JPH04215430A

JPH04215430A - プラズマ発生方法およびその装置

Info

Publication number: JPH04215430A
Application number: JP2402319A
Authority: JP
Inventors: Noboru Nomura; 登野村; Masabumi Kubota; 正文久保田; Norihiko Tamaoki; 徳彦玉置
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1990-12-14
Filing date: 1990-12-14
Publication date: 1992-08-06
Anticipated expiration: 2013-06-11
Also published as: JP2765233B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は　プラズマを発生する技
術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】　　　　　　　　　　　　　高周波放電
を用いたプラズマは、微細加工のドライエッチング、薄
膜形成のスパッタリングやプラズマＣＶＤ、イオン注入
機等、様々な加工に適用されている。加工寸法の微細化
や、膜質の高精度制御のために、高真空中でのプラズマ
加工が求められている。

【０００３】例えば、微細加工に適用されるプラズマエ
ッチング（ドライエッチング）は、プラズマ、ラジカル
、イオン等による気相ー固相表面に於ける化学的または
物理的反応を利用し、薄膜または基板の不要な部分を除
去する加工法である。ドライエッチング技術として最も
広く用いられている反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）
は、適当なガスの高周波放電プラズマ中に試料を曝すと
エッチング反応により試料表面の不要部分が除去される
というものである。必要な部分は、通常、マスクとして
用いたホトレジストパターンにより保護されている。微
細化のためにはイオンの方向性を揃えることが必要であ
るが、このためにはプラズマ中でのイオンの散乱を減ら
すことが不可欠である。イオンの方向性を揃えるために
は、プラズマの真空度を高めてイオンの平均自由行程を
大きくするのが効果的で、高真空のもとでのエッチング
技術が求められている。

【０００４】一般に、真空度を高めると高周波放電が生
じ難くなる。この対策として、プラズマ室に磁場を印加
し、放電を容易にする方法、即ちマグネトロン放電やＥ
ＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）放電が開発されてきた
。

【０００５】図１４は従来のマグネトロン放電を用いた
反応性イオンエッチング装置を示す模式図である。金属
性チャンバー７１中には、ガスコントローラ７２を通し
て反応性ガスが導入され、排気系７３によって適切な圧
力に制御されている。チャンバー７１の上部にはアノー
ド（陽極）７４が設けられ、下部にはカソード（陰極）
となる試料台７５が設けられている。試料台７５には、
インピーダンス整合回路７６を介してＲＦ電源７７が接
続されており、試料台７５とアノード７４との間で高周
波放電を起こすことができる。チャンバー７１中には、
側面に設置された、２対の、位相の９０度異なる対向す
る交流電磁石７８によって回転磁界が印加され、高真空
中での放電を容易にしている。電子は印加磁場により、
サイクロイド運動をするため、イオン化効率が高くなる
というものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うなマグネトロン放電やＥＣＲ放電は、プラズマ密度が
不均一で扱いが難しく、また加工する試料に損傷が導入
されてしまうという問題があった。たとえば従来のマグ
ネトロン反応性イオンエッチング装置では、回転磁場に
よって局所的なプラズマの偏りを時間平均して均一にし
ているが、瞬時のプラズマ密度は均一ではないため局所
的な電位差を発生し、ＭＯＳＬＳＩプロセスに適用する
とゲート酸化膜破壊を生じることがある。同様にＥＣＲ
エッチング装置では、磁場がチャンバーの径方向に分布
を持つため、プラズマ密度の局所的な粗密により、エッ
チング種の不均一を生じたり、局所的な電位差を発生し
たりする。このプラズマの不均一性に基づいてエッチン
グの均一性が悪くなり、ＬＳＩを歩留まり良く作成する
ことが困難であった。

