JPH04211026A - 飽和した、ふつ素を含有するが塩素を含有しない炭化水素の製造方法 - Google Patents

飽和した、ふつ素を含有するが塩素を含有しない炭化水素の製造方法

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JPH04211026A
JPH04211026A JP3038038A JP3803891A JPH04211026A JP H04211026 A JPH04211026 A JP H04211026A JP 3038038 A JP3038038 A JP 3038038A JP 3803891 A JP3803891 A JP 3803891A JP H04211026 A JPH04211026 A JP H04211026A
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    • C07C17/23Preparation of halogenated hydrocarbons by dehalogenation

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
[00011本発明は飽和したふっ素含有、塩素非含有
炭化水素の製造のための改良方法に関する。 [0002]  1. 1. 1. 4. 4. 4−
ヘキサフルオロブタンは2−クロロ−及び/又は2,3
−ジクロロ−1、1,1,4,4,4−へキサフルオロ
ブテンの50±10℃における接触水素化によって取得
することができるということは公知である(ファンヤオ
ゼンら、Y。 u j i  Huoxue (2)、125〜128
頁(1984) 、C,A、101.54548u参照
)。この場合に反応後に存在する混合物は、2−クロロ
化合物から出発するときは56%、2,3−ジクロロ化
合物から出発するときは18%のみの所望の1. 1.
 1.4.4゜4−へキサフルオロブタンを含有するに
すぎない。 [0003]飽和した、ふっ素を含有するが塩素を含有
しない炭化水素は、最近、地球雰囲気のオゾン層に対し
て悪影響を有していない、合成フオーム材料のための絶
縁及び発泡ガスとして、またヒートポンプ系のための作
動液体として、特別な工業的関心を得ている(たとえば
、ドイツ公開特許明細書箱3,735,467号及びド
イツ公開特許明細書箱3.818.692号参照)。 [0004]式(I) [0005]
【化5】 RI  CH2CH2Rt         (1)[
0006]式中でRは、それぞれ、 [0007]
【化6】 +CF 9)−CF s [0008]を表わし、ここでnは0〜7であり、但し
両方のnの合計は10以下であり、あるいは両方のRは
共同して [0009]
【化7】 CF2 CF2  CF2− [00101を表わす、の、飽和した、ふっ素を含有し
塩素を含有しない炭化水素は、式(I)[00111
【化8] R,−CX=CC1−R,(l l) [00121式中でXは水素又は塩素を表わし、且つR
は式(I)中に記した意味を有する、 の飽和した、ふっ素及び塩素含有炭化水素の接触的水素
化に際し、水素化を80℃よりも高い温度において気相
で行なうことを特徴とする改良方法によって製造するこ
とができるということがここに見出された。 [0013]式(I)及び(II)中のRは、nが0〜
2である場合の [0014] 【化9】 (CF 2)、CF s [0015]であることが好ましい。 [0016]式(II)の出発化合物は2−クロロ−1
、1,1,4,4,4−ヘキサフルオロブドー2−エン
、2,3−ジクロロ−1,1,1,4,4,4−へキサ
フルオロブドー2−エン、1−クロロ−3,3,4゜4
、 5. 5−ヘキサフルオロシクロペンテン及び1,
2−ジクロロ−3,3,4,4,5,5−ヘキサフルオ
ロシクロペンテンである。これらの化合物はすべて公知
であり、容易に入手することができる。 [0017]接触的水素化は、たとえば、式(II)の
化合物と水素の混合物を、強固に付着した水素化触媒上
に通じることにより、公知の方法で行なうことができる
。式(II)の化合物の水素に対するモル比は、たとえ
ば、1:3〜1:50とすることができる。この比は1
:4〜1:20であることが好ましい。 [0018]水素化は、たとえば、常圧又は加圧下に、
たとえば、常圧から20バールまでの範囲で行なうこと
ができる。常圧で行なうことが好ましい。 [0019]適当な水素化触媒は特に担体材料上に遷移
金属を含有するものである。遷移金属の中でも、パラジ
ウムと白金、特にパラジウムが好ましい。担体材料の例
