JPH04206760A - 半導体装置パッケージおよびパッケージ部材 - Google Patents
半導体装置パッケージおよびパッケージ部材Info
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- JPH04206760A JPH04206760A JP33641690A JP33641690A JPH04206760A JP H04206760 A JPH04206760 A JP H04206760A JP 33641690 A JP33641690 A JP 33641690A JP 33641690 A JP33641690 A JP 33641690A JP H04206760 A JPH04206760 A JP H04206760A
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は気密封止型の半導体装置パッケージおよびパッ
ケージ部材、特に樹脂製のパッケージ材料を用いた半導
体装置パッケージおよびパッケージ部材に関するもので
ある。
ケージ部材、特に樹脂製のパッケージ材料を用いた半導
体装置パッケージおよびパッケージ部材に関するもので
ある。
ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子は、周囲の温度や湿度の変
化、または微細なゴミやほこりに影響され、その特性が
微妙に変化したり、機械的振動や衝撃によって破損し易
いため、半導体素子をパッケージで封止した半導体装置
が使用されている。
化、または微細なゴミやほこりに影響され、その特性が
微妙に変化したり、機械的振動や衝撃によって破損し易
いため、半導体素子をパッケージで封止した半導体装置
が使用されている。
特にＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉ
ｃｅ）、 ＭＯＳ（ＭｅｔａｌＯｘｉｄｅ Ｓｅｍ１ｃ
ｏｎｄｕｃｔｏｒ）、ＣＰＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｐｒｉｎ
ＩｌｉｎｇＤｅｖｉｃｅ）等の固体撮像素子、およびＥ
ＰＲＯＭ （Ｅｒａｓａｂｌｅａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍ
ｍａｂｌｅ／Ｒｅａｄ ０ｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）等の
光１こよる書込、消去可能なメモリーなど、光学特性を
有する半導体素子を用いた半導体装置の透光部には、光
学的均一性、透明性および耐湿性が要求されるため、気
密封止性の高いパッケージが使用されている。
ｃｅ）、 ＭＯＳ（ＭｅｔａｌＯｘｉｄｅ Ｓｅｍ１ｃ
ｏｎｄｕｃｔｏｒ）、ＣＰＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｐｒｉｎ
ＩｌｉｎｇＤｅｖｉｃｅ）等の固体撮像素子、およびＥ
ＰＲＯＭ （Ｅｒａｓａｂｌｅａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍ
ｍａｂｌｅ／Ｒｅａｄ ０ｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）等の
光１こよる書込、消去可能なメモリーなど、光学特性を
有する半導体素子を用いた半導体装置の透光部には、光
学的均一性、透明性および耐湿性が要求されるため、気
密封止性の高いパッケージが使用されている。
半導体装置のパッケージは、大別して気密封止型と樹脂
封止型に分けられる。このうち気密封止型のパッケージ
は、セラミックス製の中空パッケージ内に半導体素子を
収容し、セラミックスまたはガラス製のリッド（蓋）に
より封止している。
封止型に分けられる。このうち気密封止型のパッケージ
は、セラミックス製の中空パッケージ内に半導体素子を
収容し、セラミックスまたはガラス製のリッド（蓋）に
より封止している。
このうちセラミックスは焼成を伴うため寸法精度が一定
しないという問題があり、またリッドを形成するガラス
は切断を行うため生産性が悪い上、どちらの材料も重い
などの問題がある。このためケーシングおよび／または
リッドとして樹脂製の成形体を使用する試みがなされて
おり、特にリッドについては一部実用化されている。
しないという問題があり、またリッドを形成するガラス
は切断を行うため生産性が悪い上、どちらの材料も重い
などの問題がある。このためケーシングおよび／または
リッドとして樹脂製の成形体を使用する試みがなされて
おり、特にリッドについては一部実用化されている。
このような樹脂製の材料を用いるパッケージは。
ケーシングとリッドを接着剤層により接合して気密封止
され、耐湿性において従来のセラミックスやガラスを用
いるものと同等の特性を得ることができるが、Ｉ ＧＨ
ｚ程度の振動を与えると、接着剤層と樹脂製のケーシン
グまたはリッドとの界面に剥離が生じる場合がある。
され、耐湿性において従来のセラミックスやガラスを用
いるものと同等の特性を得ることができるが、Ｉ ＧＨ
ｚ程度の振動を与えると、接着剤層と樹脂製のケーシン
グまたはリッドとの界面に剥離が生じる場合がある。
本発明の目的は、上記問題点を解決するため、気密封止
性、密着性に優れ、機械的振動に耐えることが可能な半
導体装置パッケージおよびパッケージ部材を提供するこ
とである。
性、密着性に優れ、機械的振動に耐えることが可能な半
導体装置パッケージおよびパッケージ部材を提供するこ
とである。
本発明は次の半導体装置パッケージおよびパッケージ部
材である。
材である。
（１）パッケージを形成するケーシングと、このケーシ
ングの開口部に接合されるリッドと、前記ケーシングお
よびリッド間を気密封止する接着剤層と、前記ケーシン
グまたはリッド上の接着剤層と接する面に形成された無
機酸化物被膜とを有することを特徴とする半導体装置パ
ッケージ。