【０００７】本発明は上記問題点に鑑み、高真空のもと
で高密度かつ均一性にすぐれたプラズマ発生方法および
その装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ発生装
置は、２対の対向する電極と、対向する電極のうち１対
におよそ５０ＭＨｚ以上の高周波電力を印加して真空中
の電子を振動させる機構とを備えている。

【０００９】本発明の実施に当たっては、同一の信号源
から生成された、位相の異なる同一周波数の高周波電力
、またはその高調波の高周波電力を印加することが望ま
しい。　　またある好ましい実施態様では、磁場印加に
よってプラズマを閉じこめている。　　さらに他の好ま
しい実施態様では、電離すべき原料ガス導入穴と、一定
の真空に保つ排気系と真空室を持ち、該真空室内に第１
の対向する電極対と第２の電極対を持ち、第１の電極対
に第１の周波数の高周波電力を印加し、第２の対向する
電極に位相が異なる第１の周波数の高周波電力または第
１の周波数の高調波の高周波電力を印加する機構とを備
えている。

【００１０】また他の好ましい実施態様では、電離すべ
き原料ガス導入穴と、一定の真空に保つ排気系と真空室
を持ち、該真空室内に３対の対向する電極を持ち、前記
対向する３対の電極におよそ１２０度位相の異なる第１
の周波数の高周波電力、または第１の周波数の高調波の
高周波電力を印加する機構とを備えている。

【００１１】本発明の実施に当たっては、位相の異なる
同一周波数の高周波電力、またはその高調波の高周波電
力を、一定の位相差に制御するフェーズロック機構を備
えることが望ましい。

【００１２】また本発明のプラズマ発生方法は、真空中
に配置した複数の対向する電極と、前記対向する電極の
うち少なくとも２対以上の電極に位相の異なる同一周波
数の高周波電力、またはその高調波の高周波電力を印加
し、前記高周波電力によって真空中で電子のリサージュ
図形を描き、プラズマを発生させるものである。

【００１３】ある好ましい実施態様では、第１の対向す
る電極に第１の周波数の高周波電力を印加し、第２の対
向する電極に位相がおよそ９０度異なる第１の周波数の
高周波電力を印加し、真空中の電子を円運動させること
により、プラズマ発生を行なっている。

【００１４】また他の好ましい実施態様では、３対の対
向する電極と、前記対向する３対の電極に互いにおよそ
１２０度位相の異なる第１の周波数の高周波電力を印加
し、真空中の電子を円運動させることによりプラズマ発
生をおこなっている。

【００１５】

【作用】本発明は上記した構成によって、１対以上の対
向する電極に、およそ５０ＭＨｚ以上の位相の異なる同
一周波数の高周波電力、またはその高調波の高周波電力
を印加している。これにより、チャンバー中に電子を振
動、回転またはサイクロイド等のリサージュ図形を描く
ように運動させる電場が形成され、高真空中にもかかわ
らず高いイオン化効率が得られ、放電を容易にしている
。従来の磁場によるマグネトロン放電やＥＣＲ放電に比
べて、電界が均一なので均一性の良いプラズマが得られ
、また装置の大型化も容易である。またプラズマの局所
的な偏りがほとんどないので、加工物への損傷も極めて
小さくなる。

【００１６】

【実施例】以下本発明の一実施例であるドライエッチン
グ装置について、図面を参照しながら説明する。

【００１７】図１は本発明のプラズマ発生方法の一実施
例であるドライエッチング装置の構造を示す模式図であ
る。図１において、１はチャンバー、２は１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波電力が印加される試料台、３は対向電極と
なるアース電極、４、５は３００ＭＨｚの高周波電力が
印加されるカソード電極、６、７はそれらの対向電極と
なるアース電極である。電極４、５に印加される電力の
位相はおよそ９０度異なっている。チャンバーにはエッ
チングガスがマスフローコントローラ（図示せず）を介
して導入口（図示せず）から導かれ、チャンバー内圧力
はターボポンプ（図示せず）により０．１Ｐａから１０
Ｐａ程度に制御されている。電極４、５に整合回路１１
、１２を介して高周波電力を供給するアンプ８および９
は、フェーズロック機構１０により一定の位相差（９０
度）になるよう制御されている。また、周波数を等しく
するため、一つの信号源から生成された信号を増幅し、
アンプ８、９によって位相の異なる同一周波数の交流電
力を供給している。また、試料台２に１３．５６ＭＨｚ
の高周波電力をアンプ１３で増幅し、整合回路１４を介
して供給している。

