JPH04225283A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPH04225283A JPH04225283A JP2414845A JP41484590A JPH04225283A JP H04225283 A JPH04225283 A JP H04225283A JP 2414845 A JP2414845 A JP 2414845A JP 41484590 A JP41484590 A JP 41484590A JP H04225283 A JPH04225283 A JP H04225283A
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- Japan
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- layer
- polymer substrate
- semiconductor layer
- organic polymer
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- Pending
Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、有機高分子基板を有
するフレキシブルな太陽電池等の光起電力装置に関する
。
するフレキシブルな太陽電池等の光起電力装置に関する
。
【０００２】
【従来の技術】地球環境問題がクローズアップされる中
で、太陽電池はクリーンなエネルギー源として注目を集
めている。特に、アモルファスシリコン太陽電池は薄膜
であるという特徴を持つため、大面積化が容易で、各種
の基板上に形成できる等の利点があり、その応用研究も
急速に進んでいる。
で、太陽電池はクリーンなエネルギー源として注目を集
めている。特に、アモルファスシリコン太陽電池は薄膜
であるという特徴を持つため、大面積化が容易で、各種
の基板上に形成できる等の利点があり、その応用研究も
急速に進んでいる。
【０００３】このような状況の中で、軽量かつ可撓性を
有する有機高分子材料を基板とする光起電力装置がすで
に開発されている（特開昭６０−２３１３７３号公報参
照）。
有する有機高分子材料を基板とする光起電力装置がすで
に開発されている（特開昭６０−２３１３７３号公報参
照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の可撓性を有
する有機高分子材料を基板とする光起電力装置では、ガ
ラスを基板とする光起電力装置に比べて、次のような問
題がある。すなわち、有機高分子材料の基板は、３００
〜４００ｎｍの紫外線に弱く、長期間屋外で使用すると
、黄色に変色して透過率が低下したり、強度が低下して
クラックが生じたりするという問題がある。
する有機高分子材料を基板とする光起電力装置では、ガ
ラスを基板とする光起電力装置に比べて、次のような問
題がある。すなわち、有機高分子材料の基板は、３００
〜４００ｎｍの紫外線に弱く、長期間屋外で使用すると
、黄色に変色して透過率が低下したり、強度が低下して
クラックが生じたりするという問題がある。
【０００５】この発明は、紫外線による劣化を防止でき
る光起電力装置を提供することをその課題目的とする。
る光起電力装置を提供することをその課題目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明による光起電力
装置は、有機高分子基板の受光面の反対側面に、透明電
極層、第１導電型の半導体層、真性半導体層、第２導電
型の半導体層および金属電極層が順次形成されてなる光
起電力装置において、有機高分子基板の受光面側に、屈
折率が有機高分子基板と空気との中間値でありかつ４０
０ｎｍ以下の紫外線を透過させない紫外線カット層が形
成されていることを特徴とする。
装置は、有機高分子基板の受光面の反対側面に、透明電
極層、第１導電型の半導体層、真性半導体層、第２導電
型の半導体層および金属電極層が順次形成されてなる光
起電力装置において、有機高分子基板の受光面側に、屈
折率が有機高分子基板と空気との中間値でありかつ４０
０ｎｍ以下の紫外線を透過させない紫外線カット層が形
成されていることを特徴とする。
【０００７】
【作用】紫外線カット層により４００ｎｍ以下の紫外線
が有機高分子基板に到達するのが防止されるので、有機
高分子基板の透過率および強度の低下を防止できる。ま
た、紫外線カット層の屈折率は有機高分子基板と空気と
の中間値であるため、有機高分子基板の受光面での光の
反射が低減され、半導体層に入射する光量が増大し、光
起電力装置の光電変換効率が向上する。
が有機高分子基板に到達するのが防止されるので、有機
高分子基板の透過率および強度の低下を防止できる。ま
た、紫外線カット層の屈折率は有機高分子基板と空気と
の中間値であるため、有機高分子基板の受光面での光の
反射が低減され、半導体層に入射する光量が増大し、光
起電力装置の光電変換効率が向上する。
【０００８】
【実施例】以下、図１を参照して、この発明の実施例に
ついて説明する。図１は、光起電力装置を示している。
ついて説明する。図１は、光起電力装置を示している。
【０００９】図１において、２は、ポリイミド、ポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルサルフ
ォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、透明テフロン等
の有機高分子基板である。３は、ＩＴＯ、ＳｎＯ２、Ｚ
ｎＯ等の透明電極層である。４は、非晶質シリコン等の
半導体層であり、ｐ型半導体層４１、ｉ型半導体層４２
およびｎ型半導体層４３からなる。５は、金属電極層で
ある。
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルサルフ
ォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、透明テフロン等
の有機高分子基板である。３は、ＩＴＯ、ＳｎＯ２、Ｚ
ｎＯ等の透明電極層である。４は、非晶質シリコン等の
半導体層であり、ｐ型半導体層４１、ｉ型半導体層４２
およびｎ型半導体層４３からなる。５は、金属電極層で
ある。
【００１０】１は、屈折率が有機高分子基板２と空気と
の中間値でありかつ４００ｎｍ以下の紫外線を透過させ
ない紫外線カット層である。紫外線カット層１の材料と
しては、ＫＩ、ＳｉｘＯｙ、ＣｅＦ３等が用いられる。 紫外線カット層１の厚さは、有機高分子基板２の受光面
での可視光の反射が最小になるように設定することが好
ましく、たとえば１０００Å〜１００μｍに形成される
。
の中間値でありかつ４００ｎｍ以下の紫外線を透過させ
ない紫外線カット層である。紫外線カット層１の材料と
しては、ＫＩ、ＳｉｘＯｙ、ＣｅＦ３等が用いられる。 紫外線カット層１の厚さは、有機高分子基板２の受光面
での可視光の反射が最小になるように設定することが好
ましく、たとえば１０００Å〜１００μｍに形成される
。
【００１１】紫外線カット層１の屈折率としては、有機
高分子基板２の材料としてポリイミドが用いられている
ときには１．７１以下、有機高分子基板２の材料として
ポリエチレンテレフタレートが用いられているときには
１．５８以下、有機高分子基板２の材料としてポリエー
テルサルフオンが用いられているときには１．６５以下
であることが好ましい。
高分子基板２の材料としてポリイミドが用いられている
ときには１．７１以下、有機高分子基板２の材料として
ポリエチレンテレフタレートが用いられているときには
１．５８以下、有機高分子基板２の材料としてポリエー
テルサルフオンが用いられているときには１．６５以下
であることが好ましい。
【００１２】このような光起電力装置は、たとえば、次
のようにして製造される。すなわち、有機高分子基板２
上に蒸着法、スパツタ法等により透明電極層３を形成す
る。次に、透明電極層３上にｐ型半導体層４１、ｉ型半
導体層４２およびｎ型半導体層４３を順に積層すること
により、透明電極層３上に半導体層４を形成する。次に
、半導体層４上に金属電極層５を形成する。そして、有
機高分子基板２の受光面上に紫外線カット層１を形成す
る。
のようにして製造される。すなわち、有機高分子基板２
上に蒸着法、スパツタ法等により透明電極層３を形成す
る。次に、透明電極層３上にｐ型半導体層４１、ｉ型半
導体層４２およびｎ型半導体層４３を順に積層すること
により、透明電極層３上に半導体層４を形成する。次に
、半導体層４上に金属電極層５を形成する。そして、有
機高分子基板２の受光面上に紫外線カット層１を形成す
る。
【００１３】
【発明の効果】この発明によれば、有機高分子基板の透
過率および強度の低下を防止できるとともに光電変換効
率が向上する。
過率および強度の低下を防止できるとともに光電変換効
率が向上する。
【図１】この発明の実施例を示す構成図である。
１ 紫外線カット層
２ 有機高分子基板
３ 透明電極層
４ 半導体層
５ 金属電極層
４１ ｐ型半導体層
４２ ｉ型半導体層
４３ ｎ型半導体層
Claims (1)
- 【請求項１】 有機高分子基板の受光面の反対側面に
、透明電極層、第１導電型の半導体層、真性半導体層、
第２導電型の半導体層および金属電極層が順次形成され
てなる光起電力装置において、有機高分子基板の受光面
側に、屈折率が有機高分子基板と空気との中間値であり
かつ４００ｎｍ以下の紫外線を透過させない紫外線カッ
ト層が形成されていることを特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2414845A JPH04225283A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2414845A JPH04225283A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04225283A true JPH04225283A (ja) | 1992-08-14 |
Family
ID=18523280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2414845A Pending JPH04225283A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04225283A (ja) |
-
1990
- 1990-12-26 JP JP2414845A patent/JPH04225283A/ja active Pending
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