JPH04217226A - 光導波路型デバイスの製造方法 - Google Patents
光導波路型デバイスの製造方法Info
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- JPH04217226A JPH04217226A JP2403952A JP40395290A JPH04217226A JP H04217226 A JPH04217226 A JP H04217226A JP 2403952 A JP2403952 A JP 2403952A JP 40395290 A JP40395290 A JP 40395290A JP H04217226 A JPH04217226 A JP H04217226A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
- G02F1/0356—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic wave component in an electric waveguide structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光導波路型デバイスの製
造方法に関する。詳しくは、電気光学効果を有する基板
を用いて高周波数帯の光変調器や光スイッチなどの光導
波路型デバイスを構成する際に、それに用いる制御用電
極，たとえば、進行波電極の基板との密着性をよくし、
かつ、伝送速度の高速化にともなうマイクロ波信号の放
射損その他の損失を低減させ、信号の減衰を防止するよ
うにした光導波路型デバイスの製造方法に関する。
造方法に関する。詳しくは、電気光学効果を有する基板
を用いて高周波数帯の光変調器や光スイッチなどの光導
波路型デバイスを構成する際に、それに用いる制御用電
極，たとえば、進行波電極の基板との密着性をよくし、
かつ、伝送速度の高速化にともなうマイクロ波信号の放
射損その他の損失を低減させ、信号の減衰を防止するよ
うにした光導波路型デバイスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ファイバやレーザ光源の進歩・
発達に伴い、光通信をはじめ光技術を応用した各種のシ
ステム、デバイスが実用化され広く利用されるようにな
る一方で、その高度技術開発，とくに、最近の光通信シ
ステムの高速化の要求から、光導波路型デバイスを用い
て光信号を高速で制御する技術，たとえば、高速光変調
技術が必要になってきた。
発達に伴い、光通信をはじめ光技術を応用した各種のシ
ステム、デバイスが実用化され広く利用されるようにな
る一方で、その高度技術開発，とくに、最近の光通信シ
ステムの高速化の要求から、光導波路型デバイスを用い
て光信号を高速で制御する技術，たとえば、高速光変調
技術が必要になってきた。
【０００３】たとえば、１．６ Ｇｂｐｓ程度までの低
速光通信システムにおいては、レーザダイオード（ＬＤ
）を直接変調する方式を用いてきたが、変調周波数がよ
り高くなると、変調光波長の時間的微小変動， いわゆ
る、チャーピング現象や光ファイバの分散特性などのた
めに高速化と長距離通信への限界が生じる。
速光通信システムにおいては、レーザダイオード（ＬＤ
）を直接変調する方式を用いてきたが、変調周波数がよ
り高くなると、変調光波長の時間的微小変動， いわゆ
る、チャーピング現象や光ファイバの分散特性などのた
めに高速化と長距離通信への限界が生じる。
【０００４】一方、高速光変調方式としては半導体レー
ザ光を外部で変調する外部変調方式がよく知られている
。とくに、電気光学効果を有する基板上に分岐光導波路
を設け、信号電極（制御用電極），たとえば、進行波信
号電極を用いて駆動するマッハツェンダ型外部変調器が
有力視されている。
ザ光を外部で変調する外部変調方式がよく知られている
。とくに、電気光学効果を有する基板上に分岐光導波路
を設け、信号電極（制御用電極），たとえば、進行波信
号電極を用いて駆動するマッハツェンダ型外部変調器が
有力視されている。
【０００５】図３は光導波路型デバイスの例を示す図で
、マッハツェンダ型外部変調器を例として図示してあり
、同図（イ）は上面図（基板上の電極，導波路配置），
同図（ロ）は同図（イ）のＡ ーＡ’ 断面図である
。
、マッハツェンダ型外部変調器を例として図示してあり
、同図（イ）は上面図（基板上の電極，導波路配置），
