VTHH
1, and the threshold voltage from the H state to the L state is shown as VTHL1. Further, reference numeral 20 denotes a second pre-driver of the present invention, and the threshold voltage of this second pre-driver 20 from the L state to the H state is VTHH2.
The threshold voltage from the H state to the L state is shown as VTHL2.

【0021】本発明においては、これら第1プリドライ
バのスレッショルド電圧VTHH1とスレッショルド電
圧VTHL1と、これら第2プリドライバのスレッショ
ルド電圧VTHH2とスレッショルド電圧VTHL2と
の大きさを、次式に示されるような関係とすることによ
り、出力バッファ回路の出力に用いられている第1最終
段トランジスタT1のオフからオンへの切り替わりを、
第2最終段トランジスタT2のオンからオフへの切替わ
りに比べて遅延させている。又、第2最終段トランジス
タT2のオフからオンへの切替わりを第1最終段トラン
ジスタT1のオンからオフへの切替わりに比べて遅延さ
せている。
In the present invention, the magnitudes of the threshold voltage VTHH1 and threshold voltage VTHL1 of the first pre-driver and the threshold voltage VTHH2 and threshold voltage VTHL2 of the second pre-driver are expressed by the following equation. By doing so, the switching from OFF to ON of the first final stage transistor T1 used for the output of the output buffer circuit is as follows.
This is delayed compared to the switching from on to off of the second final stage transistor T2. Further, the switching from off to on of the second final stage transistor T2 is delayed compared to the switching from on to off of the first final stage transistor T1.

【0022】以下、これらのスレッショルド電圧VTH
H1、VTHL1、VTHH2、VTHL2の関係の条
件の式を、第1プリドライバ10、第2プリドライバ2
0、第1最終段トランジスタT1、第2最終段トランジ
スタT2の論理極性の反転の有無等を考慮して場合分け
して示す。
[0022] Below, these threshold voltages VTH
The expression of the condition for the relationship between H1, VTHL1, VTHH2, and VTHL2 is expressed as follows:
0, the first final stage transistor T1, and the second final stage transistor T2.

【0023】(A)第1最終段トランジスタのオフから
オンへの切替わり時期がスレッショルド電圧VTHH1
に依存し、且つ第2最終段トランジスタのオフからオン
への切替わり時期がスレッショルド電圧VTHL2に依
存している場合。
(A) The switching timing of the first final stage transistor from off to on is the threshold voltage VTHH1.
and the switching timing of the second final stage transistor from off to on depends on the threshold voltage VTHL2.

【0024】[0024]

【0025】(B)第1最終段トランジスタのオフから
オンへの切替わり時期がスレッショルド電圧VTHL1
に依存し、且つ、第2最終段トランジスタのオフからオ
ンへの切替わり時期がスレッショルド電圧VTHH2に
依存している場合。
(B) The switching timing of the first final stage transistor from off to on is the threshold voltage VTHL1.
and the switching timing of the second final stage transistor from off to on depends on the threshold voltage VTHH2.

【0026】[0026]

【0027】(C)第1最終段トランジスタのオフから
オンへの切替わり時期がスレッショルド電圧VTHH1
に依存し、且つ、第2最終段トランジスタのオフからオ
ンへの切替わり時期がスレッショルド電圧VTHH2に
依存している場合。
(C) The switching timing of the first final stage transistor from off to on is the threshold voltage VTHH1.
and the switching timing of the second final stage transistor from off to on depends on the threshold voltage VTHH2.

【0028】[0028]

【0029】(D)第1最終段トランジスタのオフから
オンへり切替わり時期がスレッショルド電圧VTHL1
に依存し、且つ、第2最終段トランジスタのオフからオ
ンへの切替わり時期がスレッショルド電圧VTHL2に
依存している場合。
(D) The switching timing of the first final stage transistor from off to on is the threshold voltage VTHL1.
and the switching timing of the second final stage transistor from off to on depends on the threshold voltage VTHL2.

【0030】[0030]

【0031】このようして、出力バッファ回路の出力に
用いられている第1最終段トランジスタのオフからオン
への切替わりを、第2最終段トランジスタのオンからオ
フへの切替わりに比べて遅延させると共に、第2最終段
トランジスタのオフからオンへの切替わりを、第1最終
段トランジスタのオンからオフからへの切替わりに比べ
て遅延させることが可能である。
In this way, the switching from off to on of the first final stage transistor used for the output of the output buffer circuit is delayed compared to the switching from on to off of the second final stage transistor. At the same time, it is possible to delay the switching from off to on of the second final stage transistor compared to the switching from on to off of the first final stage transistor.