【００１８】以上のように構成されたドライエッチング
装置に適用されたプラズマ発生装置について、以下図１
及び図２を用いてその動作を説明する。

【００１９】図２ａは一対の平行平板４、６に高周波電
力を印加した場合の電子の軌跡を模式的に示した図であ
る。電子は高周波電界により振動をしながら、自身の有
する運動エネルギーの方向に進行する。高周波の１周期
中に電子が進む距離を周波数の関数として求めたのが図
３である。この場合は２０ｅＶの電子を想定している。例えば、Ｘ方向に２０ｅＶのエネルギーで進行する電子
は、５０ＭＨｚの高周波電力の１周期に当たる２０ナノ
秒の間に約６ｃｍ移動する。電極間隔が３０ｃｍである
とすると、その距離を走る間に約５回の振動を受けるこ
とになる。電子のエネルギーが大きいとその速度も大きいから、電
極間を走行する間の振動数は減少する。

【００２０】一般に、ガス種により異なるが、ガスを電
離する場合には約１５ｅＶ以上の電子エネルギーが必要
である。また、電離は電子とガス分子との衝突により生
じるので、電子の走行距離が長いほど衝突確率が増し、
イオン化効率が高くなる。プラズマ発生室は通常数１０
ｃｍ　であることから、電子を高周波により振動させイ
オン化効率を向上するには、およそ５０ＭＨｚ以上の高
周波が必要となる。

【００２１】このような高周波電力の扱いについては、
従来において大出力の安定した電力源が得にくい、イン
ピーダンス整合が難しい、輻射を抑制することが難しい
、等の問題があり、プラズマ発生にはほとんど使用され
ていなかった。ＧＨｚ帯になると、マグネトロンを用い
たマイクロ波電源が入手でき、マイクロ波放電として適
用されている程度である。しかしながら、現在、高周波
技術の進展、例えば半導体を用いた発振器等により上記
問題は解決されつつある。

【００２２】図２ａの状態の電子に、先の高周波電場に
垂直に位相が９０度異なる同一周波数の高周波電場に１
対の平行平板５、７を印加した場合を図２ｂに示す。電
子はこれにより回転運動を始める。これはオッシロスコ
ープのＸ，Ｙに同一周波数の９０度位相の異なる信号を
入力した場合に見られる、いわゆるリサージュ波形と呼
ばれるものと同様のものである。リサージュ波形はＸＹ
に入力される高周波電力の位相差により異なる波形とな
る。位相差とリサージュ波形の関係を図４に示す。この
ように電子を電場により振動または回転運動させ、イオ
ン化効率向上を図っているのが本発明のプラズマ発生方
法である。

【００２３】従来の回転磁場を用いたマグネトロンエッ
チング装置では、ある瞬時の試料台直上の磁束分布は図
５ａのように不均一である。このためチャンバー中の電
子（図５ｂ中の黒丸）は、磁場強度に逆比例した軌道半
径で回転するため、磁場強度の弱い場所の電子の半径は
大きくなり、電子がチャンバー壁に衝突して消滅する。このため磁場強度の弱い場所の電子密度が減少し、プラ
ズマ密度も低くなる。こうしてプラズマ密度に不均一が
生じ、エッチングの不均一や加工物への損傷が生じてい
たのである。

