JPH04215458A - Air bridge of integrated circuit - Google Patents
Air bridge of integrated circuitInfo
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- JPH04215458A JPH04215458A JP40223290A JP40223290A JPH04215458A JP H04215458 A JPH04215458 A JP H04215458A JP 40223290 A JP40223290 A JP 40223290A JP 40223290 A JP40223290 A JP 40223290A JP H04215458 A JPH04215458 A JP H04215458A
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Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置で
用いられるエアーブリッジ配線の構造に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the structure of air bridge wiring used in semiconductor integrated circuit devices.
【０００２】0002
【従来の技術】エアーブリッジ配線は、配線の下側に空
気層を設けることにより配線と下方の導電層との間の寄
生容量を減少させる配線方法である。例えばこのエアー
ブリッジ配線を電源配線に適用すれば、その電源配線と
下方の導電層との間の寄生容量を減少させて、半導体集
積回路装置の処理速度を高速化させることができる。2. Description of the Related Art Air bridge wiring is a wiring method that reduces parasitic capacitance between a wiring and a conductive layer below by providing an air layer below the wiring. For example, if this air bridge wiring is applied to a power supply wiring, the parasitic capacitance between the power supply wiring and the conductive layer below can be reduced, and the processing speed of a semiconductor integrated circuit device can be increased.
【０００３】図４は、従来のエアーブリッジ配線の構造
を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing the structure of a conventional air bridge wiring.
【０００４】図のようにこのエアーブリッジ配線（１１
）は、半導体基板（１２）上の複数本の下層配線、例え
ば２本の第一層配線（１３）の上に形成された橋脚部（
１４）と、その２つの橋脚部（１４）間に掛け渡された
橋板部（１５）とから構成され、その橋板部（１５）の
下側に空気層（１６）を設けた状態で上記２本の第一層
配線（１３）同士を接続している。As shown in the figure, this air bridge wiring (11
) is a bridge pier (
14) and a bridge plate part (15) spanning between the two piers (14), with an air layer (16) provided below the bridge plate part (15). The two first layer wirings (13) are connected to each other.
【０００５】上記構造のエアーブリッジ配線（１１）を
形成する際、その橋板部（１５）は、図５（ａ）の断面
図に示すように、半導体基板（１２）の絶縁膜（１７）
上に形成したフォトレジスト膜（１８）の上に形成され
る。そして配線形成後に、アセトンなどの有機溶媒を用
いたウェットエッチングにより上記フォトレジスト膜（
１８）を取り除くことによって、図５（ｂ）の断面図に
示すように、橋板部（１５）の下側の空気層（１６）が
形成される。このウェットエッチングの際、有機溶媒は
、エアーブリッジ配線（１１）の側方（第一層配線（１
３）に沿った方向）から橋板部（１５）の下へ浸入する
ことになる。[0005] When forming the air bridge wiring (11) having the above structure, the bridge plate portion (15) is connected to the insulating film (17) of the semiconductor substrate (12), as shown in the cross-sectional view of FIG. 5(a).
It is formed on the photoresist film (18) formed above. After forming the wiring, the photoresist film (
18), an air layer (16) is formed below the bridge plate portion (15), as shown in the cross-sectional view of FIG. 5(b). During this wet etching, the organic solvent is applied to the sides of the air bridge wiring (11) (first layer wiring (1
3)) under the bridge plate section (15).
【０００６】上記橋板部（１５）と半導体基板（１２）
上の絶縁膜（１７）との間隔、つまり空気層（１６）の
厚さは、数ミクロン程度である。[0006] The bridge board portion (15) and the semiconductor substrate (12)
The distance from the upper insulating film (17), that is, the thickness of the air layer (16), is approximately several microns.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】エアーブリッジ配線を
電源配線に適用する場合には、その配線抵抗を小さくす
る必要があり、そのためには、エアーブリッジ配線の幅
（下層配線に沿った長さ）を広くしなければならない。[Problem to be solved by the invention] When applying air bridge wiring to power supply wiring, it is necessary to reduce the wiring resistance. must be widened.
