JPH04210781A - Inverter unit - Google Patents

Inverter unit

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JPH04210781A
JPH04210781A JP2402081A JP40208190A JPH04210781A JP H04210781 A JPH04210781 A JP H04210781A JP 2402081 A JP2402081 A JP 2402081A JP 40208190 A JP40208190 A JP 40208190A JP H04210781 A JPH04210781 A JP H04210781A
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JP
Japan
Prior art keywords
switching element
voltage
circuit
secondary winding
drive signal
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2402081A
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Japanese (ja)
Inventor
Katsumi Sato
勝己 佐藤
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Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
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Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To suppress fluctuation of output current by producing ON and OFF drive signals for a switching element in synchronism with rising and falling of a voltage induced in a secondary winding and applying respective drive signals on the switching element with predetermined time lags behind rising and falling of the voltage. CONSTITUTION:ON and OFF drive signals for a switching element Q1 are produced in synchronism, respectively, with rising and falling of a voltage induced in a secondary winding n2 mounted on an inductance element L and applied on the switching element Q1 with predetermined time lags behind rising and falling of the voltage. Consequently, a sufficiently long ON interval can be ensured for the switching element Q1 and a steep reverse bias current can be fed upon turn OFF of the switching element Q1. According to the constitution, fluctuation of storage time of the switching element Q1 does not cause considerable fluctuation of ON interval resulting in suppression of output current fluctuation due to fluctuation of the switching element Q1.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

[0001] [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、直列に接続された一対
のスイッチング素子を交互にオン、オフさせて負荷に高
周波電力を供給するインバータ装置に関するものである
。 [0002]
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inverter device that supplies high-frequency power to a load by alternately turning on and off a pair of switching elements connected in series. [0002]

