JPH04255655A - 電子銃 - Google Patents
電子銃Info
- Publication number
- JPH04255655A JPH04255655A JP3018061A JP1806191A JPH04255655A JP H04255655 A JPH04255655 A JP H04255655A JP 3018061 A JP3018061 A JP 3018061A JP 1806191 A JP1806191 A JP 1806191A JP H04255655 A JPH04255655 A JP H04255655A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ionization chamber
- anode wire
- electron gun
- chamber
- high voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 15
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】[発明の目的]
【0002】
【産業上の利用分野】本発明は、高電力電子銃に係り、
特に、電子ビームの照射領域を容易に変化させることが
できるように改良を施した電子銃に関するものである。
特に、電子ビームの照射領域を容易に変化させることが
できるように改良を施した電子銃に関するものである。
【0003】
【従来の技術】近年、化学反応,顕微鏡,分析,溶接等
の多くの先端材料の分野で電子ビームが使用され、この
電子ビームの発生源として電子銃が用いられている。図
2に、従来から用いられている電子銃の一例を示した。 即ち、電子銃は、絶縁物2を介して陽極ワイヤ1をその
内部に貫通配置したイオン化室3と、後述する導電性抽
出グリッド11を介して前記イオン化室3と連通する高
電圧室5とから構成されている。また、前記イオン化室
3には、高電圧室5とは反対側に、電子に対して透過性
のある出口窓10が形成され、さらに、高電圧室5との
連結部には、出口窓10の電圧にほぼ等しい電圧の導電
性抽出グリッド11が形成されている。一方、前記高電
圧室5内には、高い負のバイアス電圧にある陰極7が絶
縁物8に支持されて収納され、この陰極7から高電圧室
5の外部へ電圧導入端子9が引き出されている。また、
高電圧室5には排気口12が設けられ、これを排気装置
(図示せず)に連結することによって、前記イオン化室
3及び高電圧室5内の圧力を制御できるように構成され
ている。
の多くの先端材料の分野で電子ビームが使用され、この
電子ビームの発生源として電子銃が用いられている。図
2に、従来から用いられている電子銃の一例を示した。 即ち、電子銃は、絶縁物2を介して陽極ワイヤ1をその
内部に貫通配置したイオン化室3と、後述する導電性抽
出グリッド11を介して前記イオン化室3と連通する高
電圧室5とから構成されている。また、前記イオン化室
3には、高電圧室5とは反対側に、電子に対して透過性
のある出口窓10が形成され、さらに、高電圧室5との
連結部には、出口窓10の電圧にほぼ等しい電圧の導電
性抽出グリッド11が形成されている。一方、前記高電
圧室5内には、高い負のバイアス電圧にある陰極7が絶
縁物8に支持されて収納され、この陰極7から高電圧室
5の外部へ電圧導入端子9が引き出されている。また、
高電圧室5には排気口12が設けられ、これを排気装置
(図示せず)に連結することによって、前記イオン化室
3及び高電圧室5内の圧力を制御できるように構成され
ている。
【0004】なお、イオン化室3と高電圧室5の両者は
、陽イオン化を達成できる極めて低い圧力の気体を含有
しており、通常は、10〜50ミリ・トールのヘリウム
が用いられる。また、イオン化室3の壁4と高電圧室5
の壁6は、共にアース電位になっている。さらに、イオ
ン化を行なう際には、陽極ワイヤ1とイオン化室の壁4
との間に、10〜20キロ・ボルトのパルス電圧が印加
される。一方、陰極7は、高電圧供給源(図示せず)に
接続された電圧導入端子9を通じて、負のバイアス電圧
(例えば、−150キロ・ボルト)に恒常的に維持され