【0032】これにより、図2及び図3に示される如く
、これら第1最終段トランジスタと第2最終段トランジ
スタとが、共にオン状態となる時間を短縮するか、ある
いは共にオン状態となることを防止することが可能であ
る。
As shown in FIGS. 2 and 3, this reduces the time during which both the first final stage transistor and the second final stage transistor are in the on state, or prevents both of them from being in the on state. It is possible to prevent this.

【0033】図2及び図3は、本発明の出力バッファ回
路の入力信号と各プリドライバの出力信号と各最終段ト
ランジスタのオン・オフ状態の一例を示すグラフである
FIGS. 2 and 3 are graphs showing an example of the input signal of the output buffer circuit of the present invention, the output signal of each predriver, and the on/off state of each final stage transistor.

【0034】これら図2及び図3において、符号a は
、出力バッファ回路に入力される信号の波形を示してい
る。即ち、この符号a で示される波形の信号は、第1
プリドライバと第2プリドライバとの入力に入力される
信号である。
In FIGS. 2 and 3, symbol a indicates the waveform of the signal input to the output buffer circuit. That is, the waveform signal indicated by the symbol a is the first
This is a signal input to the input of the pre-driver and the second pre-driver.

【0035】この図2の下方部分に記載された最終段ト
ランジスタのオン・オフ状態においては、第1最終段ト
ランジスタのオンからオフへの切替わり時期がスレッシ
ョルド電圧VTHH1に依存しており、且つ、第2最終
段トランジスタのオフからオンへの切替わり時期がスレ
ッショルド電圧VTHL2に依存している場合である。 即ち、前述の(1a )式と(1b )式との条件に従
っている。
In the on/off state of the final stage transistor shown in the lower part of FIG. 2, the switching timing of the first final stage transistor from on to off depends on the threshold voltage VTHH1, and This is a case where the switching timing of the second final stage transistor from off to on depends on the threshold voltage VTHL2. That is, the conditions of equations (1a) and (1b) described above are complied with.

【0036】又、この図2の符号b の波形の信号は、
前述の図1に示される如く、PチャネルMOSトランジ
スタである第1最終段トランジスタT1のゲートに出力
が接続されている第1プリドライバ10の出力の信号の
波形である。又、この図2の符号c の波形の信号は、
前述の図1のNチャネルMOSトランジスタである第2
最終段トランジスタT2のゲートに出力されている第2
プリドライバ20の出力の信号の波形である。
[0036] Also, the waveform signal indicated by symbol b in Fig. 2 is as follows:
As shown in FIG. 1 described above, this is the waveform of the signal output from the first predriver 10 whose output is connected to the gate of the first final stage transistor T1, which is a P-channel MOS transistor. Also, the waveform signal of symbol c in FIG. 2 is as follows:
The second transistor, which is the N-channel MOS transistor in FIG.
The second transistor output to the gate of the final stage transistor T2
This is a waveform of a signal output from the predriver 20.

【0037】この図2においては、第1プリドライバの
スレッショルド電圧VTHH1及びスレッショルド電圧
VTHL1と、第2プリドライバのスレッショルド電圧
VTHH2及びスレッショルド電圧VYHL2とが、一
例として、次のような関係とっている。
In FIG. 2, the threshold voltage VTHH1 and threshold voltage VTHL1 of the first pre-driver and the threshold voltage VTHH2 and threshold voltage VYHL2 of the second pre-driver have the following relationship, for example.

【0038】 VTHH1=VTHH      …(5a )VTH
L1=VTH        …(5b )VTHH2
=VTH        …(5c )VTHL2=V
THL      …(5d )
VTHH1=VTHH...(5a)VTH
L1=VTH...(5b)VTHH2
=VTH...(5c)VTHL2=V
THL...(5d)

【0039】従って、
これら第1プリドライバのスレッショルド電圧VTHH
1、VTHL1及び第2プリドライバのスレッショルド
電圧VTHH2、VTHL2においては、前述の(1a
 )式及び(1b )の関係が成り立つ。
[0039] Therefore,
The threshold voltage VTHH of these first predrivers
1. In the threshold voltages VTHH2 and VTHL2 of VTHL1 and the second pre-driver, the above-mentioned (1a
) and the relationship (1b) hold true.