ングの開口部に接合されるリッドと、前記ケーシングお
よびリッド間を気密封止する接着剤層と、前記ケーシン
グまたはリッド上の接着剤層と接する面に形成された無
機酸化物被膜とを有することを特徴とする半導体装置パ
ッケージ。
（２）ケーシングまたはリッドが
（ａ） １３５℃のデカリン中で測定した極限粘度〔η
〕が０．０５〜１０ｄｌｌ／ｇ、軟化温度が７０℃以上
である、下記一般式〔１〕で表わされる環状オレフィン
とエチレンとの共重合体からなる環状オレフィン系ラン
ダム共重合体、または （ｂ） １３５℃のデカリン中で測定した極限粘度〔η
〕が０．０５〜１０ｄｌ／ｇである、下記一般式〔１〕
で表わされる環状オレフィンの開環重合体もしくはその
水素添加物 の非晶質ポリオレフィン樹脂からなることを特徴とする
上記（１）記載の半導体装置パッケージ。
〕が０．０５〜１０ｄｌｌ／ｇ、軟化温度が７０℃以上
である、下記一般式〔１〕で表わされる環状オレフィン
とエチレンとの共重合体からなる環状オレフィン系ラン
ダム共重合体、または （ｂ） １３５℃のデカリン中で測定した極限粘度〔η
〕が０．０５〜１０ｄｌ／ｇである、下記一般式〔１〕
で表わされる環状オレフィンの開環重合体もしくはその
水素添加物 の非晶質ポリオレフィン樹脂からなることを特徴とする
上記（１）記載の半導体装置パッケージ。
（式中、ｎはＯまたは１、ｍは０または正の整数。
８１〜Ｈ１ｌｌはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン
原子および炭化水素基からなる群から選ばれる原子また
は基を示す。またＲ Ｉ ＆ 、、、Ｒ１ｍは互いに結
合して単環または多環を形成していてもよく、またＨｌ
ｓとＢｌＧとで、またはＨｌｌとＲ１＠とで２価の炭化
水素基を形成していてもよい。Ｒ１５〜Ｈ１ｍにより形
成される前記単環または多環は二重結合を有していても
よい。） （３）無機酸化物被膜が二酸化シリコン、一酸化シリコ
ン、酸化イツトリウム、二酸化ジルコニウム、酸化アル
ミニウム、酸化スズ、酸化インジウムおよび酸化タンタ
ルからなる群から選ばれる１種以上のものであることを
特徴とする上記（１）または（２）ｆｉｌ！載の半導体
装置パッケージ。
原子および炭化水素基からなる群から選ばれる原子また
は基を示す。またＲ Ｉ ＆ 、、、Ｒ１ｍは互いに結
合して単環または多環を形成していてもよく、またＨｌ
ｓとＢｌＧとで、またはＨｌｌとＲ１＠とで２価の炭化
水素基を形成していてもよい。Ｒ１５〜Ｈ１ｍにより形
成される前記単環または多環は二重結合を有していても
よい。） （３）無機酸化物被膜が二酸化シリコン、一酸化シリコ
ン、酸化イツトリウム、二酸化ジルコニウム、酸化アル
ミニウム、酸化スズ、酸化インジウムおよび酸化タンタ
ルからなる群から選ばれる１種以上のものであることを
特徴とする上記（１）または（２）ｆｉｌ！載の半導体
装置パッケージ。
（４）ケーシングまたはリッドに接着剤層を介して接合
して半導体装置パッケージを形成するためのパッケージ
部材であって、樹脂成形体からなるリッドまたはケーシ
ングと、このリッドまたはケーシング上の接着剤層と接
する面に形成された無機酸化物被膜とからなることを特
徴とする半導体装置用パッケージ部材。
して半導体装置パッケージを形成するためのパッケージ
部材であって、樹脂成形体からなるリッドまたはケーシ
ングと、このリッドまたはケーシング上の接着剤層と接
する面に形成された無機酸化物被膜とからなることを特
徴とする半導体装置用パッケージ部材。
（５）ケーシングまたはリッドと接合して半導体装置パ
ッケージを形成するためのパッケージ部材であって、樹
脂成形体からなるリッドまたはケーシングと、このリッ
ドまたはケーシングの接合面に無機酸化物被膜を介して
形成された気密封止用の接着剤層とを有する半導体装置
用パッケージ部材。
ッケージを形成するためのパッケージ部材であって、樹
脂成形体からなるリッドまたはケーシングと、このリッ
ドまたはケーシングの接合面に無機酸化物被膜を介して
形成された気密封止用の接着剤層とを有する半導体装置
用パッケージ部材。
本発明の半導体装置パッケージは、ケーシングおよびリ
ッドにより、半導体素子、リードフレーム、ボンディン
グワイヤ等の半導体装置部品を気密封止する気密封止型
のパッケージである。
ッドにより、半導体素子、リードフレーム、ボンディン
グワイヤ等の半導体装置部品を気密封止する気密封止型
のパッケージである。
本発明のパッケージを形成するケーシングおよびリッド
の材質は限定されないが、本発明は樹脂製のケーシング
またはリッドを採用する場合に適している。樹脂製の材
料を使用する場合は、ケーシングおよびリッドの一方ま
たは双方を樹脂で形成することができるが、特にリッド
を樹脂製とすのが好ましい、ケーシングまたはリッドの
形状等は特に制限されないが、光半導体装置のリッドの
場合には、平行平面形状、または使用目的に応じたレン
ズ形状に成形するとよい。
の材質は限定されないが、本発明は樹脂製のケーシング
またはリッドを採用する場合に適している。樹脂製の材
料を使用する場合は、ケーシングおよびリッドの一方ま
たは双方を樹脂で形成することができるが、特にリッド
を樹脂製とすのが好ましい、ケーシングまたはリッドの
形状等は特に制限されないが、光半導体装置のリッドの
場合には、平行平面形状、または使用目的に応じたレン
ズ形状に成形するとよい。
ケーシングまたはリッドを樹脂製とする場合に使用され
る樹脂としては、特に制限されないが、射出成形、プレ
ス成形が容易に行える熱可塑性樹脂が好ましい、このよ
うな熱可塑性樹脂としては、ポリメチルメタクリレート
、ポリカーボネート、ポリ４−メチル−１−ペンテンな
ども使用できるが、特に非晶質ポリオレフィン樹脂が好
ましい。
る樹脂としては、特に制限されないが、射出成形、プレ
ス成形が容易に行える熱可塑性樹脂が好ましい、このよ
うな熱可塑性樹脂としては、ポリメチルメタクリレート
、ポリカーボネート、ポリ４−メチル−１−ペンテンな
