JPH04209758A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH04209758A JPH04209758A JP2339832A JP33983290A JPH04209758A JP H04209758 A JPH04209758 A JP H04209758A JP 2339832 A JP2339832 A JP 2339832A JP 33983290 A JP33983290 A JP 33983290A JP H04209758 A JPH04209758 A JP H04209758A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は積層磁器コンデンサの誘電体として好適な誘電
体磁器組成物に関する。
体磁器組成物に関する。
［従来の技術］
特開昭６２−２２９６０５号公報にＢａＴｉ０とＣｏ
ＯとＮｂ２Ｏ５とＣｅ Ｏ２とＭ ｎ ０２とから成
る誘電体磁器組成物が開示されている。
ＯとＮｂ２Ｏ５とＣｅ Ｏ２とＭ ｎ ０２とから成
る誘電体磁器組成物が開示されている。
また、特開昭５７−９２５７５号公報には、ＢａＴｉｏ
とＮｄ ＯとＮｂ２Ｏ５とＳ ｉＯ２とＭ ｎ
Ｏ２とＣｏＯとから成る誘電体磁器組成物が開示されて
いる。
とＮｄ ＯとＮｂ２Ｏ５とＳ ｉＯ２とＭ ｎ
Ｏ２とＣｏＯとから成る誘電体磁器組成物が開示されて
いる。
これ等の磁器組成物はいずれも、Ｂ ａ Ｔ ｉＯ８と
ＣｏとＮｂとを含み、温度変化に基づく誘電率の変化が
小さいという特長を有する。
ＣｏとＮｂとを含み、温度変化に基づく誘電率の変化が
小さいという特長を有する。
［発明が解決しようとする課題］
ところで、積層コンデンサの小型大容量化が要求されて
いる。この要求に応えるために、積層コンデンサの１層
当りの厚みを例えば１５μｍ未満のように極めて薄くす
ると、絶縁抵抗が低下する。
いる。この要求に応えるために、積層コンデンサの１層
当りの厚みを例えば１５μｍ未満のように極めて薄くす
ると、絶縁抵抗が低下する。
そこで、本発明の目的は、誘電体磁器層の厚さを薄くし
ても比較的大きなＣＲ積（容量Ｃと絶縁抵抗Ｒとの積）
を得ることができる誘電体磁器組酸物を提供することに
ある。
ても比較的大きなＣＲ積（容量Ｃと絶縁抵抗Ｒとの積）
を得ることができる誘電体磁器組酸物を提供することに
ある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するための本発明は、組成式６式％
を満足する数値）で表わされた基本成分１００重量部と
、酸化ニッケル０．０１〜０．１５重量部と、ジルコン
酸カルシウム０．２０〜２．５０重量部とを含む誘電体
磁器組成物に係わるものである。尚、上記式を次のよう
に表すこともできる。
、酸化ニッケル０．０１〜０．１５重量部と、ジルコン
酸カルシウム０．２０〜２．５０重量部とを含む誘電体
磁器組成物に係わるものである。尚、上記式を次のよう
に表すこともできる。
ａ（ＢａＴｉＯ３）＋β／２（Ｎｂ２０５）＋γ（Ｃｏ
Ｏ） ［作 用］ 本発明の誘電体磁器組成物における酸化ニッケル及びジ
ルコン酸カルシウムはＣＲ積の向上に寄与する。本発明
の組成によれば、１５μｍ未満の厚みの誘電体磁器層を
有する積層コンデンサにおいて、誘電率が２８００以上
、−５５℃から＋１２５℃の温度範囲における２５℃を
基準にした静電容量の温度変化率が一１５％〜＋１５％
の範囲、２５℃におけるＣＲ積が５００Ｆ・Ω以上にな
る。
Ｏ） ［作 用］ 本発明の誘電体磁器組成物における酸化ニッケル及びジ
ルコン酸カルシウムはＣＲ積の向上に寄与する。本発明
の組成によれば、１５μｍ未満の厚みの誘電体磁器層を
有する積層コンデンサにおいて、誘電率が２８００以上
