JPH041985B2 - - Google Patents
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- JPH041985B2 JPH041985B2 JP55158282A JP15828280A JPH041985B2 JP H041985 B2 JPH041985 B2 JP H041985B2 JP 55158282 A JP55158282 A JP 55158282A JP 15828280 A JP15828280 A JP 15828280A JP H041985 B2 JPH041985 B2 JP H041985B2
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- Japan
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- electrode
- tube
- cathode ray
- voltage
- bead glass
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/488—Schematic arrangements of the electrodes for beam forming; Place and form of the elecrodes
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は陰極線管用電子銃構体、特に陰極線管
の耐電圧特性を向上させた陰極線管用電子銃構体
に関するものである。
の耐電圧特性を向上させた陰極線管用電子銃構体
に関するものである。
カラーブラウン管の最近の傾向として、画面の
明るさ向上とフオーカス性向上とが特に要求さ
れ、このため、螢光体発光効率のアツプ、シヤド
ウマスク透過率のアツプおよび多段電子銃化等の
改良が行なわれている一方において、使用印加電
圧のアツプも当然行なわれるに至つている。
明るさ向上とフオーカス性向上とが特に要求さ
れ、このため、螢光体発光効率のアツプ、シヤド
ウマスク透過率のアツプおよび多段電子銃化等の
改良が行なわれている一方において、使用印加電
圧のアツプも当然行なわれるに至つている。
陰極線管における耐電圧特性は、一般的に寿
命、エミツシヨンおよびフオーカス等の諸特性に
およぼす影響が極めて大きく、かつブラウン管に
おいてもこの例外ではない。したがつて前述した
多段電子銃化あるいは高電圧アツプ化は当然耐電
圧特性劣化の因子となり得、従来にも増し、この
特性改良が必要となつてきている。また、耐電圧
特性の劣化の原因とるストレーエミツシヨンや放
電（スパーク）は、カラーブラウン管においては
主に電界放出（コールドエミツシヨン）もしくは
二次電子放出であり、従来の対策手段としては管
内の塵埃の減少、スポツトノツキング改良あるい
は電子部品の改良等ストレー源となり得る因子を
除外していくものが主体であつた。
命、エミツシヨンおよびフオーカス等の諸特性に
およぼす影響が極めて大きく、かつブラウン管に
おいてもこの例外ではない。したがつて前述した
多段電子銃化あるいは高電圧アツプ化は当然耐電
圧特性劣化の因子となり得、従来にも増し、この
特性改良が必要となつてきている。また、耐電圧
特性の劣化の原因とるストレーエミツシヨンや放
電（スパーク）は、カラーブラウン管においては
主に電界放出（コールドエミツシヨン）もしくは
二次電子放出であり、従来の対策手段としては管
内の塵埃の減少、スポツトノツキング改良あるい
は電子部品の改良等ストレー源となり得る因子を
除外していくものが主体であつた。
第１図は陰極線管ネツク部に収納された電子銃
構体の一例を説明するための要部平面構成図であ
る。同図において、１はネツク管、２は図示しな
いフアンネル部に配設された高電圧印加用陽極ボ
タンに接続された内部導電膜、３は内部導電膜２
に接触配置されたコンタクトスプリング、４はコ
ンタクトスプリング３が溶接固定されて高電圧が
印加されるシールドカツプ、５はシールドカツプ
４に接続されて高電圧が印加されるG4電極、６
はフオーカス電極を構成するG3電極、７，８は
それぞれ第１、第２低電圧が印加されるG2電極、
G1電極、９は熱電子を放射させる陰極、１０は
上記各電極５，６，７，８，９を同一軸上に所定
距離離間して保持固定させるビードガラスであ
る。
構体の一例を説明するための要部平面構成図であ
る。同図において、１はネツク管、２は図示しな