ども使用できるが、特に非晶質ポリオレフィン樹脂が好
ましい。
非晶質ポリオレフィン樹脂としては、
（ａ） １３５℃のデカリン中で測定した極限粘度〔η
〕が０．０５〜１０ｄΩ／ｇ、軟化温度が７０℃以上で
ある、下記一般式〔１〕で表わされる環状オレフィンと
エチレンとの共重合体からなる環状オレフィン系ランダ
ム共重合体、 （ｂ） １３５℃のデカリン中で測定した極限粘度〔η
〕が０．０５〜１０ｄΩ／ｇである、下記一般式〔１〕
で表わされる環状オレフィンの開環重合体もしくはその
水素添加物、または （ｃ）前記（、）もしくは（ｂ）と、 １３５℃のデカリン中で測定した極限粘度〔η〕が０．
０１〜５ ｄｌ／ｇ、軟化温度が７０℃未満である、下
記一般式［１〕で表わされる環状オレフィンとエチレン
との共重合体からなる環状オレフィン系ランダム共重合
体との組成物 が好ましい。
〕が０．０５〜１０ｄΩ／ｇ、軟化温度が７０℃以上で
ある、下記一般式〔１〕で表わされる環状オレフィンと
エチレンとの共重合体からなる環状オレフィン系ランダ
ム共重合体、 （ｂ） １３５℃のデカリン中で測定した極限粘度〔η
〕が０．０５〜１０ｄΩ／ｇである、下記一般式〔１〕
で表わされる環状オレフィンの開環重合体もしくはその
水素添加物、または （ｃ）前記（、）もしくは（ｂ）と、 １３５℃のデカリン中で測定した極限粘度〔η〕が０．
０１〜５ ｄｌ／ｇ、軟化温度が７０℃未満である、下
記一般式［１〕で表わされる環状オレフィンとエチレン
との共重合体からなる環状オレフィン系ランダム共重合
体との組成物 が好ましい。
（ＵＶ
（式中、ｎはＯまたは１、ｍはＯまたは正の整数、Ｒ１
〜Ｒ１＠はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子お
よび炭化水素基からなる群から選ばれる原子または基を
示す。またＲ１ｒ′〜Ｒ１＠は互いに結合して単環また
は多環を形成していてもよく、またＨｌＧとＨｌＧとで
、またはＲ１７とＲ１＠とで２価の炭化水素基を形成し
ていてもよい。Ｒ１ｓ〜Ｒ１３により形成される前記単
環または多環は二重結合を有していてもよい。） 前記一般式〔１〕で表わされる環状オレフィンとしては
、例えばビシクロ（２，２，１）ヘプト−２−エンまた
はその誘導体、テトラシクロ（４，４，０，１” ”
。
〜Ｒ１＠はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子お
よび炭化水素基からなる群から選ばれる原子または基を
示す。またＲ１ｒ′〜Ｒ１＠は互いに結合して単環また
は多環を形成していてもよく、またＨｌＧとＨｌＧとで
、またはＲ１７とＲ１＠とで２価の炭化水素基を形成し
ていてもよい。Ｒ１ｓ〜Ｒ１３により形成される前記単
環または多環は二重結合を有していてもよい。） 前記一般式〔１〕で表わされる環状オレフィンとしては
、例えばビシクロ（２，２，１）ヘプト−２−エンまた
はその誘導体、テトラシクロ（４，４，０，１” ”
。
１７・１０）−３−ドデセンまたはその誘導体、ヘキサ
シクロ（６，６，１，１″１Ｇ、１１０１１３．０２・
７．ｏｌ−１４）−４−ヘプタデセンまたはその誘導体
、オクタシクロ〔８゜８．０．１２・９．１４・ｔ、１
１ｘ・１８ 、１１３・ｉＧ、０２・ｍ、０１Ｎ・”）
−５−トコセンまたはその誘導体、ペンタシクロ（６，
６，１゜１３・７．０２・７．０３・１４〕−４−へキ
サデセンまたはその誘導体、ペンタシフＯ（６，５，１
，１ａ’″ｏ！、７．ｏｌ−ＩＪ−４−ペンタデセンま
たはその誘導体、ヘプタシクロ〔８゜７．０．１”’、
１’・ｔ、１ｘｘ・１７．０３・１．９１Ｚ、１Ｇ）−
５−エイコセンまたはその誘導体、ヘプタシクロ（８，
８，０，１２” 。
シクロ（６，６，１，１″１Ｇ、１１０１１３．０２・
７．ｏｌ−１４）−４−ヘプタデセンまたはその誘導体
、オクタシクロ〔８゜８．０．１２・９．１４・ｔ、１
１ｘ・１８ 、１１３・ｉＧ、０２・ｍ、０１Ｎ・”）
−５−トコセンまたはその誘導体、ペンタシクロ（６，
６，１゜１３・７．０２・７．０３・１４〕−４−へキ
サデセンまたはその誘導体、ペンタシフＯ（６，５，１
，１ａ’″ｏ！、７．ｏｌ−ＩＪ−４−ペンタデセンま
たはその誘導体、ヘプタシクロ〔８゜７．０．１”’、
１’・ｔ、１ｘｘ・１７．０３・１．９１Ｚ、１Ｇ）−
５−エイコセンまたはその誘導体、ヘプタシクロ（８，
８，０，１２” 。
１４、’１．１１１．ｉ１．Ｑ３．“ｏｉ２１１’？）
−ｓ−ヘンエイコセンまたはその誘導体、トリシフｏ
（４，３，０，１２Ｉｓ）−３−デセンまたはその誘導
体、トリシクロ（４，４，０，１”°５〕−３−ウンデ
センまたはその誘導体、ペンタシクロ［６，５，１，１
” ”、０”・７．０！・”） −４，１０−ペンタデ
カジエンまたはその誘導体、ペンタシクロ（４，７，０
，１””。
−ｓ−ヘンエイコセンまたはその誘導体、トリシフｏ
（４，３，０，１２Ｉｓ）−３−デセンまたはその誘導
体、トリシクロ（４，４，０，１”°５〕−３−ウンデ
センまたはその誘導体、ペンタシクロ［６，５，１，１
” ”、０”・７．０！・”） −４，１０−ペンタデ
カジエンまたはその誘導体、ペンタシクロ（４，７，０
，１””。
０８・１３．１９・１２） −３−ペンタデセンまたは
その誘導体、ヘプタシクロ［７，８，０，１３，ｓ、０
２，４．１１０１１７．０１１１ｉ１゜１１２°”）−
４−エイコセンまたはその誘導体、ノナシフｏ （９，
１０，１，１４ｊ７．０３１″ＱＺ、１Ｄ、０１２，２
Ｌ、１１３，２０゜０１４・１ｓ、１ｉｓ、１ｓ） −
５−ベンタコセンまたはその誘導体、ペンタシフｏ （
８，４，０，１ｚＩｓ、１” １１２．０” ”） −
３−ヘキサデセンまたはその誘導体、ヘプタシクロ〔８
゜８．０．１４＋’１．１１１１１６．１１３１１″０
３ ＋ ｌ 、 ０１２ ＊ １’Ｉ ） −５−ヘン
エイコセンまたはその誘導体、ノナシクロ（１０，１０
，１゜１５１８ 、１１４ ＋２１Ｊ１Ｇ 、ｉｓ 、
０２ ｇｌｌ、０４ｇ９ 、ＯＬ２１２２．０１５ ＋
