JPH0422328B2 - - Google Patents
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- JPH0422328B2 JPH0422328B2 JP59116421A JP11642184A JPH0422328B2 JP H0422328 B2 JPH0422328 B2 JP H0422328B2 JP 59116421 A JP59116421 A JP 59116421A JP 11642184 A JP11642184 A JP 11642184A JP H0422328 B2 JPH0422328 B2 JP H0422328B2
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- projection exposure
- projection
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は環境条件の変動に伴なう投影倍率の変
動を防止して高精度なパターン投影を可能にした
投影露光方法およびその装置に関するものであ
る。
動を防止して高精度なパターン投影を可能にした
投影露光方法およびその装置に関するものであ
る。
一般にIC、LSI等の半導体装置の製造工程では
所謂フオトリソグラフイ技術が利用されており、
レチクルやフオトマスクのパターンを写真技術を
用いてフオトマスク原板や半導体ウエーハ表面に
転写している。そして、近年では半導体装置の素
子パターンの微細化、高積化に伴なつて転写され
るパターンのサイズも益々微小化される傾向にあ
り、したがつてパターン転写を行なう光学系にも
1:5、1:10等の縮小型の投影露光装置が多用
されてきている(たとえば、工業調査会発行電子
材料1983年11月号別冊、P97〜P104)。
所謂フオトリソグラフイ技術が利用されており、
レチクルやフオトマスクのパターンを写真技術を
用いてフオトマスク原板や半導体ウエーハ表面に
転写している。そして、近年では半導体装置の素
子パターンの微細化、高積化に伴なつて転写され
るパターンのサイズも益々微小化される傾向にあ
り、したがつてパターン転写を行なう光学系にも
1:5、1:10等の縮小型の投影露光装置が多用
されてきている(たとえば、工業調査会発行電子
材料1983年11月号別冊、P97〜P104)。
ところで、この種の投影露光装置を用いて本発
明者等が種々のパターン転写を行なつてきたとこ
ろ、転写されるパターンの縮小倍率が日や時刻の
相違に伴なつて微小に変化することが判明した。
このため、本発明者等が種々の実験を繰返して縮
小(転写)倍率の変動原因について検討したとこ
ろ、装置環境の温度、湿度および大気圧の相違が
そのまま縮小倍率に影響することが判明した。
明者等が種々のパターン転写を行なつてきたとこ
ろ、転写されるパターンの縮小倍率が日や時刻の
相違に伴なつて微小に変化することが判明した。
このため、本発明者等が種々の実験を繰返して縮
小(転写)倍率の変動原因について検討したとこ
ろ、装置環境の温度、湿度および大気圧の相違が
そのまま縮小倍率に影響することが判明した。
即ち、温度の変化に伴なつて投影光学系の鏡筒
が熱膨張、熱収縮されるため、レチクルとレンズ
との光軸距離が変化され、倍率が変化される。ま
た、湿度の変化に伴なつて投影光学系内における
空気の水分密度が変化されるため、レンズの相対
的な屈折率が変化され焦点距離に伴なつて縮小倍
率が変化される。
が熱膨張、熱収縮されるため、レチクルとレンズ
との光軸距離が変化され、倍率が変化される。ま
た、湿度の変化に伴なつて投影光学系内における
空気の水分密度が変化されるため、レンズの相対
的な屈折率が変化され焦点距離に伴なつて縮小倍
率が変化される。
更に大気圧については、パターンの縮小率の変
動を日毎に測定する一方で、その日の大気圧を測
定しこれらの相関を求めたところ、第1図に示す
関係が求められた。図に示すグラフは横軸に大気
圧(1984年東京)をとり縦軸に縮小率をとつたも
ので、多数のデータをブロツト(図は一部のデー
タのみをブロツト)することにより略1次式で示
される相関、つまり大気圧(P)と縮小変動率
(M)は、M=Kp・P+Cpで示される関係式を
満足することが判明した。ここで、Kp、Cpは光
学系の特性により定まる定数である。また、縮小
率(M)は同図に示すようにパターン寸法13.5mm
