JPH04212710A - 磁気抵抗効果磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果磁気ヘッ
ドに関する。

【０００２】

【従来の技術】各種の磁気ヘッド、例えばハードディス
ク・ドライブの磁気記録再生ヘッドの再生磁気ヘッドと
して、短波長感度に優れた磁気抵抗効果磁気ヘッド（以
下、ＭＲ磁気ヘッドと称する。）が用いられる方向にあ
る。

【０００３】この磁気ヘッドにおいて浮上型構成をとる
場合、例えば図６に示すように、ハードディスク等の磁
気記録媒体５１に対し、例えばこの磁気記録媒体５１の
回転による相対的移行による空気流によって浮上するス
ライダ５２が設けられ、これに磁気ヘッド５３、例えば
インダクティブ型磁気ヘッドによる記録ヘッドと、ＭＲ
磁気ヘッドによる再生ヘッドとが一体に形成された複合
型の磁気ヘッドが配置される。なお、上記スライダ５２
には、このスライダ５２を支持する弾性部材よりなるジ
ンバル５４が設けられる。

【０００４】図７は、この複合型薄膜磁気ヘッド５３の
一部を断面とした拡大斜視図である。この複合型薄膜磁
気ヘッド５３においては、上述したスライダ５２自体、
或いはこれに取付けられる基板等よりなる基体５５上に
、磁気記録媒体５１との対接ないしは対向面、すなわち
ＡＢＳ（エア・ベアリング・サーフェス）面５６に臨ん
でその前方端部間に磁気ギャップｇを形成する第１及び
第２の薄膜磁気コア５７，５８が積層されてなる。そし
て、上記磁気ギャップｇ内に少なくとも磁気抵抗効果薄
膜（以下、ＭＲ薄膜と称する。）よりなる磁気抵抗効果
感磁部（以下、ＭＲ感磁部と称する。）５９の一端或い
はその一電極６０ａが上記ＡＢＳ面５６に臨むようにし
て配置される。

【０００５】また、上記ＡＢＳ面５６と反対側には、上
記ＭＲ感磁部５９の他方の電極６０ｂが上記一電極６０
ａと略平行に設けられる。なお、これら電極６０ａ，６
０ｂは、いずれも導電薄膜によって形成される。また、
上記ＭＲ感磁部５９の略中央部には、このＭＲ感磁部５
９への通電によってこのＭＲ感磁部５９に所要の向きの
磁化状態を与え、磁気抵抗効果特性が優れた直線性と高
い感度を示す特性領域で動作するようになすバイアス導
体６１が、絶縁層６２を介して上記ＭＲ感磁部５９を横
切る形で設けられる。そしてさらに、上記薄膜磁気コア
５７，５８の接続部である磁気的結合部を取り囲むよう
にヘッド巻線６３が設けられる。なお、これらバイアス
導体６１とヘッド巻線６３は、共に導電性薄膜によって
形成される。

【０００６】このように形成された複合型薄膜磁気ヘッ
ド５３は、第１及び第２の薄膜磁気コア５７，５８間に
ＭＲ感磁部５９を配置したいわゆるシールド型構成のＭ
Ｒ磁気ヘッドと、上記第１及び第２の薄膜磁気コア５７
，５８よる磁路上にヘッド巻線６３が巻装されてなるイ
ンダクティブ型磁気ヘッドを有したいわゆる複合型の磁
気ヘッド構成とされる。なお、上記ＭＲ磁気ヘッドは、
図８にその回路図を示すように、ＭＲ感磁部５９の一端
が接地電位Ｖｓｓとされ、両端間すなわち電極６０ａ，
６０ｂ間に定電流源６４からセンス電流ｉｓを通じ、磁
気記録媒体５１上の記録に基づく信号磁界による抵抗変
化を電圧変化として検出する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、磁気記録媒
体５１の表面には、上述した空気流等によって静電気（
電荷）が発生し蓄積されるようになっている。したがっ
て、上述の磁気ヘッド５３が動作開始時または停止時に
近接ないしは接触すると、接地状態にあるＭＲ感磁部５
９のＡＢＳ面５６に臨んでいるＭＲ薄膜の端部或いはそ
の電極６０ａとの間に放電が生じ、この放電による大き
な電流がＭＲ薄膜に流れる。つまり、磁気記録媒体５１
上に蓄積された電荷がヘッドに飛び込んできて、ＭＲ薄
膜に流れることになる。ところが、ＭＲ薄膜はその感度
の問題からその厚みが数百Åという極めて薄い金属薄膜
よりなることから、この放電電流によって破壊してしま
うという事故、つまり静電破壊が生ずる。そこで本発明
は、上述の実情に鑑みて提案されたものであって、磁気
記録媒体からの電荷飛び込みによる静電破壊を回避する
ことが可能な信頼性の高い磁気抵抗効果磁気ヘッドを提
供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、第１の本発明は、本例のヘッドの一部を断面とし
た斜視図を図１に示し、その回路図を図２に示すように
、各前方端部間に、磁気記録媒体（図示は省略する。）
との対接ないしは対向面（ＡＢＳ面４）、すなわちスラ
イダ型磁気ヘッドにおいてはそのＡＢＳ面４に臨んで磁
気ギャップｇを形成する第１及び第２の薄膜磁気コア１
，２が積層され、その磁気ギャップｇ内に、少なくとも
ＭＲ感磁部５の一端或いはその一電極７ａが、磁気記録
媒体との対接ないしは対向面に臨んで配置され、第２の
薄膜磁気コア２に近接して設けられ且つ接地された良導
電性層１１を磁気記録媒体との対接ないしは対向面に臨
んで形成した構成とする。