【００２４】これに対して本発明のプラズマ発生方法を
用いると、平行平板内の電界は均一なので、図６のよう
に電子の回転半径も各所で等しく、プラズマ密度も均一
になる。このためエッチングも均一になりチャージアッ
プによる損傷も極めて少ない。

【００２５】図７（ａ）は従来の回転磁場を用いたマグ
ネトロンエッチング装置でボロンリンガラスをエッチン
グした例を模式的に示している。図中８０はＳｉ基板、
８１はボロンリンガラス、８２はフォトレジストパター
ンである。Ｓｉ基板８０直上のある瞬時の磁場強度分布
が図７（ｂ）に示すように、試料台中央で最小値を持つ
場合では、Ｓｉ基板８０表面に入射して来るイオンのフ
ラックスは磁場強度分布に応じたプラズマ密度分布に比
例し、図７（ａ）に示すように、中央で疎となる。酸化
膜のエッチング速度もイオンフラックスにほぼ従ったも
のとなり、不均一になる。またプラズマ密度の不均一は
電荷の偏在による損傷を引き起こす。

【００２６】これに対して、本発明のプラズマ発生方法
によれば、先に述べたように均一なプラズマが発生する
ため、図８に示すようにＳｉ基板８０表面に入射するイ
オンフラックスも均一なものとなる。また、プラズマが
均一なので、チャージの偏在は小さく、チャージによる
損傷は極めて小さい。この場合にはＣＨＦ３＋Ｏ２、Ｃ
Ｆ４＋ＣＨ２Ｆ２等、フロンガスをベースにしたガスを
用い、圧力は０．１〜１０Ｐａで行った。

【００２７】本実施例では酸化膜エッチングの場合を示
したが、多結晶シリコンや、Ｓｉ化合物、Ａｌ等のメタ
ルのエッチング、多層レジストにおけるレジストのエッ
チング等にも本発明の装置を用いても高い効果が得られ
る。その場合、塩素やＳＦ６、Ｏ２等のエレクトネガテ
ィブガスを使用すると効果がさらに良くなる。

【００２８】図９に従来のドライエッチング方法と本発
明のプラズマ発生方法を用いたドライエッチング方法と
の比較を示す。従来に比べて本発明のプラズマ発生方法
を用いたドライエッチング方法の優位性が分かる。

【００２９】以上のように本実施例によれば、第１の対
向する電極に第１の周波数の高周波電力を印加し、第２
の対向する電極に位相がおよそ９０度異なる第１の周波
数の高周波電力を印加し、真空中の電子を円運動（楕円
運動を含む）させることにより、プラズマ発生を行ない
、高真空にもかかわらず高密度で均一性の良いプラズマ
が得られ、さらにエッチングを行なうため、第３の対向
電極に１３．５６ＭＨｚ高周波電力を印加することによ
り、エッチングの均一性も良好とすることができた。ま
たプラズマの局所的な偏りがほとんどないので、加工物
への損傷も極めて少なくすることができた。

【００３０】なお、本実施例ではエッチング装置の場合
を示したが、プラズマＣＶＤやスパッタ、イオン注入装
置のイオン源等、高真空プラズマの必要とされる装置へ
の適用が可能なことは言うまでもない。また、高周波電
力の位相差は９０度一定にした場合を示したが、時間の
関数の様に変化させてもよい。また、１３．５６ＭＨｚ
のアース電極３と、３００ＭＨｚのアース電極６、７は
同電位の場合を示したが、直流的に電位が異なってもよ
い。