２０ ）−５−へキサコセンまたはその誘導体などをあ
げることができる。
その誘導体、ヘプタシクロ［７，８，０，１３，ｓ、０
２，４．１１０１１７．０１１１ｉ１゜１１２°”）−
４−エイコセンまたはその誘導体、ノナシフｏ （９，
１０，１，１４ｊ７．０３１″ＱＺ、１Ｄ、０１２，２
Ｌ、１１３，２０゜０１４・１ｓ、１ｉｓ、１ｓ） −
５−ベンタコセンまたはその誘導体、ペンタシフｏ （
８，４，０，１ｚＩｓ、１” １１２．０” ”） −
３−ヘキサデセンまたはその誘導体、ヘプタシクロ〔８
゜８．０．１４＋’１．１１１１１６．１１３１１″０
３ ＋ ｌ 、 ０１２ ＊ １’Ｉ ） −５−ヘン
エイコセンまたはその誘導体、ノナシクロ（１０，１０
，１゜１５１８ 、１１４ ＋２１Ｊ１Ｇ 、ｉｓ 、
０２ ｇｌｌ、０４ｇ９ 、ＯＬ２１２２．０１５ ＋
２０ ）−５−へキサコセンまたはその誘導体などをあ
げることができる。
これらの中では、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−
エン、テトラン’） Ｃ１（４，４，０，１”’、１”
’）−３−ドデセン、ヘキサシクロ（６，６，１，１”
’、１”１１”、０”＝’。
エン、テトラン’） Ｃ１（４，４，０，１”’、１”
’）−３−ドデセン、ヘキサシクロ（６，６，１，１”
’、１”１１”、０”＝’。
０ｇ・”）−４−へブタデセン、トリシクロ［４，３，
０，１”’）−３−デセンおよびこれらの誘導体が好ま
しい。
０，１”’）−３−デセンおよびこれらの誘導体が好ま
しい。
環状オレフィン系ランダム共重合体（ａ）としては、１
３５℃のデカリン中で測定した極限粘度〔η〕が０．０
５〜１ｏｄｆｆｉ／ｇ、好ましくは０．０８〜５ ｄｌ
ｌ／ｇ、サーマル・メカニカル・アナライザーで測定し
た軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃以上、好ましくは９０〜
２５０℃、さらに好ましくは１００〜２００℃、Ｘ線回
折法により測定した結晶化度が０〜１０％、好ましくは
０〜７％、特に好ましくは０〜５％、エチレン成分に由
来する構造単位が４０〜８５モル％、好ましくは５０〜
７５モル％の範囲、環状オレフィン成分に由来する構造
単位が１５〜６０モル％、好ましくは２５〜５０モル％
の範囲にあるものが望ましい。
３５℃のデカリン中で測定した極限粘度〔η〕が０．０
５〜１ｏｄｆｆｉ／ｇ、好ましくは０．０８〜５ ｄｌ
ｌ／ｇ、サーマル・メカニカル・アナライザーで測定し
た軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃以上、好ましくは９０〜
２５０℃、さらに好ましくは１００〜２００℃、Ｘ線回
折法により測定した結晶化度が０〜１０％、好ましくは
０〜７％、特に好ましくは０〜５％、エチレン成分に由
来する構造単位が４０〜８５モル％、好ましくは５０〜
７５モル％の範囲、環状オレフィン成分に由来する構造
単位が１５〜６０モル％、好ましくは２５〜５０モル％
の範囲にあるものが望ましい。
環状オレフィン系ランダム共重合体（ａ）および（Ｃ）
中においては、前記一般式〔１〕で表わされる環状オレ
フィンは、下記一般式（１−ａ）で表わされる構造の繰
り返し単位を主として形成している。
中においては、前記一般式〔１〕で表わされる環状オレ
フィンは、下記一般式（１−ａ）で表わされる構造の繰
り返し単位を主として形成している。
（式中、ｍ、ｎおよびＣ〜Ｂｌ Ｉは前記一般式［１］
と同じである。） （ｂ）の環状オレフィン系開環重合体の水素添加物の水
素添加を行う前の開環重合体中においては、前記一般式
〔１〕で表わされる環状オレフィン成分は下記一般式（
１−ｂ）で表わされる構造の繰り返し単位を主として形
成し、水素添加後の開環重合体中においては、下記一般
式（１−ｃ）で表わされる構造の繰り返し単位を主とし
て形成している。
と同じである。） （ｂ）の環状オレフィン系開環重合体の水素添加物の水
素添加を行う前の開環重合体中においては、前記一般式
〔１〕で表わされる環状オレフィン成分は下記一般式（
１−ｂ）で表わされる構造の繰り返し単位を主として形
成し、水素添加後の開環重合体中においては、下記一般
式（１−ｃ）で表わされる構造の繰り返し単位を主とし
て形成している。
（各式中、ｍ、ｎおよびＲ１−Ｒ１８は前記一般式〔１
〕と同じである。） 環状オレフィン系開環重合体（ｂ）は、前記環状オレフ
ィンを必須成分とするものであるが、本発明の目的を損
なわない範囲で、必要に応じて他の共重合可能な不飽和
単量体成分を含有していてもよい。任意に共重合されて
いてもよい不飽和単量体としては、例えば下記一般式〔
２〕で表わされる環状オレフィンなどをあげることがで
きる。
〕と同じである。） 環状オレフィン系開環重合体（ｂ）は、前記環状オレフ
ィンを必須成分とするものであるが、本発明の目的を損
なわない範囲で、必要に応じて他の共重合可能な不飽和
単量体成分を含有していてもよい。任意に共重合されて
いてもよい不飽和単量体としては、例えば下記一般式〔
２〕で表わされる環状オレフィンなどをあげることがで
きる。
（式中、Ｒ２８、Ｒ２９は水素原子、炭化水素基または
ハロゲン原子であって、それぞれ同一でも異なっていて
もよい。Ｑは２以上の整数であって、Ｒ２１１、Ｒｚｓ
が複数回繰り返される場合には、これらはそれぞれ同
一でも異なっていてもよい。）これらの非晶質ポリオレ
フィン樹脂または樹脂組成物から形成される半導体装置
パッケージは耐熱性、耐湿性に優れており、特にリッド
として用いる場合は優れた光学特性も得られ、ＣＣＤ等
の光半導体装置用として適している。
ハロゲン原子であって、それぞれ同一でも異なっていて
もよい。Ｑは２以上の整数であって、Ｒ２１１、Ｒｚｓ
が複数回繰り返される場合には、これらはそれぞれ同
一でも異なっていてもよい。）これらの非晶質ポリオレ
フィン樹脂または樹脂組成物から形成される半導体装置
パッケージは耐熱性、耐湿性に優れており、特にリッド
