JPH04209312A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH04209312A JPH04209312A JP40062690A JP40062690A JPH04209312A JP H04209312 A JPH04209312 A JP H04209312A JP 40062690 A JP40062690 A JP 40062690A JP 40062690 A JP40062690 A JP 40062690A JP H04209312 A JPH04209312 A JP H04209312A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[00011
【産業上の利用分野]本発明は高密度記録に適した金属
薄膜型磁気記録媒体に関するものである。 [0002] 【従来の技術】近年、磁気記録媒体に対して高密度記録
への要求が高まっており、これに伴って記録波長が短く
なる傾向にある。 [0003]磁磁気記録式としては、高密度領域での減
磁の小さい垂直磁化方式が好ましいとされているが、リ
ングヘッドと組み合わせた場合、磁性層が完全に垂直磁
化膜であると再生出力をあまり大きくできないという問
題がある。そして、リングヘッドを使用する場合、面内
方向に若干傾いた磁化容易軸を有する磁性薄膜の方が高
密度記録という面からは好ましいといえる。 [0004]記録密度を高めるためには強磁性薄膜系の
磁気記録媒体を使用することが有利である。しかしなが
ら、一般に強磁性薄膜には腐食されやすいという欠点が
あることが知られている。 [0005]特公昭41−19389号、米国特許第4
477489号に記載されるCo−Ni斜め蒸着層を用
いた金属薄膜型磁気記録媒体は耐腐食性に劣り、材料コ
ストが高い。 [0006]特開昭61−54023号、特開昭63−
152017号、特開昭63−152019号、特開昭
63−241718号に記載される窒化鉄薄膜は電磁変
換特性が良好で、耐腐食性に優れているという利点を有
している。 [0007]窒化鉄には、a” −Feg N、 7
−Fe4 N、 E Fe2−3N、およびζ−F
e2Nの数種類の相が存在する。このうち、強磁性を示
すα”Fe5Nおよびγ’Fe4Nは経時による磁気特
性の変化が大きく、磁気記録媒体には適さない。一方、
耐腐食性に優れるε−Fe2−3Nおよびζ−Fe:+
Nは常温で常磁性体であるため、磁気記録媒体には適し
ていない。 [0008]特開昭59−228705号公報に記載さ
れる垂直磁気記録媒体は六方晶系窒化鉄を主成分とする
ことを特徴とし、良好な垂直磁気特性が得られるものと
されている。しかしながら、六方晶系窒化鉄(ε−Fe
2−3N)は常温で常磁性体であるため、これを主成分
とする膜の磁気特性には限界があった。 [0009]特開昭62−132219号公報に記載さ
れる垂直磁気記録媒体は支持体面に垂直な方向に磁化容
易軸を有し、鉄と、鉄酸化物、鉄水酸化物、鉄窒化物、
鉄硫化物、および鉄炭酸化合物からなる群より選ばれた
少なくとも一種の鉄化合物とを主成分とする強磁性層が
形成されていることを特徴とするものである。この磁気
記録媒体は経時による磁気特性の劣化が少ないものであ
るとされている。 [00101特開昭62−132219号公報に記載さ
れる窒化鉄薄膜はγ’ −Fe< Nとε−Fe2−3
Nが混在することを特徴とし、高い保磁力が得られるも
のであると記載されているが、それでも斜め蒸着された
Co−Ni膜に比較して保磁力および飽和磁化の小さい
ものであった。 [00111特開平2−44517号公報に記載される
磁気記録媒体は強磁性薄膜が鉄窒素系と酸化鉄との混合
薄膜であることを特徴とし、良好な耐久性と電磁変換特
性が得られるものであるとされているが、どの相の窒化
鉄が良好な特性をもたらすのかは不明であり、具体的な
実施は困難なものであった。 [0012]
薄膜型磁気記録媒体に関するものである。 [0002] 【従来の技術】近年、磁気記録媒体に対して高密度記録
への要求が高まっており、これに伴って記録波長が短く
なる傾向にある。 [0003]磁磁気記録式としては、高密度領域での減
磁の小さい垂直磁化方式が好ましいとされているが、リ
ングヘッドと組み合わせた場合、磁性層が完全に垂直磁
化膜であると再生出力をあまり大きくできないという問