【００３１】以下本発明の第２の実施例について図面を
参照しながら説明する。図１０は本発明の第２の実施例
であるプラズマ発生方法をドライエッチング装置に適用
した場合のその構造を示す模式図である。図１０におい
て、２１はチャンバー、２２は１３．５６ＭＨｚの高周
波電力が印加される試料台、２３は対向電極となるアー
ス電極、２４、２５はそれぞれ１５０ＭＨｚ，３００Ｍ
Ｈｚの高周波電力が印加されるカソード電極、２６、２
７はそれらの対向電極となるアース電極である。電極２
４、２５に印加される電力の位相は同じとしたが異なっ
てもよい。チャンバー内圧力はターボポンプ（図示せず
）により０．１Ｐａから１０Ｐａ程度に制御されている
。アンプ２８および２９は、周波数比を一定に保つため
、一つの信号源から生成された信号を逓倍，増幅し、お
のおの１５０ＭＨｚ，３００ＭＨｚの高周波電力を整合
回路３２、３３を介して、電極２４、２５に供給してい
る。高周波電力を供給するアンプ２８および２９は、フ
ェーズロック機構３０により一定の位相差（この場合は
０度）になるよう制御されている。チャンバー２１はコ
イル３１により形成されるカプス磁場によりプラズマ閉
じこめをおこなっている。また試料台２２に１３．５６
ＭＨｚの高周波電力をアンプ３４で増幅し、整合回路３
５を介して供給している。

【００３２】図１と異なるのは電極、２４、２５にそれ
ぞれ１５０ＭＨｚ，３００ＭＨｚの異なる高周波電力が
印加されており、またコイル３１によりカプス磁場を形
成しプラズマ閉じこめをおこなっているいる点である。

【００３３】図１１はドライエッチング装置のチャンバ
ー中の電子の軌跡を水平面に投影した場合の一例を模式
的に示すものである。電極２４、２５に印加された交流
電力により電子が回転運動し、高真空中にもかかわらず
高いイオン化効率が得られ、高いプラズマ密度が得られ
ている。

【００３４】以上のように本実施例によれば、３対の電
極のうち第１の１対の電極に周波数Ｆの高周波電力を印
加し、第２の１対の電極に周波数２Ｆの高周波電力を印
加し、被エッチング試料を載せる試料台が一方の電極を
構成している残りの第３の１対の電極に別の周波数の高
周波電力を印加する機構とを設けることにより、均一性
の良いプラズマが得られ、エッチングの均一性も良好と
することができる。またプラズマの局所的な偏りがほと
んどないので、ゲート酸化膜破壊等のデバイスへの損傷
も極めて少なくすることができる。

【００３５】図１２は本発明のプラズマ発生装置を適用
した第３の実施例であるプラズマＣＶＤ装置の構造を示
す模式図である。図１２において、４１はチャンバー、
４２は整合回路５４を介して３００ＭＨｚの高周波電力
が印加される温度制御された試料台、４３はその対向電
極となるアース電極、４４、４５は整合回路５２、５３
を介して３００ＭＨｚの高周波電力が印加されるカソー
ド電極、４６、４７はそれらの対向電極となるアース電
極である。電極４４、４５に印加される電力の位相は４２に対して
それぞれおよそ１２０度ずつ進行、又は遅れている。チ
ャンバーには原料となる例えばシランガス等が導入され
、圧力はターボポンプ（図示せず）により０．１Ｐａか
ら１０Ｐａ程度に制御されている。電極４２、４４、４
５には周波数を等しくするため、高周波電力を供給する
アンプ４８、４９、および５０では、一つの信号源から
生成された信号を増幅し、３００ＭＨｚの高周波電力を
供給している。高周波電力を供給するアンプ４８、４９
および５０は、フェーズロック機構５１により一定の位
相差（この場合は各々１２０度）になるよう制御されて
いる。

【００３６】図１と異なるのは電極、４２、４４、４５
にそれぞれ３００ＭＨｚの１２０度ずつ位相の異なる高
周波電力が印加されている点である。

【００３７】この場合にはチャンバー中の電子は高周波
電力により球面上で回転運動し、高真空中にもかかわら
ず高いイオン化効率が得られ、高いプラズマ密度が得ら
れる。