として用いる場合は優れた光学特性も得られ、ＣＣＤ等
の光半導体装置用として適している。
本発明において、ケーシングまたはリッドに形成する無
機酸化物被膜としては、二酸化シリコン、一酸化シリコ
ン、酸化イツトリウム、二酸化ジルコニウム、酸化アル
ミニウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化タンタル等
の金属または半金属酸化物の１種以上からなる被膜があ
げられる。被膜の厚さは５００〜５０００Ａ、好ましく
は７００〜３０００Ａ程度が適当である。
機酸化物被膜としては、二酸化シリコン、一酸化シリコ
ン、酸化イツトリウム、二酸化ジルコニウム、酸化アル
ミニウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化タンタル等
の金属または半金属酸化物の１種以上からなる被膜があ
げられる。被膜の厚さは５００〜５０００Ａ、好ましく
は７００〜３０００Ａ程度が適当である。
無機酸化物被膜はケーシングまたはリッドの接着剤層と
接する面に形成されていればよいが、全面に形成しても
よい、リッドの場合、片面に形成してもよいが、両面の
全面に形成してもよい。このようにケーシングまたはリ
ッドの接合面以外の部分に形成された無機酸化物被膜は
、ハードコーティングとして機能し、耐擦傷性が改善さ
れる。
接する面に形成されていればよいが、全面に形成しても
よい、リッドの場合、片面に形成してもよいが、両面の
全面に形成してもよい。このようにケーシングまたはリ
ッドの接合面以外の部分に形成された無機酸化物被膜は
、ハードコーティングとして機能し、耐擦傷性が改善さ
れる。
光半導体装置のリッドの場合には、無機酸化物被膜の材
料、厚さ等を制御し、反射防止コーティングとして反射
防止効果を合わせ持たせることもできる。
料、厚さ等を制御し、反射防止コーティングとして反射
防止効果を合わせ持たせることもできる。
無機酸化物被膜は真空蒸着法によって形成することがで
きる。真空蒸着の条件は、到達真空度がＩ Ｘ ＩＰ’
〜Ｉ Ｘ １Ｏ−７Ｔｏｒｒ、好ましくは５ｘ１０−
ｓ〜３ Ｘ １０””Ｔｏｒｒの範囲であれば、真空チ
ャンバー内の排気時間が数時間で、得られる無機酸化物
被膜は不純物がほとんど含まれず、緻密に形成される。
きる。真空蒸着の条件は、到達真空度がＩ Ｘ ＩＰ’
〜Ｉ Ｘ １Ｏ−７Ｔｏｒｒ、好ましくは５ｘ１０−
ｓ〜３ Ｘ １０””Ｔｏｒｒの範囲であれば、真空チ
ャンバー内の排気時間が数時間で、得られる無機酸化物
被膜は不純物がほとんど含まれず、緻密に形成される。
無機酸化物被膜を形成する樹脂成形体の加熱温度は、樹
脂自体の耐熱温度に影響されるが、４０〜１００℃、好
ましくは６０〜８０℃であれば、密着性の高い被膜が得
られる。被膜形成速度は１〜５０Ａ／ｓ、好ましくは３
〜ＩＯＡ／ｓで、緻密な表面被覆層が形成される。ター
ゲットの加熱方式はタングステン、白金等のボードを用
いる抵抗加熱方式、エレクトロビームを用いる方法など
がある。
脂自体の耐熱温度に影響されるが、４０〜１００℃、好
ましくは６０〜８０℃であれば、密着性の高い被膜が得
られる。被膜形成速度は１〜５０Ａ／ｓ、好ましくは３
〜ＩＯＡ／ｓで、緻密な表面被覆層が形成される。ター
ゲットの加熱方式はタングステン、白金等のボードを用
いる抵抗加熱方式、エレクトロビームを用いる方法など
がある。
ケーシングとリッドを気密封止状に接着する接着剤とし
ては、例えば紫外線硬化型接着剤、ホットメルト型接着
剤、シアノアクリレート系瞬間接着剤などが使用できる
が、特にエポキシ系の接着剤が好ましい。
ては、例えば紫外線硬化型接着剤、ホットメルト型接着
剤、シアノアクリレート系瞬間接着剤などが使用できる
が、特にエポキシ系の接着剤が好ましい。
本発明のパッケージ材料は、樹脂成形体からなるケーシ
ングまたはリッドの接着剤層と接触する面に無機酸化物
被膜を形成したもの、あるいはこの無機酸化物被膜の上
にさらに接着剤層を形成したものである。
ングまたはリッドの接着剤層と接触する面に無機酸化物
被膜を形成したもの、あるいはこの無機酸化物被膜の上
にさらに接着剤層を形成したものである。
本発明の半導体パッケージは、半導体素子、リードフレ
ーム、ボンディングワイヤ等を収容したケーシングの開
口部にリッドを当て、ケーシングまたはリッドに形成さ
れた無機酸化物被膜が接着剤層と接するように、接着剤
層で接着し、気密封止する。
ーム、ボンディングワイヤ等を収容したケーシングの開
口部にリッドを当て、ケーシングまたはリッドに形成さ
れた無機酸化物被膜が接着剤層と接するように、接着剤
層で接着し、気密封止する。
ケーシングまたはリッドは無機酸化物被膜を介して接着
剤層と接するため、ケーシングまたはリッドを樹脂製と
した場合でも、密着性が高く、ＩＧＨｚＧＨｚ程度を与
えても、ケーシングまたはリッドと接着剤層の界面が剥
離することがない。
剤層と接するため、ケーシングまたはリッドを樹脂製と
した場合でも、密着性が高く、ＩＧＨｚＧＨｚ程度を与
えても、ケーシングまたはリッドと接着剤層の界面が剥
離することがない。
以下、本発明を図面の実施例について説明する。
第１図は光学特性を有する半導体装置の気密封止パッケ
ージを示す断面図、第２図はパッケージ部材の下面図、
第３図はそのＡ−Ａ断面図である。
ージを示す断面図、第２図はパッケージ部材の下面図、
第３図はそのＡ−Ａ断面図である。
第１図において、半導体装［１は中空箱型のケーシング
２内に形成されたダイパッド３に、半導体素子４が固着
され、ボンディングワイヤ５によりリード６に接続され
ている。ケーシング２の開口部は、リッド７が接着剤層
８により接着され、封止空間９を有するパッケージ１０
が形成されている。リッド７の表裏の両面には、無機酸
化物被膜１１が形成されている。第１図ではケーシング
２と接着剤層８との接触面にも無機酸化物被膜１１が形
成されているが、この被膜１１は省略することができる
。
２内に形成されたダイパッド３に、半導体素子４が固着