題がある。そして、リングヘッドを使用する場合、面内
方向に若干傾いた磁化容易軸を有する磁性薄膜の方が高
密度記録という面からは好ましいといえる。 [0004]記録密度を高めるためには強磁性薄膜系の
磁気記録媒体を使用することが有利である。しかしなが
ら、一般に強磁性薄膜には腐食されやすいという欠点が
あることが知られている。 [0005]特公昭41−19389号、米国特許第4
477489号に記載されるCo−Ni斜め蒸着層を用
いた金属薄膜型磁気記録媒体は耐腐食性に劣り、材料コ
ストが高い。 [0006]特開昭61−54023号、特開昭63−
152017号、特開昭63−152019号、特開昭
63−241718号に記載される窒化鉄薄膜は電磁変
換特性が良好で、耐腐食性に優れているという利点を有
している。 [0007]窒化鉄には、a” −Feg N、 7
−Fe4 N、 E Fe2−3N、およびζ−F
e2Nの数種類の相が存在する。このうち、強磁性を示
すα”Fe5Nおよびγ’Fe4Nは経時による磁気特
性の変化が大きく、磁気記録媒体には適さない。一方、
耐腐食性に優れるε−Fe2−3Nおよびζ−Fe:+
Nは常温で常磁性体であるため、磁気記録媒体には適し
ていない。 [0008]特開昭59−228705号公報に記載さ
れる垂直磁気記録媒体は六方晶系窒化鉄を主成分とする
ことを特徴とし、良好な垂直磁気特性が得られるものと
されている。しかしながら、六方晶系窒化鉄(ε−Fe
2−3N)は常温で常磁性体であるため、これを主成分
とする膜の磁気特性には限界があった。 [0009]特開昭62−132219号公報に記載さ
れる垂直磁気記録媒体は支持体面に垂直な方向に磁化容
易軸を有し、鉄と、鉄酸化物、鉄水酸化物、鉄窒化物、
鉄硫化物、および鉄炭酸化合物からなる群より選ばれた
少なくとも一種の鉄化合物とを主成分とする強磁性層が
形成されていることを特徴とするものである。この磁気
記録媒体は経時による磁気特性の劣化が少ないものであ
るとされている。 [00101特開昭62−132219号公報に記載さ
れる窒化鉄薄膜はγ’ −Fe< Nとε−Fe2−3
Nが混在することを特徴とし、高い保磁力が得られるも
のであると記載されているが、それでも斜め蒸着された
Co−Ni膜に比較して保磁力および飽和磁化の小さい
ものであった。 [00111特開平2−44517号公報に記載される
磁気記録媒体は強磁性薄膜が鉄窒素系と酸化鉄との混合
薄膜であることを特徴とし、良好な耐久性と電磁変換特
性が得られるものであるとされているが、どの相の窒化
鉄が良好な特性をもたらすのかは不明であり、具体的な
実施は困難なものであった。 [0012]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来技術の問題点に鑑み、高密度記録に適した磁気特性
を有しかつ耐腐食性にも優れた強磁性薄膜を備えた磁気
記録媒体を提供することにある。 [0013]
従来技術の問題点に鑑み、高密度記録に適した磁気特性
を有しかつ耐腐食性にも優れた強磁性薄膜を備えた磁気
記録媒体を提供することにある。 [0013]
【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体は
、非磁性支持体と該非磁性支持体上に設けられた強磁性
薄膜からなるものであって、該強磁性薄膜がα−Feお
よびε−Fe2−3Nを主成分とする窒化鉄系薄膜であ
ることを特徴とするものである。 [00141本発明における非磁性支持体としては、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリアミド、
ポリ塩化ビニル、三酢酸セルロース、ポリカーボネート
、ポリエチレンナフタレートのようなプラスチックを用
いることが好ましい。 [001533本発明おいては、窒化鉄系薄膜の成膜時
に非磁性支持体が高温にさらされることがあるため、耐
熱性に優れた材料であるポリイミドやポリアミドポリエ
チレンテレフタレート等で非磁性支持体を形成すること
が好ましい。 [0016]]磁性支持体の厚さは一般に5〜20μm
、好ましくは6〜15μmの範囲にある。強磁性薄膜中
におけるα−Feの含有量は、少ないと磁気特性が低下
し、多いとノイズが多くなったり、抗磁力が低下するた
め、好ましくは30〜80モル%、より好ましくは35
〜75モル%の範囲とする。 [00171強磁性薄膜中におけるε−Fe2−3Nの