【０００９】第２の発明は、良導電性層１１が上記第２
の薄膜磁性コア２と電気的に接続する構成とする。

【００１０】第３の発明は、良導電性層１１が上記ＭＲ
感磁部５の一電極７ａと電気的に接続する構成とする。

【００１１】第４の発明は、図４および図５に本例のヘ
ッドの断面図を示すように、前方端部間に、磁気ギャッ
プｇを形成する少なくとも一方が導電性を有する第１及
び第２の薄膜磁気コア１，２が積層され、磁気ギャップ
ｇ内に、ＭＲ感磁部５が、その一端部或いはその一方の
電極７ａが第１及び第２の薄膜磁性コア１，２の前方端
面より後退して配置した構成とし、さらに第１及び第２
の薄膜磁性コア１，２の少なくとも一方を接地する。

【００１２】すなわち、具体的には、例えば浮上型磁気
ヘッドにおいては、図４に示すように、ＡＢＳ面４と同
一面に第１及び第２の薄膜磁気コア１，２の前方端面を
配置し、これより後退してＭＲ感磁部５の前方端、或い
は一方の電極７ａを配置するか、或いは、図５に示すよ
うに、そのＡＢＳ面４と同一面にＭＲ感磁部５の前方端
、或いは一方の電極７ａを臨ましめ、第１及び第２の薄
膜磁気コア１，２をこれより突出させる。

【００１３】

【作用】上述の第１の発明によれば、磁気記録媒体との
対接ないしは対向面に臨んで第２の薄膜磁気コアの近傍
に、ＭＲ感磁部に比して抵抗が小さく接地された良導電
性層が存在していることによって、磁気記録媒体が帯電
状態にあってこれと磁気ヘッドとの間に放電が生じる場
合、その放電電流はＭＲ感磁部に流れることなく、良導
電性層を通じて流れ、ＭＲ感磁部の焼損事故が回避され
る。つまり、静電破壊が回避される。

【００１４】第２の発明によれば、良導電性層が第２の
薄膜磁気コアと電気的に接続されているので、良導電性
層と第２の薄膜磁気コア間の電位と磁気ギャップ部での
電位が略等しくなり、上記磁気ギャップ部への磁気記録
媒体からの電荷の飛び込みが抑制される。

【００１５】そして、第３の発明によれば、良導電性層
が磁気記録媒体との対接ないしは対向面に臨むＭＲ感磁
部の一電極と電気的に接続されているので、磁気記録媒
体から飛び込んできた電荷がＭＲ感磁部を通ることなく
、速やかにこのＭＲ感磁部の一電極を通じて良導電性層
へと流れる。

【００１６】そしてさらに、第４の発明によれば、ＭＲ
感磁部は、接地された第１の薄膜磁気コア１または第２
の薄膜磁気コアより後退した位置に配置されるので、上
述したような放電が生じた場合において、その放電電流
は接地された第１の薄膜磁気コアまたは第２の薄膜磁気
コア側に流れ、ＭＲ感磁部へ流れることがない。したが
って、ＭＲ感磁部の焼損等の事故を効果的に回避でき、
静電破壊が防止される。