に対する寸法変化量で定義されている。なお、同
様にして投影光学系を設置するクリーンルーム内
の気圧と縮小率の変動についても、第2図のよう
な相関の存在が認められた。なお、クリーンルー
ム内は大気圧よりも若干(略1mb)高圧に保た
れ、大気中の塵埃のクリーンルーム内への侵入を
防止している。
動を日毎に測定する一方で、その日の大気圧を測
定しこれらの相関を求めたところ、第1図に示す
関係が求められた。図に示すグラフは横軸に大気
圧(1984年東京)をとり縦軸に縮小率をとつたも
ので、多数のデータをブロツト(図は一部のデー
タのみをブロツト)することにより略1次式で示
される相関、つまり大気圧(P)と縮小変動率
(M)は、M=Kp・P+Cpで示される関係式を
満足することが判明した。ここで、Kp、Cpは光
学系の特性により定まる定数である。また、縮小
率(M)は同図に示すようにパターン寸法13.5mm
に対する寸法変化量で定義されている。なお、同
様にして投影光学系を設置するクリーンルーム内
の気圧と縮小率の変動についても、第2図のよう
な相関の存在が認められた。なお、クリーンルー
ム内は大気圧よりも若干(略1mb)高圧に保た
れ、大気中の塵埃のクリーンルーム内への侵入を
防止している。
本発明の目的は、前述の検討結果に基づいて、
温度、湿度、気圧等の環境条件の変動にかかわら
ず転写パターンの縮小率等投影倍率の変動を防止
し、これにより転写パターンの寸法精度を向上し
て高精度なパターン転写を可能にした投影露光方
法およびその装置を提供することにある。
温度、湿度、気圧等の環境条件の変動にかかわら
ず転写パターンの縮小率等投影倍率の変動を防止
し、これにより転写パターンの寸法精度を向上し
て高精度なパターン転写を可能にした投影露光方
法およびその装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な
特徴は、本明細書の記述および添付図面からあき
らかになるであろう。
特徴は、本明細書の記述および添付図面からあき
らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち代表的なも
のの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
のの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
すなわち、投影露光装置における温度、湿度、
気圧等の環境条件を検出し、この検出値に基づい
てレチクル位置を上下動させ、転写パターンと投
影光学系との光学距離を制御することにより、投
影倍率を常に一定に保ち、高精度パターン転写を
実現するものである。
気圧等の環境条件を検出し、この検出値に基づい
てレチクル位置を上下動させ、転写パターンと投
影光学系との光学距離を制御することにより、投
影倍率を常に一定に保ち、高精度パターン転写を
実現するものである。
更に具体的には、投影光学系の鏡筒温度、光学
系直近の湿度および気圧を夫々検出する検出器
と、レチクル位置を光軸方向に移動させる駆動機
構と、この駆動機構を前記検出器の検出信号に基
づいて制御する制御部とで構成することにより、
環境条件の相違に応じて制御部が駆動機構を作動
し、転写パターンと投影光学系との光学距離を制
御して投影倍率を一定化しかつ高精度パターン転
写を実現するものである。
系直近の湿度および気圧を夫々検出する検出器
と、レチクル位置を光軸方向に移動させる駆動機
構と、この駆動機構を前記検出器の検出信号に基
づいて制御する制御部とで構成することにより、
環境条件の相違に応じて制御部が駆動機構を作動
し、転写パターンと投影光学系との光学距離を制
御して投影倍率を一定化しかつ高精度パターン転
写を実現するものである。
第3図は本発明の一実施例の投影露光装置の全
体構成図を示す。図において、1は投影露光装置
の投影露光機本体であり、内部には光源2、コン
デンサレンズ3を有する照明光学系4と、この照
明光学系4により照明されるレチクル5等の転写
パターンおよびこれを投影結像するレンズ群6を
有する投影光学系7を備えている。また、詳細は
省略するが投影像のフオーカス(焦点)設定やア
ライメント(平面位置)設定を行なうための光学
系8も内装される。そして、前記投影光学系7は
レンズ6を取着した鏡筒9と、レチクル5を支持
する支持枠10とを別体に設け、鏡筒9は固定ア