含有量は、少ないと耐腐食性が低下し、多いと磁気特性
が低下するため、好ましくは20〜70モル%、より好
ましくは25〜65モル%の範囲とする。 [00181強磁性薄膜は酸化鉄を含有することもでき
るが、その含有量は、多すぎると磁気特性の低下を招く
ため、1〜30モル%とすることが好ましい。 [0019]また、強磁性薄膜には酸素、窒素、鉄以外
の成分として、Co、Ni等の強磁性金属元素、Cr。 Ti、AI等の耐腐食性元素などを適量混入させること
もできるが、その量は好ましくは15モル%以下、より
好ましくは10モル%以下とする。強磁性薄膜の厚さは
、厚すぎると薄膜の表面性が低下して電磁変換特性が充
分に得られず、薄すぎると充分な磁気特性が得られない
ため、好ましくは0.02〜540μm、より好ましく
は0.05〜2.0μmの範囲とする。 [00201本発明の強磁性薄膜は、鉄蒸気流を非磁性
支持体に蒸着すると同時に窒素を主成分とするイオン流
を非磁性体に照射して非磁性支持体上に窒化鉄を含む磁
性層を形成するイオンアシスト蒸着法において、鉄蒸気
流とイオン流のエネルギと密度を調節することにより好
ましく製造することができる。 [00211強磁性薄膜中における窒化鉄の各結晶型は
定性的には薄膜X線回折法、定量的にはメスバウアー法
によって測定することができる。 [0022]薄膜X線回折法によれば、α−Feの存在
はその(110)面の1次回折のピークの強度により、
またε−Fe2−3Nの存在はその(002)面の1次
回折のピークの強度により確認することができる。 [0023]耐腐食性の観点からは、α−Feの(11
0)面の1次回折のピークの強度がε−Fe2−3Nの
1次回折のピークの強度の2倍以下であることが好まし
い。 [0024]鉄蒸気流は、上記のようなCo、Ni等の
元素を含むものとすることができるが、鉄を主成分とす
ることが好ましい。鉄蒸気流は、電子ビーム加熱、高周
波誘導加熱等によって、鉄を含有する金属材料を真空中
で加熱蒸発せしめることにより得ることができる。鉄蒸
気流の非磁性支持体に対する入射角は30°以上とする
ことが良好な磁気特性を得る上で望ましい。なお、本発
明において「入射角」とは非磁性支持体上に立てた法線
と鉄蒸気流の中心線とがなす角度である。 [0025]本発明における鉄蒸気流の蒸発速度は望ま
しい製造速度(下限)と窒化鉄の充分な生成度(上限)
とによって決まるが、好ましくは5〜200オングスト
ロ一ム/秒、より好ましくは10〜200オングストロ
一ム/秒の範囲とする。 [00261窒素を主成分とするイオン流は窒素イオン
を50モル%以上含有するものとすることが好ましく、
より好ましくは窒素イオンを60モル%以上含有するも
のとする。イオン流は、窒素の他、酸素、アルゴン等の
不活性ガス等、任意の成分を含むことができる。 [0027]強磁性薄膜に酸化鉄を含有させるためには
、成膜時の雰囲気に酸素を混入させることが好ましく、
その混入量は雰囲気全体の40体積%以下とすることが
好ましい。 [0028]窒素イオン流は公知のイオン生成手段によ
り形成することができるが、200■以下の加速電圧で
非磁性支持体上における電流密度が0.3mA/cm2
以上となるように前記非磁性支持体に照射することが好
ましい。エンドホール型(end−Hal l typ
e) イオンガンは、低加速電圧で高い電流密度を達
成することができるため、特に好ましいイオン生成手段
である。 [0029]エンドホール型イオンガンは、従来一般的
に使用されていたカウフマン型イオンガンと比較して、
グリッドを有していないという点に大きな特徴がある。 グリッドを有していないイオンガンは、グリッドを有す
るイオンガンに比べて、照射されるイオン、励起分子、
励起原子、電子等、膜の窒化を促進する活性種が多いた
め、高速成膜に適している。また、グリッドを有するカ
ウフマン型イオンガンにおいてはイオンガンから照射さ
れるイオンはグリッドに印加される電圧で決定される一
定のエネルギを帯びるのに対し、エシドホール型イオシ
ガンにおいてはエネルギ分布を有するイオンが発生する
ものと推定され、これが、より好ましい効果を生じさせ
るためになんらかの寄与をするものと考えられる。 [00301非磁性支持体に照射される窒素イオン流の
入射角は任意のものとすることができるが、その方向は
非磁性支持体上に投影した時に鉄蒸気流と平行もしくは