【００１７】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて説明するが、本実施例では、本発明にかかる磁気抵
抗効果磁気ヘッドを、ＭＲ磁気ヘッドによる再生磁気ヘ
ッドと、インダクティブ型磁気ヘッドによる記録ヘッド
を一体に構成した複合型薄膜磁気ヘッドに適用した例と
して説明する。先ず、第１の発明ないし第３の発明を適
用した磁気抵抗効果磁気ヘッドの具体的な実施例につい
て説明する。

【００１８】本実施例の磁気抵抗効果磁気ヘッドにおい
ては、図１に示すように、前方端部間に磁気ギャップｇ
を形成する一対の薄膜磁気コア１，２がスライダに取付
けられる基体３上に所定の間隔を持って積層形成されて
いる。これら薄膜磁気コア１，２のうち一方の薄膜磁気
コア１は、上記基体３上に直接設けられ、磁気記録媒体
（図示は省略する。）との対接ないしは対向面となるＡ
ＢＳ面４にその一端を臨ませるようにこのＡＢＳ面４に
対して略直交する方向に延在して設けられている。一方
、他方の薄膜磁気コア２も同様に、上記ＡＢＳ面４にそ
の一端を臨ませるようにこのＡＢＳ面４に対して略直交
する方向に延在して設けられている。また、この薄膜磁
気コア２は、上記ＡＢＳ面４に臨む前方端部が上記一方
の薄膜磁気コア１へ屈曲形成され、この前方端部間に上
記ＡＢＳ面４に臨む磁気ギャップｇを形成するようにな
っている。さらに、この薄膜磁気コア２は、後方端部で
上記一方の薄膜磁気コア１と磁気的に接触しバックギャ
ップを形成している。

【００１９】上記第１の薄膜磁気コア１と第２の薄膜磁
気コア２の間には、磁気抵抗効果感磁部となるＭＲ感磁
部５が設けられている。上記ＭＲ感磁部５は、ＡＢＳ面
４にその一端を臨ませるようにこのＡＢＳ面４に対して
略直交する方向に延在して設けられ、その後端部が上記
第１及び第２の薄膜磁気コア１，２の略中途部に至る位
置まで設けられている。なお、このＭＲ感磁部５は、上
記基体３上に設けられる薄膜磁気コア１との絶縁をとる
ため、第１の絶縁層６ａを介して上記薄膜磁気コア１上
に設けられている。

【００２０】そして、上記ＭＲ感磁部５には、このＭＲ
感磁部５に後述する定電流源（図示は省略する。）から
のセンス電流を通ずるための一対の電極７ａ，７ｂが設
けられている。これら電極７ａ，７ｂは、上記ＭＲ感磁
部５の長手方向における両端部にそれぞれその先端部を
積層する形で、このＭＲ感磁部５の長手方向と略直交す
る方向に延在して設けられている。そしてこれら電極７
ａ，７ｂのうち、ＡＢＳ面４側に設けられる電極７ａは
、その幅方向の一側縁を上記ＡＢＳ面４に呈するように
なっている。なお、上記ＡＢＳ面４側に設けられる一電
極７ａの後端部は、上記ＡＢＳ面４に対して斜め後方に
屈曲されるようになっている。

【００２１】そして、上記ＭＲ感磁部５の上には、第２
の絶縁層６ｂを介してＭＲ感磁部５への通電によってこ
のＭＲ感磁部５に所要の向きの磁化状態を与え、磁気抵
抗特性が優れた直線性と高い感度を示す特性領域で動作
するようになすバイアス導体８が設けられている。上記
バイアス導体８は、上記一対の電極７ａ，７ｂ間に設け
られるとともに、その先端部を上記ＭＲ感磁部５の上に
積層する形で、これら電極７ａ，７ｂと略平行に設けら
れている。

【００２２】また、上記第１の薄膜磁気コア１と第２の
薄膜磁気コア２の接続部である磁気的結合部９には、こ
の磁気的結合部９を取り囲むようにスパイラル状のヘッ
ド巻線１０が設けられている。上記ヘッド巻線１０は、
上記第１の薄膜磁気コア１と第２の薄膜磁気コア２に記
録情報に応じた電流を供給する役目をするものである。 このヘッド巻線１０は、この上に設けられる第２の薄膜
磁気コア２との絶縁性を確保するために、第３の絶縁層
６ｃによって埋め込まれている。