は、たとえば炭素繊維、石油コークス又は活性炭の形態
にある炭素、アルミナ、シリカ、硫酸バリウム、スピネ
ル、けい酸塩及び二酸化チタンである。活性炭とリチウ
ム−アルミニウムスピネルが好適である。触媒は、たと
えば、11の担体材料について0.5〜50gの遷移金
属を含有することができる。この含量は2〜20g/l
の範囲であることが好ましい。 [00201反応混合物の流速と触媒量は、たとえば、
20〜2000g/l・時間の範囲の触媒重量時間当り
空間速度のような具合に選ぶことができる。50〜80
0g/l・時間の範囲の重量時間当り空間速度が好適で
ある。 [0021]本発明の本質的な特徴は、接触的水素化を
80℃よりも高い温度で行なうことである。90〜40
0℃、特に95〜250℃の範囲の温度が好ましい。 [0022]驚くべきことに、本発明による式(I)の
ふっ素含有、塩素非含有飽和炭化水素は、比較的低い温
度で行なう公知の方法におけるよりも著るしく良好な収
率で取得することができる。本発明の方法においては、
転化率と選択率は一般に、いずれも80%以上であり、
転化率はしばしば90%を越える。それ故、選択率は温
度の上昇と共に低下することが多く、且つ比較的高い温
度においては本発明にしたがって使用すべき物質の場合
には、ぶつ化水素の脱離の危険、従ってふっ素化の程度
の低い生成物の生成のおそれが付加的に存在することか
ら、このことは、特に驚くべきことである。 [0023]本発明による反応後に存在する混合物は、
たとえば、生成した塩化水素を気体として逸出させたの
ち、常温において残る残留物を蒸留することによって、
後処理することができる。特に純粋な式(I)の化合物
を取得するためには、反応後に存在する混合物を、たと
えば、アルカリ水溶液によって洗浄し、次いで有機相を
分離して、炭素とマグネシウム上で蒸留すればよい。 [0024]
【実施例】実施例の遂行において用いた装置の説明:加
熱することができる垂直石英管に、それぞれの場合に指
示した200m1の触媒を充填し、窒素によるフラッシ
ング後に、それぞれの場合に指示した仕込みを、常圧で
装入した。25分後に、石英管を離れる気体をガスクロ
マトグラフィーによって調べた。 [0025]実施例 1 仕込み:0.37モル/時間のCF3  CH=CCI
  CF3.2,5モル/時間の水素。 [0026]触媒:Li−Alスピネル上のパラジウム
(18g/l)。 [0027]反応条件:150℃、常圧。 [0028]触媒重量時間当り空間速度:360g/l
・時間。 [00291転化率=91%。 [00301CF3  CH2CH2CF3に対する選
択率=78% 実施例 2 仕込み:0.66モル/時間のCF3  CH=CCI
  CF3.3モル/時間の水素。 [0031]触媒:実施例1と同じ。 [0032]反応条件:200℃、常圧。 [0033]触媒重量時間当り空間速度:650g/l
・時間。 [0034]転化率=86%。 [0035] CF3CH2CH2CF3に対する選択
率:81%。 [0036]実施例 3 仕込み:0.41モル/時間のCF3  CH=CCI
  CF3.2.5モル/時間の水素。 [0037]触媒:活性炭上のパラジウム(5g/l)
。 [0038]反応条件:100℃、常圧。 [0039]触媒重量時間当り空間速度:410g/l
・時間。 [00401転化率:100%。 [0041] CF3CH2CH2CF3に対する選択
率=100% 実施例 4 仕込み:0.33モル/時間のCFs  CH=CCI
  CF3.2モル/時間の水素。 [0042]触媒:実施例3におけると同じ。 [0043]反応条件:200℃、常圧。 [0044]触媒重量時間当り空間速度:320g/l
・時間。 [00451転化率=89%。 [0046] CFs−CH2CH2CF3に対する選
択率:91% 実施例 5 仕込み:0.41モル/時間のCF3  CH=CCI
  CF3.2.5モル/時間の水素。 [0047]触媒: L i −A Iスピネル上のパ
ラジウム(5g/ 1 )。 [0048]反応条件=100℃、常圧。 [0049]触媒重量時間当り空間速度:410g/l
・時間。
【0050】転化率=82%。 [00511CFs  CH2CH2CF3に対する選
択率:83% 実施例 6 仕込み:0.37モル/時間のCF3  CH=CCI
  CF3.3.7モル/時間の水素。 [0052]触媒: L i −A Iスピネル上のパ
ラジウム(18g/l)。 [0053]反応条件=150℃、常圧。 [0054]触媒重量時間当り空間速度:440g/l