いフアンネル部に配設された高電圧印加用陽極ボ
タンに接続された内部導電膜、３は内部導電膜２
に接触配置されたコンタクトスプリング、４はコ
ンタクトスプリング３が溶接固定されて高電圧が
印加されるシールドカツプ、５はシールドカツプ
４に接続されて高電圧が印加されるG4電極、６
はフオーカス電極を構成するG3電極、７，８は
それぞれ第１、第２低電圧が印加されるG2電極、
G1電極、９は熱電子を放射させる陰極、１０は
上記各電極５，６，７，８，９を同一軸上に所定
距離離間して保持固定させるビードガラスであ
る。
このように構成された電子銃構体は、カソード
電極９より熱電子を放射させてこれをプリフオー
カス系レンズ、メインレンズを通して電子ビーム
を図示しない螢光面上に集束させるものであり、
例えば上述したバイポテンシヤルタイプの電子銃
構体ではこれらの電子レンズ作用を四個の電極で
行なつている。このとき、G1電極８は接地され、
G2電極７は300〜400V、G3電極６はG4電極５の
20〜30％の電圧、G4電極５は20〜30KVの高電圧
が付与される。この場合、G4電極５に印加され
る高電圧は、図示しない陽極ボタンに供給され、
内部導電膜２、コンタクトスプリング３およびシ
ールドカツプ４を介して行なわれる。
電極９より熱電子を放射させてこれをプリフオー
カス系レンズ、メインレンズを通して電子ビーム
を図示しない螢光面上に集束させるものであり、
例えば上述したバイポテンシヤルタイプの電子銃
構体ではこれらの電子レンズ作用を四個の電極で
行なつている。このとき、G1電極８は接地され、
G2電極７は300〜400V、G3電極６はG4電極５の
20〜30％の電圧、G4電極５は20〜30KVの高電圧
が付与される。この場合、G4電極５に印加され
る高電圧は、図示しない陽極ボタンに供給され、
内部導電膜２、コンタクトスプリング３およびシ
ールドカツプ４を介して行なわれる。
しかしながら上記構成による電子銃構体は、動
作中において、ネツク管１、ビードガラス１０の
体積抵抗率、表面導電率およびガラスの誘電率に
より、各々のガラス表面が高電圧にチヤージアツ
プされ、特にG1電極８、G2電極７とビードガラ
ス１０との間の電界強度およびG1電極８、G2電
極７とネツク管１間壁との電界強度は、設計時点
で予測した電界強度よりも極端に高くなつてい
る。このため、G1電極８、G2電極７の表面の微
小突起からビードガラス１０およびネツク管１内
壁に向つて冷電子放射を発生させ、これを一次電
子としてガラス面で二次電子を生じ、これが成長
して管内放電を発生させていた。
作中において、ネツク管１、ビードガラス１０の
体積抵抗率、表面導電率およびガラスの誘電率に
より、各々のガラス表面が高電圧にチヤージアツ
プされ、特にG1電極８、G2電極７とビードガラ
ス１０との間の電界強度およびG1電極８、G2電
極７とネツク管１間壁との電界強度は、設計時点
で予測した電界強度よりも極端に高くなつてい
る。このため、G1電極８、G2電極７の表面の微
小突起からビードガラス１０およびネツク管１内
壁に向つて冷電子放射を発生させ、これを一次電
子としてガラス面で二次電子を生じ、これが成長
して管内放電を発生させていた。
このような不具合を改善したものとしては、二
次電子の成長を抑制するためにビードガラス１０
の一部をメタライズしたり、同図に示したように
G3電極６に一端または両端を接続した導体１１
をビードガラス１０の近傍に配設し、ビードガラ
ス１０の表面電位を制御する方法が提案されてい
る。
次電子の成長を抑制するためにビードガラス１０
の一部をメタライズしたり、同図に示したように
G3電極６に一端または両端を接続した導体１１
をビードガラス１０の近傍に配設し、ビードガラ
ス１０の表面電位を制御する方法が提案されてい
る。
しかしながら、これらはいずれもビードガラス
１０に対して有効であるが、ネツク管１の内壁面
に対する冷電子放射をなくすことができず、した
がつてネツク管１の内壁の表面電位を制御できな
かつた。またG1電極８、G2電極７の表面の微小
突起を有していることも一因となつていた。
１０に対して有効であるが、ネツク管１の内壁面
に対する冷電子放射をなくすことができず、した
がつてネツク管１の内壁の表面電位を制御できな
かつた。またG1電極８、G2電極７の表面の微小
突起を有していることも一因となつていた。
通常、陰極線管は電子銃構体をガラスバルブの
ネツク管１内に挿入し、封入した後、ガラスバル
ブを加熱して脱ガスを行ないながら真空ポンプで
排気し、この操作中にカソードの炭酸塩を分解し