【０００８】ところが、上記構造の従来のエアーブリッ
ジ配線（１１）では、その幅ｗをあまり広くすると、橋
板部（１５）と半導体基板（１２）上の絶縁膜（１７）
との間隔が非常に小さいため、配線形成後にフォトレジ
スト膜（１８）をウェットエッチングする際、有機溶媒
がエアーブリッジ配線（１１）の側方から橋板部（１５
）の下全体には浸入しなくなり、橋板部（１５）の下の
フォトレジスト膜（１８）を完全に取り除くことができ
なくなる。このことから、エアーブリッジ配線（１１）
の幅ｗは、最大１００ミクロン程度に制限される。
これより幅広くエアーブリッジ配線（１１）を形成した
い場合には、図４に示したように複数本のエアーブリッ
ジ配線（１１）を、互いに間隔をあけて形成しなければ
ならない。However, in the conventional air bridge wiring (11) having the above structure, if the width w is made too large, the insulating film (17) on the bridge board part (15) and the semiconductor substrate (12)
When wet etching the photoresist film (18) after forming the wiring, the organic solvent flows from the side of the air bridge wiring (11) to the bridge board part (15).
), and the photoresist film (18) under the bridge plate (15) cannot be completely removed. From this, air bridge wiring (11)
The width w is limited to a maximum of about 100 microns. If it is desired to form the air bridge wiring (11) wider than this, a plurality of air bridge wirings (11) must be formed at intervals as shown in FIG. 4.
【０００９】上述のように、従来のエアーブリッジ配線
（１１）では、幅ｗを１００ミクロン以上にしてその配
線抵抗をより小さくすることが困難であるという問題点
があった。As described above, the conventional air bridge wiring (11) has a problem in that it is difficult to make the width w 100 microns or more to further reduce the wiring resistance.
【００１０】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたもので、幅が広く、配線抵抗のより小さなエアー
ブリッジ配線を得ることを目的とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to obtain an air bridge wiring having a wide width and a lower wiring resistance.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るエアーブリッジ配線では、橋板部に、
ウェットエッチングの際に溶媒を通す貫通孔を設けた。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, in the air bridge wiring according to the present invention, in the bridge board part,
A through hole was provided to allow the solvent to pass during wet etching.
【００１２】0012
【作用】上記構造によれば、エアーブリッジ配線形成後
にフォトレジスト膜をウェットエッチングする際、溶媒
がエアーブリッジ配線の側方からだけでなく、橋板部の
上面からも貫通孔を通って橋板部の下に浸入する。従っ
て、エアーブリッジ配線の幅を広くしても、溶媒が橋板
部の下全体に浸入し得るため、橋板部の下のフォトレジ
スト膜を完全にウェットエッチングして取り除くことが
できる。[Function] According to the above structure, when wet etching the photoresist film after forming the air bridge wiring, the solvent flows through the through hole into the bridge board not only from the side of the air bridge wiring but also from the top surface of the bridge board. Penetrates under the body. Therefore, even if the width of the air bridge wiring is widened, the solvent can infiltrate the entire area under the bridge plate, so that the photoresist film under the bridge plate can be completely removed by wet etching.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。なお、実施例の図面において、図４および図５（
ａ），（ｂ）で示した従来例と相違ない構成要素につい
ては、同一の符号を付して説明を省略する。Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be explained based on the drawings. In addition, in the drawings of the embodiment, FIGS. 4 and 5 (
Components that are the same as those in the conventional example shown in a) and (b) are given the same reference numerals and explanations are omitted.
【００１４】図１は、本発明に係るエアーブリッジ配線
の構造を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing the structure of an air bridge wiring according to the present invention.