ほぼ平行であるとより好ましい結果が得られる。 [00311本発明によって得られる磁気記録媒体の強
磁性薄膜の膜面に垂直な方向に外部磁場を引加して測定
される磁気特性の望ましい値は、保磁力が600〜20
000e、飽和磁束密度が2000〜8000G、より
好ましくは3000〜6000 G、角型比が0.1以
上である。特に、飽和磁束密度が大き過ぎると耐腐食性
が低下する。また、強磁性薄膜の膜面と平行で図1にお
いて紙面と垂直な方向で測定したB−8曲線より求めた
異方性磁界Hkは好ましくは1koe以上、より好まし
くは2kOe以上である。 [0032]
、非磁性支持体と該非磁性支持体上に設けられた強磁性
薄膜からなるものであって、該強磁性薄膜がα−Feお
よびε−Fe2−3Nを主成分とする窒化鉄系薄膜であ
ることを特徴とするものである。 [00141本発明における非磁性支持体としては、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリアミド、
ポリ塩化ビニル、三酢酸セルロース、ポリカーボネート
、ポリエチレンナフタレートのようなプラスチックを用
いることが好ましい。 [001533本発明おいては、窒化鉄系薄膜の成膜時
に非磁性支持体が高温にさらされることがあるため、耐
熱性に優れた材料であるポリイミドやポリアミドポリエ
チレンテレフタレート等で非磁性支持体を形成すること
が好ましい。 [0016]]磁性支持体の厚さは一般に5〜20μm
、好ましくは6〜15μmの範囲にある。強磁性薄膜中
におけるα−Feの含有量は、少ないと磁気特性が低下
し、多いとノイズが多くなったり、抗磁力が低下するた
め、好ましくは30〜80モル%、より好ましくは35
〜75モル%の範囲とする。 [00171強磁性薄膜中におけるε−Fe2−3Nの
含有量は、少ないと耐腐食性が低下し、多いと磁気特性
が低下するため、好ましくは20〜70モル%、より好
ましくは25〜65モル%の範囲とする。 [00181強磁性薄膜は酸化鉄を含有することもでき
るが、その含有量は、多すぎると磁気特性の低下を招く
ため、1〜30モル%とすることが好ましい。 [0019]また、強磁性薄膜には酸素、窒素、鉄以外
の成分として、Co、Ni等の強磁性金属元素、Cr。 Ti、AI等の耐腐食性元素などを適量混入させること
もできるが、その量は好ましくは15モル%以下、より
好ましくは10モル%以下とする。強磁性薄膜の厚さは
、厚すぎると薄膜の表面性が低下して電磁変換特性が充
分に得られず、薄すぎると充分な磁気特性が得られない
ため、好ましくは0.02〜540μm、より好ましく
は0.05〜2.0μmの範囲とする。 [00201本発明の強磁性薄膜は、鉄蒸気流を非磁性
支持体に蒸着すると同時に窒素を主成分とするイオン流
を非磁性体に照射して非磁性支持体上に窒化鉄を含む磁
性層を形成するイオンアシスト蒸着法において、鉄蒸気
流とイオン流のエネルギと密度を調節することにより好
ましく製造することができる。 [00211強磁性薄膜中における窒化鉄の各結晶型は
定性的には薄膜X線回折法、定量的にはメスバウアー法
によって測定することができる。 [0022]薄膜X線回折法によれば、α−Feの存在
はその(110)面の1次回折のピークの強度により、
またε−Fe2−3Nの存在はその(002)面の1次
回折のピークの強度により確認することができる。 [0023]耐腐食性の観点からは、α−Feの(11
0)面の1次回折のピークの強度がε−Fe2−3Nの
1次回折のピークの強度の2倍以下であることが好まし
い。 [0024]鉄蒸気流は、上記のようなCo、Ni等の
元素を含むものとすることができるが、鉄を主成分とす
ることが好ましい。鉄蒸気流は、電子ビーム加熱、高周
波誘導加熱等によって、鉄を含有する金属材料を真空中
で加熱蒸発せしめることにより得ることができる。鉄蒸
気流の非磁性支持体に対する入射角は30°以上とする
ことが良好な磁気特性を得る上で望ましい。なお、本発
明において「入射角」とは非磁性支持体上に立てた法線
と鉄蒸気流の中心線とがなす角度である。 [0025]本発明における鉄蒸気流の蒸発速度は望ま
しい製造速度(下限)と窒化鉄の充分な生成度(上限)
とによって決まるが、好ましくは5〜200オングスト
ロ一ム/秒、より好ましくは10〜200オングストロ
一ム/秒の範囲とする。 [00261窒素を主成分とするイオン流は窒素イオン
を50モル%以上含有するものとすることが好ましく、