カソードからの熱電子放射を可能にした状態で真
空気密を保つために排気管を封止切りゲツターを
内部に飛散させてガラスバルブ内を超高真空状態
にする。この後、高電位電極例えばG4電極５に
50KV以上の高電圧を印加し、低電位電極、例え
ばG3電極６、G2電極７、G1電極８、カソード電
極９を一括接地して高電位電極と低電位電極との
間で放電を起させてから相対する部分をコンデイ
シヨニングして耐電圧を向上させるスポツトノツ
キング工程がある。このとき、高電位電極と低電
位電極との相対する部分の微小突起は除去される
が、高電位電極（G4電極５）から遠く離間され
ているG1電極８、G2電極７は途中に接地電位が
あるため、この部分の放電が起らず、したがつて
G1電極８、G2電極７の微小突起は除去されない
ことになる。
ネツク管１内に挿入し、封入した後、ガラスバル
ブを加熱して脱ガスを行ないながら真空ポンプで
排気し、この操作中にカソードの炭酸塩を分解し
カソードからの熱電子放射を可能にした状態で真
空気密を保つために排気管を封止切りゲツターを
内部に飛散させてガラスバルブ内を超高真空状態
にする。この後、高電位電極例えばG4電極５に
50KV以上の高電圧を印加し、低電位電極、例え
ばG3電極６、G2電極７、G1電極８、カソード電
極９を一括接地して高電位電極と低電位電極との
間で放電を起させてから相対する部分をコンデイ
シヨニングして耐電圧を向上させるスポツトノツ
キング工程がある。このとき、高電位電極と低電
位電極との相対する部分の微小突起は除去される
が、高電位電極（G4電極５）から遠く離間され
ているG1電極８、G2電極７は途中に接地電位が
あるため、この部分の放電が起らず、したがつて
G1電極８、G2電極７の微小突起は除去されない
ことになる。
したがつて本発明は、高電位電極もしくは低電
位電極のいずれか一方に他方の電極近傍に延在す
る導体を設けることによつて、ビードガラス、ネ
ツク管内壁への冷電子放射を抑制し、管内放電の
発生を防止させて耐電圧特性を向上させた陰極線
管電子銃構体を提供することを目的としている。
位電極のいずれか一方に他方の電極近傍に延在す
る導体を設けることによつて、ビードガラス、ネ
ツク管内壁への冷電子放射を抑制し、管内放電の
発生を防止させて耐電圧特性を向上させた陰極線
管電子銃構体を提供することを目的としている。
以下実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
第２図は本発明による陰極線管電子銃構体の一
実施例を説明するための第１図に相当する要部平
面構成図であり、第１図と同記号は同一要素とな
るのでその説明は省略する。同図において、高電
圧が印加されるG4電極５、例えばビードガラス
１０に一端が埋設されかつ他端側がG4電極５の
外面に溶接固定された図示しないG4電極５のビ
ードサポートには、一端を溶接固定させかつ他端
側を低電圧が印加されるG2電極７とG3電極６間
近傍まで延在させたステンレス製棒状体からなる
導体１２が配設されている。この場合、この棒状
体からなる導体１２は、ビートガラス１０上に配
設されるのではなく、ビードガラス１０と図示し
ないネツク管１内壁面とのほぼ空間部分にビード
ガラス１０に沿つて位置されている。
実施例を説明するための第１図に相当する要部平
面構成図であり、第１図と同記号は同一要素とな
るのでその説明は省略する。同図において、高電
圧が印加されるG4電極５、例えばビードガラス
１０に一端が埋設されかつ他端側がG4電極５の
外面に溶接固定された図示しないG4電極５のビ
ードサポートには、一端を溶接固定させかつ他端
側を低電圧が印加されるG2電極７とG3電極６間
近傍まで延在させたステンレス製棒状体からなる
導体１２が配設されている。この場合、この棒状
体からなる導体１２は、ビートガラス１０上に配
設されるのではなく、ビードガラス１０と図示し
ないネツク管１内壁面とのほぼ空間部分にビード
ガラス１０に沿つて位置されている。
このような構成によれば、スポツトノツキング
操作時に接地電位となつているG3電極６を飛び
越してG3電極６とG2電極７間に、高電位が接続
されるG4電極５を一端に接続させた導体１２の
先端部を延在して配置したことによつて、スポツ
トノツキング工程で導体１２の先端部とG1電極
８、G2電極７間で放電を発生させ、G1電極８、
G2電極７の微小突起が除去される。したがつて、
ビードガラス１０、ネツク管内壁への冷電子放射
がなくなり、実際の使用状態では管内放電のない
