JPH04196040A - 電子銃 - Google Patents

電子銃

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Publication number
JPH04196040A
JPH04196040A JP32252890A JP32252890A JPH04196040A JP H04196040 A JPH04196040 A JP H04196040A JP 32252890 A JP32252890 A JP 32252890A JP 32252890 A JP32252890 A JP 32252890A JP H04196040 A JPH04196040 A JP H04196040A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cathode
electron beam
intensity
ionization chamber
chamber
Prior art date
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Pending
Application number
JP32252890A
Other languages
English (en)
Inventor
Sukeyuki Yasui
祐之 安井
Koichi Yasuoka
康一 安岡
Akira Ishii
彰 石井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP32252890A priority Critical patent/JPH04196040A/ja
Publication of JPH04196040A publication Critical patent/JPH04196040A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、高電力電子銃に係り、特に、電子ビーム強度
を容易に変化させることができるように改良を施した電
子銃に関するものである。
(従来の技術) 近年、化学反応、顕微鏡2分析、溶接等の多くの先端材
料の分野で電子ビームが使用され、この電子ビームの発
生源として電子銃が用いられている。第2図に、従来か
ら用いられている電子銃の一例を示した。即ち、電子銃
は、絶縁物2を介して陽極ワイヤ1をその内部に貫通配
置したイオン化室3と、後述する導電性抽出グリッド1
1を介して前記イオン化室3と連通ずる高電圧室5とか
ら構成されている。また、前記イオン化室3には、高電
圧室5とは反対側に、電子に対して透過性のある出口窓
10が形成され、さらに、高電圧室5との連結部には、
出口窓10の電圧にほぼ等しい電圧の導電性抽出グリッ
ド11が形成されている。
一方、前記高電圧室5内には、高い負のバイアス電圧に
ある低温陰極7が絶縁物8に支持されて収納され、この
低温陰極7から高電圧室5の外部へ電圧導入端子9が引
き出されている。また、高電圧室5には排気口12が設
けられ、これを排気装置(図示せず)に連結することに
よって、前記イオン化室3及び高電圧室5内の圧力を制
御できるように構成されている。
なお、イオン化室3と高電圧室5の両者は、陽イオン化
を達成できる極めて低い圧力の気体を含有しており、通
常は、10〜50ミリ・1・−ルのヘリウムが用いられ
る。また、イオン化室3の壁4と高電圧室5の壁6は、
共にアース電位になっている。さらに、イオン化を行な
う際には、陽極ワイヤ1とイオン化室の壁4との間に、
1−0〜20キロ・ボルトのパルス電圧が印加される。
一方、低温陰極7は、高電圧供給源(図示せず)に接続
された電圧導入端子9を通じて、負のバイアス電圧(例
えは、−150キロ・ボルト)に恒常的に紺゛持されて
いる。また、出口窓10は、高エネルギーに対して透過
性のある幾分薄いシートで構成されている。このシート
は、アルミニウムまたはチタンの様な金属で作成するこ
とが可能であり、数1−0マイクロ・メーターの厚さを
有している。
さらに、この窓幅としては、多くの適用例、特に、照射
による桐材の処理に関連した適用例においては、1cm
を越える窓幅を要している。
この様に構成された従来の電子銃においては、以下に述
べる様にして、電子ビーム源となる電子か放出される。
即ち、イオン化室3に貫通配置された陽極ワイヤ1に、
低圧力下でパルス電圧を印加すると、アース電位にある
イオン化室の壁4との間に放電が起こり、イオン化室3
内に陽イオンが発生ずる。この陽イオンは、イオン化室
3と高電圧室5との間に配設された導電性抽出グリッド
1]を通って高電圧室5内に侵入し、低温陰極7に当た
る。すると、低温陰極7の表面において、前記陽イオン
の衝撃によって電子か放出される。
この様にして放出された電子は、陽イオンとは逆り向に
進み、導電性抽出グリッド11に向かって加速され、さ
らに、イオン化室3を通過して出口窓10に至り、電子
ビーム源として供給される。
ここで、導電性抽出グリッド11の近辺における陽イオ
ンの初期エネルギーを無視し、負のバイアス電圧をV 
IIT、陽イオンの電荷量をeとすれば、陽イオンは(
単一の荷電イオンに関係があることを念頭におけは)、
e−VIITに等しいエネルギーをもって低温陰極7に
到達するものと考えることができる。また、低温陰極7
の表面1−で抽出グリッドより引き出された陽イオンの
衝撃により2次放出された電子は、抽出グリッド11に
向がって加速され、そこで電子は、e−VIITのエネ
ルギーに到達する。これらの状態下において、−個の陽
イオンと、この陽イオンによって放出される電子は、同
じ電場線に対応して、はぼ重畳する軌道を呈する。
上記の様な電子銃は、主として、電r−銃を電r励起に
よるガス・レーザー、マグネット・ハイドロダイナミッ
ク発電機に、また、出口窓1oをX線発生用ターゲット
に置き換えることで、X線発生装置に適用し得るもので
ある。
ところで、電子銃より発生する電子ビームに要求される
強度は、適用対象(例えは、電r−励起によるガス・レ
ーザー等)に著しく依存するものである。そこで、従来
より上記のビーム強度対策として、第2図に示した低温
陰極7に印加する負のハ・r了ス電圧を可変とすること
により、イオン化室3かI:、引き出す陽イオン数を変
化させ、それに=  4 −− よって、陰極表面における陽イオン衝撃によって放出さ
れる電子数を変化させて、電子電流を変化させ、電子ビ