、−５５℃から＋１２５℃の温度範囲における２５℃を
基準にした静電容量の温度変化率が一１５％〜＋１５％
の範囲、２５℃におけるＣＲ積が５００Ｆ・Ω以上にな
る。
［実施例］
本実施例では図面に示す複数の誘電体磁器層１を有する
磁器基体２と、この磁器基体２の内に含まれている複数
の内部電極３と、磁器基体２の一対の側面に設けられた
一対の外部電極４．５とを備えた積層磁器コンデンサ製
作を有する。まず、磁器基体２の組成が異なる５５種類
の磁器コンデンサを作るために、第１表に示す試料磁１
〜５５までの５５種類の組成の原料を用意した。
磁器基体２と、この磁器基体２の内に含まれている複数
の内部電極３と、磁器基体２の一対の側面に設けられた
一対の外部電極４．５とを備えた積層磁器コンデンサ製
作を有する。まず、磁器基体２の組成が異なる５５種類
の磁器コンデンサを作るために、第１表に示す試料磁１
〜５５までの５５種類の組成の原料を用意した。
第１表には基本成分の組成式
％式％
におけるαとβとγの値が示されている。なお、このα
、β及びγはＢａＴｆＯとＮｂＯと３２．５ ＣｏＯとの割合をモル比で示す。第１表のＮｉＯとＣａ
Ｚ ｒ Ｏａの欄には、１００重量部の基本成分に添
加する酸化ニッケル（Ｎ ｉ Ｏ）とジルコン酸カルシ
ウム（Ｃａ Ｚ ｒ Ｏ３）との添加量が重量部で示さ
れている。
、β及びγはＢａＴｆＯとＮｂＯと３２．５ ＣｏＯとの割合をモル比で示す。第１表のＮｉＯとＣａ
Ｚ ｒ Ｏａの欄には、１００重量部の基本成分に添
加する酸化ニッケル（Ｎ ｉ Ｏ）とジルコン酸カルシ
ウム（Ｃａ Ｚ ｒ Ｏ３）との添加量が重量部で示さ
れている。
第１表の試料魔１の組成の誘電体磁器基体の基本成分、
０．９９０ （ＢａＴｉＯ３）＋
０．００８ （ＮｂＯ）＋０．００２ （Ｃｏｏ）２．
５ を得るために、 チタン酸バリウム（Ｂ ａ Ｔ Ｉ Ｏｓ ） ：９
９４．７７３ｇ （０，９９０モル部）五酸化ニオブ（
Ｎｂ２０５）：４．５８１ｇ（ＮｂＯで０．００８モル
部） ２．５ 酸化コバルト（Ｃｏｏ）： ０．６４６ｇ （０゜００
２モル部） を秤量した。なお、これ等の目方には原料中の不純物が
入っていない。また、組成式におけるβＮｂＯ゛ を得
るために、Ｎｂ２Ｏ５が使用されて２．５ いる。Ｎ ｂ ２０５を０．００４モル部添加すれば、
ＮｂＯを０．００８モル部添加したと等価に２．５ なる。
５ を得るために、 チタン酸バリウム（Ｂ ａ Ｔ Ｉ Ｏｓ ） ：９
９４．７７３ｇ （０，９９０モル部）五酸化ニオブ（
Ｎｂ２０５）：４．５８１ｇ（ＮｂＯで０．００８モル
部） ２．５ 酸化コバルト（Ｃｏｏ）： ０．６４６ｇ （０゜００
２モル部） を秤量した。なお、これ等の目方には原料中の不純物が
入っていない。また、組成式におけるβＮｂＯ゛ を得
るために、Ｎｂ２Ｏ５が使用されて２．５ いる。Ｎ ｂ ２０５を０．００４モル部添加すれば、
ＮｂＯを０．００８モル部添加したと等価に２．５ なる。
次に、基本成分１０００゜００ｇ （１００重量部）に
対して 酸化ニッケル（ＮｉＯ）：０１５０ｇ （０，０５重量
部） ジルコン酸カルシウム（ＣａＺ「０３）＝５．００ｇ
（０，５重量部） を添加して原料混合物を得た。
対して 酸化ニッケル（ＮｉＯ）：０１５０ｇ （０，０５重量
部） ジルコン酸カルシウム（ＣａＺ「０３）＝５．００ｇ
（０，５重量部） を添加して原料混合物を得た。
次に、この原料混合物に適当量の水を加えて湿式混合し
、脱水し、乾燥し、しかる後粗粉砕して原料粉末を得た
。
、脱水し、乾燥し、しかる後粗粉砕して原料粉末を得た
。
次に、原料粉末にブチラール系樹脂溶液から成る有機バ
インダを加えて２４時間ボールミルにより混合してスラ
リー（５ｌｕｒｒｙ）を得た。
インダを加えて２４時間ボールミルにより混合してスラ