優れた陰極線管が得られる。
操作時に接地電位となつているG3電極６を飛び
越してG3電極６とG2電極７間に、高電位が接続
されるG4電極５を一端に接続させた導体１２の
先端部を延在して配置したことによつて、スポツ
トノツキング工程で導体１２の先端部とG1電極
８、G2電極７間で放電を発生させ、G1電極８、
G2電極７の微小突起が除去される。したがつて、
ビードガラス１０、ネツク管内壁への冷電子放射
がなくなり、実際の使用状態では管内放電のない
優れた陰極線管が得られる。
なお、上記実施例において、導体１２をG4電
極５のビードサポートから引き出して設置した場
合について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、シールドカツプ４（第１図参
照）から引き出しても良く、また、ビードガラス
１０に沿つたものではなく、ビードガラス１０か
ら離れた位置に管軸方向に沿つてG2電極７とG3
電極６間の間隙近傍を一周させる構造としても前
述と同様の効果が得られることは勿論である。
極５のビードサポートから引き出して設置した場
合について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、シールドカツプ４（第１図参
照）から引き出しても良く、また、ビードガラス
１０に沿つたものではなく、ビードガラス１０か
ら離れた位置に管軸方向に沿つてG2電極７とG3
電極６間の間隙近傍を一周させる構造としても前
述と同様の効果が得られることは勿論である。
第３図は本発明による陰極線管用電子銃構体の
他の実施例を説明するための要部平面構成図であ
り、前述の図と同記号は同一要素となるので、そ
の説明は省略する。同図において、使用時におけ
る印加電圧が低電位となるG1電極８には、両端
側を溶接固定させかつその中央部分を高電圧が印
加されるG3電極６近傍までループ状に形成して
延在させたステンレス製の避雷針などの導体１３
が配設されている。この場合、このループ状の導
体１３はビードガラス１０とネツク管１内壁面と
のぼぼ中間部分に配設されている。
他の実施例を説明するための要部平面構成図であ
り、前述の図と同記号は同一要素となるので、そ
の説明は省略する。同図において、使用時におけ
る印加電圧が低電位となるG1電極８には、両端
側を溶接固定させかつその中央部分を高電圧が印
加されるG3電極６近傍までループ状に形成して
延在させたステンレス製の避雷針などの導体１３
が配設されている。この場合、このループ状の導
体１３はビードガラス１０とネツク管１内壁面と
のぼぼ中間部分に配設されている。
このような構成によれば、導体１３の電位はほ
ぼ0Vであり、この導体１３で覆われたG1電極８、
G2電極７の周辺範囲は電位分布としては完全に
高電圧範囲と遮断させることができるので、この
ため、ストレー源となる微小塵埃あるいは電極突
起物がG3電極６、G2電極７、G3電極８に存在し
ても、ネツク管１内壁面あるいはビードガラス１
０に向つて電界放出もしくは二次電子放出の発生
を強制的に抑制することができる。なお、このル
ープ状の導体１３は、G3電極６の全周にわたつ
て形成させるのが最良であり、さらに導体１３そ
れ自体からのストレーを防止するために化学的研
磨を施したステンレス製ワイヤーが適当である。
ぼ0Vであり、この導体１３で覆われたG1電極８、
G2電極７の周辺範囲は電位分布としては完全に
高電圧範囲と遮断させることができるので、この
ため、ストレー源となる微小塵埃あるいは電極突
起物がG3電極６、G2電極７、G3電極８に存在し
ても、ネツク管１内壁面あるいはビードガラス１
０に向つて電界放出もしくは二次電子放出の発生
を強制的に抑制することができる。なお、このル
ープ状の導体１３は、G3電極６の全周にわたつ
て形成させるのが最良であり、さらに導体１３そ
れ自体からのストレーを防止するために化学的研
磨を施したステンレス製ワイヤーが適当である。
以上説明したように本発明は、低電位電極に両
端を固定して高電位電極の全周にわつて延在する
ループ状に形成した導体を設けたことによつて、
ビードガラス、ネツク管内壁への電界放出もしく
は二次電子放出を抑制し、管内放電の発生を防止
でき、耐電圧特性を向上させることができる極め
て優れた効果が得られる。
端を固定して高電位電極の全周にわつて延在する
ループ状に形成した導体を設けたことによつて、
ビードガラス、ネツク管内壁への電界放出もしく
は二次電子放出を抑制し、管内放電の発生を防止
でき、耐電圧特性を向上させることができる極め