・時間。 [0055]転化率=98%。 [0056] CFs  CH2CH2CF3に対する
選択率: 81.5% 実施例 7 200℃の温度を用いるほかは実施例5におけると同様
に遂行。 [00571転化率:93.9%。 [0058] CF3  CH2CH2CF3に対する
選択率:84.3%。 [0059]実施例 8 仕込み: 0.17モル/時間のCF3  CX=CC
1CF3.2.5モル/時間の水素。 [00601触媒:実施例6におけると同じ。 [00611反応条件:200℃、常圧。 [0062]触媒重最時間当り空間速度:200g/l
・時間。 [0063]転化率:99.5%。 [0064] CF3  CH2CH2CF3に対する
選択率:93.3% 実施例 9 仕込み: 0.17モル/時間の1,2−ジクロロへキ
サフルオロシクロペンテン、2.5モル/時間の水素。 [0065]触媒:Li−Alスピネル上のパラジウム
(18g/l)。 [0066]反応条件:200℃、常圧。 [0067]触媒重最時間当り空間速度:210g/l
・時間。 [0068]転化率:98.5%。 [0069]  1. 1. 2. 2. 3. 3−
へキサフルオロシクロプロパンに対する選択率=98%
実施例 10 仕込み=7.7時間の経過における6、3の1,2−ジ
クロロへキサフルオロシクロペンテン、45モルの水素
。 [0070]触媒:実施例9におけると同じ。 [0071]反応条件:200℃、常圧。 [0072]触媒重量時間当り空間速度:200g/l
・時間。 [0073]収率:1,035g。 [0074]  1. 1. 2. 2. 3. 3−
へキサフルオロシクロプロパンに対する選択率=97%
本発明の主な特徴および態様を記すと次のとおりである
。 [0075] 1.式(II) [0076]
【化10】 R,−CX=CC1−R,(l I) [0077]式中でXは水素又は塩素を表わし、且つR
は、それぞれ、 [0078]
【化11】 (CF 2 )−CF s [0079]を表わし、ここでnは0〜7であり、但し
両方のnの合計は10以下であり、あるいは両Rが共同
して
【0080】
【化12】 CF2  CF2  CFK−
【0081】を表わす、の飽和した、ふっ素及び塩素を
含有する炭化水素を接触的に水素化することによる、式
() %式%]
【13】 (1) [0083]式中でRは式(II)において示した意味
を有する、 の飽和した、ふっ素を含有するが塩素を含有しない炭化
水素の製造方法において、水素化を80℃よりも高い温
度において気相で行なうことを特徴とする該方法。 [0084] 2、式(II)の化合物の水素に対するモル比は1:3
乃至1:50であることを特徴とする上記第1項記載の
方法。 [0085] 3、常圧から20バールに至るまでの範囲の圧力で行な
うことを特徴とする上記第1〜2項記載の方法。 [0086] 4、担体材料上の遷移金属を触媒として使用することを
特徴とする上記第1〜3項記載の方法。 [0087] 5、炭素、アルミナ、シリカ、硫酸バリウム、スピネル
、けい酸塩又は二酸化チタン上のパラジウム又は白金を
触媒として使用することを特徴とする上記第1〜4項記
載の方法。 [0088] 6、反応混合物の流速と触媒量は20〜2,000g/
l・時間の範囲の触媒重量時間当り空間速度が生じるよ
うに選ぶことを特徴とする上記第1〜5項記載の方法。 [0089] 7.90〜400℃の範囲の温度で行なうことを特徴と
する上記第1〜6項記載の方法。 [00901 8,95〜250℃の範囲の温度で行なうことを特徴と
する上記第1〜7項記載の方法。 (72)発明者

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 式(I I) 【化1】 R,−CX=CC1−Rf        (ID式中
    でXは水素又は塩素を表わし、且つRは、それぞれ、 【化2] (CF2)、、CF3 を表わし、ここでnは0〜7であり、但し両方のnの合
    計は10以下であり、あるいは両Rが共同して【化3】 CF2  CF2  CF2− を表わす、の飽和した、ふっ素及び塩素を含有する炭化
    水素を接触的に水素化することによる、式(I)【化4
    】 RI  CH2−CH2Rt         (1)
    式中でRは式(II)において示した意味を有する、の
    飽和した、ふっ素を含有するが塩素を含有しない炭化水
    素の製造方法において、水素化を80℃よりも高い温度
    において気相で行なうことを特徴とする該方法。
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