より好ましくは窒素イオンを60モル%以上含有するも
のとする。イオン流は、窒素の他、酸素、アルゴン等の
不活性ガス等、任意の成分を含むことができる。 [0027]強磁性薄膜に酸化鉄を含有させるためには
、成膜時の雰囲気に酸素を混入させることが好ましく、
その混入量は雰囲気全体の40体積%以下とすることが
好ましい。 [0028]窒素イオン流は公知のイオン生成手段によ
り形成することができるが、200■以下の加速電圧で
非磁性支持体上における電流密度が0.3mA/cm2
以上となるように前記非磁性支持体に照射することが好
ましい。エンドホール型(end−Hal l typ
e) イオンガンは、低加速電圧で高い電流密度を達
成することができるため、特に好ましいイオン生成手段
である。 [0029]エンドホール型イオンガンは、従来一般的
に使用されていたカウフマン型イオンガンと比較して、
グリッドを有していないという点に大きな特徴がある。 グリッドを有していないイオンガンは、グリッドを有す
るイオンガンに比べて、照射されるイオン、励起分子、
励起原子、電子等、膜の窒化を促進する活性種が多いた
め、高速成膜に適している。また、グリッドを有するカ
ウフマン型イオンガンにおいてはイオンガンから照射さ
れるイオンはグリッドに印加される電圧で決定される一
定のエネルギを帯びるのに対し、エシドホール型イオシ
ガンにおいてはエネルギ分布を有するイオンが発生する
ものと推定され、これが、より好ましい効果を生じさせ
るためになんらかの寄与をするものと考えられる。 [00301非磁性支持体に照射される窒素イオン流の
入射角は任意のものとすることができるが、その方向は
非磁性支持体上に投影した時に鉄蒸気流と平行もしくは
ほぼ平行であるとより好ましい結果が得られる。 [00311本発明によって得られる磁気記録媒体の強
磁性薄膜の膜面に垂直な方向に外部磁場を引加して測定
される磁気特性の望ましい値は、保磁力が600〜20
000e、飽和磁束密度が2000〜8000G、より
好ましくは3000〜6000 G、角型比が0.1以
上である。特に、飽和磁束密度が大き過ぎると耐腐食性
が低下する。また、強磁性薄膜の膜面と平行で図1にお
いて紙面と垂直な方向で測定したB−8曲線より求めた
異方性磁界Hkは好ましくは1koe以上、より好まし
くは2kOe以上である。 [0032]
【作用】本発明の磁気記録媒体は、磁気特性に優れてい
るが耐腐食性に劣るα−Feと、窒素含有量が多いため
に磁気特性が良くないが耐腐食性に優れているε−Fe
2−3 Nとを組み合わせて強磁性薄膜を形成したこと
により、磁気特性および耐腐食性に優れたものとなって
いる。 [0033]α−Feは非磁性支持体上に蒸着した際に
粒子の結晶が大きくなりやすいために、抗磁力の高いも
のが得ることが困難であり、また、磁化単位が大きくな
るためにノイズが多くなりやすいという問題があったが
、本発明においては、これをε−Fe2−3Nと組み合
わせることにより、抗磁力の低下およびノイズの増加を
防止することが可能となっている。これは、成膜時にε
Fe=−3Nの生成によってα−Feの粒子成長が抑制
されることによるものと推測される。 [0034]強磁性薄膜中におけるα−Feの含有量を
30〜80モル%、ε−Fe2−3Nの含有量を20〜
70モル%とした場合、特に磁気特性および耐腐食性に
優れた磁気記録媒体を得ることができる。 [0035]また1強磁性薄膜の成膜時に酸素をある程
度導入することにより、結晶の微細化を促進し、保磁力
を向上させるとともに記録再生時のノイズを低下させる
こともできる。 [0036]そして、その際に生成される酸化鉄の量の
上限を抑えることにより、飽和磁束密度の低下を抑制し
、出力の低下を防止することができる。 [0037]このような点に鑑みて、強磁性薄膜には1
〜30モル%の酸化鉄を含有させることが好ましい。 [0038]
るが耐腐食性に劣るα−Feと、窒素含有量が多いため
に磁気特性が良くないが耐腐食性に優れているε−Fe
2−3 Nとを組み合わせて強磁性薄膜を形成したこと
により、磁気特性および耐腐食性に優れたものとなって
いる。 [0033]α−Feは非磁性支持体上に蒸着した際に
粒子の結晶が大きくなりやすいために、抗磁力の高いも
のが得ることが困難であり、また、磁化単位が大きくな
るためにノイズが多くなりやすいという問題があったが
、本発明においては、これをε−Fe2−3Nと組み合