【0040】なお、電圧VTHは通常のスレッショルド
電圧であり、電圧VTHHはこのスレッショルド電圧V
THよりも高くされたスレッショルド電圧であり、電圧
VTHLはこのスレッショルド電圧VTHよりも低い電
圧とされたスレッショルド電圧である。
Note that the voltage VTH is a normal threshold voltage, and the voltage VTHH is a normal threshold voltage.
This is a threshold voltage higher than TH, and the voltage VTHL is a threshold voltage lower than this threshold voltage VTH.

【0041】即ち、これらスレッショルド電圧VTH、
VTHH、VTHLの間には、次式のような関係がある
That is, these threshold voltages VTH,
There is a relationship between VTHH and VTHL as shown in the following equation.

【0042】VTHH>VTH>VTHL    …(
6)
VTHH>VTH>VTHL...(
6)

【0043】又、図3の下方に記載された最終段ト
ランジスタのオン・オフ状態の実線においては、第1最
終段トランジスタのオフからオンへの切替わり時期がス
レッショルド電圧VTHL1に依存しており、且つ、第
2最終段トランジスタのオフからオンへの切替わり時期
がスレッショルド電圧VTHH2に依存している。
Further, in the solid line showing the on/off state of the final stage transistor shown in the lower part of FIG. 3, the switching timing of the first final stage transistor from off to on depends on the threshold voltage VTHL1. Moreover, the timing at which the second final stage transistor is switched from off to on depends on the threshold voltage VTHH2.

【0044】又、図3の符号e で示される波形の信号
が、第1プリドライバから出力される信号の波形であり
、図3の符号d の波形が、第2プリドライバから出力
される信号の波形である場合である。
[0044] Furthermore, the waveform of the signal indicated by the symbol e in FIG. 3 is the waveform of the signal output from the first pre-driver, and the waveform of the signal indicated by the symbol d in FIG. This is the case when the waveform is .

【0045】即ち、前述の(B)の場合であり、前述の
(2a )式及び(2b )式の条件に従っている。
That is, the above-mentioned case (B) follows the conditions of the above-mentioned equations (2a) and (2b).

【0046】以上説明したように、本発明によれば、第
1最終段トランジスタのオフからオンへの切替わりを、
第2最終段トランジスタのオンからオフへりの切替わり
に比べて遅延させると共に、第2最終段トランジスタの
オフからオンへの切替わりを、第1最終段トランジスタ
のオンからオフへの切替わりに比べて遅延させることに
より、これら第1最終段トランジスタと第2最終段トラ
ンジスタとが、共にオン状態となる時間を短縮するか、
あるいは共にオン状態となることを防止することが可能
である。
As explained above, according to the present invention, the switching of the first final stage transistor from off to on is performed by
The switching from on to off of the second final stage transistor is delayed compared to the switching from on to off, and the switching from off to on of the second final stage transistor is delayed compared to the switching from on to off of the first final stage transistor. By doing so, the time during which both the first final stage transistor and the second final stage transistor are in the on state is shortened, or
Alternatively, it is possible to prevent both from turning on.

【0047】又、本発明においては、出力バッファ回路
に入力される入力信号の論理状態の切替わり時の電圧又
は電流の過渡的な遷移が過度に緩やかになってしまった
場合であっても、第1最終段トランジスタと第2最終段
トランジスタとが共にオフ状態である時間が長くなるだ
けであって、前述の特開昭63−31217の出力バッ
ファ回路に生じてしまう問題のように、PチャネルMO
SトランジスタとNチャネルMOSトランジスタとが共
にオン状態あるいはほぼオン状態となってしまうような
ことはない。
Furthermore, in the present invention, even if the transient transition of the voltage or current at the time of switching the logic state of the input signal input to the output buffer circuit becomes excessively gradual, This only increases the time during which both the first final stage transistor and the second final stage transistor are in the OFF state, and the P channel M.O.
There is no possibility that both the S transistor and the N channel MOS transistor are in the on state or almost on state.

【0048】[0048]

【実施例】以下、図を用いて本発明の実施例を詳細に説
明する。
Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be explained in detail with reference to the drawings.