リー（５ｌｕｒｒｙ）を得た。
次に、リバースロールコータ（ｒｅｖｅｒｓｅ ｒｏ
ｔ １ｃｏａｔｅｒ）によってスラリーを厚さ１５μｍ
と３０μｍのグリーンシート（ｇｒｅｅｎ ５ｈｅｅ
ｔ ）を夫々１０枚形成した。
ｔ １ｃｏａｔｅｒ）によってスラリーを厚さ１５μｍ
と３０μｍのグリーンシート（ｇｒｅｅｎ ５ｈｅｅ
ｔ ）を夫々１０枚形成した。
次に、厚さ１５μｍの１０枚のグリーンシートに積層コ
ンデンサ６の内部電極３を得るためにパラジウム（Ｐｄ
）ペーストをスクリーン（５ｃｒｅｅｎ）を介して印刷
し、その後乾燥させた。なお、夫々のグリーンシートに
５０個の内部電極３を得るためのＰｄペースト層を形成
した。各Ｐｄペースト層ハ長さ１４ ｍｍ、幅７■のパ
ターンを有する。
ンデンサ６の内部電極３を得るためにパラジウム（Ｐｄ
）ペーストをスクリーン（５ｃｒｅｅｎ）を介して印刷
し、その後乾燥させた。なお、夫々のグリーンシートに
５０個の内部電極３を得るためのＰｄペースト層を形成
した。各Ｐｄペースト層ハ長さ１４ ｍｍ、幅７■のパ
ターンを有する。
次に、Ｐｄペースト層を有する面を上にし、１０枚のグ
リーンシートを積層し、この積層体の上下にＰｄペース
ト層を有さない厚さ３０μｍのグリーンシートを５枚ず
つ積層し、これ等のグリーンシートを熱圧着した。なお
、Ｐｄペースト層を有するグリーンシートは、内部電極
３がずれて形成されるように配置されている。
リーンシートを積層し、この積層体の上下にＰｄペース
ト層を有さない厚さ３０μｍのグリーンシートを５枚ず
つ積層し、これ等のグリーンシートを熱圧着した。なお
、Ｐｄペースト層を有するグリーンシートは、内部電極
３がずれて形成されるように配置されている。
次に、熱圧着された積層体を格子状に裁断して５０個の
積層チップを得た。積層チップは幅９■、長さ１６ｔｇ
＋の寸法を有する。
積層チップを得た。積層チップは幅９■、長さ１６ｔｇ
＋の寸法を有する。
次に、積層チップを焼成炉で２０℃／ｈの速度で３００
℃まで昇温し、この温度を３時間保持して有機バインダ
を燃焼させた。その後、１２８０℃まで２５０℃／ｈの
速度で昇温し、この温度を２時間保持して十分緻密化さ
せ、１５０℃／ｈの速度で室温まで降温して焼結体を得
た。即ち、内部電極３を有する磁器基体２を得た。
℃まで昇温し、この温度を３時間保持して有機バインダ
を燃焼させた。その後、１２８０℃まで２５０℃／ｈの
速度で昇温し、この温度を２時間保持して十分緻密化さ
せ、１５０℃／ｈの速度で室温まで降温して焼結体を得
た。即ち、内部電極３を有する磁器基体２を得た。
次に、磁器基体２の対の側面にＡｇペーストを塗布して
約８００℃で焼付けることによって図面に示す一対の外
部電極４．５を形成し、積層磁器コンデンサ６を完成さ
せた。なお、完成した積層磁器コンデンサ６の磁器基体
２の組成（各元素の割合）は、出発原料と実質的に同一
である。
約８００℃で焼付けることによって図面に示す一対の外
部電極４．５を形成し、積層磁器コンデンサ６を完成さ
せた。なお、完成した積層磁器コンデンサ６の磁器基体
２の組成（各元素の割合）は、出発原料と実質的に同一
である。
第１表の試料Ｎｏ、２〜５５の他の磁器組成のコンデン
サも試料ＮＯ，１のコンデンサと同一の方法で作った。
サも試料ＮＯ，１のコンデンサと同一の方法で作った。
なお、Ｐｄペースト層を設けるグリーンシートの厚さは
試料Ｎｏ、４１〜５５で変化させた。
試料Ｎｏ、４１〜５５で変化させた。
次に、試料Ｎα１〜５５に従う積層コンデンサの比誘電
率ε 、誘電体損失ｔａｎδ、ＣＲ積、静電容量の温度
変化率（Ｔ Ｃ）を測定した。これ等の電気的特性は次
の要領で測定した。
率ε 、誘電体損失ｔａｎδ、ＣＲ積、静電容量の温度
変化率（Ｔ Ｃ）を測定した。これ等の電気的特性は次
