JPH0420882A - 半導体装置の耐圧試験装置 - Google Patents
半導体装置の耐圧試験装置Info
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- JPH0420882A JPH0420882A JP2126169A JP12616990A JPH0420882A JP H0420882 A JPH0420882 A JP H0420882A JP 2126169 A JP2126169 A JP 2126169A JP 12616990 A JP12616990 A JP 12616990A JP H0420882 A JPH0420882 A JP H0420882A
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- Japan
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- semiconductor device
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 abstract description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 7
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、耐圧試験装置に関する。
従来この種の耐圧試験装置は、第３図に示すような、電
圧印加装置単独の構成になっており、高電圧入力端子１
に高電圧を入力してコンデンサ５に電荷を蓄積し、スイ
ッチ４を半導体装置側端子６側に切り替えることによっ
て、蓄積された電荷を被試験半導体装置８の端子に印加
するようになっていた。
圧印加装置単独の構成になっており、高電圧入力端子１
に高電圧を入力してコンデンサ５に電荷を蓄積し、スイ
ッチ４を半導体装置側端子６側に切り替えることによっ
て、蓄積された電荷を被試験半導体装置８の端子に印加
するようになっていた。
そして電荷印加後別の直流系の洩れ電流（ＤＣリーク）
測定装置牽、使用して半導体装置の破壊をテストしてい
た。
測定装置牽、使用して半導体装置の破壊をテストしてい
た。
上述した従来の半導体装置の耐圧試験装置では、被試験
半導体装置に電圧を印加することのみに装置機能が限ら
れているので、電圧印加後の半導体装置の破壊をテスト
するには、別Ｑ測定装置を必要としていた。
半導体装置に電圧を印加することのみに装置機能が限ら
れているので、電圧印加後の半導体装置の破壊をテスト
するには、別Ｑ測定装置を必要としていた。
そのために、被試験半導体装置を補数の装置間で移動さ
せることで作業が煩雑になり所要時間も長くなった。
せることで作業が煩雑になり所要時間も長くなった。
また、移動の際の半導体装置の破壊や時間経過により回
復するモードがあるため正確な試験ができないという欠
点があった。
復するモードがあるため正確な試験ができないという欠
点があった。
本発明の耐圧試験装置は、被試験半導体装置の端子に電
圧を印加する機能と、電圧印加後の半導体装置の破壊を
テストする機能を有している。
圧を印加する機能と、電圧印加後の半導体装置の破壊を
テストする機能を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１実施例の回路図である。
高電圧入力端子１に約３００■の高電圧をかけ、スイッ
チ４を端子３側に接続してコンデンサ５に電荷を蓄積す
る。
チ４を端子３側に接続してコンデンサ５に電荷を蓄積す
る。
次にスイッチ４を端子６側に接続して半導体装置８の端
子にコンデンサ５に蓄積された電荷を印加する。
子にコンデンサ５に蓄積された電荷を印加する。
このときスイッチ７のＯＮ、ＯＦＦによって電荷を印加
する端子を選択する。
する端子を選択する。
そして電圧印加後スイッチ９をＯＮして電流・電圧特性
を調べるカーブトレーサ１０と、半導体装置８の端子を
接続し端子の破壊をテストする。
を調べるカーブトレーサ１０と、半導体装置８の端子を
接続し端子の破壊をテストする。
このときスイッチ７のＯＮ、ＯＦＦによってテストする
半導体装置８の端子を選択する。
半導体装置８の端子を選択する。
第２図は本発明の第２の実施例の回路図である。
点線で囲まれた測定装置１１は、端子接続の切替スイッ
チ１２とＤＣリーク測定器１３を内部にもっている。
チ１２とＤＣリーク測定器１３を内部にもっている。
第１の実施例と同様の動作でコンデンサ５に電荷が蓄積
される。
される。
スイッチ４を端子６側に接続して、半導体装置８の端子
に電圧を印加し、このときスイッチ１２をコンデンサ５
側へ接続することによって電圧を印加する端子を選択す
る。
に電圧を印加し、このときスイッチ１２をコンデンサ５
側へ接続することによって電圧を印加する端子を選択す
る。
次に、電圧印加後スイッチ１２をＤＣリーク測定器１３
側に接続して、選択された端子の破壊をテストし、破壊
、非破壊の結果を表示する。
側に接続して、選択された端子の破壊をテストし、破壊
、非破壊の結果を表示する。
この実施例では、電圧印加装置と半導体装置８の端子の
接続あるいは、測定装置と半導体装置８の端子の接続の
切替制御を装置内部で実施できること及び端子の破壊テ
ストにＤＣリーク測定器を用い測定結果を破壊・非破壊
の表示で表現することが前述の第１の実施例１とは異っ
ているため、大量の被破壊試験体の電圧印加後の破壊を
短時間で確認できるという利点がある。
接続あるいは、測定装置と半導体装置８の端子の接続の
切替制御を装置内部で実施できること及び端子の破壊テ
ストにＤＣリーク測定器を用い測定結果を破壊・非破壊
の表示で表現することが前述の第１の実施例１とは異っ
ているため、大量の被破壊試験体の電圧印加後の破壊を
短時間で確認できるという利点がある。
以上説明したように本発明は、半導体装置の端子に電圧
を印加する装置内に電圧印加後半導体装置の端子の破壊
をテストする測定装置を持つことによって、被試験半導
体装置の端子への電圧印加及び破壊テストが、被試験体
を移動させたりすることなく短時間で効率良く正確に実
施てきる効果がある。
を印加する装置内に電圧印加後半導体装置の端子の破壊