【0049】本発明の第1実施例は、前述の図1のブロ
ック図に示される出力バッファ回路の第1プリドライバ
10及び第2プリドライバ20に、図4の回路図で示さ
れるシュミットトリガ回路を用いたものである。
In the first embodiment of the present invention, the Schmitt trigger circuit shown in the circuit diagram of FIG. 4 is added to the first predriver 10 and the second predriver 20 of the output buffer circuit shown in the block diagram of FIG. It uses

【0050】又、第1最終段トランジスタT1は、Pチ
ャネルMOSトランジスタであり、第2最終段トランジ
スタT2は、NチャネルMOSトランジスタが用いられ
ている。
The first final stage transistor T1 is a P-channel MOS transistor, and the second final stage transistor T2 is an N-channel MOS transistor.

【0051】図4は、本発明の第1実施例の第1プリド
ライバ及び第2プリドライバに用いられているシュミッ
トトリガ回路の回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram of a Schmitt trigger circuit used in the first pre-driver and second pre-driver of the first embodiment of the present invention.

【0052】この図4において、入力INAがプリドラ
イバの入力であり、出力OUTAがプリドライバの出力
である。又、符号T10、T11、T15は、Pチャネ
ルMOSトランジスタである。符号T20、T21、T
25は、NチャネルMOSトランジスタである。
In FIG. 4, input INA is the input of the predriver, and output OUTA is the output of the predriver. Further, symbols T10, T11, and T15 are P-channel MOS transistors. Code T20, T21, T
25 is an N-channel MOS transistor.

【0053】PチャネルMOSトランジスタT10、T
11は、入力INAがL状態である場合に、出力OUT
Aを電源VDDにスイッチングしてオン状態とするもの
である。
P-channel MOS transistors T10, T
11 is the output OUT when the input INA is in the L state.
A is switched to the power supply VDD to turn it on.

【0054】NチャネルMOSトランジスタT20、T
21は、入力INAがH状態である場合に、出力OUT
AをグランドGNDにスイッチングしてオン状態とする
ものである。
N-channel MOS transistors T20, T
21 is the output OUT when the input INA is in the H state.
A is switched to ground GND to turn it on.

【0055】又、このシュミットトリガ回路におけるヒ
ステリシス特性は、PチャネルMOSトランジスタT1
5とNチャネルMOSトランジスタT25とによって得
られている。
Furthermore, the hysteresis characteristic in this Schmitt trigger circuit is that the P-channel MOS transistor T1
5 and an N-channel MOS transistor T25.

【0056】この図4のシュミットトリガ回路において
、L状態からH状態へのスレッショルド電圧とH状態か
らL状態へのスレッショルド電圧とは、PチャネルMO
SトランジスタT10、T11、T15と、Nチャネル
MOSトランジスタT20、T21、T25とのそれぞ
れの特性によって定めることができる。
In the Schmitt trigger circuit of FIG. 4, the threshold voltage from the L state to the H state and the threshold voltage from the H state to the L state are
It can be determined by the respective characteristics of S transistors T10, T11, T15 and N channel MOS transistors T20, T21, T25.

【0057】即ち、L状態からH状態へのスレッショル
ド電圧とH状態からL状態へのスレッショルド電圧との
平均値は、主にPチャネルMOSトランジスタT10、
T11と、NチャネルMOSトランジスタT20、T2
1との関係で決定される。又、このシュミットトリガ回
路のヒステリシス特性におけるシステリシス幅は、主に
PチャネルMOSトランジスタT15とNチャネルMO
SトランジスタT25とによって決定することができる
That is, the average value of the threshold voltage from the L state to the H state and the threshold voltage from the H state to the L state is mainly determined by the P channel MOS transistors T10,
T11 and N-channel MOS transistors T20 and T2
It is determined in relation to 1. Moreover, the systeresis width in the hysteresis characteristic of this Schmitt trigger circuit is mainly determined by the P-channel MOS transistor T15 and the N-channel MOS transistor T15.
It can be determined by the S transistor T25.

【0058】従って、この図4に示されるシュミットト
リガ回路を第1プリドライバ10や第2プリドライバ2
0に用いる際には、前述の(1a )式の条件と(1b
 )式の条件とが共に成り立つように設定される。
Therefore, the Schmitt trigger circuit shown in FIG.
0, the conditions of equation (1a) and (1b
) are set so that both the conditions of the equation hold true.