わせることにより、抗磁力の低下およびノイズの増加を
防止することが可能となっている。これは、成膜時にε
Fe=−3Nの生成によってα−Feの粒子成長が抑制
されることによるものと推測される。 [0034]強磁性薄膜中におけるα−Feの含有量を
30〜80モル%、ε−Fe2−3Nの含有量を20〜
70モル%とした場合、特に磁気特性および耐腐食性に
優れた磁気記録媒体を得ることができる。 [0035]また1強磁性薄膜の成膜時に酸素をある程
度導入することにより、結晶の微細化を促進し、保磁力
を向上させるとともに記録再生時のノイズを低下させる
こともできる。 [0036]そして、その際に生成される酸化鉄の量の
上限を抑えることにより、飽和磁束密度の低下を抑制し
、出力の低下を防止することができる。 [0037]このような点に鑑みて、強磁性薄膜には1
〜30モル%の酸化鉄を含有させることが好ましい。 [0038]
【実施例】実施例
図1にその概略を示すイオンアシスト蒸着装置を用い、
厚さ20μmのポリイミド樹脂製フィルムを非磁性支持
体1として磁気記録媒体を製造した。 [0039]イオンガンとしてはコモンウェルス社(C
onmonweal th)製のエンドホール型イオン
ガンMARK−2を使用した。非磁性支持体1とエンド
ホール型イオンガン2との間の距離は30cmとし、ガ
ス導入口3からは窒素ガスを導入し、加速電圧は100
Vとした。 [00401蒸発源となる電子線加熱蒸発装置としては
日本電子社製JEB(、−102UBを用い、鉄4を電
子線5によって加熱溶融されるようにマグネシア製ルツ
ボ6に入れた。非磁性支持体1と蒸発源との間の距離は
40cmとし、非磁性支持体1に対する鉄黒気流の入射
角が650となるように配置した。 [00411装置を収容した真空槽は5 X 10−5
Torrまで予備排気した。電子線5によってマグネシ
ア製ルツボ6中の鉄4を加熱溶融する一方、水晶発振式
膜厚モニタ(INFICON社製XTM)を用いて鉄の
蒸発速度をモニタし、蒸発速度が30オングストロ一ム
/秒となるように電子線の電流値を調節した。 [0042]非磁性支持体1に含まれる水分の除去およ
び該支持体表面のクリーニングのためにイオンガン2に
より電流密度が0.5mA/cm2である窒素イオン流
を約2分間照射した後、蒸発源の上にあるシャッタ7を
開けて成膜を開始し、窒素イオン流は継続して照射した
。膜厚が2000オングストロームに達したところでシ
ャッタ7を閉じて成膜を終了し、同時に窒素イオン流照
射も停止した。 [0043]比較例1 鉄の蒸発速度を200オングストロ一ム/秒とし、窒素
イオン流の電流密度を1.0mA、/cm2 とした以
外は実施例と同様にして成膜した。 [0044]比較例2 鉄の蒸発速度を5オングストロ一ム/秒とした以外は実
施例と同様にして成膜した。 [00451比較例3 イオンガン2としてコモンウエルス社製のカウフマン型
イオンガンを使用し、窒素イオン流の電流密度を1.0
mA/Cm2 とし、該イオン流の加速電圧を400
Vとし、鉄の蒸発速度を10オングストロ一ム/秒と
した以外は実施例と同様にして成膜した。 [00461以下、実施例および比較例で作製した窒化
鉄系強磁性薄膜について評価した結果を説明する。 [0047]実施例および比較例で作製した膜の組成(
モル%)をメスバウアー分光法で測定した結果を表1に
示す。 [0048]また、実施例および比較例で作製した膜の
結晶構造を、リガク社製X線回折装置に薄膜用アタッチ
メントを取り付けて解析した。X線の薄膜に対する入射
角を0.5°とし、20を80°から30°まで走査し
て、現れるピークをASTMカードに従って同定した。 現れたピークは全て1次の回折線であった。その結果、
α−Feは(110)面の回折ピーク、E−Fez−3
Nは(002)面の回折ピーク、酸化鉄は(200)面
の回折ピークを各々の代表的なピークとし、その強度を
表1に示す。 [0049]さらに、実施例および比較例で作製した膜
の面内方向のB−H特性を振動試料型磁力計(TOEI
社製VSMP−1)で測定した。ここで面内方向とは膜
面内にあって図1において紙面と平行な方向である。保
磁力、飽和磁束密度および角型比の値を表1に示す。 [00501次(二耐腐食性を調べるため、前述の磁気
特性を測定したサンプルに5%の食塩水をエアゾルとし
て吹き付け、60°C190%RHの環境下で24時間