同図（ロ）は同図（イ）のＡ ーＡ’ 断面図である
。
【０００６】図中、１はＬｉＴａＯ３などの電気光学効
果を有する基板、２は光導波路で光入射端と光出射端と
の間に分岐光導波路２ａおよび２ｂが形成されている。 この光導波路は通常基板の表面にＴｉなどの金属を光導
波路部分だけに選択的に拡散させ、その部分の屈折率を
回りの部分よりも少し大きくなるようにしてある。
果を有する基板、２は光導波路で光入射端と光出射端と
の間に分岐光導波路２ａおよび２ｂが形成されている。 この光導波路は通常基板の表面にＴｉなどの金属を光導
波路部分だけに選択的に拡散させ、その部分の屈折率を
回りの部分よりも少し大きくなるようにしてある。
【０００７】３ａ，３ｂ は光を変調する制御用電極、
４は光導波路上の電極金属層への光の吸収を小さくする
ためのバッファ層で，通常、ＳｉＯ２などの薄膜が用い
られている。制御用電極３ａ，３ｂ はバッファ層４を
介して光導波路上に、Ａｕなどの金属を蒸着あるいはめ
っきによって形成している。
４は光導波路上の電極金属層への光の吸収を小さくする
ためのバッファ層で，通常、ＳｉＯ２などの薄膜が用い
られている。制御用電極３ａ，３ｂ はバッファ層４を
介して光導波路上に、Ａｕなどの金属を蒸着あるいはめ
っきによって形成している。
【０００８】いま、半導体レーザ１０１ からの直流光
が左側の光入射端から光導波路２ に入り分岐光導波路
２ａ，２ｂ の分岐点で２つに分けられ、分岐光導波路
２ａ，２ｂ を通過する間に、制御用電極３ａ，３ｂに
制御用電源１００から変調信号電圧を印加すると、基板
上に設けられた前記分岐光導波路２ａ，２ｂ における
電気光学効果によって分岐された両光に位相差が生じる
。
が左側の光入射端から光導波路２ に入り分岐光導波路
２ａ，２ｂ の分岐点で２つに分けられ、分岐光導波路
２ａ，２ｂ を通過する間に、制御用電極３ａ，３ｂに
制御用電源１００から変調信号電圧を印加すると、基板
上に設けられた前記分岐光導波路２ａ，２ｂ における
電気光学効果によって分岐された両光に位相差が生じる
。
【０００９】この両光を再び合波点で合流させて、右側
の光導波路２ の光出射端から変調された光信号出力を
取り出し、光検知器１０２ で受光して電気信号に変換
するように構成されている。前記分岐光導波路２ａ，２
ｂにおける両光の位相差が０およびπになるように駆動
電圧を印加すれば光信号出力はＯＮーＯＦＦ のパルス
信号として得られる。なお、ＲＴ は終端抵抗である。
の光導波路２ の光出射端から変調された光信号出力を
取り出し、光検知器１０２ で受光して電気信号に変換
するように構成されている。前記分岐光導波路２ａ，２
ｂにおける両光の位相差が０およびπになるように駆動
電圧を印加すれば光信号出力はＯＮーＯＦＦ のパルス
信号として得られる。なお、ＲＴ は終端抵抗である。
【００１０】図４は従来の電極形成方法の例を示す図で
、主な工程を順を追って図示したものである。以下その
概略を説明する。工程（１）：たとえば、ＬｉＴａＯ３
からなる基板１に所定の寸法，形状の光導波路２（２ａ
，２ｂ）を， たとえば、Ｔｉ拡散法で形成したあと、
バッファ層４として，たとえば、ＳｉＯ２膜をスパッタ
形成する。
、主な工程を順を追って図示したものである。以下その
概略を説明する。工程（１）：たとえば、ＬｉＴａＯ３
からなる基板１に所定の寸法，形状の光導波路２（２ａ
，２ｂ）を， たとえば、Ｔｉ拡散法で形成したあと、
バッファ層４として，たとえば、ＳｉＯ２膜をスパッタ
形成する。
【００１１】工程（２）：上記処理基板の上に下地層３
０として、たとえば， 厚さ１５０ ｎｍの金（Ａｕ）
を蒸着する。工程（３）：上記処理基板の制御用電極の
形成領域以外の部分に厚さ１０μｍ程度のレジストパタ
ーン５’を図示したごとく形成する。
０として、たとえば， 厚さ１５０ ｎｍの金（Ａｕ）
を蒸着する。工程（３）：上記処理基板の制御用電極の
形成領域以外の部分に厚さ１０μｍ程度のレジストパタ
ーン５’を図示したごとく形成する。
【００１２】工程（４）：上記処理基板の前記レジスト
パターン５’が形成されていない下地層３０の上に、ス
トレスが生じない金メッキ層， たとえば、粒径の大き
な金メッキ層からなる制御用電極３’ａ，３’ｂを形成
する。このような粒径の大きい厚い金メッキ層は， た
とえば、液温６５℃のシアン系金メッキ液を用い３ｍＡ
／ ｃｍ２ の電流密度で３０分程度電気メッキして形
成される。
パターン５’が形成されていない下地層３０の上に、ス