【0059】即ち、当然ながら、図1の第1プリドライ
バ10に用いられる図4のシュミットトリガ回路の特性
と、図1の第2プリドライバ20に用いられる図4のシ
ュミットトリガ回路の特性とは異なるものである。即ち
、L状態からH状態へのスレッショルド電圧と、H状態
からL状態へのスレッショルド電圧とは異なるものであ
る。
That is, as a matter of course, the characteristics of the Schmitt trigger circuit of FIG. 4 used for the first predriver 10 of FIG. 1 and the characteristics of the Schmitt trigger circuit of FIG. 4 used for the second predriver 20 of FIG. 1 are as follows. They are different. That is, the threshold voltage from the L state to the H state is different from the threshold voltage from the H state to the L state.

【0060】このような本発明の第1実施例によれば、
出力バッファ回路の入力信号の論理状態の切替わり時に
生じる入力信号の電圧又は電流の過渡的な遷移を利用し
て、第1最終段トランジスタのオフからオンへの切替わ
りが、第2最終段トランジスタのオンからオフへの切替
わりに比べて遅延させる第1プリドライバを実現するこ
とができる。
According to the first embodiment of the present invention,
By utilizing a transient transition in the voltage or current of the input signal that occurs when the logic state of the input signal of the output buffer circuit changes, the first final stage transistor is switched from off to on, and the second final stage transistor is switched from off to on. It is possible to realize a first pre-driver that delays the switching from on to off compared to the switching from on to off.

【0061】又、同様に、出力バッファ回路の入力信号
の論理状態の切替わり時に生じる入力信号の電圧又は電
流の過渡的な遷移を利用して、第2最終段トランジスタ
のオフからオンへの切替わりを、第1最終段トランジス
タのオンからオフへの切替わりに比べて遅延させる第2
プリドライバを実現することができる。
Similarly, the second final stage transistor is switched from off to on by utilizing the transient transition of the voltage or current of the input signal that occurs when the logic state of the input signal of the output buffer circuit changes. a second transistor that delays the switching from on to off of the first final stage transistor;
A predriver can be realized.

【0062】従って、第1最終段トランジスタと第2最
終段トランジスタとが、共にオン状態となることを防止
することができる。
Therefore, it is possible to prevent both the first final stage transistor and the second final stage transistor from being turned on.

【0063】本発明の第2実施例の出力バッファ回路は
、図1のブロック図に示される出力バッファ回路の第1
プリドライバ10に図5の回路図に示される広義のシュ
ミットトリガ回路を用い、第2プリドライバ20に図6
の回路図に示される広義のシュミットトリガ回路を用い
たものである。
The output buffer circuit of the second embodiment of the present invention is the first output buffer circuit of the output buffer circuit shown in the block diagram of FIG.
The pre-driver 10 uses a Schmitt trigger circuit in a broad sense as shown in the circuit diagram of FIG.
This circuit uses a Schmitt trigger circuit in a broad sense as shown in the circuit diagram.

【0064】図5は、本発明の第2実施例の第1プリド
ライバに用いられる広義のシュミットトリガ回路の回路
図である。
FIG. 5 is a circuit diagram of a Schmitt trigger circuit in a broad sense used in the first predriver according to the second embodiment of the present invention.

【0065】この図5において、符号INA、OUTA
、VDD、GNDは、前述の図4の同符号のものと同一
のものである。
In FIG. 5, the symbols INA, OUTA
, VDD, and GND are the same as those with the same symbols in FIG. 4 described above.

【0066】この図5において、PチャネルMOSトラ
ンジスタT10は、入力INAがL状態である場合に、
出力OUTAを電源VDDにスイッチングしてオン状態
とするものである。又、NチャネルMOSトランジスタ
タT20、T21は、入力INAがH状態である場合に
、出力OUTAをグランドGNDにスイッチングしてオ
ン状態とするものである。
In FIG. 5, when the input INA is in the L state, the P-channel MOS transistor T10
The output OUTA is switched to the power supply VDD to turn it on. Further, the N-channel MOS transistors T20 and T21 switch the output OUTA to the ground GND to turn on when the input INA is in the H state.

【0067】なお、この図5のシュミットトリガ回路の
ヒステリシス特性のヒステリシス幅は、NチャネルMO
SトランジスタT25のみによって構成されている(前
述の図4のPチャネルMOSトランジスタT15は用い
ていない)。
Note that the hysteresis width of the hysteresis characteristic of the Schmitt trigger circuit shown in FIG.
It is composed of only an S transistor T25 (the P channel MOS transistor T15 in FIG. 4 described above is not used).