【従来の技術】図5はこの種のインバータ装置の従来例
を示している。このインバータ装置の動作は次のように
なる。まずインバータ回路3では直流電源Eに対してダ
イオードD1を介して接続している抵抗R1,R2の両
端電圧が略零となったことを制御回路2が検出すると、
制御回路2がパワーMO3FETからなるスイッチング
素子Q2に対してオン駆動信号を与えてオン動作させ、
直流電源Eと、抵抗R3及びコンデンサC1の並列回路
と、放電灯1、抵抗R4、コンデンサC2及びインダク
タンス素子りの1次捲線n+からなる共振回路とを通じ
て電流を流す。このスイッチング素子Q2のオン期間は
制御回路2の内部タイマ等で一定となっており、一定時
間後にオフとなる。 [0003]このスイッチング素子Q2のオン動作中に
おいて、インダクタンス素子りの2次捲線n2には電圧
が発生するが、バイポーラトランジスタからなるスイッ
チング素子1のベース・エミッタ間に逆バイアスの電圧
を印加するような極性に2次捲線n2が巻かれており、
そのためスイッチング素子Q、はオフ状態を維持する。 [0004]そしてスイッチング素子Q2がオフすると
、スイッチング素子Q2のトレイン電流が減少すること
により、インダクタンス素子りの残留インダクタンスは
逆方向の誘起電圧を発生し、インダクタンス素子りに流
れる振動電流が同一方向に流れようとするので、ダイオ
ードD1が導通する。またインダクタンス素子りの1次
捲線n1が逆方向の誘起電圧を発生することにより、2
次捲線n2より矢印aで示す電圧が発生し、スイッチン
グ素子Q1を順バイアスする。従ってスイッチング素子
Qhのベースに抵抗R5びコンデンサ3を介してオン駆
動信号が与えられることになり、スイッチング素子Q1
はオン状態となる。 [0005]ダイオードD1の電流が零になると、コン
デンサC1の蓄積電荷を電源として、スイッチング素子
Q1に電流Icが図示するように流れ、このときインダ
クタンス素子りに振動電圧が発生する。この振動電圧と
略同相のスイッチング素子Q1のベース電流は振動電圧
が低下するにつれて減少し、やがてスイッチング素子Q
lのコレクタ電流が遮断されることにより、スイッチン
グ素子Q、がオフする。スイッチング素子Q、がオフし
た後も、インダクタンス素子りに流れる振動電流が同一
方向に流れようとするので、スイッチング素子Q2に逆
並列接続された寄生の内部ダイオードが導通し、共振回
路、コンデンサC1、直流電源Eの経路で電流Idが図
示するように流れる。 [0006]スイツチング素子Q2の内部ダイオードが
導通すると、スイッチング素子Q2の両端電圧が零にな
るので、抵抗R1,R2の分圧出力も零となり、制御回
路2はその電圧の立ち下がりを検出してスイッチング素
子Q2にオン駆動信号を与える。以上の動作が繰り返さ
れることにより、スイッチング素子Q、、 Q2が交互
にオン、オフ動作して、放電灯1が高周波点灯される。 [00071図6は上記動作時の各部の波形を示してお
り、同図(a)はスイッチング素子Q2のゲート・ソー
ス間電圧を、同図(b)はスイッチング素子Q2のドレ
イン電流を 同図(C)は抵抗R2の両端電圧を、また
同図(d)はインダクタンス素子りの2次捲線n2の両
端電圧を、同図(e)はスイッチング素子Q、のコレク
タ電流及びダイオードD+の順方向電流を示す。 [0008]
2. Description of the Related Art FIG. 5 shows a conventional example of this type of inverter device. The operation of this inverter device is as follows. First, in the inverter circuit 3, when the control circuit 2 detects that the voltage across the resistors R1 and R2 connected to the DC power supply E via the diode D1 has become approximately zero,
The control circuit 2 applies an on drive signal to the switching element Q2 consisting of a power MO3FET to turn it on,
A current is passed through a DC power source E, a parallel circuit of a resistor R3 and a capacitor C1, and a resonant circuit consisting of a discharge lamp 1, a resistor R4, a capacitor C2, and a primary winding n+ of an inductance element. The on period of this switching element Q2 is fixed by an internal timer of the control circuit 2, etc., and turns off after a certain period of time. [0003] During the ON operation of the switching element Q2, a voltage is generated in the secondary winding n2 of the inductance element, but a reverse bias voltage is applied between the base and emitter of the switching element 1 consisting of a bipolar transistor. The secondary winding n2 is wound with a polarity of
Therefore, the switching element Q maintains an off state. [0004] When the switching element Q2 is turned off, the train current of the switching element Q2 decreases, so that the residual inductance of the inductance element generates an induced voltage in the opposite direction, and the oscillating current flowing through the inductance element flows in the same direction. Since the current tends to flow, the diode D1 becomes conductive. In addition, the primary winding n1 of the inductance element generates an induced voltage in the opposite direction.
A voltage indicated by an arrow a is generated from the next winding n2, and forward biases the switching element Q1. Therefore, an on-drive signal is applied to the base of the switching element Qh via the resistor R5 and the capacitor 3, and the switching element Q1
is in the on state. [0005] When the current in the diode D1 becomes zero, a current Ic flows through the switching element Q1 as shown in the figure, using the accumulated charge in the capacitor C1 as a power source, and at this time, an oscillating voltage is generated across the inductance element. The base current of the switching element Q1, which is approximately in phase with this oscillating voltage, decreases as the oscillating voltage decreases, and eventually the switching element Q1
By cutting off the collector current of I, the switching element Q is turned off. Even after the switching element Q is turned off, the oscillating current flowing through the inductance element tends to flow in the same direction, so the parasitic internal diode connected in antiparallel to the switching element Q2 becomes conductive, and the resonant circuit, capacitor C1, A current Id flows through the path of the DC power source E as shown. [0006] When the internal diode of the switching element Q2 becomes conductive, the voltage across the switching element Q2 becomes zero, so the divided voltage output of the resistors R1 and R2 also becomes zero, and the control circuit 2 detects the fall of the voltage. An on-drive signal is applied to the switching element Q2. By repeating the above operations, the switching elements Q, Q2 are alternately turned on and off, and the discharge lamp 1 is lit at high frequency. [00071 Figure 6 shows the waveforms of each part during the above operation, where (a) shows the gate-source voltage of switching element Q2, and (b) shows the drain current of switching element Q2. C) is the voltage across the resistor R2, (d) is the voltage across the secondary winding n2 of the inductance element, and (e) is the collector current of the switching element Q and the forward current of the diode D+. shows. [0008]