ーム11に取着し、支持枠10はその一部におい
て前記鏡筒9にスラストベアリング12を介して
上下方向、つまり光軸方向に移動できるように取
着している。また、鏡筒9にはモータ13を取着
すると共に、このモータ13のウオーム軸14に
は前記支持枠10の一部10aを螺合させた駆動
機構を構成しており、モータ13を作動すること
により支持枠10を上下方向に移動してその上下
位置を設定できる。
体構成図を示す。図において、1は投影露光装置
の投影露光機本体であり、内部には光源2、コン
デンサレンズ3を有する照明光学系4と、この照
明光学系4により照明されるレチクル5等の転写
パターンおよびこれを投影結像するレンズ群6を
有する投影光学系7を備えている。また、詳細は
省略するが投影像のフオーカス(焦点)設定やア
ライメント(平面位置)設定を行なうための光学
系8も内装される。そして、前記投影光学系7は
レンズ6を取着した鏡筒9と、レチクル5を支持
する支持枠10とを別体に設け、鏡筒9は固定ア
ーム11に取着し、支持枠10はその一部におい
て前記鏡筒9にスラストベアリング12を介して
上下方向、つまり光軸方向に移動できるように取
着している。また、鏡筒9にはモータ13を取着
すると共に、このモータ13のウオーム軸14に
は前記支持枠10の一部10aを螺合させた駆動
機構を構成しており、モータ13を作動すること
により支持枠10を上下方向に移動してその上下
位置を設定できる。
前記投影露光機本体1の下方にはXYテーブル
15を配置し、このXYテーブル15上には前記
レチクル5のパターンを縮小して投影する半導体
ウエーハ16を搭載している。
15を配置し、このXYテーブル15上には前記
レチクル5のパターンを縮小して投影する半導体
ウエーハ16を搭載している。
一方、投影露光機本体1およびXYテーブル1
5を含む環境、通常ではクリーンルーム内の気圧
を検出するための気圧計17を投影露光機本体1
の近傍に設置すると共に、これと並んで湿度計1
8を配置している。また、特に投影光学系7の温
度を測定する温度計19を前記鏡筒9に取着配置
し鏡筒9の温度を直接検出するようにしている。
そして、これら気圧計17、湿度計18および温
度計19はマイクロコンピユータを内蔵した制御
部20に接続し、制御部20はこれから夫々送出
されてくる検出信号に基づいて前記モータ13を
制御する。この制御部20内には前述の第1図や
第2図に示した相関情報はもとより、第4図、第
5図に夫々示すような縮小率と湿度、縮小率と温
度との相関情報を予め入力し記憶させているもの
とする。
5を含む環境、通常ではクリーンルーム内の気圧
を検出するための気圧計17を投影露光機本体1
の近傍に設置すると共に、これと並んで湿度計1
8を配置している。また、特に投影光学系7の温
度を測定する温度計19を前記鏡筒9に取着配置
し鏡筒9の温度を直接検出するようにしている。
そして、これら気圧計17、湿度計18および温
度計19はマイクロコンピユータを内蔵した制御
部20に接続し、制御部20はこれから夫々送出
されてくる検出信号に基づいて前記モータ13を
制御する。この制御部20内には前述の第1図や
第2図に示した相関情報はもとより、第4図、第
5図に夫々示すような縮小率と湿度、縮小率と温
度との相関情報を予め入力し記憶させているもの
とする。
以上の構成によれば、光学系8の作用によつて
通常のフオーカス設定やアライメント設定が行な
われ、かつ照明光学系4にてレチクル5を照明す
れば投影光学系7によつてレチクルパターンを縮
小して半導体ウエーハ16上に投影結像できる。
通常のフオーカス設定やアライメント設定が行な
われ、かつ照明光学系4にてレチクル5を照明す
れば投影光学系7によつてレチクルパターンを縮
小して半導体ウエーハ16上に投影結像できる。
一方、これと同時に気圧計17では投影露光機
本体1における気圧を検出し、同様に湿度計18
はその湿度を検出し、更に温度計19は鏡筒9の
温度を検出する。そして、これら気圧、湿度、温
度の検出値が入力された制御部20では第1図、
第2図、第4図および第5図に夫々示したような
相関に基づいて縮小倍率の変動を認識し、これを
補正する信号を駆動機構のモータ13の出力す
る。これにより、モータ13は正又は逆転されて
ウオーム軸14を軸転し、これに螺合された支持
枠10を上下動させる。したがつて、支持枠10
に支持されたレチクル5とレンズ6との光軸方向