ている。また、出口窓10は、高エネルギーに対して透
過性のある幾分薄いシートで構成されている。このシー
トは、アルミニウムまたはチタンの様な金属で作成する
ことが可能であり、数10マイクロ・メーターの厚さを
有している。さらに、この窓幅としては、多くの適用例
、特に、照射による材料の処理に関連した適用例におい
ては、1cmを越える窓幅を要している。
、陽イオン化を達成できる極めて低い圧力の気体を含有
しており、通常は、10〜50ミリ・トールのヘリウム
が用いられる。また、イオン化室3の壁4と高電圧室5
の壁6は、共にアース電位になっている。さらに、イオ
ン化を行なう際には、陽極ワイヤ1とイオン化室の壁4
との間に、10〜20キロ・ボルトのパルス電圧が印加
される。一方、陰極7は、高電圧供給源(図示せず)に
接続された電圧導入端子9を通じて、負のバイアス電圧
(例えば、−150キロ・ボルト)に恒常的に維持され
ている。また、出口窓10は、高エネルギーに対して透
過性のある幾分薄いシートで構成されている。このシー
トは、アルミニウムまたはチタンの様な金属で作成する
ことが可能であり、数10マイクロ・メーターの厚さを
有している。さらに、この窓幅としては、多くの適用例
、特に、照射による材料の処理に関連した適用例におい
ては、1cmを越える窓幅を要している。
【0005】この様に構成された従来の電子銃において
は、以下に述べる様にして、電子ビーム源となる電子が
放出される。即ち、イオン化室3に絶縁物2を介して貫
通配置された陽極ワイヤ1に、低圧力下でパルス電圧を
印加すると、アース電位にあるイオン化室の壁4との間
にワイヤ放電が起こり、イオン化室3内の陽極ワイヤ露
出部とイオン化室の壁との間にプラズマが発生する。一
方、高電圧室5内に配設された陰極7は、前記プラズマ
から陽イオンを引き出す。
は、以下に述べる様にして、電子ビーム源となる電子が
放出される。即ち、イオン化室3に絶縁物2を介して貫
通配置された陽極ワイヤ1に、低圧力下でパルス電圧を
印加すると、アース電位にあるイオン化室の壁4との間
にワイヤ放電が起こり、イオン化室3内の陽極ワイヤ露
出部とイオン化室の壁との間にプラズマが発生する。一
方、高電圧室5内に配設された陰極7は、前記プラズマ
から陽イオンを引き出す。
【0006】この陽イオンは、イオン化室3と高電圧室
5との間に配設された導電性抽出グリッド11を通って
高電圧室5内に侵入し、陰極7に当たる。すると、陰極
7の表面において、前記陽イオンの衝撃によって電子が
放出される。この様にして放出された電子は、陽イオン
とは逆方向に進み、導電性抽出グリッド11に向かって
加速され、さらに、イオン化室3を通過して出口窓10
に至り、電子ビーム源として供給される。この場合、電
子ビームの照射領域の長手方向は、図2に示した様に、
イオン化室内の陽極ワイヤの露出部で決定される。これ
は、ワイヤ放電に特有な性質である。
5との間に配設された導電性抽出グリッド11を通って
高電圧室5内に侵入し、陰極7に当たる。すると、陰極
7の表面において、前記陽イオンの衝撃によって電子が
放出される。この様にして放出された電子は、陽イオン
とは逆方向に進み、導電性抽出グリッド11に向かって
加速され、さらに、イオン化室3を通過して出口窓10
に至り、電子ビーム源として供給される。この場合、電
子ビームの照射領域の長手方向は、図2に示した様に、
イオン化室内の陽極ワイヤの露出部で決定される。これ
は、ワイヤ放電に特有な性質である。
【0007】ここで、導電性抽出グリッド11の近辺に
おける陽イオンの初期エネルギーを無視し、負のバイア
ス電圧をVHT、陽イオンの電荷量をeとすれば、陽イ
オンは(単一の荷電イオンに関係があることを念頭にお
けば)、e・VHTに等しいエネルギーをもって陰極7
に到達するものと考えることができる。また、陰極7の
表面上で抽出グリッドより引き出された陽イオンの衝撃
により2次放出された電子は、抽出グリッド11に向か
って加速され、そこで電子は、e・VHTのエネルギー
に到達する。これらの状態下において、一個の陽イオン
と、この陽イオンによって放出される電子は、同じ電場
線に対応して、ほぼ重畳する軌道を呈する。
おける陽イオンの初期エネルギーを無視し、負のバイア