【発明が解決しようとする課題】ところで図5に示した
従来例のスイッチング素子Q1がオンからオフに移行す
る動作は、スイッチング素子Q1のベース電流がインダ
クタンス素子りに発生する振動電圧と略同相の電流とな
り、振動電圧が低下につれてベース電流も低下し、この
低下によりコレクタ電流が遮断されることにより、スイ
ッチング素子Q、がオフに移行するもので、ベースに急
峻な逆バイアス電流を流すことによって、オフされるも
のではない。従って、このようなベースバイアス方式の
場合、スイッチング素子Q、のばらつき(特にターンオ
フ時間やストレージタイム等)或いは温度特性によって
、スイッチング素子Q1のオン区間が大幅に変化し、そ
の変化によって出力電流が大幅に変動するという問題が
あった。 [00091本発明は上述の問題点に鑑みて為されたも
ので、その目的とするところはスイッチング素子の特性
ばらつきによる出力電流の変動を低減したインバータ装
置を提供するにある。
[Problems to be Solved by the Invention] By the way, the operation of the switching element Q1 in the conventional example shown in FIG. As the oscillating voltage decreases, the base current also decreases, and this decrease cuts off the collector current, turning off the switching element Q. By passing a steep reverse bias current through the base, It's not something that can be turned off. Therefore, in the case of such a base bias method, the on-period of the switching element Q1 changes significantly due to variations in the switching element Q (particularly turn-off time, storage time, etc.) or temperature characteristics, and this change causes a significant change in the output current. There was a problem with fluctuations in the [00091] The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and its object is to provide an inverter device that reduces fluctuations in output current due to variations in characteristics of switching elements.

【0010] 【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために、直流電源Eと、第1のスイッチング素
子Q1と第2のスイッチング素子Q2との直列回路を上
記直流電源Eに接続し、第1のスイッチング素子Q、に
並列的に接続されるインダクタンス素子り及び負荷を含
む振動回路に、両スイッチング素子Q、、 C2を交互
にオン、オフさせて高周波電力を供給するインバータ回
路3とからなるインバータ装置において、上記第1のス
イッチング素子Q」がオフしたことを検出することによ
り、第2のスイッチング素子Q2にオン駆動信号を所定
時間与える制御回路2と、上記インダクタンス素子りの
2次捲線n2に発生する電圧の立ち上がり、立ち下がり
を夫々検出してそれぞれの検出信号に対して一定時間遅
れてオン駆動信号、オフ駆動信号を第1のスイッチング
素子Q、に与える駆動手段とを設けたものである。 [00111
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above-mentioned object, the present invention connects a DC power supply E, a series circuit of a first switching element Q1 and a second switching element Q2 to the above-mentioned DC power supply. Both switching elements Q, C2 are alternately turned on and off to supply high-frequency power to an oscillating circuit that is connected to a power source E and includes an inductance element and a load that are connected in parallel to the first switching element Q. an inverter device comprising an inverter circuit 3, which detects that the first switching element Q is turned off, and applies an on drive signal to the second switching element Q2 for a predetermined period of time; A drive that detects the rise and fall of the voltage generated in the secondary winding n2 of the element and applies an on drive signal and an off drive signal to the first switching element Q after a fixed time delay with respect to each detection signal. The means are provided. [00111