【００１５】図のようにこのエアーブリッジ配線（１）
は、半導体基板（１２）上の２本の第一層配線（下層配
線）（１３）上に形成された橋脚部（２）と、その２つ
の橋脚部（２）間に掛け渡された橋板部（３）とから構
成されており、その橋板部（３）には、貫通孔（４）が
設けられている。そしてこのエアーブリッジ配線（１）
は、橋板部（３）の下側に空気層（５）を設けた状態で
上記２本の第一層配線（１３）同士を接続している。As shown in the figure, this air bridge wiring (1)
is a bridge pier (2) formed on two first layer wirings (lower layer wiring) (13) on a semiconductor substrate (12), and a bridge spanning between the two piers (2). The bridge plate portion (3) is provided with a through hole (4). And this air bridge wiring (1)
The two first layer wirings (13) are connected to each other with an air layer (5) provided below the bridge plate (3).
【００１６】このように、本発明に係るエアーブリッジ
配線（１）の特徴は、橋板部（３）に貫通孔（４）が設
けられた点にある。この貫通孔（４）は、ウェットエッ
チングの際に溶媒を通すためのもので、その貫通孔（４
）の形状、大きさ、数については、後述の如く橋板部（
３）の下のフォトレジスト膜を完全にウェットエッチン
グし得るように、しかもエアーブリッジ配線（１）の電
流の流れる断面積をできるだけ減らさないように、更に
は寄生容量についても考慮して適宜に設定される。
本実施例の場合には、矩形状の小さな貫通孔（４）が９
個、橋板部（３）の全域にほぼ均一に設けられている。[0016] As described above, the air bridge wiring (1) according to the present invention is characterized by the through-hole (4) provided in the bridge plate portion (3). This through hole (4) is for passing the solvent during wet etching.
) regarding the shape, size, and number of the bridge plate (
3) Set appropriately so that the underlying photoresist film can be completely wet-etched, and the cross-sectional area of the air bridge wiring (1) through which current flows is not reduced as much as possible, and parasitic capacitance is also taken into account. be done. In the case of this embodiment, there are 9 small rectangular through holes (4).
They are provided almost uniformly over the entire area of the bridge board portion (3).
【００１７】橋板部（３）に貫通孔（４）を設けること
により、図２（ａ）の断面図に示すように、エアーブリ
ッジ配線形成後にフォトレジスト膜（１８）をウェット
エッチングする際、アセトンなどの有機溶媒がエアーブ
リッジ配線（１）の側方（幅Ｗ方向）からだけでなく、
橋板部（３）の上面からも貫通孔（４）を通って橋板部
（３）の下に浸入する。従って、エアーブリッジ配線（
１）の幅Ｗを１００ミクロン以上に広くしても、有機溶
媒が橋板部（３）の下全体に浸入し得るため、橋板部（
３）の下のフォトレジスト膜（１８）を完全にウェット
エッチングして取り除くことができる。By providing the through holes (4) in the bridge plate portion (3), as shown in the cross-sectional view of FIG. 2(a), when wet etching the photoresist film (18) after forming the air bridge wiring, Organic solvents such as acetone may not only come from the sides (width W direction) of the air bridge wiring (1), but also
It also enters under the bridge plate part (3) from the upper surface of the bridge plate part (3) through the through hole (4). Therefore, air bridge wiring (
Even if the width W of 1) is increased to 100 microns or more, the organic solvent can infiltrate the entire bottom of the bridge plate part (3).
3) The underlying photoresist film (18) can be completely removed by wet etching.
【００１８】即ち、本発明に係るエアーブリッジ配線（
１）では、従来１００ミクロン程度に制限されていた幅
をより広くすることが可能になり、これによってその配
線抵抗をより小さくすることができる。That is, the air bridge wiring according to the present invention (
In 1), the width, which was conventionally limited to about 100 microns, can be made wider, thereby making it possible to further reduce the wiring resistance.
【００１９】また、エアーブリッジ配線（１）の幅Ｗが
広くなると、その橋脚部（２）が第一層配線（１３）上
に長く形成されることになるため、第一層配線（１３）
の配線抵抗も小さくなるという効果も得られる。Furthermore, when the width W of the air bridge wiring (1) increases, the bridge pier portion (2) is formed longer on the first layer wiring (13), so that the first layer wiring (13)
This also has the effect of reducing the wiring resistance.