て優れた効果が得られる。
第１図は従来の陰極線管用電子銃構体の一例を
説明するための要部平面構成図、第２図は本発明
による陰極線管用電子銃構体の一実施例を説明す
るための要部平面構成図、第３図は本発明による
陰極線管用電子銃構体の他の実施例を説明するた
めの要部平面構成図である。 １……ネツク管、２……内部導電膜、３……コ
ンタクトスプリング、４……シールドカツプ、５
……G4電極、６……G3電極、７……G2電極、８
……G1電極、９……陰極、１０……ビードガラ
ス、１１，１２，１３……導体。
説明するための要部平面構成図、第２図は本発明
による陰極線管用電子銃構体の一実施例を説明す
るための要部平面構成図、第３図は本発明による
陰極線管用電子銃構体の他の実施例を説明するた
めの要部平面構成図である。 １……ネツク管、２……内部導電膜、３……コ
ンタクトスプリング、４……シールドカツプ、５
……G4電極、６……G3電極、７……G2電極、８
……G1電極、９……陰極、１０……ビードガラ
ス、１１，１２，１３……導体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 陰極線管のバルブネツク管１内に、内部導電
膜２から高電圧が印加されるG4電極５と前記G4
電極５の印加電圧の20〜30％の電圧が印加されて
フオーカス電極を構成するG3電極６と300〜600V
の電圧が印加されるG2電極７と接地電位が印加
されるG1電極８および熱電子を放出する陰極９
とをビードガラス１０によつて同一管軸上に所定
距離離間して保持固定して配置した陰極線管用電
子銃構体において、 前記G1電極８に両端を溶接固定しその中央部
分を前記ビードガラス１０とバルブネツク管１内
壁面とのほぼ空間部分において前記G3電極６の
全周にわたつてループ状に形成して延在させたス
テンレスワイヤーからなる導体１３を配設したこ
とを特徴とする陰極線管用電子銃構体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15828280A JPS5782946A (en) | 1980-11-12 | 1980-11-12 | Electron gun structure for cathode ray tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15828280A JPS5782946A (en) | 1980-11-12 | 1980-11-12 | Electron gun structure for cathode ray tube |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5782946A JPS5782946A (en) | 1982-05-24 |
| JPH041985B2 true JPH041985B2 (ja) | 1992-01-16 |
Family
ID=15668184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15828280A Granted JPS5782946A (en) | 1980-11-12 | 1980-11-12 | Electron gun structure for cathode ray tube |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5782946A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2609600B2 (ja) * | 1987-02-12 | 1997-05-14 | 株式会社日立製作所 | 陰極線管用電子銃構体 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6125168Y2 (ja) * | 1977-02-17 | 1986-07-29 | ||
| JPS53126465U (ja) * | 1977-03-09 | 1978-10-07 |
-
1980
- 1980-11-12 JP JP15828280A patent/JPS5782946A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5782946A (en) | 1982-05-24 |
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