をテストする測定装置を持つことによって、被試験半導
体装置の端子への電圧印加及び破壊テストが、被試験体
を移動させたりすることなく短時間で効率良く正確に実
施てきる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の回路図、第２図は本発
明の第２の実施例の回路図、第３図は従来の半導体装置
の耐圧試験装置の一例の回路図である。 １・・・高電圧入力端子、３・・・コンデンサ側切替端
子、４・・・電荷蓄積及び印加切替スイッチ、５・・・
電荷蓄積コンデンサ、６・・・半導体装置側切替端子、
７・・・半導体装置端子接続切替スイッチ、８・・半導
体装置、９・・・カーブトレーサ接続切替スイッチ、１
０・・・カーブトレーサ、１１・・・測定装置、１２・
・・電荷印加装置及びＤ Ｃ！Ｊ−り測定器への端子接
続切替スイッチ、１３・・・ＤＣリーク測定器。
明の第２の実施例の回路図、第３図は従来の半導体装置
の耐圧試験装置の一例の回路図である。 １・・・高電圧入力端子、３・・・コンデンサ側切替端
子、４・・・電荷蓄積及び印加切替スイッチ、５・・・
電荷蓄積コンデンサ、６・・・半導体装置側切替端子、
７・・・半導体装置端子接続切替スイッチ、８・・半導
体装置、９・・・カーブトレーサ接続切替スイッチ、１
０・・・カーブトレーサ、１１・・・測定装置、１２・
・・電荷印加装置及びＤ Ｃ！Ｊ−り測定器への端子接
続切替スイッチ、１３・・・ＤＣリーク測定器。
Claims (1)
- 所定の容量が蓄積された電荷をコンデンサから被試験
半導体装置の端子に印加した後に、直流特性を測定して
被試験半導体の良否を判定する半導体装置の耐圧試験装
置において、前記被試験半導体装置の端子を、前記コン
デンサとの接続端子から半導体装置直流特性測定器端子
に切替スイッチを設けたことを特徴とする半導体装置の
耐圧試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2126169A JPH0420882A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 半導体装置の耐圧試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2126169A JPH0420882A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 半導体装置の耐圧試験装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0420882A true JPH0420882A (ja) | 1992-01-24 |
Family
ID=14928390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2126169A Pending JPH0420882A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 半導体装置の耐圧試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0420882A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0789249A2 (en) * | 1996-02-09 | 1997-08-13 | Nec Corporation | Test method and apparatus for semiconductor element |
| WO2008047837A1 (fr) * | 2006-10-20 | 2008-04-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif d'évaluation de tension de résistance à une décharge électrostatique et tension de résistance à une décharge électrostatique |
-
1990
- 1990-05-16 JP JP2126169A patent/JPH0420882A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0789249A2 (en) * | 1996-02-09 | 1997-08-13 | Nec Corporation | Test method and apparatus for semiconductor element |
| EP0789249A3 (en) * | 1996-02-09 | 1998-04-29 | Nec Corporation | Test method and apparatus for semiconductor element |
| US5990698A (en) * | 1996-02-09 | 1999-11-23 | Nec Corporation | Test method and apparatus for semiconductor element |
| WO2008047837A1 (fr) * | 2006-10-20 | 2008-04-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif d'évaluation de tension de résistance à une décharge électrostatique et tension de résistance à une décharge électrostatique |
| US7990170B2 (en) | 2006-10-20 | 2011-08-02 | Sharp Kabushiki Kaihsa | Electrostatic discharge withstand voltage evaluating device and electrostatic discharge withstand voltage evaluating method |
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