され、ボンディングワイヤ５によりリード６に接続され
ている。ケーシング２の開口部は、リッド７が接着剤層
８により接着され、封止空間９を有するパッケージ１０
が形成されている。リッド７の表裏の両面には、無機酸
化物被膜１１が形成されている。第１図ではケーシング
２と接着剤層８との接触面にも無機酸化物被膜１１が形
成されているが、この被膜１１は省略することができる
。
第２図および第３図において、パッケージ部材１２は、
両面に無機酸化物被膜１１を形成したリッド７の裏面の
周辺部のケーシング２との接合面の全域にわたって接着
剤層８が形成されている。
両面に無機酸化物被膜１１を形成したリッド７の裏面の
周辺部のケーシング２との接合面の全域にわたって接着
剤層８が形成されている。
第１図の半導体装置１において、接着剤層８による接着
は、半導体装置１のパッケージングに際して、ケーシン
グ２またはリッド７の無機酸化物被膜１１上に接着剤を
塗布して硬化させることにより行うことができるが、第
２図および第３図に示すように、予めリッド７の無機酸
化物被膜１１上に接着剤を塗布して乾燥し、接着剤層８
を形成してパッケージ部材１２としておき、このパッケ
ージ部材１２をケーシング２に取付けて、加熱、加圧に
より接着剤層８を硬化させて接着を行うこともできる。
は、半導体装置１のパッケージングに際して、ケーシン
グ２またはリッド７の無機酸化物被膜１１上に接着剤を
塗布して硬化させることにより行うことができるが、第
２図および第３図に示すように、予めリッド７の無機酸
化物被膜１１上に接着剤を塗布して乾燥し、接着剤層８
を形成してパッケージ部材１２としておき、このパッケ
ージ部材１２をケーシング２に取付けて、加熱、加圧に
より接着剤層８を硬化させて接着を行うこともできる。
こうして形成された半導体装置１の気密封止パッケージ
１０は、ケーシング２またはリッド７が無機酸化物被膜
１１を介して接着剤層８と接するため、ケーシング２ま
たはリッド７を樹脂製とした場合でも、密着性が高く、
Ｉ ＧＨｚ程度の振動を与えてもケーシング２またはリ
ッド７と接着剤層８の界面が剥離することがない。
１０は、ケーシング２またはリッド７が無機酸化物被膜
１１を介して接着剤層８と接するため、ケーシング２ま
たはリッド７を樹脂製とした場合でも、密着性が高く、
Ｉ ＧＨｚ程度の振動を与えてもケーシング２またはリ
ッド７と接着剤層８の界面が剥離することがない。
そしてリッド７が接着剤層８により気密封止状に接着さ
れているので、ゴミ、その他の異物および水分の侵入が
防止される。またリッド７は光学的均一性および透明性
に優れているので、半導体装置１の光学特性は高く維持
される。さらにリッド７は軽量であるので、半導体装置
１の軽量化を図ることができる。その上リッド７は射出
成形またはプレス成形により成形することができるので
、生産性を高めることができる６ なお、以上の実施例は光学特性を有する半導体装置のパ
ッケージに関するものであったが、一般の半導体装置の
気密封止パッケージにも同様に適用可能である。またケ
ーシング２およびリッド７の両方に無機酸化物被膜１１
を形成したが、一方、例えばケーシング２がセラミック
ス等の樹脂以外の材質の場合は、その無機酸化物被膜１
１は省略することができる。もちろん樹脂以外の材質の
場合でも無機酸化物被膜１１を形成してよい。
れているので、ゴミ、その他の異物および水分の侵入が
防止される。またリッド７は光学的均一性および透明性
に優れているので、半導体装置１の光学特性は高く維持
される。さらにリッド７は軽量であるので、半導体装置
１の軽量化を図ることができる。その上リッド７は射出
成形またはプレス成形により成形することができるので
、生産性を高めることができる６ なお、以上の実施例は光学特性を有する半導体装置のパ
ッケージに関するものであったが、一般の半導体装置の
気密封止パッケージにも同様に適用可能である。またケ
ーシング２およびリッド７の両方に無機酸化物被膜１１
を形成したが、一方、例えばケーシング２がセラミック
ス等の樹脂以外の材質の場合は、その無機酸化物被膜１
１は省略することができる。もちろん樹脂以外の材質の
場合でも無機酸化物被膜１１を形成してよい。
上記実施例ではパッケージ部材１２としてリッド７に無
機酸化物被膜１１と接着剤層８を形成したものを示した
が、無機酸化物被膜１１のみを形成したものの場合もあ
り、またケーシング２にこれらを形成したものの場合も
ある。
機酸化物被膜１１と接着剤層８を形成したものを示した
が、無機酸化物被膜１１のみを形成したものの場合もあ
り、またケーシング２にこれらを形成したものの場合も
ある。
試験例
エチＬ／ ントテト５ シ’） ｏ （４，４，０，１
２１ｓ、１７１１０）−３−ドデセンとのランダム共重
合体樹脂（エチレン含量５９モル％、（η） ＝ ０．
４２ｄｌ／ｇ、軟化温度１５４℃、結晶化度Ｏ％）を用
い、射出成形によって１３．５ｍｍＸ １４．８ｍｍ
Ｘ Ｏ，７５ｍｍの平行平面板からなるリッドを形成し
た。射出成形条件は、溶融樹脂温度２８０℃、射出圧力
１０００ｋｇ／ｃ厘２．金型温度は１３０℃である。
２１ｓ、１７１１０）−３−ドデセンとのランダム共重
合体樹脂（エチレン含量５９モル％、（η） ＝ ０．
４２ｄｌ／ｇ、軟化温度１５４℃、結晶化度Ｏ％）を用
い、射出成形によって１３．５ｍｍＸ １４．８ｍｍ
Ｘ Ｏ，７５ｍｍの平行平面板からなるリッドを形成し
た。射出成形条件は、溶融樹脂温度２８０℃、射出圧力
１０００ｋｇ／ｃ厘２．金型温度は１３０℃である。
このリッドの両面に、到達真空度３Ｘ１０−Ｔｏｒｒ。
リッド温度６０℃、蒸着速度５Ａ／ｓで、無機酸化物被
膜を真空蒸着により形成した。ｆｓ機酸化物被膜は、二
酸化シリコン被膜１５００Ａ （実施例１）、二酸化ジ
ルコニウム被膜１５００Ａ （実施例２）、酸化アルミ
ニウム被膜１０００Ａ、さらに二酸化シリコン被膜１３
００Ａ（実施例３）、酸化インジウムと酸化スズの混合
物被膜１０００Ａ、さらに二酸化シリコン被膜１３００