【００３８】以上のように本実施例によれば、３対の電
極に同じ周波数で位相が１２０度ずつ異なる高周波電力
を印加する機構を設けることにより、均一性の良いプラ
ズマが得られ、堆積膜の均一性も良好とすることができ
る。またプラズマの局所的な偏りがほとんどないので、
加工物への損傷も極めて少なくすることができる。

【００３９】なお、本実施例では膜堆積される試料は電
極４２のみに置く場合を示したが、電極４４、４５は４
２と等価であり、試料を４４、４５に同時においても同
様に膜堆積が進行し、スループットを向上することも可
能である。

【００４０】以下本発明の第４の実施例について図面を
参照しながら説明する。図１３は本発明のプラズマ発生
方法を適用した第４の実施例であるドライエッチング装
置の構造を示す模式図である。図１３において、６１は
チャンバー、６２はアンプ６９、整合回路６８を介して
１３．５６ＭＨｚの高周波電力が印加される試料台、６
３は対向電極となるアース電極、６４、６５はアンプ６
６、整合回路６７を介してそれぞれ３００ＭＨｚの高周
波電力が印加される対向する電極である。チャンバー内
圧力はターボポンプ（図示せず）により０．１Ｐａから
３０Ｐａ程度に制御されている。

【００４１】図１と異なるのは３００ＭＨｚの高周波電
力が印加されている電極が１対である点である。

【００４２】以上のように構成されたドライエッチング
装置について、以下図１３を用いてその動作を説明する
。

【００４３】第１の実施例でも述べたように、電極６４
、６５に印加された高周波電力により電子が振動運動し
、高真空中にもかかわらず高いイオン化効率が得られ、
高いプラズマ密度が得られている。イオン化に寄与する
エネルギーを持つ電子をチャンバー寸法より充分小さい
距離で振動させるには、少なくとも５０ＭＨｚ以上の高
周波を印加する必要がある。

【００４４】平行平板電極内における電界は均一なので
、均一性の良いプラズマが得られ、エッチングの均一性
も良好である。またプラズマの局所的な偏りがほとんど
ないので、加工物への損傷も極めて少なくなった。

【００４５】以上のように本実施例によれば、１対の電
極に５０ＭＨｚ以上の第１の周波数の高周波電力を印加
し、被エッチング試料を載せる試料台が一方の電極を構
成している他の１対の電極に第２の周波数の高周波電力
を印加する機構とを設けることにより、均一性の良い高
密度プラズマが得られ、プラズマの均一性も良好とする
ことができる。またプラズマの局所的な偏りがほとんど
ないので、加工物への損傷も極めて少なくすることがで
きる。

【００４６】

【発明の効果】以上のように本発明は、適当な複数の交
流電界をのもとでは電子が振動、回転またはサイクロイ
ド運動するという現象を用いて、高真空のもとで発生し
た高密度プラズマをエッチングに適用している。本発明
により、微細加工性に優れかつ量産性が高く、均一性の
良い、ゲート酸化膜破壊等のデバイスへの損傷も極めて
少ないエッチングが実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマ発生方法を適用した第１の実
施例におけるドライエッチング装置の構造を示す模式図
である。