【００２０】また、図３の斜視図に示すように、場合に
よっては、橋板部（３）の貫通孔（４）を第一層配線（
１３）に対して垂直方向に長いスリット状に形成しても
よい。Further, as shown in the perspective view of FIG. 3, in some cases, the through hole (4) of the bridge plate portion (3) is
13) may be formed in the shape of a long slit in the direction perpendicular to 13).
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係るエア
ーブリッジ配線によれば、幅をより広くしてその配線抵
抗をより小さくすることができる。その結果、より高性
能の半導体集積回路装置を実現させることができる。As explained above, according to the air bridge wiring according to the present invention, the width can be made wider and the wiring resistance can be made smaller. As a result, a semiconductor integrated circuit device with higher performance can be realized.
【図１】本発明の実施例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of the present invention.
【図２】実施例における貫通孔の作用を説明する断面図
である。FIG. 2 is a sectional view illustrating the effect of the through hole in the embodiment.
【図３】本発明の他の実施例を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing another embodiment of the present invention.
【図４】従来例を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a conventional example.
【図５】従来例における配線形成方法を説明する断面図
である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a conventional wiring forming method.
（１） エアーブリッジ配線 （２） 橋脚部 （３） 橋板部 （４） 貫通孔 （５） 空気層 （１２） 半導体基板 （１３） 第一層配線（下層配線） (1) Air bridge wiring (2) Pier (3) Bridge board section (4) Through hole (5) Air layer (12) Semiconductor substrate (13) First layer wiring (lower layer wiring)
Claims (1)
された橋脚部と、その橋脚部間に掛け渡された橋板部と
から成り、その橋板部の下側に空気層を設けた状態で上
記複数本の下層配線同士を接続する半導体集積回路装置
のエアーブリッジ配線において、上記橋板部に、ウェッ
トエッチングの際に溶媒を通す貫通孔を設けたことを特
徴とする半導体集積回路装置のエアーブリッジ配線。Claim 1: Consisting of a bridge pier formed on a plurality of lower-layer wirings on a semiconductor substrate and a bridge board part spanning between the pier parts, an air layer is provided below the bridge board part. In the air bridge wiring of a semiconductor integrated circuit device that connects the plurality of lower layer wirings in a state in which they are provided, the semiconductor integrated circuit is characterized in that the bridge plate portion is provided with a through hole through which a solvent passes during wet etching. Air bridge wiring for circuit equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40223290A JPH04215458A (en) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | Air bridge of integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40223290A JPH04215458A (en) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | Air bridge of integrated circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04215458A true JPH04215458A (en) | 1992-08-06 |
Family
ID=18512060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40223290A Pending JPH04215458A (en) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | Air bridge of integrated circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04215458A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0809289A2 (en) * | 1996-05-20 | 1997-11-26 | Harris Corporation | Lid air bridge for integrated circuit |
| WO2022105450A1 (en) * | 2020-11-20 | 2022-05-27 | 腾讯科技（深圳）有限公司 | Air bridge preparation method, air bridge structure, and superconducting quantum chip |
-
1990
- 1990-12-14 JP JP40223290A patent/JPH04215458A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0809289A2 (en) * | 1996-05-20 | 1997-11-26 | Harris Corporation | Lid air bridge for integrated circuit |
| EP0809289A3 (en) * | 1996-05-20 | 1999-04-21 | Harris Corporation | Lid air bridge for integrated circuit |
| WO2022105450A1 (en) * | 2020-11-20 | 2022-05-27 | 腾讯科技（深圳）有限公司 | Air bridge preparation method, air bridge structure, and superconducting quantum chip |
| JP2023505960A (en) * | 2020-11-20 | 2023-02-14 | ▲騰▼▲訊▼科技（深▲セン▼）有限公司 | Manufacturing method of air bridge, air bridge structure and superconducting quantum chip |
| EP4030469A4 (en) * | 2020-11-20 | 2023-10-25 | Tencent Technology (Shenzhen) Company Limited | Air bridge preparation method, air bridge structure, and superconducting quantum chip |
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