Ａ （実施例４）、酸化イツトリウム被膜７００Ａ、酸
化タンタル被膜９５０Ａ、さらに二酸化シリコン被膜１
３００Ａ（実施例５）、無機酸化物被膜なしく比較例１
）である。
膜を真空蒸着により形成した。ｆｓ機酸化物被膜は、二
酸化シリコン被膜１５００Ａ （実施例１）、二酸化ジ
ルコニウム被膜１５００Ａ （実施例２）、酸化アルミ
ニウム被膜１０００Ａ、さらに二酸化シリコン被膜１３
００Ａ（実施例３）、酸化インジウムと酸化スズの混合
物被膜１０００Ａ、さらに二酸化シリコン被膜１３００
Ａ （実施例４）、酸化イツトリウム被膜７００Ａ、酸
化タンタル被膜９５０Ａ、さらに二酸化シリコン被膜１
３００Ａ（実施例５）、無機酸化物被膜なしく比較例１
）である。
ついでエポキシ系接着剤をリッドの外周部に塗布し、１
１０℃で２時間加熱乾燥して半硬化状態にした。このよ
うにして作製したパッケージ部材をセラミックス製のケ
ーシングに貼付けた。貼付は条件は、２点固定のクリッ
プを用い、貼付は圧力４ ｋｇ／ａｍ２、温度１２０℃
、５時間の硬化で気密封止し、パッケージを形成した。
１０℃で２時間加熱乾燥して半硬化状態にした。このよ
うにして作製したパッケージ部材をセラミックス製のケ
ーシングに貼付けた。貼付は条件は、２点固定のクリッ
プを用い、貼付は圧力４ ｋｇ／ａｍ２、温度１２０℃
、５時間の硬化で気密封止し、パッケージを形成した。
このパッケージについて、貼付は後の外観形状変化を１
０倍の実体顕微鏡で目視し、耐熱性を評価した。またＩ
ＧＨｚの振動を１０分間与え、剥離の様子を１０倍の
実体顕微鏡で目視検査し、耐振性を評価した。さらに８
５℃、８５％Ｒ）Ｉの高温・高湿状態に５００時間放置
し、リッドの内表面への結露発生の有無を目視し、耐湿
性を評価した。結果を表１に示す・ 〔発明の効果〕 以上のように１本発明によれば、ケーシングまたはリッ
ドと接着剤層の間に無機酸化物被膜を形成したので、気
密封止性および密着性に優れ、機械的振動を与えても剥
離しない半導体装置パッケージが得られる。
０倍の実体顕微鏡で目視し、耐熱性を評価した。またＩ
ＧＨｚの振動を１０分間与え、剥離の様子を１０倍の
実体顕微鏡で目視検査し、耐振性を評価した。さらに８
５℃、８５％Ｒ）Ｉの高温・高湿状態に５００時間放置
し、リッドの内表面への結露発生の有無を目視し、耐湿
性を評価した。結果を表１に示す・ 〔発明の効果〕 以上のように１本発明によれば、ケーシングまたはリッ
ドと接着剤層の間に無機酸化物被膜を形成したので、気
密封止性および密着性に優れ、機械的振動を与えても剥
離しない半導体装置パッケージが得られる。
第１図は実施例の半導体装置パッケージを示すを示す断
面図、第２図はパッケージ部材の下面図、第３図はその
Ａ−Ａ断面図である。 各図中、同一符号は同一または相当部分を示し、１は半
導体装置、２はケーシング、３はダイパッド、４は半導
体素子、５はボンディングワイヤ、６はリード、７はリ
ッド、８は接着剤層、９は封止空間、１０はパッケージ
、１１は無機酸化物被膜、１２はパッケージ部材である
。 代理人 弁理士 柳 原 成 １２半導体装置 ２：ケーシング ３：ダイバッド ４ ：半導体素子 ５：ボンディングワイヤ ６ ：リード ７：リッド ８：接着剤層 ９ ：封止空間 １ｏエバツケージ １１：無機酸化物被膜 １２：パッケージ部材 第１図 第２図
面図、第２図はパッケージ部材の下面図、第３図はその
Ａ−Ａ断面図である。 各図中、同一符号は同一または相当部分を示し、１は半
導体装置、２はケーシング、３はダイパッド、４は半導
体素子、５はボンディングワイヤ、６はリード、７はリ
ッド、８は接着剤層、９は封止空間、１０はパッケージ
、１１は無機酸化物被膜、１２はパッケージ部材である
。 代理人 弁理士 柳 原 成 １２半導体装置 ２：ケーシング ３：ダイバッド ４ ：半導体素子 ５：ボンディングワイヤ ６ ：リード ７：リッド ８：接着剤層 ９ ：封止空間 １ｏエバツケージ １１：無機酸化物被膜 １２：パッケージ部材 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）パッケージを形成するケーシングと、このケーシ
ングの開口部に接合されるリッドと、前記ケーシングお
よびリッド間を気密封止する接着剤層と、前記ケーシン
グまたはリッド上の接着剤層と接する面に形成された無
機酸化物被膜とを有することを特徴とする半導体装置パ
ッケージ。（２）ケーシングまたはリッドが （ａ）１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度〔η〕
が０．０５〜１０ｄｌ／ｇ、軟化温度が７０℃以上であ
る、下記一般式〔１〕で表わされる環状オレフィンとエ
チレンとの共重合体からなる環状オレフィン系ランダム
共重合体、または （ｂ）１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度〔η〕
が０．０５〜１０ｄｌ／ｇである、下記一般式〔１〕で
表わされる環状オレフィンの開環重合体もしくはその水
素添加物 の非晶質ポリオレフィン樹脂からなることを特徴とする
請求項（１）記載の半導体装置パッケージ。▲数式、化
学式、表等があります▼・・・〔１〕 （式中、ｎは０または１、ｍは０または正の整数、Ｒ＾
１〜Ｒ＾１＾８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン
原子および炭化水素基からなる群から選ばれる原子また
は基を示す。またＲ＾１＾５〜Ｒ＾１＾８は互いに結合
して単環または多環を形成していてもよく、またＲ＾１
＾５とＲ＾１＾６とで、またはＲ＾１＾７とＲ＾１＾８
とで２価の炭化水素基を形成していてもよい。Ｒ＾１＾
５〜Ｒ＾１＾８により形成される前記単環または多環は
二重結合を有していてもよい。） （３）無機酸化物被膜が二酸化シリコン、一酸化シリコ
ン、酸化イットリウム、二酸化ジルコニウム、酸化アル
ミニウム、酸化スズ、酸化インジウムおよび酸化タンタ