【００２３】そして特に、本例の磁気ヘッドでは、上記
第２の薄膜磁気コア２の上に第４の絶縁層６ｄを介して
磁気記録媒体から磁気ギャップ部に飛び込んでくる電荷
をアースに逃がすための接地した良導電性層１１が設け
られている。上記良導電性層１１は、導電性を有するＡ
ｕメッキ等によって上記ＡＢＳ面４に臨むようにして上
記基体５の全面に亘って形成されるとともに、その一部
が上記第２の薄膜磁気コア２と電気的に接続されるよう
になっている。したがって、上記磁気ギャップ部での電
位と、良導電性層１１と第２の薄膜磁気コア２間の電位
が略等しくなり、磁気記録媒体からの上記磁気ギャップ
部への電荷の飛び込みが抑制される。なお、上記良導電
性層１１と第２の薄膜磁気コア２が電気的に接続される
コア接続部１２は、上記第２の薄膜磁気コア２との接続
が確実なものとなれば特に位置は限定されないが、本例
では上記第２の薄膜磁気コア２の略中央部に設けた。

【００２４】そしてさらに本例の磁気ヘッドでは、磁気
記録媒体からの電荷を上記ＭＲ感磁部５に流さないよう
にするため、上記良導電性層１１とＡＢＳ面４に臨むＭ
Ｒ感磁部５の一電極７ａを接続している。すなわち、上
記ＭＲ感磁部５の一電極７ａと良導電性層１１は、上記
一電極７ａの後端部の上に積層される絶縁層６ｂ，６ｃ
，６ｄを取り除いて形成された直方体状の孔に導電性を
有するＣｕメッキ等を埋め込んでなる連結導電層１３に
よって電気的に連結される。したがって、磁気記録媒体
から電荷が磁気ギャップ部に飛び込んできた場合には、
電荷はＭＲ感磁部５を通らずにこのＭＲ感磁部５に接続
される電極７ａに流れ、上記連結導電層１３を介して接
地された良導電性層１１へと流れる。この結果、ＭＲ感
磁部５への電荷の飛び込みが防止され、静電破壊が回避
される。

【００２５】上述のように構成された磁気抵抗効果磁気
ヘッドは、図２にその回路図を示すように、ＭＲ感磁部
５の一端が接地電位Ｖｓｓとされ、両端間すなわち電極
７ａ，７ｂ間に定電流源１４からセンス電流ｉｓを通じ
、磁気記録媒体上の記録に基づく信号磁界による抵抗変
化を電圧変化として検出するように構成されている。

【００２６】なお、上述の磁気抵抗効果磁気ヘッドにお
いては、ＭＲ感磁部５を例えば図３に示すような構成と
してもよい。すなわち、ＳｉＯ２　等よりなる非磁性絶
縁層１５を介して静磁的に結合する一対のＭＲ薄膜１６
，１７を積層するようにしてもよい。このようにすれば
、磁壁の発生を回避してバルクハウゼンノイズの縮小化
を図ることができる。

【００２７】ところで、上述の磁気抵抗効果磁気ヘッド
を作製するには、次のようにして行う。先ず、スライダ
に取付けられる基体３上に、所要のパターンにＦｅ−Ｎ
ｉ等よりなる第１の薄膜磁気コア１を周知のいわゆるフ
レームメッキ法によって形成する。次に、上記第１の薄
膜磁気コア１を埋め込むようにＳｉＯ２　，Ａｌ２　Ｏ
３　等の非磁性の第１の絶縁層６ａをスパッタ等の手法
によって形成する。次いで、上記第１の絶縁層６ａの表
面を平坦化し、この上にＭＲ感磁部５となるＮｉ−Ｆｅ
，Ｎｉ−Ｃｏ，Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ等よりなるＭＲ薄膜を
形成する。上記ＭＲ感磁部５は、その一端部がＡＢＳ面
４に臨むように、且つこのＡＢＳ面４に対して直交する
方向に延在して設ける。