の要領で測定した。
（１） 比誘電率と８
２５℃、周波数１ ｋＨｚ ｓ電圧（実効値）１ボルト
の条件で静電容量を測定し、この静電容量と、複数の内
部電極３の相互間距離（磁器層１の厚さ）と、内部電極
３の対向面積とに基づいて計算で求めた。
の条件で静電容量を測定し、この静電容量と、複数の内
部電極３の相互間距離（磁器層１の厚さ）と、内部電極
３の対向面積とに基づいて計算で求めた。
（２） 誘電体損失ｔａｎδ
比誘電率ε と同一の条件で測定した。なお、このｔａ
ｎδは％で表わされている。
ｎδは％で表わされている。
（３） ＣＲ積
一対の外部電極４．５に２５℃で直流電圧５０Ｖを１分
間印加した後に、外部電極４．５間の抵抗値Ｒ（Ω）を
測定し、この抵抗値Ｒと比誘電率の計算に用いた静電容
量Ｃ（Ｆ）との積によって算出した。
間印加した後に、外部電極４．５間の抵抗値Ｒ（Ω）を
測定し、この抵抗値Ｒと比誘電率の計算に用いた静電容
量Ｃ（Ｆ）との積によって算出した。
（４） 静電容量の温度特性（ＴＣ）
恒温槽の中に試料を入れ、−５５、−２５，０，２５，
４０，６０，８５，１０５，１２５℃の各温度の静電容
量を周波数１ ｋＨｚ ｓ電圧（実効値）１ボルトで測
定し、２５℃の静電容量Ｃａに対する他の温度の静電容
量ｃｂの変化率ＴＣを次式で算出した。
４０，６０，８５，１０５，１２５℃の各温度の静電容
量を周波数１ ｋＨｚ ｓ電圧（実効値）１ボルトで測
定し、２５℃の静電容量Ｃａに対する他の温度の静電容
量ｃｂの変化率ＴＣを次式で算出した。
ＴＣ−［（Ｃｂ−Ｃａ）／Ｃａ］ ｘｌｏｏ（％）第２
表は上記の方法で測定した各試料の電気的特性、各試料
の焼成後の１層当り誘電体の厚さｔ（μｍ）を示す。な
お、静電容量の温度変化率ＴＣの欄には測定温度範囲一
５５〜＋１２５℃の内の最大値と最小値が示されている
。
表は上記の方法で測定した各試料の電気的特性、各試料
の焼成後の１層当り誘電体の厚さｔ（μｍ）を示す。な
お、静電容量の温度変化率ＴＣの欄には測定温度範囲一
５５〜＋１２５℃の内の最大値と最小値が示されている
。
第２表から明らかなように、試料魔１のコンデンサの比
誘電率ε は４８７０、ｔａｎδは２．０９％、ＣＲ積
は８８０ （Ｆ・Ω）、静電容量の温度変化率ＴＣの最
大は４．１％、最小は−１０゜１％である。なお、第２
表の各試料のデータは５０個のコンデンサの平均値であ
る。
誘電率ε は４８７０、ｔａｎδは２．０９％、ＣＲ積
は８８０ （Ｆ・Ω）、静電容量の温度変化率ＴＣの最
大は４．１％、最小は−１０゜１％である。なお、第２
表の各試料のデータは５０個のコンデンサの平均値であ
る。
本発明は、焼成後の１層当り誘電体の厚さが１５μｍ未
満てあって、２５℃の比誘電率ε が２８００以上、−
５５℃〜＋１２５℃の温度範囲における静電容量の温度
変化率ＴＣが一１５％〜−１５％の範囲、ＣＲ積が５０
０Ｆ・Ω以上の積層磁器コンデンサを得ることを目標と
している。
満てあって、２５℃の比誘電率ε が２８００以上、−
５５℃〜＋１２５℃の温度範囲における静電容量の温度
変化率ＴＣが一１５％〜−１５％の範囲、ＣＲ積が５０
０Ｆ・Ω以上の積層磁器コンデンサを得ることを目標と
している。
従って、試料Ｎ１１Ｌ５〜１０．１８．２４．２５．３
１．３２．３７．３８．４４〜４７．５１．５２の積層
磁器コンデンサの組成は本発明の範囲外のものである。
１．３２．３７．３８．４４〜４７．５１．５２の積層
磁器コンデンサの組成は本発明の範囲外のものである。
次に、第１表及び第２表を参照して磁器基体の組成の限
定理由を説明する。
定理由を説明する。
試料魔５に示すようにαが０．９９２であると、ＣＲ積
が３４０（Ｆ−Ω）となり、またｔａｎδが２．９３％
となり、更にＴＣの最小値が−２７゜２％になり、目標