【図２】同実施例におけるドライエッチング装置のチャ
ンバー中の電子の動きを説明するための軌跡の模式図で
ある。

【図３】一周期中に電子の進む距離の周波数依存性を示
す特性図である。

【図４】位相差とリサージュ波形の関係を示す模式図で
ある。

【図５】従来のマグネトロンエッチング装置における磁
束分布と電子の回転を示す模式図である。

【図６】本発明のプラズマ発生方法を適用したドライエ
ッチング装置における電子の回転を示す模式図である。

【図７】従来のマグネトロンエッチング装置におけるボ
ロンリンガラスのエッチングを説明するための断面図と
磁場強度分布図である。

【図８】本発明のプラズマ発生方法を適用したドライエ
ッチング装置におけるボロンリンガラスのエッチングを
説明するための断面図である。

【図９】本発明のプラズマ発生方法を適用したドライエ
ッチング装置と従来のドライエッチング装置を比較した
図である。

【図１０】本発明のプラズマ発生方法を適用した第２の
実施例におけるドライエッチング装置の構造を示す模式
図である。

【図１１】同実施例におけるドライエッチング装置のチ
ャンバー中の電子の動きを説明するための軌跡を水平面
に投影した場合の模式図である。

【図１２】本発明のプラズマ発生方法を適用した第３の
実施例におけるプラズマＣＶＤ装置の構造を示す模式図
である。

【図１３】本発明のプラズマ発生方法を適用した第４の
実施例におけるドライエッチング装置の構造を示す模式
図である。

【図１４】従来のマグネトロン放電を用いた反応性イオ
ンエッチング装置を示す模式図である。

【符号の説明】

１　　　　チャンバー２　　　　試料台３、６、７　　　　アース電極４、５　　３００ＭＨｚの高周波電力が印加されるカソ
ード電極８、９、１３　　アンプ１０　　フェーズロック機構

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　２対の対向する電極と、前記対向する
電極のうち１対におよそ５０ＭＨｚ以上の高周波電力を
印加して真空中の電子を振動させる機構とを備えたこと
を特徴とするプラズマ発生装置。
【請求項２】　　真空中に配置した複数の対向する電極
と、前記対向する電極のうち少なくとも２対以上の電極
に同一周波数の高周波電力、またはその高調波の高周波
電力を印加し、前記高周波電力によって真空中で電子の
リサージュ図形を描き、プラズマの発生を行うことを特
徴とするプラズマ発生方法。
【請求項３】　　第１の対向する電極に第１の周波数の
高周波電力を印加し、第２の対向する電極に位相がおよ
そ９０度異なる第１の周波数の高周波電力を印加し、真
空中の電子を円運動させることを特徴とする請求項２記
載のプラズマ発生方法。
【請求項４】　　３対の対向する電極と、前記対向する
３対の電極に互いにおよそ１２０度位相の異なる第１の
周波数の高周波電力を印加し、真空中の電子を円運動さ
せることを特徴とする請求項２記載のプラズマ発生方法
。
【請求項５】　　同一の信号源から生成された、位相の
異なる同一周波数の高周波電力、またはその高調波の高
周波電力を印加することを特徴とする請求項２記載のプ
ラズマ発生方法。
【請求項６】　　磁場印加によって前記プラズマを閉じ
こめることを特徴とする請求項２、３、４、５のいずれ
かに記載のプラズマ発生方法。
【請求項７】　　電離すべき原料ガス導入穴と、一定の
真空に保つ排気系と真空室を持ち、該真空室内に第１の
対向する電極対と第２の電極対を持ち、第１の電極対に
第１の周波数の高周波電力を印加し、第２の対向する電
極に位相が異なる第１の周波数の高周波電力または第１
の周波数の高調波の高周波電力を印加する機構とを備え
たことを特徴とするプラズマ発生装置。
【請求項８】　　電離すべき原料ガス導入穴と、一定の
真空に保つ排気系と真空室を持ち、該真空室内に３対の
対向する電極を持ち、前記対向する３対の電極に位相の
異なる第１の周波数の高周波電力、または第１の周波数
の高調波の高周波電力を印加する機構とを備えたことを
特徴とするプラズマ発生装置。
【請求項９】　　３対の対向する電極と、前記対向する
３対の電極に互いにおよそ１２０度位相の異なる第１の
周波数の高周波電力を印加する機構とを備えたことを特
徴とする請求項７記載のプラズマ発生装置。
【請求項１０】　　位相の異なる同一周波数の高周波電
力、またはその高調波の高周波電力を、一定の位相差に
制御するフェーズロック機構を備えたことを特徴とする
請求項７、８、９のいずれかに記載のプラズマ発生装置
。