【0068】図1の第1プリドライバ10に用いられる
この図5のシュミットトリガ回路は、第1プリドライバ
のスレッショルド電圧VTHH1が第2プリドライバの
スレッショルド電圧VTHH2よりも大きく、且つ、第
1プリドライバのスレッョルド電圧VTHL1が第2プ
リドライバのスレッショルド電圧VTHL2よりも大き
いことに着目してなされたものである。
The Schmitt trigger circuit of FIG. 5 used for the first predriver 10 of FIG. 1 has a threshold voltage VTHH1 of the first predriver greater than a threshold voltage VTHH2 of the second predriver, and This was done by focusing on the fact that the threshold voltage VTHL1 of the second pre-driver is larger than the threshold voltage VTHL2 of the second pre-driver.

【0069】従って、この図5に示されるシュミットト
リガ回路においては、前述の図4のシュミットトリガ回
路に比べて、PチャネルMOSトランジスタを1個削減
することができている。
Therefore, in the Schmitt trigger circuit shown in FIG. 5, the number of P-channel MOS transistors can be reduced by one compared to the Schmitt trigger circuit shown in FIG. 4 described above.

【0070】図6は、本発明の実施例の第2プリドライ
バに用いられるシュミットトリガ回路の回路図である。
FIG. 6 is a circuit diagram of a Schmitt trigger circuit used in the second predriver according to the embodiment of the present invention.

【0071】この図6において、符号INA、OUTA
、VDD、GNDは、前述の図4の同符号のものと同一
のものである。
In FIG. 6, the symbols INA, OUTA
, VDD, and GND are the same as those with the same symbols in FIG. 4 described above.

【0072】この図6のシュミットトリガ回路において
は、PチャネルMOSトランジスタT10、T11は、
入力INAがL状態である場合に、出力OUTAを電源
VDDにスイッチングしてオン状態とするものである。 又、NチャネルMOSトランジスタT20は、入力IN
AがH状態である場合に、出力OUTAをグランドGN
Dにスイッチングしてオン状態とするものである。
In the Schmitt trigger circuit of FIG. 6, P channel MOS transistors T10 and T11 are
When the input INA is in the L state, the output OUTA is switched to the power supply VDD to turn it on. Further, the N-channel MOS transistor T20 has an input IN
When A is in H state, output OUTA is connected to ground GN
D is turned on to turn it on.

【0073】この図6のシュミットトリガ回路において
は、PチャネルMOSトランジスタT15によりヒステ
リシス特性が得られている。
In the Schmitt trigger circuit of FIG. 6, hysteresis characteristics are obtained by the P-channel MOS transistor T15.

【0074】即ち、第2プリドライバのスレッショルド
電圧VTHH2が第1プリドライバのスレッショルド電
圧VTHH1よりも低く、且つ、第2プリドライバのス
レッショルド電圧VTHL2が第1プリドライバのスレ
ッショルド電圧VTHL1よりも低いことに着目したも
のである。
That is, the threshold voltage VTHH2 of the second pre-driver is lower than the threshold voltage VTHH1 of the first pre-driver, and the threshold voltage VTHL2 of the second pre-driver is lower than the threshold voltage VTHL1 of the first pre-driver. This is what we focused on.

【0075】従って、本発明の第2実施例の第2プリド
ライバに図6に示されるシュミットトリガ回路を用いる
ことにより、図4に示されるシュミットトリガ回路を用
いた場合に比べて、該第2プリドライバ20におけるN
チャネルMOSトランジスタの個数を1個削減すること
ができる。
Therefore, by using the Schmitt trigger circuit shown in FIG. 6 as the second predriver of the second embodiment of the present invention, the second pre-driver N in predriver 20
The number of channel MOS transistors can be reduced by one.

【0076】以上説明したように、本発明の第2実施例
によっても、前述の本発明の第1実施例と同様の効果を
得ることができる。
As explained above, the second embodiment of the present invention can also provide the same effects as the first embodiment of the present invention described above.

【0077】更に、この本発明の第2実施例によれば、
前述の本発明の第1実施例に比較して、第1プリドライ
バ10及び第2プリドライバ20に用いられるMOSト
ランジスタを合計2個削減することができるという効果
を得ることもできる。
Furthermore, according to the second embodiment of the present invention,
Compared to the first embodiment of the present invention described above, it is also possible to obtain the effect that the number of MOS transistors used in the first pre-driver 10 and the second pre-driver 20 can be reduced by two in total.