【００２８】次に、上記ＭＲ感磁部５の長手方向の両端
部の上に、このＭＲ感磁部５と略直交方向に端子ないし
は配線部をも構成する導電層を所定のパターンに形成し
、電極７ａ，７ｂを形成する。そしてこれらを覆って、
上記第１の薄膜磁気コア１の上に設けた絶縁層６ａと同
じＳｉＯ２　，Ａｌ２　Ｏ３　等よりなる第２の絶縁層
６ｂを形成する。次に、上記ＭＲ感磁部５の略中央部を
横切ってバイアス導体８を形成するとともに、これと同
時に磁気的結合部９を取り込むようにして薄膜導電層よ
りなるヘッド巻線１０をスパイラル状に形成する。

【００２９】そしてさらに、これらバイアス導体８およ
びヘッド巻線１０を覆って第３の絶縁層６ｃを形成する
。次に、上記ヘッド巻線１０の中心部において、上記第
１の絶縁層６ａ、第２の絶縁層６ｂ、第３の絶縁層６ｃ
を取り除き、上記第１の薄膜磁気コア１と第２の薄膜磁
気コア２を磁気的に接続させるための窓部を形成する。 次に、この窓部内を含め上記第３の絶縁層６ｃの上にＮ
ｉ−Ｆｅ等よりなる磁性薄膜をスパッタリングし、第２
の薄膜磁気コア２を形成する。この結果、上記窓部内で
第２の薄膜磁気コア２と第１の薄膜磁気コア１が接続す
る。なお、上記第１の薄膜磁気コア１と第２の薄膜磁気
コア２の接続は、上記窓部に所要の厚みの磁性層を埋め
込むことによって磁気的に結合するようにしてもよい。

【００３０】そして、上記第２の薄膜磁気コア２の上に
第４の絶縁層６ｄを形成し、この絶縁層６ｄの表面を平
坦化する。次いで、先の工程で形成したＡＢＳ面４に臨
んで設けられた一電極７ａの後端部の一部を露出させる
ための孔部を形成する。すなわち、上記電極７ａ上に順
次積層された第２の絶縁層６ｂ、第３の絶縁層６ｃ、第
４の絶縁層６ｄを直方体状に取り除く。そして、この孔
部に、Ｃｕメッキをしてこの孔部を充填せしめ、後述の
良導電性層１１と電気的に接続を図る連結導電層１３を
形成する。本例では、上記連結導電層１３は、高さ２０
〜４０μｍとした。

【００３１】そして、上記連結導電層１３と接続させる
とともに、上記第２の薄膜磁気コア２の一部と接続する
ように、上記第４の絶縁層６ｄ上にＡｕメッキを施して
良導電性層１１を形成する。そして最後に、上記良導電
性層１１に外部リード、フレキシブルプリント基板等を
ボンディングし、上記ＭＲ感磁部５の一電極７ａを接地
電位Ｖｓｓと接続する。

【００３２】次に、第４の発明を適用した磁気抵抗効果
磁気ヘッドの具体的な実施例について説明する。本実施
例の磁気抵抗効果磁気ヘッドは、図４および図５に示す
ように、先の図１に示す磁気ヘッドと略同じ構成とされ
るが、基体３上に積層形成される一対の薄膜磁気コア１
，２のうち少なくとも一方を良導電性を有するＮｉ−Ｆ
ｅ等によって形成するとともに、その一方を接地Ｖｓｓ
する。本例では、第２の薄膜磁気コア２を接地した。 そしてさらに、この磁気ヘッドにおいては、ＭＲ感磁部
５の前方端面或いはその電極７ａの前方端面が、上記第
１及び第２の薄膜磁気コア１，２のＡＢＳ面４に臨む前
方端面よりバック側へ後退するようになされている。こ
のように構成することによって、磁気記録媒体から飛び
込んでくる電荷は、接地された第２の薄膜磁気コア２へ
流れ、ＭＲ感磁部５へ流れることがない。したがって、
静電破壊を回避することができ、ＭＲ感磁部５を保護す
ることができる。

【００３３】なお、図４は第１及び第２の薄膜磁気コア
１，２の前方端面をＡＢＳ面４と同一面とし、ＭＲ感磁
部５の前方端面或いはその電極７ａの前方端面を上記第
１及び第２の薄膜磁気コア１，２の前方端面より後退さ
せた例である。一方、図５はＭＲ感磁部５の前方端面と
その電極７ａの前方端面をＡＢＳ面４と同一面とし、第
１及び第２の薄膜磁気コア１，２の前方端面をＡＢＳ面
４より突出させた例である。また、これら図４及び図５
においては、図１と対応する部分には同一の符号を付し
その説明は省略した。