【作用]本発明によれば、インダクタンス素子りに設け
られた2次捲線n2に発生する電圧の立ち上がり、立ち
下がりに同期して、スイッチング素子Q1のオン駆動信
号、オフ駆動信号を作るとともに、立ち下がり、立ち上
がりに対して一定の遅れ時間を設けてスイッチング素子
Q1に夫々の駆動信号を与えるため、スイッチング素子
Q1のオン区間として十分な大きさを確保することがで
き、またスイチング素子Q1がオフする際も、急峻にタ
ーンオフさせることことができ、そのためスイッチング
素子Q、のストレージタイムのばらつきによって、オン
区間が大幅に変化することはなく、スイッチング素子Q
1のばらつきによる出力電流の変動を抑えることができ
るのである。 [0012] 【実施例】以下本発明を実施例により説明する。 (実施例1) 図1は本発明の実施例1の回路構成を示しており、この
実施例回路はスイッチング素子Q、の駆動手段の構成が
従来例と相違し、基本的な構成は従来例回路と同様なも
のである。 [00131つまりインダクタンス素子りの2次捲線n
2にダイオードD2を介してコンデンサC6を接続し、
このコンデンサC6に抵抗R7とトランジスタQ3との
直列回路を接続し、このトランジスタQ3のコレクタを
インバータゲートGlと、コンデンサC3、抵抗R5の
並列回路とを介してスイッチング素子Q、のベースに接
続し、更に上記2次捲線n2に抵抗R6、コンデンサC
4の並列回路と、コンデンサ5との直列回路を接続し、
このコンデンサC5の両端にトランジスタQ3のベース
・エミッタ間を接続して、スイッチング素子Q1の駆動
手段を構成している。 [0014]而して本実施例ではインダクタンス素子り
の2次捲線n2の両端電圧が図2(a)に示すように零
Vより高くなると、コンデンサC4、C5の容量により
、トランジスタQ3は2次捲線n2の電圧の立ち上がり
より若干遅れてオンとなる。すると、図2(b)に示す
ようにインバータゲートG1の入力は°゛L′°L′°
レベルめ、インバータ回路h G +の出力は図2 (
C)に示すようにH”レベルとなり、スイッチング素子
Q、がオンとなる。 [0015]インダクタンス素子りの2次捲線n2の両
端電圧は徐々に低下して、やがてトランジスタQ1はオ
フする。すると、抵抗R7とインバータゲートG1の入
力容量によって決まる時定数により、インバータゲート
G1の入力電圧が徐々に高くなり、入力レベルが°H°
°とみなされるレベルVHに達すると、インバータゲー
トGlの出力が゛L°°レベルとなり、スイッチング素
子Q1をオフさせる。このときコンデンサC3に充電さ
れていた電荷が急速に放電されるため、急峻な逆バイア
ス電流を図2 (d)に示すようにスイッチング素子Q
、のベースに流すことができ、そのためスイッチング素
子Q1は急峻にターンオフする。 [0016]尚ダイオードD2、コンデンサC6はイン
バータゲートGlに安定な電圧を提供するための電源を
作るためのものである。以上のように本実施例回路では
、インダクタンス素子りに設けられた2次捲線n2に発
生する電圧の立ち上がり、立ち下がりに対応して、スイ
ッチング素子Q、のオン駆動信号、オフ駆動信号を夫々
作り、立ち上がり、立ち下がりに対して一定の遅れ時間
を設けてスイッチング素子Q1に夫々の駆動信号を与え
るため、スイッチング素子Q1のオン区間として十分な
大きさを確保することができると同時に、スイッチング
素子Q1のオフの際、急峻な逆バイアス電流を供給でき
るため、従来例のようにスイッチング素子Q、のストレ
ージタイムのばらつきによって、オン区間が大幅に変化
することがなく、従ってQlのばらつきによる出力電流
の変動を抑えることができるのである。 [0017]尚上記以外の回路の動作は従来例に準する
ため、説明を省略する。 (実施例2) 図3は本実施例の回路を示しており、本実施例はスイッ
チング素子Q1としてバイポーラトランジスタの代わり
にパワーMOSトランジスタを使用したもので、実施例
1の場合に比べてスイッチング素子Q1のスイッチング
時間や温度による特性のばらつきが小さく、更にスイッ
チング素子Q、による出力電流の変動を抑えることがで
きる。尚実施例1回路におけるダイオードD+の代わり
に本実施例ではパワーMOSトランジスタの寄生ダイオ
ードを使用する。またスイッチング素子Q1のゲートに
はインバータゲートGlの出力を直接接続している。 [0018]尚その他の回路は実施例1と同様に構成さ
れており、同一要素には同一番号、記号を付している。 (実施例3) 図4は本実施例の回路を示しており、本実施例は実施例
1.2に於いてスイッチング素子Q、の駆動手段として
設けであるトランジスタQ3の代わりにインバータケー
トG2を使用しており、コンデンサC4とC5との接絹
点と、インバータゲートG1の入力端との間にインバー
タゲートG2と抵抗R8との直列回路を接続し、ダイオ
ードD2のカソードと、コンデンサCIとC3との接続
点との間に抵抗R9を接続している。 [0019]而してスイッチング素子Q2がオフし、イ
ンダクタンス素子りの2次捲線n2の両端電圧が図示す
る矢印方向に立ち上がると、それに応じてインバータゲ
ートG2の入力電圧が゛H゛レベルとなり、その出力は
゛L゛°レベルとなる。従って抵抗R9を介してインバ
ータゲートGlの入力がインバータゲートG2の°°L
°”出力より若干遅れて°L゛となる(この理由は抵抗
R8とインバータゲートGIの入力容量の時定数による
)。
[Function] According to the present invention, in synchronization with the rise and fall of the voltage generated in the secondary winding n2 provided in the inductance element, the ON drive signal and OFF drive signal of the switching element Q1 are generated, and Since each driving signal is applied to the switching element Q1 with a certain delay time for falling and rising, it is possible to secure a sufficient length as the ON period of the switching element Q1, and also when the switching element Q1 is turned off. Therefore, due to variations in the storage time of the switching element Q, the on period does not change significantly, and the switching element Q
This makes it possible to suppress fluctuations in the output current due to variations in the output current. [0012] [0012] The present invention will be explained below with reference to Examples. (Embodiment 1) FIG. 1 shows the circuit configuration of Embodiment 1 of the present invention. This embodiment circuit differs from the conventional example in the configuration of the driving means for the switching element Q, and the basic configuration is the same as that of the conventional example. It is similar to a circuit. [00131 That is, the secondary winding n of the inductance element
Connect capacitor C6 to 2 via diode D2,
A series circuit of a resistor R7 and a transistor Q3 is connected to this capacitor C6, and the collector of this transistor Q3 is connected to the base of a switching element Q via an inverter gate Gl and a parallel circuit of a capacitor C3 and a resistor R5. Furthermore, a resistor R6 and a capacitor C are connected to the secondary winding n2.
Connect the parallel circuit of 4 and the series circuit of capacitor 5,
The base and emitter of a transistor Q3 are connected to both ends of this capacitor C5, thereby forming driving means for the switching element Q1. [0014] In this embodiment, when the voltage across the secondary winding n2 of the inductance element becomes higher than zero V as shown in FIG. It turns on a little later than the rise of the voltage of the winding n2. Then, as shown in Fig. 2(b), the input of the inverter gate G1 becomes °゛L'°L'°
The output of the inverter circuit h G + is shown in Figure 2 (
As shown in C), the level becomes H'', and the switching element Q is turned on. [0015] The voltage across the secondary winding n2 of the inductance element gradually decreases, and eventually the transistor Q1 turns off. Then, Due to the time constant determined by the resistor R7 and the input capacitance of the inverter gate G1, the input voltage of the inverter gate G1 gradually increases until the input level reaches °H°.
When the level VH, which is regarded as 0°, is reached, the output of the inverter gate Gl becomes the `L°° level, turning off the switching element Q1. At this time, the charge stored in the capacitor C3 is rapidly discharged, causing a steep reverse bias current to flow through the switching element Q as shown in Figure 2 (d).
, so that the switching element Q1 is abruptly turned off. [0016] The diode D2 and the capacitor C6 are used to create a power source for providing a stable voltage to the inverter gate Gl. As described above, in this embodiment circuit, the ON drive signal and OFF drive signal of the switching element Q are respectively generated in response to the rise and fall of the voltage generated in the secondary winding n2 provided in the inductance element. Since each drive signal is applied to the switching element Q1 with a certain delay time for rising and falling, it is possible to secure a sufficient size as the on period of the switching element Q1, and at the same time, the switching element Q1 Since it is possible to supply a steep reverse bias current when the switch is turned off, the on period does not change significantly due to variations in the storage time of the switching element Q, as in the conventional example, and therefore the output current due to variations in Ql does not change significantly. Fluctuations can be suppressed. [0017] Note that the operations of the circuits other than those described above are similar to those of the conventional example, so explanations thereof will be omitted. (Example 2) FIG. 3 shows a circuit of this example, in which a power MOS transistor is used instead of a bipolar transistor as the switching element Q1, and the switching element Q1 is Variations in characteristics due to switching time and temperature of Q1 are small, and fluctuations in output current due to switching element Q can be suppressed. Note that in place of the diode D+ in the circuit of the first embodiment, a parasitic diode of a power MOS transistor is used in this embodiment. Further, the output of the inverter gate Gl is directly connected to the gate of the switching element Q1. [0018] The other circuits are constructed in the same manner as in the first embodiment, and the same elements are given the same numbers and symbols. (Embodiment 3) FIG. 4 shows a circuit of this embodiment, in which an inverter G2 is used instead of the transistor Q3 provided as a driving means for the switching element Q in Embodiment 1.2. A series circuit of inverter gate G2 and resistor R8 is connected between the contact point of capacitors C4 and C5 and the input terminal of inverter gate G1, and a series circuit of inverter gate G2 and resistor R8 is connected between the cathode of diode D2 and capacitors CI and C3. A resistor R9 is connected between the connection point and the connection point. [0019] Then, when the switching element Q2 is turned off and the voltage across the secondary winding n2 of the inductance element rises in the direction of the arrow shown in the figure, the input voltage of the inverter gate G2 becomes 'H' level, and its The output becomes 'L' level. Therefore, the input of the inverter gate Gl is input to the inverter gate G2 through the resistor R9.
The output becomes °L with a slight delay from the °" output (the reason for this is due to the time constant of the resistor R8 and the input capacitance of the inverter gate GI).