トレスが生じない金メッキ層， たとえば、粒径の大き
な金メッキ層からなる制御用電極３’ａ，３’ｂを形成
する。このような粒径の大きい厚い金メッキ層は， た
とえば、液温６５℃のシアン系金メッキ液を用い３ｍＡ
／ ｃｍ２ の電流密度で３０分程度電気メッキして形
成される。
【００１３】工程（５）：上記処理基板のレジストパタ
ーン５’を適当な剥離液で除去する。工程（６）：上記
処理基板を， たとえば、沃素と沃化カリウムの混合水
溶液の中で３０秒程度エッチングして、制御用電極の形
成領域以外の部分の下地層３０のＡｕを溶解除去して、
光導波路型デバイス， たとえば、マッハツエンダ型光
変調器が形成されている。なお、このとき制御用電極３
’ａ，３’ｂ のＡｕのエッチング量はごく僅かであり
無視してよい。
ーン５’を適当な剥離液で除去する。工程（６）：上記
処理基板を， たとえば、沃素と沃化カリウムの混合水
溶液の中で３０秒程度エッチングして、制御用電極の形
成領域以外の部分の下地層３０のＡｕを溶解除去して、
光導波路型デバイス， たとえば、マッハツエンダ型光
変調器が形成されている。なお、このとき制御用電極３
’ａ，３’ｂ のＡｕのエッチング量はごく僅かであり
無視してよい。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の制
御用電極３’（３’ａ，３’ｂ） はデバイス特性をよ
くするために１０μｍ以上の厚さに形成する必要があり
、したがって， 形成された膜にストレスが生じている
と基板１から剥離する。これを避けるために前記したよ
うに粒径の大きな，たとえば、数μｍの粒径をもつよう
に金メッキ層を施している。その結果、形成された金メ
ッキ層の表面，すなわち、制御用電極３’（３’ａ，３
’ｂ） の表面は大きな凹凸が生じてしまい、そこに流
れるマイクロ波，とくに、最近の数１０ＧＨｚ 以上と
いった高周波信号の放射損や伝送損が無視できない大き
さとなり、高周波用光導波路型デバイスの性能・品質を
損なうなどの問題が生じておりその解決が求められてい
る。
御用電極３’（３’ａ，３’ｂ） はデバイス特性をよ
くするために１０μｍ以上の厚さに形成する必要があり
、したがって， 形成された膜にストレスが生じている
と基板１から剥離する。これを避けるために前記したよ
うに粒径の大きな，たとえば、数μｍの粒径をもつよう
に金メッキ層を施している。その結果、形成された金メ
ッキ層の表面，すなわち、制御用電極３’（３’ａ，３
’ｂ） の表面は大きな凹凸が生じてしまい、そこに流
れるマイクロ波，とくに、最近の数１０ＧＨｚ 以上と
いった高周波信号の放射損や伝送損が無視できない大き
さとなり、高周波用光導波路型デバイスの性能・品質を
損なうなどの問題が生じておりその解決が求められてい
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、基板１上
に光導波路２と該光導波路２を伝播する光を制御する制
御用電極３とが少なくとも設けられた光導波路型デバイ
スの製造方法において、前記制御用電極３の下層として
粒径が大きい厚い金メッキ層３１を形成したあと、その
上に粒径が小さい薄い金層３２を形成する光導波路型デ
バイスの製造方法によって解決することができる。具体
的には、前記粒径が小さい薄い金層３２を、メッキ，
または、真空蒸着により形成するようにすればよい。
に光導波路２と該光導波路２を伝播する光を制御する制
御用電極３とが少なくとも設けられた光導波路型デバイ
スの製造方法において、前記制御用電極３の下層として
粒径が大きい厚い金メッキ層３１を形成したあと、その
上に粒径が小さい薄い金層３２を形成する光導波路型デ
バイスの製造方法によって解決することができる。具体
的には、前記粒径が小さい薄い金層３２を、メッキ，
または、真空蒸着により形成するようにすればよい。
【００１６】
【作用】本発明によれば、制御用電極３の下層として粒
径が大きい厚い金メッキ層３１を設けているので、全体
としてストレスが小さく基板１からの剥離が生じる恐れ
はない。しかも、その表面は粒径が小さい薄い金層３２
で覆ってあるので、滑らかな表面が得られ、とくに，超
高周波帯の電気信号の放射損や伝送損が大きく低減され
るのである。
径が大きい厚い金メッキ層３１を設けているので、全体
としてストレスが小さく基板１からの剥離が生じる恐れ
はない。しかも、その表面は粒径が小さい薄い金層３２
で覆ってあるので、滑らかな表面が得られ、とくに，超
高周波帯の電気信号の放射損や伝送損が大きく低減され