とする電気的特性を得ることができない。しかし、試料
Ｎ１１Ｌ１及び４に示すようにαが０．９９０である時
には、所望の電気的特性を得ることができる。従って、
αの上限は０． ９９０である。
が３４０（Ｆ−Ω）となり、またｔａｎδが２．９３％
となり、更にＴＣの最小値が−２７゜２％になり、目標
とする電気的特性を得ることができない。しかし、試料
Ｎ１１Ｌ１及び４に示すようにαが０．９９０である時
には、所望の電気的特性を得ることができる。従って、
αの上限は０． ９９０である。
試料Ｎｏ、１０に示すようにαが０．９４８である時に
は、ε が２７８０となって所望の電気的時性を得るこ
とができない。一方、試料ＮｃＬ２及び３に示すように
αが０．９５０の時には、所望の電気的特性を得ること
ができる。従って、αの下限は０．９５０である。
は、ε が２７８０となって所望の電気的時性を得るこ
とができない。一方、試料ＮｃＬ２及び３に示すように
αが０．９５０の時には、所望の電気的特性を得ること
ができる。従って、αの下限は０．９５０である。
試料Ｎ１１Ｌ７に示すようにβが０．００４の場合には
、ＣＲ積が４１０（Ｆ・Ω）になり、ＴＣの最小値が−
２８，５％になり、目標の電気的特性を得ることができ
ない。しかし、試料Ｎｏ、４に示すようにβが０．００
６の場合には所望の電気的特性が得られる。従って、β
の下限は０．００６である。
、ＣＲ積が４１０（Ｆ・Ω）になり、ＴＣの最小値が−
２８，５％になり、目標の電気的特性を得ることができ
ない。しかし、試料Ｎｏ、４に示すようにβが０．００
６の場合には所望の電気的特性が得られる。従って、β
の下限は０．００６である。
試料隘８に示すようにβが０．０４４の場合にはＴＣの
最小値が−１６，５％になって所望の電気的特性を得る
ことができない。しかし、試料隘２に示すようにβが０
．０４２の場合には所望の電気的特性を得ることができ
る。従って、βの上限は０．００４２である。
最小値が−１６，５％になって所望の電気的特性を得る
ことができない。しかし、試料隘２に示すようにβが０
．０４２の場合には所望の電気的特性を得ることができ
る。従って、βの上限は０．００４２である。
試料Ｎｏ、６に示すようにγが０．００１の場合にはＣ
Ｒ積が４１０（Ｆ・Ω）であり、所望の電気的特性を得
ることができない。しかし、試料ＮＣ１，１に示すよう
にγが０．００２の場合には所望の電気的特性を得るこ
とができる。従ってγの下限は０．００２である。
Ｒ積が４１０（Ｆ・Ω）であり、所望の電気的特性を得
ることができない。しかし、試料ＮＣ１，１に示すよう
にγが０．００２の場合には所望の電気的特性を得るこ
とができる。従ってγの下限は０．００２である。
試料磁９に示すように７が０．０２１の場合にはＴＣの
最小が−３１，３％となり所望の電気的特性を得ること
ができない。しかし、試料Ｎｏ、３に示すようにγが０
．０２０の場合には所望の電気的特性を得ることができ
る。従って、γの上限は０．０２０である。
最小が−３１，３％となり所望の電気的特性を得ること
ができない。しかし、試料Ｎｏ、３に示すようにγが０
．０２０の場合には所望の電気的特性を得ることができ
る。従って、γの上限は０．０２０である。
試料胤１８及び３２から明らかなようにＮｉＯの添加量
が零の場合には、ＣＲ積が４３０及び３４０（Ｆ・Ω）
になり、所望の電気的特性を得ることができない。しか
し、試料Ｎｏ、１９．３３に示すようにＮｉＯの添加量
が１００重量部の基本成分に対して０．０１重量部の場
合には所望の電気的特性が得られる。従って、ＮｉＯの
添加量の下限は０．０１重量部である。
が零の場合には、ＣＲ積が４３０及び３４０（Ｆ・Ω）
になり、所望の電気的特性を得ることができない。しか