ス電圧をVHT、陽イオンの電荷量をeとすれば、陽イ
オンは(単一の荷電イオンに関係があることを念頭にお
けば)、e・VHTに等しいエネルギーをもって陰極7
に到達するものと考えることができる。また、陰極7の
表面上で抽出グリッドより引き出された陽イオンの衝撃
により2次放出された電子は、抽出グリッド11に向か
って加速され、そこで電子は、e・VHTのエネルギー
に到達する。これらの状態下において、一個の陽イオン
と、この陽イオンによって放出される電子は、同じ電場
線に対応して、ほぼ重畳する軌道を呈する。
【0008】上記の様な電子銃は、主として、電子銃を
電子励起によるガス・レーザー、マグネット・ハイドロ
ダイナミック発電機に、また、出口窓10をX線発生用
ターゲットに置き換えることで、X線発生装置に適用し
得るものである。
電子励起によるガス・レーザー、マグネット・ハイドロ
ダイナミック発電機に、また、出口窓10をX線発生用
ターゲットに置き換えることで、X線発生装置に適用し
得るものである。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、電子銃より
発生する電子ビームに要求される照射領域は、適用対象
(例えば、電子励起によるガス・レーザー等)に著しく
依存するものである。この電子ビームの照射領域を所望
の大きさに変化させるためには、上記の様に陽極ワイヤ
の露出部の長さを変えれば良い。
発生する電子ビームに要求される照射領域は、適用対象
(例えば、電子励起によるガス・レーザー等)に著しく
依存するものである。この電子ビームの照射領域を所望
の大きさに変化させるためには、上記の様に陽極ワイヤ
の露出部の長さを変えれば良い。
【0010】しかしながら、上述した様な従来の電子銃
においては、イオン化室3内に配設される陽極ワイヤ1
は、絶縁物2を介してイオン化室3の壁に固定されてい
るため、その長さを変化させるには、イオン化室3自体
の長手方向の大きさを変えなくてはならなかった。その
ため、所望の照射領域に合わせて、それぞれに対応でき
るようにイオン化室3を作製しなければならず、装置の
汎用効率が非常に悪いものであった。
においては、イオン化室3内に配設される陽極ワイヤ1
は、絶縁物2を介してイオン化室3の壁に固定されてい
るため、その長さを変化させるには、イオン化室3自体
の長手方向の大きさを変えなくてはならなかった。その
ため、所望の照射領域に合わせて、それぞれに対応でき
るようにイオン化室3を作製しなければならず、装置の
汎用効率が非常に悪いものであった。
【0011】本発明は、上記の様な従来技術の欠点を解
消するために提案されたものであり、その目的は、単一
の装置で、電子ビームの照射領域の調整を容易に行うこ
とができる、汎用効率の高い電子銃を提供することにあ
る。
消するために提案されたものであり、その目的は、単一
の装置で、電子ビームの照射領域の調整を容易に行うこ
とができる、汎用効率の高い電子銃を提供することにあ
る。
【0012】[発明の構成]
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明は、電子に対して
透過性のある出口窓と、その反対側に設けられた導電性
抽出グリッドを備え、また、低圧力でイオン化すべき気
体と、この気体を電離させて陽イオンを発生させる陽極
ワイヤを備えたイオン化室と、前記抽出グリッドを介し
てイオン化室と連通され、抽出グリッドに対向する位置
に陰極を収容した高電圧室から成る電子銃において、イ
オン化室の側壁に絶縁物を介して棒状の導電物を取付け
、また、この導電物内に前記陽極ワイヤを貫通配置し、
さらに、前記導電物を陽極ワイヤに沿って摺動可能に構
成したことを特徴とするものである。
透過性のある出口窓と、その反対側に設けられた導電性
抽出グリッドを備え、また、低圧力でイオン化すべき気
体と、この気体を電離させて陽イオンを発生させる陽極
ワイヤを備えたイオン化室と、前記抽出グリッドを介し
てイオン化室と連通され、抽出グリッドに対向する位置
に陰極を収容した高電圧室から成る電子銃において、イ
オン化室の側壁に絶縁物を介して棒状の導電物を取付け
、また、この導電物内に前記陽極ワイヤを貫通配置し、