るのである。
【００１７】
【実施例】図１は本発明方法の一実施例を示す図で、主
な工程を順を追って図示したものである。以下その概略
を説明する。なお、前記の諸図面で説明したものと同等
の部分については同一符号を付し、かつ、同等部分につ
いての説明は省略する。
な工程を順を追って図示したものである。以下その概略
を説明する。なお、前記の諸図面で説明したものと同等
の部分については同一符号を付し、かつ、同等部分につ
いての説明は省略する。
【００１８】工程（１）：基板１には，たとえば、大き
さ４０ｍｍ×２ｍｍ，厚さ１ｍｍのＬｉＮｂＯ３のＺ板
の表面を鏡面研磨して使用する。この基板の上にＴｉを
約１００ ｎｍの厚さに真空蒸着し分岐光導波路２ａお
よび２ｂを含む光導波路２に相当する部分にＴｉが残る
ように通常のホトエッチング法で処理したのち、湿気（
Ｈ２Ｏ）を含んだ酸素中で、約１０５００Ｃ， １０時
間加熱しＴｉをＬｉＮｂＯ３中に熱拡散させて光導波路
２を形成する。分岐光導波路部分の長さは２５ｍｍ，光
導波路の幅は７ μｍになるように調整し、分岐光導波
路２ａおよび２ｂの間隔は約１５μｍとし、分岐部の角
度は２°程度に形成する。次いで、バッファ層としてＳ
ｉＯ２膜を５００ ｎｍの厚さにスパッタ法で形成する
。
さ４０ｍｍ×２ｍｍ，厚さ１ｍｍのＬｉＮｂＯ３のＺ板
の表面を鏡面研磨して使用する。この基板の上にＴｉを
約１００ ｎｍの厚さに真空蒸着し分岐光導波路２ａお
よび２ｂを含む光導波路２に相当する部分にＴｉが残る
ように通常のホトエッチング法で処理したのち、湿気（
Ｈ２Ｏ）を含んだ酸素中で、約１０５００Ｃ， １０時
間加熱しＴｉをＬｉＮｂＯ３中に熱拡散させて光導波路
２を形成する。分岐光導波路部分の長さは２５ｍｍ，光
導波路の幅は７ μｍになるように調整し、分岐光導波
路２ａおよび２ｂの間隔は約１５μｍとし、分岐部の角
度は２°程度に形成する。次いで、バッファ層としてＳ
ｉＯ２膜を５００ ｎｍの厚さにスパッタ法で形成する
。
【００１９】工程（２）：上記処理基板の上に下地層３
０として、たとえば， 厚さ１５０ ｎｍの金（Ａｕ）
を蒸着する。工程（３）：上記処理基板の制御用電極の
形成領域よりも、やゝ広く，たとえば、２μｍ位広い部
分に厚さ１０μｍ程度のレジストパターン５を図示した
ごとく形成する。
０として、たとえば， 厚さ１５０ ｎｍの金（Ａｕ）
を蒸着する。工程（３）：上記処理基板の制御用電極の
形成領域よりも、やゝ広く，たとえば、２μｍ位広い部
分に厚さ１０μｍ程度のレジストパターン５を図示した
ごとく形成する。
【００２０】工程（４）：上記処理基板の前記レジスト
パターン５が形成されていない下地層３０の上に、スト
レスが生じない金メッキ層， たとえば、粒径の大きな
厚い金メッキ層３１をレジストパターン５の高さと同程
度に形成する。このような粒径の大きい厚い金メッキ層
は， たとえば、液温６５℃のシアン系金メッキ液を用
い３ｍＡ／ ｃｍ２ の電流密度で３０分程度電気メッ
キして形成される。
パターン５が形成されていない下地層３０の上に、スト
レスが生じない金メッキ層， たとえば、粒径の大きな
厚い金メッキ層３１をレジストパターン５の高さと同程
度に形成する。このような粒径の大きい厚い金メッキ層
は， たとえば、液温６５℃のシアン系金メッキ液を用
い３ｍＡ／ ｃｍ２ の電流密度で３０分程度電気メッ
キして形成される。
【００２１】工程（５）：上記処理基板のレジストパタ
ーン５を適当な剥離液で除去する。工程（６）：上記処
理基板の制御用電極の形成領域以外の部分に、前記金メ
ッキ層３１よりもやゝ厚く，たとえば、２μｍ程度厚く
レジストパターン６を図示したごとく形成する。このよ
うなレジストパターンはレジスト塗布時に，たとえば、
スピナーの回転数を遅くして形成すればよい。
ーン５を適当な剥離液で除去する。工程（６）：上記処
理基板の制御用電極の形成領域以外の部分に、前記金メ
ッキ層３１よりもやゝ厚く，たとえば、２μｍ程度厚く
レジストパターン６を図示したごとく形成する。このよ
うなレジストパターンはレジスト塗布時に，たとえば、
スピナーの回転数を遅くして形成すればよい。
【００２２】工程（７）：上記処理基板の前記金メッキ
層３１の表面に、粒径が小さい薄い金層３２を， たと
えば、電気メッキにより２μｍ程度の厚さに形成する。 このような粒径が小さい薄い金メッキ層は， たとえば
、液温６５℃のノンシアン系金メッキ液を用い３ｍＡ／
ｃｍ２の電流密度で６分程度電気メッキして形成でき