【0078】[0078]

【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、出
力をH状態にスイッチングする第1最終段トランジスタ
と、出力をL状態にスイッチングする第2最終段トラン
ジスタとによる最終段トランジスタを用いた出力バッフ
ァ回路において、該出力バッファ回路の出力のL状態か
らH状態への論理状態の切替わり時、あるいはH状態か
らL状態への論理状態の切替わり時に、第1最終段トラ
ンジスタと第2最終段トランジスタとが共にオン状態、
あるいはほぼオン状態となってしまうことによる電源か
らグランドへの貫通電流を減少し、これにより消費電力
の低減や、ジュール熱による温度上昇を低減することが
できるという優れた効果を得ることができる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, a final stage transistor including a first final stage transistor that switches the output to the H state and a second final stage transistor that switches the output to the L state is used. In the output buffer circuit, when the logic state of the output of the output buffer circuit changes from the L state to the H state or from the H state to the L state, the first final stage transistor and the second final stage transistor Both stage transistors are in the on state,
Alternatively, it is possible to reduce the through current from the power supply to the ground due to the almost on state, thereby achieving the excellent effect of reducing power consumption and temperature rise due to Joule heat.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】図1は、本発明の要旨を示すブロック図である
FIG. 1 is a block diagram illustrating the gist of the present invention.

【図2】図2は、本発明の出力バッファ回路の入力信号
と各プリドライバの出力信号と各最終段トランジスタの
オン・オフ状態の一例を示すグラフである。
FIG. 2 is a graph showing an example of the input signal of the output buffer circuit of the present invention, the output signal of each predriver, and the on/off state of each final stage transistor.

【図3】図3は、本発明の出力バッファ回路の入力信号
と各プリドライバの出力信号と各最終段トランジスタの
オン・オフ状態の一例を示すグラフである。
FIG. 3 is a graph showing an example of the input signal of the output buffer circuit of the present invention, the output signal of each predriver, and the on/off state of each final stage transistor.

【図4】図4は、本発明の第1実施例の第1プリドライ
バ及び第2プリドライバに用いられるシュミットトリガ
回路の回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram of a Schmitt trigger circuit used in a first pre-driver and a second pre-driver according to the first embodiment of the present invention.

【図5】図5は、本発明の第2実施例の第1プリドライ
バに用いられるシュミットトリガ回路の回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram of a Schmitt trigger circuit used in a first predriver according to a second embodiment of the present invention.