し、試料Ｎｏ、１９．３３に示すようにＮｉＯの添加量
が１００重量部の基本成分に対して０．０１重量部の場
合には所望の電気的特性が得られる。従って、ＮｉＯの
添加量の下限は０．０１重量部である。
試料Ｎα２４及び３７に示すようにＮｉＯの添加量が０
．１６重量部になると、ＴＣが所望範囲外になる。しか
し、試料磁２３．３６に示すように０．１５重量部の場
合には所望の電気的特性を得ることができる。従って、
ＮｉＯの添加量の上限は０．１５重量部である。
．１６重量部になると、ＴＣが所望範囲外になる。しか
し、試料磁２３．３６に示すように０．１５重量部の場
合には所望の電気的特性を得ることができる。従って、
ＮｉＯの添加量の上限は０．１５重量部である。
試料隠２５及び３８に示すようにＣａ Ｚ ｒ Ｏａの
添加量が零の場合には、ＣＲ積が４９０及び４３０とな
り、所望の電気的特性を得ることができない。しかし、
試料ＮＧ、２６及び３９に示すようにＣａ Ｚ ｒ Ｏ
ａの添加量が０．２０重量部の場合には所望の電気的特
性が得られる。従って、ＣａＺｒ Ｏ８の添加量の下限
は０．２０重量部である。
添加量が零の場合には、ＣＲ積が４９０及び４３０とな
り、所望の電気的特性を得ることができない。しかし、
試料ＮＧ、２６及び３９に示すようにＣａ Ｚ ｒ Ｏ
ａの添加量が０．２０重量部の場合には所望の電気的特
性が得られる。従って、ＣａＺｒ Ｏ８の添加量の下限
は０．２０重量部である。
試料魔３１及び４４に示すようにＣａＺｒＯ３の添加量
が２．６０重量部の場合には、ＴＣが所望の範囲外にな
る。しかし、試料隠３０及び４３に示すようにＣａＺｒ
Ｏ３の添加量２．５０重量部の場合には所望の電気的特
性を得ることができる。従って、ＣａＺｒＯ３の添加量
の上限は２゜５０重量部である。
が２．６０重量部の場合には、ＴＣが所望の範囲外にな
る。しかし、試料隠３０及び４３に示すようにＣａＺｒ
Ｏ３の添加量２．５０重量部の場合には所望の電気的特
性を得ることができる。従って、ＣａＺｒＯ３の添加量
の上限は２゜５０重量部である。
試料磁４６．４７及び５２に示すように、ＮｉＯとＣａ
ＺｒＯ３の両方を添加しない場合において、内部電極３
の相互間の磁器層１を得るための焼成後の１層当り誘電
体の厚みが１５μｍ未満の場合には所望のＣＲ積を得る
ことができない。−方、試料！１ｋＬ４９．５０．５４
．５５に示すようにＮｉＯとＣａ Ｚ ｒ Ｏｓを添加
すると、焼成後の１層当り誘電体の厚さを１５μｍ未満
にしても所望の電気的特性を得ることができる。また、
試料阻４５と４８の比較及び５１と５３の比較から明ら
かなように、焼成後の１層当り誘電体の厚さが１５μｍ
の場合においても′、ＮｉＯとＣａＺｒＯ３の添加によ
ってＣＲ積の改善が認められる。
ＺｒＯ３の両方を添加しない場合において、内部電極３
の相互間の磁器層１を得るための焼成後の１層当り誘電
体の厚みが１５μｍ未満の場合には所望のＣＲ積を得る
ことができない。−方、試料！１ｋＬ４９．５０．５４
．５５に示すようにＮｉＯとＣａ Ｚ ｒ Ｏｓを添加
すると、焼成後の１層当り誘電体の厚さを１５μｍ未満
にしても所望の電気的特性を得ることができる。また、
試料阻４５と４８の比較及び５１と５３の比較から明ら
かなように、焼成後の１層当り誘電体の厚さが１５μｍ
の場合においても′、ＮｉＯとＣａＺｒＯ３の添加によ
ってＣＲ積の改善が認められる。
［変形例］
本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば
次の変形が可能なものである。
次の変形が可能なものである。
（１） 基本成分Ｃｏｏを得るための出発原料をＣｏｏ
の代りにＣＯ２Ｏ３やＣＯ３Ｏ４を使用することができ
る。
の代りにＣＯ２Ｏ３やＣＯ３Ｏ４を使用することができ
る。