る。この時、金メッキ層３１とレジストパターン６の間
の隙間は金層３２で埋まって、所定寸法の制御用電極３
（３ａ，３ｂ）が形成される。
層３１の表面に、粒径が小さい薄い金層３２を， たと
えば、電気メッキにより２μｍ程度の厚さに形成する。 このような粒径が小さい薄い金メッキ層は， たとえば
、液温６５℃のノンシアン系金メッキ液を用い３ｍＡ／
ｃｍ２の電流密度で６分程度電気メッキして形成でき
る。この時、金メッキ層３１とレジストパターン６の間
の隙間は金層３２で埋まって、所定寸法の制御用電極３
（３ａ，３ｂ）が形成される。
【００２３】工程（８）：上記処理基板のレジストパタ
ーン６を適当な剥離液で除去したあと、たとえば，沃素
と沃化カリウムの混合水溶液の中で３０秒程度エッチン
グして、制御用電極の形成領域以外の部分の下地層３０
のＡｕを溶解除去すれば、本発明による光導波路型デバ
イス， たとえば、マッハツエンダ型光変調器が作製さ
れる。
ーン６を適当な剥離液で除去したあと、たとえば，沃素
と沃化カリウムの混合水溶液の中で３０秒程度エッチン
グして、制御用電極の形成領域以外の部分の下地層３０
のＡｕを溶解除去すれば、本発明による光導波路型デバ
イス， たとえば、マッハツエンダ型光変調器が作製さ
れる。
【００２４】なお、このとき制御用電極３（３ａ，３ｂ
のＡｕのエッチング量はごく僅かであり無視してよい。 このようにして作製された光導波路型デバイスは制御用
電極３の剥離が生じることがなく、しかも， その表面
は粒径が小さい薄い金層３２で覆ってあるので、滑らか
な表面が得られ、とくに，超高周波帯の電気信号の放射
損や伝送損が大巾に低減される。
のＡｕのエッチング量はごく僅かであり無視してよい。 このようにして作製された光導波路型デバイスは制御用
電極３の剥離が生じることがなく、しかも， その表面
は粒径が小さい薄い金層３２で覆ってあるので、滑らか
な表面が得られ、とくに，超高周波帯の電気信号の放射
損や伝送損が大巾に低減される。
【００２５】図２は本発明方法の他の実施例を示す図で
、主な工程を順を追って図示したものである。以下その
概略を説明する。工程（１）：図４に示した従来例の工
程（１） 〜（３） までと同様のプロセスにより、基
板１に光導波路２（２ａ，２ｂ）を形成し、その上にバ
ッファ層４，下地層３０を形成したあと、制御用電極の
形成領域以外の部分に厚さ１０μｍ程度のレジストパタ
ーン５’を図示したごとく形成する。
、主な工程を順を追って図示したものである。以下その
概略を説明する。工程（１）：図４に示した従来例の工
程（１） 〜（３） までと同様のプロセスにより、基
板１に光導波路２（２ａ，２ｂ）を形成し、その上にバ
ッファ層４，下地層３０を形成したあと、制御用電極の
形成領域以外の部分に厚さ１０μｍ程度のレジストパタ
ーン５’を図示したごとく形成する。
【００２６】工程（２）：上記処理基板の前記レジスト
パターン５’が形成されていない下地層３０の上に、ス
トレスが生じない金メッキ層， たとえば、粒径の大き
な金メッキ層からなる制御用電極３１を形成する。この
ような粒径の大きい厚い金メッキ層は前記一実施例で説
明した方法に準じて形成すればよい。
パターン５’が形成されていない下地層３０の上に、ス
トレスが生じない金メッキ層， たとえば、粒径の大き
な金メッキ層からなる制御用電極３１を形成する。この
ような粒径の大きい厚い金メッキ層は前記一実施例で説
明した方法に準じて形成すればよい。
【００２７】工程（３）：上記処理基板のレジストパタ
ーン５’を適当な剥離液で除去する。工程（４）：上記
処理基板を， たとえば、沃素と沃化カリウムの混合水
溶液の中で３０秒程度エッチングして、制御用電極の形
成領域以外の部分の下地層３０のＡｕを溶解除去する。
ーン５’を適当な剥離液で除去する。工程（４）：上記
処理基板を， たとえば、沃素と沃化カリウムの混合水
溶液の中で３０秒程度エッチングして、制御用電極の形
成領域以外の部分の下地層３０のＡｕを溶解除去する。
【００２８】工程（５）：上記処理基板の前記金メッキ
層３１の表面に、粒径が小さい薄い金層３２を， たと
えば、電気メッキにより２〜３μｍ程度の厚さに形成す
る。このような粒径が小さい薄い金メッキ層は，たとえ
ば、液温６５℃のノンシアン系金メッキ液を用い３ｍＡ
／ ｃｍ２ の電流密度で６分程度電気メッキして形成
できる。
層３１の表面に、粒径が小さい薄い金層３２を， たと
えば、電気メッキにより２〜３μｍ程度の厚さに形成す