【図6】図6は、本発明の第2実施例の第2プリドライ
バに用いられるシュミットトリガ回路の回路図である。
FIG. 6 is a circuit diagram of a Schmitt trigger circuit used in a second predriver according to a second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…第1プリドライバ、 20…第2プリドライバ、 T1…第1最終段トランジスタ、 T2…第2最終段トランジスタ、 T10、T11、T15…PチャネルMOSトンジスタ
、 T20、T21、T25…NチャネルMOSトンジスタ
、 IN…出力バッファ回路の入力、 OUT…出力バッファ回路の出力、 INA…プリドライバの入力、 OUTA…プリドライバの出力、 VDD…電源(電源電圧)、 GND…グランド、 VTH…通常のスレッショルド電圧、 VTHH1、VTHH2…入力信号のL状態からH状態
へのスレッショルド電圧、 VTHL1、VTHL2…入力信号のH状態からL状態
へのスレッショルド電圧、 VTH、VTHH、VTHL…スレッショルド電圧、t
 1〜t 4、t 11〜t 14…時刻。
10...First predriver, 20...Second predriver, T1...First final stage transistor, T2...Second final stage transistor, T10, T11, T15...P channel MOS transistor, T20, T21, T25... N channel MOS IN...Input of the output buffer circuit, OUT...Output of the output buffer circuit, INA...Input of the pre-driver, OUTA...Output of the pre-driver, VDD...Power supply (power supply voltage), GND...Ground, VTH...Normal threshold voltage , VTHH1, VTHH2...Threshold voltage from L state to H state of input signal, VTHL1, VTHL2...Threshold voltage from H state to L state of input signal, VTH, VTHH, VTHL...Threshold voltage, t
1 to t4, t11 to t14...time.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】出力をH状態にスイッチングする第1最終
段トランジスタと、出力をL状態にスイッチングする第
2最終段トランジスタとによる最終段トランジスタを用
いた出力バッファ回路において、入力信号の論理状態の
切り替わり時に生じる入力信号の電圧又は電流の過渡的
な遷移を利用して、前記第1最終段トランジスタのオフ
からオンへの切り替わりを、前記第2最終段トランジス
タのオンからオフへの切り替わりに比べて遅延させる第
1プリドライバと、入力信号の論理状態の切り替わり時
に生じる入力信号の電圧又は電流の過渡的な遷移を利用
して、前記第2最終段トランジスタのオフからオンへの
切り替わりを、前記第1最終段トランジスタのオンから
オフへの切り替わりに比べて遅延させる第2プリドライ
バと、を用いて、前記第1最終段トランジスタと前記第
2最終段トランジスタとが、共にオン状態となる時間を
短縮するか、あるいは共にオン状態となることを防止す
ることを特徴とする出力バッファ回路。
Claims: 1. In an output buffer circuit using a final stage transistor including a first final stage transistor that switches the output to an H state and a second final stage transistor that switches the output to an L state, the logic state of an input signal is changed. Compare the switching from off to on of the first final stage transistor to the switching from on to off of the second final stage transistor by using a transient transition of the voltage or current of the input signal that occurs at the time of switching. The switching of the second final stage transistor from OFF to ON is controlled by using the first pre-driver to delay and the transient transition of the voltage or current of the input signal that occurs when the logic state of the input signal is switched. A second pre-driver that delays the switching from on to off of the first final stage transistor is used to shorten the time during which both the first final stage transistor and the second final stage transistor are in the on state. An output buffer circuit characterized in that the output buffer circuit prevents the output buffer circuit from turning on or both on.
【請求項2】請求項1において、前記第1プリドライバ
あるいは前記第2プリドライバが、広義のシュミットト
リガ回路を用いていることを特徴とする出力バッファ回
路。
2. The output buffer circuit according to claim 1, wherein the first pre-driver or the second pre-driver uses a Schmitt trigger circuit in a broad sense.
JP2414922A 1990-12-27 1990-12-27 Output buffer circuit Pending JPH04229716A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2414922A JPH04229716A (en) 1990-12-27 1990-12-27 Output buffer circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2414922A JPH04229716A (en) 1990-12-27 1990-12-27 Output buffer circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04229716A true JPH04229716A (en) 1992-08-19

Family

ID=18523348

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2414922A Pending JPH04229716A (en) 1990-12-27 1990-12-27 Output buffer circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04229716A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6438257B1 (en) 1998-07-02 2002-08-20 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Small capacitance change detection device
JP5267127B2 (en) * 2006-09-14 2013-08-21 日本電気株式会社 Amplifying device, output control method, and control program

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6438257B1 (en) 1998-07-02 2002-08-20 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Small capacitance change detection device
JP5267127B2 (en) * 2006-09-14 2013-08-21 日本電気株式会社 Amplifying device, output control method, and control program

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930008656B1 (en) Data output buffer for noise protected
KR930009251A (en) Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) output buffer circuit with selectable edge rate
JPH0936673A (en) Compensated-off bias voltage feeding circuit
JP3953492B2 (en) Output buffer circuit
JP2019519150A (en) Enhancement mode FET driver IC
JPH06209251A (en) Output driver circuit
US6236237B1 (en) Output buffer predriver with edge compensation
US6320433B1 (en) Output driver
EP0642226A2 (en) Translator circuits with symmetrical switching delays
JP2734398B2 (en) Output buffer circuit
US5572146A (en) Noise attenuation output buffer
US20090153190A1 (en) Voltage Control
US7053662B1 (en) Method and circuit for high speed transmission gate logic
JP4137339B2 (en) Output buffer circuit and semiconductor device
US7199638B2 (en) High speed voltage level translator
US20020177266A1 (en) Selectable output edge rate control
JPH04229716A (en) Output buffer circuit
JPH04302215A (en) Method and apparatus for controlling noise on power supply bus
JPH08288825A (en) Output circuit
JP3684210B2 (en) CMOS output buffer circuit
KR950002725B1 (en) Tri-state output buffer
JPH1013206A (en) Output circuit
JPH07177010A (en) Signal output circuit
KR960013857B1 (en) Data output buffer
JP3654484B2 (en) Output buffer circuit