【００３４】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、第１
の発明によれば、磁気記録媒体との対接ないしは対向面
に臨んで接地された良導電性層がＭＲ感磁部の近傍に配
置された構成をとるので、磁気記録媒体が帯電状態にあ
ってもこれと磁気ヘッドとの間の放電電流はＭＲ感磁部
に流れ難くなり、上記良導電性層を通じて流れる。した
がって、本発明によれば、ＭＲ感磁部を焼損させる等の
事故を回避することができる。

【００３５】また、第２の発明によれば、良導電性層と
第２の薄膜磁気コアを電気的に接続しているので、磁気
ギャップ部と、この良導電性層と第２の薄膜磁気コア間
の電位が略等しくなり、磁気記録媒体からの電荷の上記
磁気ギャップ部への飛び込みが抑制される。

【００３６】そして第３の発明によれば、良導電性層と
ＭＲ感磁部のＡＢＳ面に臨む電極を電気的に接続してい
るので、磁気記録媒体からの電荷が上記ＭＲ感磁部へ流
れることなく、上記電極を通じて接地された良導電性層
へと流れる。したがって、これら第１ないし第３の発明
によれば、ＭＲ感磁部を焼損させる等の事故を回避する
ことができ、静電破壊を効果的に回避できる。

【００３７】そしてさらに第４の発明によれば、ＭＲ感
磁部の前方端部或いはその電極の前方端部を接地した第
１及び第２の薄膜磁気コアの前方端面より後退する位置
に配置しているので、上記放電電流はこの接地された第
１または第２の薄膜磁気コアへ流れ、ＭＲ感磁部を焼損
させる等の事故を効果的に回避することができる。した
がって、これら本発明においては、信頼性の高い磁気ヘ
ッドを得ることができ、実用上の利益は極めて大である
。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した複合型磁気ヘッドを一部破断
して示す拡大斜視図である。

【図２】図１の複合型磁気ヘッドの概略的な回路図であ
る。

【図３】ＭＲ感磁部の一例を示す概略的な拡大断面図で
ある。

【図４】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの他の例を
示す要部拡大断面図である。

【図５】本発明を適用した複合型磁気ヘッドのさらに他
の例を示す要部拡大断面図である。

【図６】磁気ヘッドスライダの一例を示す斜視図である
。

【図７】従来の複合型磁気ヘッドを一部破断して示す拡
大斜視図である。

【図８】図７の複合型磁気ヘッドの概略的な回路図であ
る。

【符号の説明】

１・・・第１の薄膜磁気コア ２・・・第２の薄膜磁気コア ４・・・ＡＢＳ面 ５・・・ＭＲ感磁部 ７ａ，７ｂ・・・電極 ８・・・バイアス導体 １０・・・ヘッド巻線

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　前方端部間に磁気記録媒体との対接な
   いしは対向面に臨んで磁気ギャップを形成する第１及び
   第２の薄膜磁気コアが積層され、上記磁気ギャップ内に
   少なくとも磁気抵抗効果感磁部の一端或いはその一電極
   が、上記磁気記録媒体との対接ないしは対向面に臨んで
   配置され、上記第２の薄膜磁気コアに近接して設けられ
   且つ接地された良導電性層が上記磁気記録媒体との対接
   ないしは対向面に臨んで形成されたことを特徴とする磁
   気抵抗効果磁気ヘッド。
2. 【請求項２】　　上記良導電性層が上記第２の薄膜磁気
   コアと電気的に接続されてなる請求項１記載の磁気抵抗
   効果磁気ヘッド。
3. 【請求項３】　　上記良導電性層が上記磁気抵抗効果感
   磁部の一電極と電気的に接続されてなる請求項２記載の
   磁気抵抗効果磁気ヘッド。
4. 【請求項４】　　前方端部間に磁気ギャップを形成する
   少なくとも一方が導電性を有する第１及び第２の薄膜磁
   気コアが積層され、上記磁気ギャップ内に、磁気抵抗効
   果感磁部が、その一端部或いはその一電極が上記第１及
   び第２の薄膜磁気コアの上記前方端部の前方端面より後
   退して配置され、上記第１及び第２の薄膜磁気コアの少
   なくとも一方が接地されてなることを特徴とする磁気抵
   抗効果磁気ヘッド。