る。このような粒径が小さい薄い金メッキ層は，たとえ
ば、液温６５℃のノンシアン系金メッキ液を用い３ｍＡ
／ ｃｍ２ の電流密度で６分程度電気メッキして形成
できる。
【００２９】これにより前記一実施例の場合と同様に本
発明方法になる光導波路型デバイスが作製される。本実
施例の場合は前記一実施例の場合に比較してレジスト処
理が一回少なくて済むと言う利点がある。
発明方法になる光導波路型デバイスが作製される。本実
施例の場合は前記一実施例の場合に比較してレジスト処
理が一回少なくて済むと言う利点がある。
【００３０】以上の実施例ではマッハツエンダ型光変調
器の場合を例にして示したが、その他各種の光導波路型
デバイスに適用できることは言うまでもない。また、上
記実施例は例を示したもので本発明の趣旨に反しない限
り、使用する素材や細部のプロセスなど適宜他のものを
選択使用してよいことは勿論である。
器の場合を例にして示したが、その他各種の光導波路型
デバイスに適用できることは言うまでもない。また、上
記実施例は例を示したもので本発明の趣旨に反しない限
り、使用する素材や細部のプロセスなど適宜他のものを
選択使用してよいことは勿論である。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば制
御用電極３の下層として粒径が大きい厚い金メッキ層３
１を設けているので、全体としてストレスが小さく基板
１からの剥離が生じる恐れはない。しかも、その表面は
粒径が小さい薄い金層３２で覆ってあるので、滑らかな
表面が得られ、とくに，超高周波帯に使用する光導波路
型デバイスの電気信号の放射損や伝送損の低減など性能
，品質の向上に寄与するところが極めて大きい。
御用電極３の下層として粒径が大きい厚い金メッキ層３
１を設けているので、全体としてストレスが小さく基板
１からの剥離が生じる恐れはない。しかも、その表面は
粒径が小さい薄い金層３２で覆ってあるので、滑らかな
表面が得られ、とくに，超高周波帯に使用する光導波路
型デバイスの電気信号の放射損や伝送損の低減など性能
，品質の向上に寄与するところが極めて大きい。
【図１】本発明方法の一実施例を示す図である。
【図２】本発明方法の他の実施例を示す図である。
【図３】光導波路型デバイスの例を示す図である。
【図４】従来の電極形成方法の例を示す図である。
１は基板、２（２ａ，２ｂ）は光導波路、３（３ａ，３
ｂ）は制御用電極、４はバッファ層、５，５’，６はレ
ジストパターン、３０は下地層、３１は金メッキ層、３
２は金層、
ｂ）は制御用電極、４はバッファ層、５，５’，６はレ
ジストパターン、３０は下地層、３１は金メッキ層、３
２は金層、
Claims (2)
- 【請求項１】 基板（１） 上に光導波路（２） と
該光導波路（２） を伝播する光を制御する制御用電極
（３） とが少なくとも設けられた光導波路型デバイス
の製造方法において、前記制御用電極（３） の下層と
して粒径が大きい厚い金メッキ層（３１）を形成したあ
と、その上に粒径が小さい薄い金層（３２）を形成する
ことを特徴した光導波路型デバイスの製造方法。 - 【請求項２】 前記粒径が小さい薄い金層（３２）が
、メッキ， または、真空蒸着により形成されることを
特徴とした請求項１記載の光導波路型デバイスの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2403952A JPH04217226A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 光導波路型デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2403952A JPH04217226A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 光導波路型デバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04217226A true JPH04217226A (ja) | 1992-08-07 |
Family