さらに、前記導電物を陽極ワイヤに沿って摺動可能に構
成したことを特徴とするものである。
【0014】
【作用】本発明の電子銃においては、イオン化室の両側
壁に摺動可能に取付けられた導電物を、その内部に貫通
配置された陽極ワイヤに沿って移動させることにより、
イオン化室内における陽極ワイヤの露出部の長さを適宜
調整することができる。その結果、陽極ワイヤの露出部
とイオン化室の壁との間に発生するワイヤ放電の領域を
制御することができる。
壁に摺動可能に取付けられた導電物を、その内部に貫通
配置された陽極ワイヤに沿って移動させることにより、
イオン化室内における陽極ワイヤの露出部の長さを適宜
調整することができる。その結果、陽極ワイヤの露出部
とイオン化室の壁との間に発生するワイヤ放電の領域を
制御することができる。
【0015】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1に基づいて具
体的に説明する。なお、図2に示した従来型と同一の部
材には同一の符号を付して、説明は省略する。
体的に説明する。なお、図2に示した従来型と同一の部
材には同一の符号を付して、説明は省略する。
【0016】本実施例においては、図1に示した様に、
イオン化室20が高電圧室5の上部に、互いの側壁4,
6を一致させて形成されている。また、イオン化室20
の両側壁4には、絶縁物2を介して、円筒状の導電物2
1が図中左右方向に摺動可能に取付けられている。さら
に、この円筒状の導電物21内には、陽極ワイヤ1が貫
通して設けられ、円筒状の導電物21が図中左右方向に
摺動することによって、陽極ワイヤ1の露出部の長さを
可変とすることができるように構成されている。 な
お、イオン化室20と高電圧室5との間に形成される導
電性抽出グリッド11、及びイオン化室20の前記導電
性抽出グリッドと対向する面に形成される出口窓10は
、それぞれイオン化室と高電圧室の全面に形成されてい
る。また、他の構成は図2に示した従来型と同様である
。
イオン化室20が高電圧室5の上部に、互いの側壁4,
6を一致させて形成されている。また、イオン化室20
の両側壁4には、絶縁物2を介して、円筒状の導電物2
1が図中左右方向に摺動可能に取付けられている。さら
に、この円筒状の導電物21内には、陽極ワイヤ1が貫
通して設けられ、円筒状の導電物21が図中左右方向に
摺動することによって、陽極ワイヤ1の露出部の長さを
可変とすることができるように構成されている。 な
お、イオン化室20と高電圧室5との間に形成される導
電性抽出グリッド11、及びイオン化室20の前記導電
性抽出グリッドと対向する面に形成される出口窓10は
、それぞれイオン化室と高電圧室の全面に形成されてい
る。また、他の構成は図2に示した従来型と同様である
。
【0017】この様な構成を有する本実施例の電子銃に
おいては、以下に述べる様にして、電子ビームの照射領
域を容易に調整することができる。即ち、電子ビームの
照射領域を調整する必要が生じた場合には、イオン化室
20の両側壁4に摺動可能に取付けられた円筒状の導電
物21を、図中左右方向に移動することによって、その
内部に貫通配置された陽極ワイヤ1の露出部の長さを適
宜調整する。
おいては、以下に述べる様にして、電子ビームの照射領
域を容易に調整することができる。即ち、電子ビームの
照射領域を調整する必要が生じた場合には、イオン化室
20の両側壁4に摺動可能に取付けられた円筒状の導電
物21を、図中左右方向に移動することによって、その
内部に貫通配置された陽極ワイヤ1の露出部の長さを適
宜調整する。
【0018】この場合、図1において、円筒状の導電物
21を左右両側に最大限移動させた時には、イオン化室
20内の陽極ワイヤ1の大部分が露出され、この陽極ワ
イヤ露出部とイオン化室20の壁との間にプラズマが発
生する。一方、円筒状の導電物21をイオン化室の中央
側に移動させた時には、イオン化室20内の陽極ワイヤ
1の一部のみが露出され、この陽極ワイヤ露出部とイオ
ン化室20の壁との間にプラズマが発生する。つまり、
イオン化室20の両側壁間に設けられた陽極ワイヤ1の
内、円筒状の導電物21によって被覆されていない部分