ルからなる群から選ばれる１種以上のものであることを
特徴とする請求項（１）または（２）記載の半導体装置
パッケージ。（４）ケーシングまたはリッドに接着剤層
を介して接合して半導体装置パッケージを形成するため
のパッケージ部材であって、樹脂成形体からなるリッド
またはケーシングと、このリッドまたはケーシング上の
接着剤層と接する面に形成された無機酸化物被膜とから
なることを特徴とする半導体装置用パッケージ部材。 （５）ケーシングまたはリッドと接合して半導体装置パ
ッケージを形成するためのパッケージ部材であって、樹
脂成形体からなるリッドまたはケーシングと、このリッ
ドまたはケーシングの接合面に無機酸化物被膜を介して
形成された気密封止用の接着剤層とを有する半導体装置
用パッケージ部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33641690A JPH04206760A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体装置パッケージおよびパッケージ部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33641690A JPH04206760A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体装置パッケージおよびパッケージ部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206760A true JPH04206760A (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=18298903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33641690A Pending JPH04206760A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体装置パッケージおよびパッケージ部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04206760A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6335479B1 (en) * | 1998-10-13 | 2002-01-01 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Protective sheet for solar battery module, method of fabricating the same and solar battery module |
| JP2006093589A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 中空樹脂パッケージ装置 |
| US8216684B2 (en) | 2005-02-01 | 2012-07-10 | Mitsu Chemicals, Inc. | Method for bonding members, composite film and use thereof |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33641690A patent/JPH04206760A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6335479B1 (en) * | 1998-10-13 | 2002-01-01 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Protective sheet for solar battery module, method of fabricating the same and solar battery module |
| US6465726B2 (en) | 1998-10-13 | 2002-10-15 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Protective sheet for solar battery module, method of fabricating the same and solar battery module |
| US6777610B2 (en) | 1998-10-13 | 2004-08-17 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Protective sheet for solar battery module, method of fabricating the same and solar battery module |
| US7309831B2 (en) | 1998-10-13 | 2007-12-18 | Dai Nippon Printing Co., Ltd | Protective sheet for solar battery module, method of fabricating the same and solar battery module |
| JP2006093589A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 中空樹脂パッケージ装置 |
| US8216684B2 (en) | 2005-02-01 | 2012-07-10 | Mitsu Chemicals, Inc. | Method for bonding members, composite film and use thereof |
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