ーム強度を制御する方法が用いられていた。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、1ユ述した様な従来の電子銃においては
、以下に述べる様な解決すべき課題があった。即ち、電
子電流を変化させるためには、上記の様に、陰極表面に
到達する陽イオン数、即ちイオン電流を変化させればよ
いわけであるが、従来は、このイオン電流を変化させる
手段として、負のバイアス電圧を変化させる方法のみを
採用していた。そのため、電子ビームの強度を増加する
には、負のバイアス電圧を増加させなければならず、電
源容量の増加をもたらし、効率が非常に悪いものであっ
た。
本発明は、上記の様な従来技術の欠点を解消するために
提案されたものであり、その目的は、電rビームの強度
の調整を容易に行うことができ、また、陰極に接続され
る電源の容量を低減することのできる高効率の電子銃を
提供することにある。
[発明の構成] (課題を解決するだめの手段) 本発明は、電子に対して透過性のある出口窓と、その反
対側に設けられた導電性抽出グリッドを備え、また、陽
イオンを発生する装置を備えたイオン化室と、前記抽出
グリッドを介してイオン化室と連通され、抽出グリッド
に対向する位置に陰極を収容した高電圧室から成る電子
銃において、前記陰極を、抽出グリッドに対して移動可
能に構成したことを特徴とするものである。
(作用) 本発明の電子銃によれば、電子ビームの強度を変化させ
るにあたり、陰極に印加される電圧を変化させるだけで
なく、陰極を抽出グリッドに対して移動させることによ
って、イオン化室から引き出されるイオン電流を変化さ
せ、それによって、電子ビームの強度の調整を容易に行
うことができる。また、従来と同じ電子ビーム強度を得
る場合でも、電圧可変操作のみで対応するより電源容量
は小さくて済む。
(実施例) 以下、本発明の一実施例を第1図に基づいて具体的に説
明する。なお、第2図に示した従来型と同一の部材には
同一の符号を付して、説明は省略する。
本実施例においては、第1図に示した様に、低温陰極7
を支持する絶縁物20の側面の一部に、円筒状に金属コ
ーティング部21が形成されている。一方、前記絶縁物
2゛0が高電圧室5の壁6を貫通する部分には、前記絶
縁物20がその内側面に沿って摺動するフランジ22が
形成されている。
また、前記金属コーティング部21とフランジ22の内
側面との間には、両者の摺動の円滑化を図るために運動
0リング23が配設されている。
この様な構成を有する本実施例の電子銃においては、以
下に述べる様にして、電子ビームの強度を容易に調整す
ることができる。一般に、2次放出を行う電子銃の強度
、即ち、電子電流の強さは、陰極表面に衝突する陽イオ
ン数(抽出グリッドから引き出されたイオン電流)に依
存し、また、イオン化室3から引き出されるイオン電流
は、低温陰極7の負のバイアス電圧をV、導電性抽出グ
リッド11と陰極7間の距離をdとすると、V32/d
2に比例することが知られている。このことから、電子
ビームの強度を増加したい場合には、低温陰極7をイオ
ン化室3側に移動させることにより上記dの値を小さく
すれば、イオン化室3から引き出されるイオン電流を容
易に大きくすることができる。その結果、陰極表面に到
達する陽イオン数が増加し、この陽イオンによって放出
される電子数も増加することになる。
従って、電子ビーム強度を大幅に増加させる必要がある
場合には、従来と同様に低温陰極7に印加する負のバイ
アス電圧■を増加し、さらに、低温陰極7をイオン化室
3側に移動することにより、効率良く電子ビーム強度を
増加させることができる。一方、従来と同様の電子ビー
ム強度が必要である場合においても、低温陰極7をイオ
ン化室3側に移動することによりイオン電流の増大を図
ることができるので、低温陰極7に印加する負のバイア
ス電圧Vを低減することが可能となり、電源容量の低減
を実現できる。
なお、本発明は−I−述した実施例に限定されるもので
はなく、低温陰極の移動手段は、所望の電子ビーム強度
が得られるように、低温陰極7とイオン化室3の距離d
を適宜変化させることができるものであれば良い。また
、所望の電子ビーム強度に対応して、低温陰極を所定の
位置に自動的に移動させるような制御手段を、前記低温
陰極の移動手段に接続しても良い。
[発明の効果] 以」二説明した様に、本発明によれば、陰極を抽出グリ
ッドに対して移動可能に構成することによって、電子ビ
ームの強度の調整を容易に行うことができ、また、陰極
に接続される電源の容量を低減することのできる高効率
の電子銃を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による電子銃の一実施例を示す断面図、
第2図は従来の電子銃の一例を示す断面図である。 1・・陽極ワイヤ、2・・・絶縁物、3・・イオン化室
、4・・・イオン化室の壁、5・・高電圧室、6・・高
電圧室の壁、7・・低温陰極、8・・・絶縁物、9・・
・電圧導入端子、]0・・・出「1窓、11・・・導電
性抽出クリッド、12・・・排気口、20・・絶縁物、
21−・・・金属コーティング部、22・・・フランジ
、23・・・運動0リング。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 電子に対して透過性のある出口窓と、その反対側に設け
    られた導電性抽出グリッドを備え、また、陽イオンを発
    生する装置を備えたイオン化室と、前記抽出グリッドを
    介してイオン化室と連通され、抽出グリッドに対向する
    位置に陰極を収容した高電圧室から成る電子銃において
    、 前記陰極を、抽出グリッドに対して移動可能に構成した
    ことを特徴とする電子銃。
JP32252890A 1990-11-28 1990-11-28 電子銃 Pending JPH04196040A (ja)

Priority Applications (1)

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JP32252890A JPH04196040A (ja) 1990-11-28 1990-11-28 電子銃

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JP32252890A JPH04196040A (ja) 1990-11-28 1990-11-28 電子銃

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