JPH04202085A - 単結晶引上装置 - Google Patents
単結晶引上装置Info
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- JPH04202085A JPH04202085A JP33604890A JP33604890A JPH04202085A JP H04202085 A JPH04202085 A JP H04202085A JP 33604890 A JP33604890 A JP 33604890A JP 33604890 A JP33604890 A JP 33604890A JP H04202085 A JPH04202085 A JP H04202085A
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ＣＺ法（チョクラルスキー法）等によりシリ
コン等の単結晶を引き上げる装置に関する。
コン等の単結晶を引き上げる装置に関する。
［従来の技術］
従来、この種の単結晶引上装置としては、例えば第２図
に示すように、チャンバ１の天井とこのチャンバ１内に
収容したルツボ２との間に、単結晶の引上速度を高める
ため、引き上げられた単結晶を囲んでヒーター３やルツ
ボ２内の融液４等の熱源からの輻射熱を遮る截頭逆円錐
管体状の熱遮蔽体５を有するものが提案されている。図
中６は保温筒、７１よ引上筒、８は多結晶原料である。
に示すように、チャンバ１の天井とこのチャンバ１内に
収容したルツボ２との間に、単結晶の引上速度を高める
ため、引き上げられた単結晶を囲んでヒーター３やルツ
ボ２内の融液４等の熱源からの輻射熱を遮る截頭逆円錐
管体状の熱遮蔽体５を有するものが提案されている。図
中６は保温筒、７１よ引上筒、８は多結晶原料である。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記従来の単結晶引上装置においては、
より速い単結晶の引上速度を実現するため、熱遮蔽体を
融液の液面近傍に配置する必要がある一方、多量の融液
を得るため、多結晶原料をルツボに山積みにチャージす
る必要があるものの、チャンバの天井とルツボとの間に
配置される熱遮蔽体の高さが両者間の間隔とほぼ等しく
設けられているので、多結晶原料をルツボにフルチャー
ジすることができず、フルチャージの８５％程度の多結
晶原料をチャージし、多結晶原料が熱遮蔽体に触れない
ようルツボを下げてヒータの熱効率のよくない位置で融
解している。
より速い単結晶の引上速度を実現するため、熱遮蔽体を
融液の液面近傍に配置する必要がある一方、多量の融液
を得るため、多結晶原料をルツボに山積みにチャージす
る必要があるものの、チャンバの天井とルツボとの間に
配置される熱遮蔽体の高さが両者間の間隔とほぼ等しく
設けられているので、多結晶原料をルツボにフルチャー
ジすることができず、フルチャージの８５％程度の多結
晶原料をチャージし、多結晶原料が熱遮蔽体に触れない
ようルツボを下げてヒータの熱効率のよくない位置で融
解している。
このため、多結晶原料のチャージ量が少なくなリ、かつ
その融解に要する時間が多くなる問題がある。
その融解に要する時間が多くなる問題がある。
そこで、本発明は、多結晶原料のフルチャージが可能で
、そつその融解に要する時間を短縮し得る単結晶引上装
置の提供を目的とする。
、そつその融解に要する時間を短縮し得る単結晶引上装
置の提供を目的とする。
〔課題を解決するための手段１
前記課題を解決するため、本発明の単結晶引上装置は、
チャンバの天井とこのチャンバ内に収容した溶融原料保
持ルツボとの間に配置され、単結晶を囲む截頭逆円錐管
体状の熱遮蔽体を有する単結晶引上装置において、前記
熱遮蔽体をチャンバの天井と溶融原料保持ルツボとの間
の間隔の約半分の高さとし、かつその昇降手段を設けた
ものである。
チャンバの天井とこのチャンバ内に収容した溶融原料保
持ルツボとの間に配置され、単結晶を囲む截頭逆円錐管
体状の熱遮蔽体を有する単結晶引上装置において、前記
熱遮蔽体をチャンバの天井と溶融原料保持ルツボとの間
の間隔の約半分の高さとし、かつその昇降手段を設けた
ものである。
Ｃ作 用〕
上記手段において、熱遮蔽体は、多結晶原料のチャージ
時に上昇され、又、単結晶の引上時に下降される。
時に上昇され、又、単結晶の引上時に下降される。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説明する。
なお、以下の説明において、第２図と同一の構成部材等
には、同一の符号を付してその説明を省略する。
には、同一の符号を付してその説明を省略する。
この実施例の単結晶引上装置において、熱遮蔽体１０は
、チャンバ１の天井と溶融原料保持ルツボ２との間の間
隔の約半分の高さに設けられ、かつ引上筒７の下端部に
設置した昇降機１１により昇降可能に設けられている。
、チャンバ１の天井と溶融原料保持ルツボ２との間の間
隔の約半分の高さに設けられ、かつ引上筒７の下端部に
設置した昇降機１１により昇降可能に設けられている。
昇降機１１は、引上筒７の下端部に突設したドラム室１
２内に周方向へ等間隔で配置した３箇のドラム１３を有
しており、各ドラム１３には、下端部を熱遮蔽体１０の
下端部に取り付けたタングステン製のワイヤー１４の上
端部が取り付けられている。そして、各ドラム１３は、
同期速度での巻き上げ又は巻き下げを可能にするため、