【0020】そして、インバータゲートGlの出力が′
。 Hljとなると、スイッチング素子Q1はオンする。一
方インダクタンス素子りの2次捲線n2の両端電圧がそ
の後低減して行くと、それに伴いインバータゲートG2
の入力が低下し、その入力レベルが”′L゛ルベルとみ
なされる電圧に達すると、インバータゲートG2の出力
は゛H1lレベルとなる。すると、抵抗R8とインバー
タゲートG2の入力容量の時定数により、インバータゲ
ートG1の入力レベルが徐々に上昇し、インバータゲー
トG+の入力がI HTルベルとみなされる値に達する
と、インバータゲートGlの出力が゛′Lパレベルにな
り、そのためスイッチング素子Q、は急峻にターンオフ
する。 [00211その状態を抵抗R1,R2により検出し、
スイッチング素子Q2にオン駆動信号が制御回路2から
与えられる。制御回路2によって定められた時間だけス
イッチング素子Q2にオン駆動信号が与えられた後、ス
イッチング素子Q2がオフすると、再びインダクタンス
素子りの2次捲線n2の両端電圧が図示する矢印方向に
発生するため、上述の動作が繰り返される。
Then, the output of the inverter gate Gl is '
. When Hlj is reached, the switching element Q1 is turned on. On the other hand, when the voltage across the secondary winding n2 of the inductance element decreases thereafter, the inverter gate G2
When the input level of the inverter gate G2 decreases and reaches a voltage that is considered to be the "L" level, the output of the inverter gate G2 becomes the "H1l level. Then, due to the time constant of the resistor R8 and the input capacitance of the inverter gate G2, When the input level of the inverter gate G1 gradually rises and the input of the inverter gate G+ reaches a value considered as the IHT level, the output of the inverter gate Gl becomes the ``L level'', so that the switching element Q suddenly changes. Turn off. [00211 The state is detected by resistors R1 and R2,
An on-drive signal is applied from the control circuit 2 to the switching element Q2. When the switching element Q2 is turned off after the ON drive signal is applied to the switching element Q2 for a period determined by the control circuit 2, the voltage across the secondary winding n2 of the inductance element is generated again in the direction of the arrow shown in the figure. , the above operations are repeated.