の距離が変化され、縮小倍率が一定となるように
制御されることになり、光学特性を常に一定に保
持することにより高精度なパターン転写を実現す
ることができる。
本体1における気圧を検出し、同様に湿度計18
はその湿度を検出し、更に温度計19は鏡筒9の
温度を検出する。そして、これら気圧、湿度、温
度の検出値が入力された制御部20では第1図、
第2図、第4図および第5図に夫々示したような
相関に基づいて縮小倍率の変動を認識し、これを
補正する信号を駆動機構のモータ13の出力す
る。これにより、モータ13は正又は逆転されて
ウオーム軸14を軸転し、これに螺合された支持
枠10を上下動させる。したがつて、支持枠10
に支持されたレチクル5とレンズ6との光軸方向
の距離が変化され、縮小倍率が一定となるように
制御されることになり、光学特性を常に一定に保
持することにより高精度なパターン転写を実現す
ることができる。
なお、本発明の他の実施例としては、第6図〜
第7図に示すように、レチクルを支持した支持枠
10の上下動手段として電圧の変化に対応し微動
変位する圧電性素子21を維持枠部10の下部に
3箇所以上配置し、それぞれの圧電性素子21に
同一電圧もしくは異なる電圧を供給し、上下動制
御し得る駆動機構を構成してなる投影露光装置と
してもよい。
第7図に示すように、レチクルを支持した支持枠
10の上下動手段として電圧の変化に対応し微動
変位する圧電性素子21を維持枠部10の下部に
3箇所以上配置し、それぞれの圧電性素子21に
同一電圧もしくは異なる電圧を供給し、上下動制
御し得る駆動機構を構成してなる投影露光装置と
してもよい。
ピエゾ圧電性素子などの圧電性素子21の特長
である、小型軽量、変位の応答速度の速さ、耐久
性が良く安定度も高いなどを本発明は、積極的に
利用したものである。
である、小型軽量、変位の応答速度の速さ、耐久
性が良く安定度も高いなどを本発明は、積極的に
利用したものである。
また、本発明の他の実施例としては、第8図〜
第9図に示すように、レチクルの支持枠部10を
板バネ23によつて支え、又この支持枠部10の
下部の3個所以上にボイスコイル24を装備し、
それぞれのボイスコイル24には、同一もしくは
異なる電流を供給し、上下動制御し得る駆動機構
を構成してなる投影露光装置としてもよい。
第9図に示すように、レチクルの支持枠部10を
板バネ23によつて支え、又この支持枠部10の
下部の3個所以上にボイスコイル24を装備し、
それぞれのボイスコイル24には、同一もしくは
異なる電流を供給し、上下動制御し得る駆動機構
を構成してなる投影露光装置としてもよい。
(1) 投影露光機本体の近傍またはこれに直接、気
圧計、湿度計、温度計を配設し、これらにより
検出された気圧、湿度、温度に基づいて縮小倍
率の変動を算出しかつこれを補正すべくレチク
ルとレンズ間距離を制御しているので、前記し
た各種環境条件の変動によつても縮小倍率を一
定に保持することができ、これにより高精度の
パターン転写を実現することができる。
圧計、湿度計、温度計を配設し、これらにより
検出された気圧、湿度、温度に基づいて縮小倍
率の変動を算出しかつこれを補正すべくレチク
ルとレンズ間距離を制御しているので、前記し
た各種環境条件の変動によつても縮小倍率を一
定に保持することができ、これにより高精度の
パターン転写を実現することができる。
(2) 相対移動可能としたレチクルとレンズとを駆
動機構によつて両者間の距離を変化できるよう
にし、かつ気圧、湿度、温度の環境条件に応じ
て制御部がこの駆動機構を制御してレチクルと
レンズ間距離を変化させ縮小倍率を一定に保つ
ているので、環境条件変化による倍率の変化を
リアルタイムで補正でき、常に高精度のパター
ン転写を行なうことができる。
動機構によつて両者間の距離を変化できるよう
にし、かつ気圧、湿度、温度の環境条件に応じ
て制御部がこの駆動機構を制御してレチクルと
レンズ間距離を変化させ縮小倍率を一定に保つ
ているので、環境条件変化による倍率の変化を
リアルタイムで補正でき、常に高精度のパター
ン転写を行なうことができる。
(3) 駆動機構は位置を上下動させてレチクルとレ
ンズとの距離を変化できるようにし、かつこれ
に各種検出器と制御部を付設することにより構
成できるので、既存の投影露光装置に容易にか
つ低コストで適用することができる。
ンズとの距離を変化できるようにし、かつこれ
に各種検出器と制御部を付設することにより構