のみが、有効な電子ビーム照射領域Sとなる。
21を左右両側に最大限移動させた時には、イオン化室
20内の陽極ワイヤ1の大部分が露出され、この陽極ワ
イヤ露出部とイオン化室20の壁との間にプラズマが発
生する。一方、円筒状の導電物21をイオン化室の中央
側に移動させた時には、イオン化室20内の陽極ワイヤ
1の一部のみが露出され、この陽極ワイヤ露出部とイオ
ン化室20の壁との間にプラズマが発生する。つまり、
イオン化室20の両側壁間に設けられた陽極ワイヤ1の
内、円筒状の導電物21によって被覆されていない部分
のみが、有効な電子ビーム照射領域Sとなる。
【0019】この様に、本実施例によれば、陽極ワイヤ
1を貫通配置した円筒状の導電物21を、陽極ワイヤに
対して移動可能とすることで、容易にイオン化室内の陽
極ワイヤの露出部の長さを変化させることができ、イオ
ン化室内のワイヤ放電領域を制御することができる。ま
た、イオン化室20に対する陽極ワイヤ1の設置長さを
変える必要がないため、単一の装置で多種の照射領域に
適用することができ、装置の汎用効率が大幅に向上する
。
1を貫通配置した円筒状の導電物21を、陽極ワイヤに
対して移動可能とすることで、容易にイオン化室内の陽
極ワイヤの露出部の長さを変化させることができ、イオ
ン化室内のワイヤ放電領域を制御することができる。ま
た、イオン化室20に対する陽極ワイヤ1の設置長さを
変える必要がないため、単一の装置で多種の照射領域に
適用することができ、装置の汎用効率が大幅に向上する
。
【0020】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではなく、所望の電子ビームの照射領域に合わせ
て円筒状の導電物を移動させる手段は、イオン化室内に
配設された陽極ワイヤに沿って移動可能とできるもので
あれば良い。また、イオン化室の対向する両側面に取付
けられた円筒状の導電物は、両者が連動して移動するよ
うに構成しても、それぞれ別個に移動するように構成し
ても良い。さらに、導電物の形状は円筒状に限定される
ものではなく、陽極ワイヤをその内部に貫通配置でき、
ワイヤに沿って移動可能なものであれば良い。
るものではなく、所望の電子ビームの照射領域に合わせ
て円筒状の導電物を移動させる手段は、イオン化室内に
配設された陽極ワイヤに沿って移動可能とできるもので
あれば良い。また、イオン化室の対向する両側面に取付
けられた円筒状の導電物は、両者が連動して移動するよ
うに構成しても、それぞれ別個に移動するように構成し
ても良い。さらに、導電物の形状は円筒状に限定される
ものではなく、陽極ワイヤをその内部に貫通配置でき、
ワイヤに沿って移動可能なものであれば良い。
【0021】
【発明の効果】以上述べた通り、本発明によれば、イオ
ン化室の側壁に絶縁物を介して棒状の導電物を取付け、
また、この導電物内に陽極ワイヤを貫通配置し、さらに
、前記導電物を陽極ワイヤに沿って摺動可能に構成する
ことによって、単一の装置で、電子ビームの照射領域の
調整を容易に行うことができる、汎用効率の高い電子銃
を提供することができる。
ン化室の側壁に絶縁物を介して棒状の導電物を取付け、
また、この導電物内に陽極ワイヤを貫通配置し、さらに
、前記導電物を陽極ワイヤに沿って摺動可能に構成する
ことによって、単一の装置で、電子ビームの照射領域の
調整を容易に行うことができる、汎用効率の高い電子銃
を提供することができる。
【図1】本発明による電子銃の一実施例を示す断面図
【
図2】従来の電子銃の一例を示す断面図
図2】従来の電子銃の一例を示す断面図
1…陽極ワイヤ
2…絶縁物
3…イオン化室
4…イオン化室の壁
5…高電圧室
6…高電圧室の壁
7…陰極
8…絶縁物
9…電圧導入端子
10…出口窓
11…導電性抽出グリッド
12…排気口
20…イオン化室
21…円筒状導電物
Claims (1)
- 【請求項1】 電子に対して透過性のある出口窓と、
その反対側に設けられた導電性抽出グリッドを備え、ま
た、低圧力でイオン化すべき気体と、この気体を電離さ
せて陽イオンを発生させる陽極ワイヤを備えたイオン化
室と、前記抽出グリッドを介してイオン化室と連通され
、抽出グリッドに対向する位置に陰極を収容した高電圧