【0022] 【発明の効果】本発明は、上記のように構成したインバ
ータ装置において、上記第1のスイッチング素子がオフ
したことを検出することにより、第2のスイッチング素
子にオン駆動信号を所定時間与える制御回路と、上記イ
ンダクタンス素子の2次捲線に発生する電圧の立ち上が
り、立ち下がりを夫々検出してそれぞれの検出信号に対
して一定時間遅れてオン駆動信号、オフ駆動信号を第1
のスイッチング素子に与える駆動手段とを設けたので、
第1のスイッチング素子のオン区間として十分な大きさ
を確保することができ、また第1のスイッチング素子が
オフする際にもスイッチング素子を急峻にターンオフさ
せることができ、結果第1のスイッチング素子の特性の
ばらつき、温度変化に対して出力電流の変動を抑えるこ
とができ、安定な動作を確保できるという効果を奏する
[0022] According to the present invention, in the inverter device configured as described above, by detecting that the first switching element is turned off, an on-drive signal is applied to the second switching element for a predetermined period of time. The control circuit detects the rise and fall of the voltage generated in the secondary winding of the inductance element, respectively, and outputs an on drive signal and an off drive signal after a fixed time delay with respect to each detection signal.
drive means for the switching element is provided.
It is possible to secure a sufficient size as the ON section of the first switching element, and also to turn off the switching element sharply when the first switching element is turned off. This has the effect of suppressing fluctuations in output current due to variations in characteristics and temperature changes, and ensuring stable operation.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の実施例1を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の動作説明用波形図である。FIG. 2 is a waveform diagram for explaining the operation of FIG. 1;