保存した後、再度飽和磁束密度を測定し、初期値を10
0%とした時の値を表1に示す。 [0051]
厚さ20μmのポリイミド樹脂製フィルムを非磁性支持
体1として磁気記録媒体を製造した。 [0039]イオンガンとしてはコモンウェルス社(C
onmonweal th)製のエンドホール型イオン
ガンMARK−2を使用した。非磁性支持体1とエンド
ホール型イオンガン2との間の距離は30cmとし、ガ
ス導入口3からは窒素ガスを導入し、加速電圧は100
Vとした。 [00401蒸発源となる電子線加熱蒸発装置としては
日本電子社製JEB(、−102UBを用い、鉄4を電
子線5によって加熱溶融されるようにマグネシア製ルツ
ボ6に入れた。非磁性支持体1と蒸発源との間の距離は
40cmとし、非磁性支持体1に対する鉄黒気流の入射
角が650となるように配置した。 [00411装置を収容した真空槽は5 X 10−5
Torrまで予備排気した。電子線5によってマグネシ
ア製ルツボ6中の鉄4を加熱溶融する一方、水晶発振式
膜厚モニタ(INFICON社製XTM)を用いて鉄の
蒸発速度をモニタし、蒸発速度が30オングストロ一ム
/秒となるように電子線の電流値を調節した。 [0042]非磁性支持体1に含まれる水分の除去およ
び該支持体表面のクリーニングのためにイオンガン2に
より電流密度が0.5mA/cm2である窒素イオン流
を約2分間照射した後、蒸発源の上にあるシャッタ7を
開けて成膜を開始し、窒素イオン流は継続して照射した
。膜厚が2000オングストロームに達したところでシ
ャッタ7を閉じて成膜を終了し、同時に窒素イオン流照
射も停止した。 [0043]比較例1 鉄の蒸発速度を200オングストロ一ム/秒とし、窒素
イオン流の電流密度を1.0mA、/cm2 とした以
外は実施例と同様にして成膜した。 [0044]比較例2 鉄の蒸発速度を5オングストロ一ム/秒とした以外は実
施例と同様にして成膜した。 [00451比較例3 イオンガン2としてコモンウエルス社製のカウフマン型
イオンガンを使用し、窒素イオン流の電流密度を1.0
mA/Cm2 とし、該イオン流の加速電圧を400
Vとし、鉄の蒸発速度を10オングストロ一ム/秒と
した以外は実施例と同様にして成膜した。 [00461以下、実施例および比較例で作製した窒化
鉄系強磁性薄膜について評価した結果を説明する。 [0047]実施例および比較例で作製した膜の組成(
モル%)をメスバウアー分光法で測定した結果を表1に
示す。 [0048]また、実施例および比較例で作製した膜の
結晶構造を、リガク社製X線回折装置に薄膜用アタッチ
メントを取り付けて解析した。X線の薄膜に対する入射
角を0.5°とし、20を80°から30°まで走査し
て、現れるピークをASTMカードに従って同定した。 現れたピークは全て1次の回折線であった。その結果、
α−Feは(110)面の回折ピーク、E−Fez−3
Nは(002)面の回折ピーク、酸化鉄は(200)面
の回折ピークを各々の代表的なピークとし、その強度を
表1に示す。 [0049]さらに、実施例および比較例で作製した膜
の面内方向のB−H特性を振動試料型磁力計(TOEI
社製VSMP−1)で測定した。ここで面内方向とは膜
面内にあって図1において紙面と平行な方向である。保
磁力、飽和磁束密度および角型比の値を表1に示す。 [00501次(二耐腐食性を調べるため、前述の磁気
特性を測定したサンプルに5%の食塩水をエアゾルとし
て吹き付け、60°C190%RHの環境下で24時間
保存した後、再度飽和磁束密度を測定し、初期値を10
0%とした時の値を表1に示す。 [0051]
【表1】
[0052]
【発明の効果】実施例より明らかなように、本発明の磁
気記録媒体は高密度記録に適した良好な磁気特性を有し
、かつ耐腐食性に優れたものであり、その産業上の利用
価値は極めて大きい。
気記録媒体は高密度記録に適した良好な磁気特性を有し
、かつ耐腐食性に優れたものであり、その産業上の利用
価値は極めて大きい。
【図1】本発明の実施例で用いられたイオンアシスト蒸
着装置を示す概略図
着装置を示す概略図
1 非磁性支持体
2 エンドホール型イオンガン
3 ガス導入口
4鉄
5 電子線
6 ルツボ
7 シャッタ
【提出日】平成3年11月26日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名10015
【補正方法】変更
[00151本発明においては、窒化鉄系薄膜の成膜時