（２） 本発明の目的を阻害しない範囲でＣｅＯ２、Ｍ
ｎＣ０、ＳｉＯ□等の焼結助剤を微量添加することがで
きる。
ｎＣ０、ＳｉＯ□等の焼結助剤を微量添加することがで
きる。
（３） 内部電極３の材料をＡｇ−Ｐｄペーストで形成
することができる。
することができる。
（４） 単層コンデンサにも勿論適用可能である。
［発明の効果］
上述から明らかなように本発明によれば、極めて薄い誘
電体磁器層の場合において、誘電率が２８００以上、−
５５℃〜＋１２５℃の静電容量の温度変化率が一１５％
〜＋１５％の範囲、ＣＲ積５００ （Ｆ・Ω）以上にな
る。従って、コンデンサの小型化が可能になる。
電体磁器層の場合において、誘電率が２８００以上、−
５５℃〜＋１２５℃の静電容量の温度変化率が一１５％
〜＋１５％の範囲、ＣＲ積５００ （Ｆ・Ω）以上にな
る。従って、コンデンサの小型化が可能になる。
図面は本発明の実施例に係わる積層磁器コンデンサの一
部を原理的に示す断面図である。 １・・・磁器層、２・・・磁器基体、３・・・内部電極
、４゜５・・・外部電極。 代 理 人 高 野 則 次Ｊ 手続補正書、。え、（１）
部を原理的に示す断面図である。 １・・・磁器層、２・・・磁器基体、３・・・内部電極
、４゜５・・・外部電極。 代 理 人 高 野 則 次Ｊ 手続補正書、。え、（１）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］ 組成式 αＢａＴｉＯ＿３＋βＮｂＯ＿２＿．＿５＋γＣｏＯ（
但し、ａ、β、γは、 ０．９５０≦ａ≦０．９９０ ０．００６≦β≦０．０４２ ０．００２≦γ≦０．０２０ ａ＋β＋γ＝１ を満足する数値） で表わされた基本成分１００重量部と、 酸化ニッケル０．０１〜０．１５重量部と、ジルコン酸
カルシウム０．２０〜２．５０重量部と を含む誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2339832A JPH04209758A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2339832A JPH04209758A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04209758A true JPH04209758A (ja) | 1992-07-31 |
Family
ID=18331237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2339832A Pending JPH04209758A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04209758A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016113355A (ja) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 誘電体磁器組成物、誘電体材料及びこれを含む積層セラミックキャパシタ |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2339832A patent/JPH04209758A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016113355A (ja) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 誘電体磁器組成物、誘電体材料及びこれを含む積層セラミックキャパシタ |
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