成できるので、既存の投影露光装置に容易にか
つ低コストで適用することができる。
以上本発明者によつてなされた発明を実施例
にもとづき具体的に説明したが、本発明は上記
実施例に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはい
うまでもない。たとえば、気圧は大気圧で検出
してもよく、この大気圧とクリーンルーム内の
差圧から環境条件としての気圧を検出してもよ
い。また、駆動機構の具体的な構成は若干の変
更は可能である。更に、気圧、湿度、温度のい
ずれか1つ又は2つを常に一定に保ち得るクリ
ーンルーム内に設ける場合には、変動される環
境条件をのみ、つまり気圧、湿度、温度のいず
れか1つ又は2つをのみ検出して駆動機構を制
御するようにしてもよい。
にもとづき具体的に説明したが、本発明は上記
実施例に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはい
うまでもない。たとえば、気圧は大気圧で検出
してもよく、この大気圧とクリーンルーム内の
差圧から環境条件としての気圧を検出してもよ
い。また、駆動機構の具体的な構成は若干の変
更は可能である。更に、気圧、湿度、温度のい
ずれか1つ又は2つを常に一定に保ち得るクリ
ーンルーム内に設ける場合には、変動される環
境条件をのみ、つまり気圧、湿度、温度のいず
れか1つ又は2つをのみ検出して駆動機構を制
御するようにしてもよい。
以上の説明では主として本発明者によつてなさ
れた発明をその背景となつた利用分野である半導
体装置のフオトリソグラフイ技術に使用する縮小
型の投影露光技術に適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、等倍型の
露光方式はもとより、半導体製造技術以外の分野
における投影露光技術に適用できる。
れた発明をその背景となつた利用分野である半導
体装置のフオトリソグラフイ技術に使用する縮小
型の投影露光技術に適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、等倍型の
露光方式はもとより、半導体製造技術以外の分野
における投影露光技術に適用できる。
第1図および第2図は気圧と投影倍率の相関を
説明するグラフ、第3図は本発明装置の実施例構
成図、第4図は湿度と投影倍率との相関グラフ、
第5図は温度と投影倍率との相関グラフ、第6図
〜第7図は本発明の他の実施例を示す平面図と側
面図、第8図〜第9図は本発明のさらに他の実施
例を示す平面図と側面図である。 1……投影露光機本体、4……照明光学系、5
……レチクル、6……レンズ、7……投影光学
系、9……鏡筒、10……支持枠、13……モー
タ、14……ウオーム軸、15……XYテーブ
ル、16……半導体ウエーハ、17……気圧計、
18……湿度計、19……温度計、20……制御
部、21……圧電性素子、22……スプリング、
23……板バネ、24……ボイスコイル。
説明するグラフ、第3図は本発明装置の実施例構
成図、第4図は湿度と投影倍率との相関グラフ、
第5図は温度と投影倍率との相関グラフ、第6図
〜第7図は本発明の他の実施例を示す平面図と側
面図、第8図〜第9図は本発明のさらに他の実施
例を示す平面図と側面図である。 1……投影露光機本体、4……照明光学系、5
……レチクル、6……レンズ、7……投影光学
系、9……鏡筒、10……支持枠、13……モー
タ、14……ウオーム軸、15……XYテーブ
ル、16……半導体ウエーハ、17……気圧計、
18……湿度計、19……温度計、20……制御
部、21……圧電性素子、22……スプリング、
23……板バネ、24……ボイスコイル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 投影露光装置における気圧、湿度、温度の環
境条件の少なくとも1つの変動を検出し、この変
動に応じてレチクル位置を上下動させ、レチクル
等の転写パターンと投影光学系のレンズとの光軸
距離を制御して転写パターンの投影倍率を一定に
保つことを特徴とする投影露光方法。 2 投影露光機本体に設けられレチクル位置を上
下動させてレチクルとレンズとの光軸距離を変化
させ得る駆動機構と、投影露光装置における気
圧、湿度、温度の環境条件の少なくとも1つを検
出する検出器と、検出器の出力により前記駆動機
構を制御して投影倍率を一定に制御する制御部と