【図3】本発明の実施例2を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施例3を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing a third embodiment of the present invention.

【図5】従来例を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing a conventional example.

【図6】図5の動作説明用波形図である。FIG. 6 is a waveform diagram for explaining the operation of FIG. 5;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1  放電灯 2  制御回路 3  インバータ回路 Q、  第1のスイッチング素子 G2  第2のスイッチング素子 L  インダクタンス素子 nz  2次捲線 G3  トランジスタ G1  インバータゲート 1 Discharge lamp 2 Control circuit 3 Inverter circuit Q, first switching element G2 Second switching element L Inductance element nz secondary winding G3 transistor G1 Inverter gate

【図1】[Figure 1]

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】直流電源と、第1のスイッチング素子と第
2のスイッチング素子との直列回路を上記直流電源に接
続し、第1のスイッチング素子に並列的に接続されるイ
ンダクタンス素子及び負荷を含む負荷回路に、両スイッ
チング素子を交互にオン、オフさせて高周波電力を供給
するインバータ回路とからなるインバータ装置において
、上記第1のスイッチング素子がオフしたことを検出す
ることにより、第2のスイッチング素子にオン駆動信号
を所定時間与える制御回路と、上記インダクタンス素子
の2次捲線に発生する電圧の立ち上がり、立ち下がりを
夫々検出してそれぞれの検出信号に対して一定時間遅れ
てオン駆動信号、オフ駆動信号を第1のスイッチング素
子に与える駆動手段とを設けたことを特徴とするインバ
ータ装置。
1. A DC power supply, a series circuit of a first switching element and a second switching element connected to the DC power supply, and comprising an inductance element and a load connected in parallel to the first switching element. In an inverter device comprising an inverter circuit that supplies high-frequency power to a load circuit by alternately turning on and off both switching elements, the second switching element is switched off by detecting that the first switching element is turned off. a control circuit that applies an on-drive signal for a predetermined period of time; and a control circuit that detects the rise and fall of the voltage generated in the secondary winding of the inductance element, respectively, and outputs an on-drive signal and an off-drive signal after a fixed time delay with respect to each detection signal. An inverter device comprising: drive means for applying a signal to the first switching element.
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