室から成る電子銃において、前記イオン化室の側壁に絶
縁物を介して棒状の導電物が取付けられ、また、この導
電物内に前記陽極ワイヤが貫通配置され、さらに、前記
導電物が陽極ワイヤに沿って摺動可能に構成されている
ことを特徴とする電子銃。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3018061A JPH04255655A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 電子銃 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3018061A JPH04255655A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 電子銃 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04255655A true JPH04255655A (ja) | 1992-09-10 |
Family
ID=11961175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3018061A Pending JPH04255655A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 電子銃 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04255655A (ja) |
-
1991
- 1991-02-08 JP JP3018061A patent/JPH04255655A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6768120B2 (en) | Focused electron and ion beam systems | |
US4904872A (en) | Method for generating extremely short ion pulses of high intensity from a pulsed ion source | |
US4122347A (en) | Ion source | |
Hill et al. | A sputtering ion source | |
US3218431A (en) | Self-focusing electron beam apparatus | |
SE8700017L (sv) | Jonplasmaelektrokanon | |
EP0291185B1 (en) | Improved ion source | |
US6236054B1 (en) | Ion source for generating ions of a gas or vapor | |
JPH0456418B2 (ja) | ||
CA2011644A1 (en) | Vacuum switch apparatus | |
Kohlhase et al. | Pulsed metastable atomic beam source for time‐of‐flight applications | |
CN114242549A (zh) | 一种采用物质溅射形成等离子体的离子源装置 | |
JPH04255655A (ja) | 電子銃 | |
JPS5740845A (en) | Ion beam generator | |
JPH04301343A (ja) | 電子銃 | |
JPH04196039A (ja) | 電子銃 | |
JPH04255654A (ja) | パルス電子銃 | |
JPH04294041A (ja) | 電子銃 | |
JPH04196040A (ja) | 電子銃 | |
JPH05299045A (ja) | 電子銃 | |
JPH05121022A (ja) | 電子銃 | |
JPH05258697A (ja) | 電子銃 | |
JPH0129295B2 (ja) | ||
JPH06150860A (ja) | 電子銃 | |
JPH06338279A (ja) | 電子銃 |