を備えたことを特徴とする投影露光装置。 3 レンズを取着した鏡筒に対してレチクルを支
持した支持枠を上下動可能とし、この支持枠をモ
ータの正・逆転制御によつて上下動制御し得るよ
うに駆動機構を構成してなる特許請求の範囲第2
項記載の投影露光装置。 4 駆動機構としては、電圧の変化に対応して微
動変位する圧電性素子を支持枠の下部に3箇所以
上配置し、それぞれの圧電性素子に同一もしくは
異なる電圧を供給し、上下動制御し得る駆動機構
を用いてなる特許請求の範囲第2項記載の投影露
光装置。 5 駆動機構としては、レチクルの支持枠を板バ
ネによつて支え、又この支持枠下部の3箇所以上
にボイスコイルを装備し、それぞれのボイスコイ
ルには、同一もしくは異なる電流を供給し、上下
動制御し得る駆動機構を用いてなる特許請求の範
囲第2項記載の投影露光装置。 6 検出器としては、気圧を検出する圧力計を用
い、この圧力計を投影露光機本体に設置し、前記
圧力計を用いて環境条件の気圧を検出する特許請
求の範囲第2項記載の投影露光装置。 7 温度を検出する検出器は鏡筒の温度を直接検
出し得るよう構成してなる特許請求の範囲第2項
記載の投影露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59116421A JPS60261137A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 投影露光方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59116421A JPS60261137A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 投影露光方法及びその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60261137A JPS60261137A (ja) | 1985-12-24 |
JPH0422328B2 true JPH0422328B2 (ja) | 1992-04-16 |
Family
ID=14686664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59116421A Granted JPS60261137A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 投影露光方法及びその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60261137A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61136227A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-24 | Canon Inc | 投影装置 |
JPS6313331A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Hitachi Ltd | 縮小投影露光装置 |
JPS6341021A (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-22 | Nec Corp | 縮小投影露光装置 |
US5105075A (en) * | 1988-09-19 | 1992-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
JP3445045B2 (ja) * | 1994-12-29 | 2003-09-08 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP2020046581A (ja) * | 2018-09-20 | 2020-03-26 | 株式会社Screenホールディングス | 描画装置および描画方法 |
-
1984
- 1984-06-08 JP JP59116421A patent/JPS60261137A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60261137A (ja) | 1985-12-24 |
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