に非磁性支持体が高温にさらされることがあるため、耐
熱性に優れた材料であるポリイミド、ポリアミドおよび
ポリエチレンテレフタレート等で非磁性支持体を形成す
ることが好ましい。
に非磁性支持体が高温にさらされることがあるため、耐
熱性に優れた材料であるポリイミド、ポリアミドおよび
ポリエチレンテレフタレート等で非磁性支持体を形成す
ることが好ましい。
【手続補正2]
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名] 0031
【補正方法】変更
[0031]本発明によって得られる磁気記録媒体の強
磁性薄膜の膜面に垂直な方向に外部磁場を印加して測定
される磁気特性の望ましい値は、保磁力が600〜20
000e、飽和磁束密度が2000〜8000G、より
好ましくは3000〜6000 G、角型比が0.1以
上である。特に、飽和磁束密度が大き過ぎると耐腐食性
が低下する。また、強磁性薄膜の膜面と平行で図1にお
いて紙面と垂直な方向で測定したB−H曲線より求めた
異方性磁界Hkは好ましくは1koe以上、より好まし
くは2kOe以上である。
磁性薄膜の膜面に垂直な方向に外部磁場を印加して測定
される磁気特性の望ましい値は、保磁力が600〜20
000e、飽和磁束密度が2000〜8000G、より
好ましくは3000〜6000 G、角型比が0.1以
上である。特に、飽和磁束密度が大き過ぎると耐腐食性
が低下する。また、強磁性薄膜の膜面と平行で図1にお
いて紙面と垂直な方向で測定したB−H曲線より求めた
異方性磁界Hkは好ましくは1koe以上、より好まし
くは2kOe以上である。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名] 0045
【補正方法】変更
[0045]比較例3イオンガン2としてコモンウエル
ス社製のカウフマン型イオンガンを使用し、窒素イオン
流の電流密度を0.1mA/cm2 とし、該イオン流
の加速電圧を400Vとし、鉄の蒸発速度を10オング
ストロ一ム/秒とした以外は実施例と同様にして成膜し
た。
ス社製のカウフマン型イオンガンを使用し、窒素イオン
流の電流密度を0.1mA/cm2 とし、該イオン流
の加速電圧を400Vとし、鉄の蒸発速度を10オング
ストロ一ム/秒とした以外は実施例と同様にして成膜し
た。
Claims (3)
- 【請求項1】非磁性支持体と該非磁性支持体上に設けら
れた強磁性薄膜からなる磁気記録媒体において、該強磁
性薄膜がα−Feおよびε−Fe_2_−_3Nを主成
分とする窒化鉄系薄膜であることを特徴とする磁気記録
媒体。 - 【請求項2】前記強磁性薄膜中におけるα−Feの含有
量が30〜80モル%、ε−Fe_2_−_3Nの含有
量が20〜70モル%であることを特徴とする請求項1
記載の磁気記録媒体。 - 【請求項3】前記強磁性薄膜が酸化鉄を1〜30モル%
含有していることを特徴とする請求項1記載の磁気記録
媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP40062690A JPH04209312A (ja) | 1990-12-06 | 1990-12-06 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP40062690A JPH04209312A (ja) | 1990-12-06 | 1990-12-06 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04209312A true JPH04209312A (ja) | 1992-07-30 |
Family
ID=18510516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP40062690A Withdrawn JPH04209312A (ja) | 1990-12-06 | 1990-12-06 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04209312A (ja) |
-
1990
- 1990-12-06 JP JP40062690A patent/JPH04209312A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980312 |