タングステンワイヤー製のタイミングベルトで連結され
、かつサーボ−モーター（共に図示せず）と連動連結さ
れている。
２内に周方向へ等間隔で配置した３箇のドラム１３を有
しており、各ドラム１３には、下端部を熱遮蔽体１０の
下端部に取り付けたタングステン製のワイヤー１４の上
端部が取り付けられている。そして、各ドラム１３は、
同期速度での巻き上げ又は巻き下げを可能にするため、
タングステンワイヤー製のタイミングベルトで連結され
、かつサーボ−モーター（共に図示せず）と連動連結さ
れている。
ここで、１６インチの石英ガラス製ルツボに多結晶シリ
コンをチャージし、６インチの単結晶を育生したところ
、そのチャージ量、メルト時間等は、従来のもののそれ
らを併記する第１表に示すようになった。
コンをチャージし、６インチの単結晶を育生したところ
、そのチャージ量、メルト時間等は、従来のもののそれ
らを併記する第１表に示すようになった。
第 １ 表
従って、多結晶シリコンをフルチャージ量の４５ｋｇと
し得、メルト時間を短縮し得、かつルツボ壁への多結晶
シリコンの付着率を減少し得ることがわかり、又、引上
速度及び結晶特性には変化が見受けられないことがわか
る。
し得、メルト時間を短縮し得、かつルツボ壁への多結晶
シリコンの付着率を減少し得ることがわかり、又、引上
速度及び結晶特性には変化が見受けられないことがわか
る。
［発明の効果］
以上のように本発明によれば、熱遮蔽体が多結晶原料の
チャージ時に上昇され、又、単結晶の引上時に下降され
るので、多結晶原料をフルチャージすることができ、又
、多結晶原料の融解に要する時間を従来に比し短縮する
ことができる。
チャージ時に上昇され、又、単結晶の引上時に下降され
るので、多結晶原料をフルチャージすることができ、又
、多結晶原料の融解に要する時間を従来に比し短縮する
ことができる。
第１図は本発明の一実施例を示す単結晶引上装置の概略
構成図、第２図は従来の単結晶引上装置の概略構成図で
ある。 １・・・チャンバ ２・・・溶融原料保持ルツ
ボ３・・・ヒーター ４・・・融液７・・・引
上筒 ８・・・多結晶原料１０・・・熱遮蔽
体 １１・・・昇降機１２・・・ドラム室
１３・・・ドラム１４・・・ワイヤー
構成図、第２図は従来の単結晶引上装置の概略構成図で
ある。 １・・・チャンバ ２・・・溶融原料保持ルツ
ボ３・・・ヒーター ４・・・融液７・・・引
上筒 ８・・・多結晶原料１０・・・熱遮蔽
体 １１・・・昇降機１２・・・ドラム室
１３・・・ドラム１４・・・ワイヤー
Claims (1)
- （１）チャンバの天井とこのチャンバ内に収容した溶融
原料保持ルツボとの間に配置され、単結晶を囲む截頭逆
円錐管体状の熱遮蔽体を有する単結晶引上装置において
、前記熱遮蔽体をチャンバの天井と溶融原料保持ルツボ
との間の間隔の約半分の高さとし、かつその昇降手段を
設けたことを特徴とする単結晶引上装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2336048A JP3019949B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 単結晶引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2336048A JP3019949B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 単結晶引上装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04202085A true JPH04202085A (ja) | 1992-07-22 |
| JP3019949B2 JP3019949B2 (ja) | 2000-03-15 |
Family
ID=18295162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2336048A Expired - Fee Related JP3019949B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 単結晶引上装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3019949B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07277887A (ja) * | 1993-05-31 | 1995-10-24 | Sumitomo Sitix Corp | 単結晶の製造装置および製造方法 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2336048A patent/JP3019949B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07277887A (ja) * | 1993-05-31 | 1995-10-24 | Sumitomo Sitix Corp | 単結晶の製造装置および製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3019949B2 (ja) | 2000-03-15 |
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