ID=18513660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2403952A Withdrawn JPH04217226A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 光導波路型デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04217226A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH075403A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-01-10 | Nec Corp | 導波路型光デバイスの製造方法 |
| US5841568A (en) * | 1995-03-29 | 1998-11-24 | Nec Corporation | Optical modulator and method of manufacturing the same |
| JP2003066392A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-05 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
| US7283690B2 (en) | 2002-07-02 | 2007-10-16 | Omron Corporation | Optical waveguide device, method of manufacturing the same, and optical communication equipment |
| JP2015121741A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-02 | 住友大阪セメント株式会社 | 光制御デバイス |
| WO2015097917A1 (ja) * | 2013-12-28 | 2015-07-02 | 日栄技研株式会社 | ２重金めっき方法及び電子部品 |
| WO2024075277A1 (ja) * | 2022-10-07 | 2024-04-11 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子及びそれを用いた光変調器並びに光送信装置 |
-
1990
- 1990-12-19 JP JP2403952A patent/JPH04217226A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH075403A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-01-10 | Nec Corp | 導波路型光デバイスの製造方法 |
| US5841568A (en) * | 1995-03-29 | 1998-11-24 | Nec Corporation | Optical modulator and method of manufacturing the same |
| JP2003066392A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-05 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
| US7283690B2 (en) | 2002-07-02 | 2007-10-16 | Omron Corporation | Optical waveguide device, method of manufacturing the same, and optical communication equipment |
| JP2015121741A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-02 | 住友大阪セメント株式会社 | 光制御デバイス |
| WO2015097917A1 (ja) * | 2013-12-28 | 2015-07-02 | 日栄技研株式会社 | ２重金めっき方法及び電子部品 |
| JP5869685B2 (ja) * | 2013-12-28 | 2016-02-24 | 日栄技研株式会社 | ２重金めっき方法及び電子部品 |
| WO2024075277A1 (ja) * | 2022-10-07 | 2024-04-11 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子及びそれを用いた光変調器並びに光送信装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980312 |