JPH04196039A - 電子銃 - Google Patents

電子銃

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Publication number
JPH04196039A
JPH04196039A JP32252790A JP32252790A JPH04196039A JP H04196039 A JPH04196039 A JP H04196039A JP 32252790 A JP32252790 A JP 32252790A JP 32252790 A JP32252790 A JP 32252790A JP H04196039 A JPH04196039 A JP H04196039A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic field
ionization chamber
voltage
cathode
anode wire
Prior art date
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Pending
Application number
JP32252790A
Other languages
English (en)
Inventor
Sukeyuki Yasui
祐之 安井
Koichi Yasuoka
康一 安岡
Akira Ishii
彰 石井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、高電力電子銃に係り、特に、電子ビーム強度
を容易に変化させることができるように改良を施した電
子銃に関するものである。
(従来の技術) 近年、化学反応、顕微鏡1分析、溶接等の多くの先端材
料の分野で電子ビームが使用され、この電子ビームの発
生源として電子銃が用いられている。第3図に、従来か
ら用いられている電子銃の一例を示した。即ち、電子銃
は、絶縁物2を介して陽極ワイヤ1をその内部に貫通配
置したイオン化室3と、後述する導電性抽出グリッド1
1を介して前記イオン化室3と連通ずる高電圧室5とか
ら構成されている。また、前記イオン化室3には、高電
圧室5とは反対側に、電子に対して透過性のある出口窓
10が形成され、さらに、高電圧室5との連結部には、
出口窓10の電圧にほぼ等しい電圧の導電性抽出グリッ
ド11が形成されている。
一方、前記高電圧室5内には、高い負のバイアス電圧に
ある陰極7が絶縁物8に支持されて収納され、この陰極
7から高電圧室5の外部へ電圧導入端子9が引き出され
ている。また、高電圧室5には排気口12が設けられ、
これを排気装置(図示せず)に連結することによって、
前記イオン化室3及び高電圧室5内の圧力を制御できる
ように構成されている。
なお、イオン化室3と高電圧室5の両者は、陽イオン化
を達成できる極めて低い圧力の気体を含有しており、通
常は、10〜50ミリ・1・−ルのヘリウムか用いられ
る。また、イオン化室3の壁4と高電圧室5の壁6は、
共にアース電位になっている。さらに、イオン化を行な
う際には、陽極ワイヤ]とイオン化室の壁4との間に、
10〜20キロ・ボルトのパルス電圧が印加される。一
方、陰極7は、高電圧供給源(図示せず)に接続された
電圧導入端J′−9を通じて、負のバイアス電圧(例え
ば、−1,50キロ・ボルト)に恒常的に継持されてい
る。また、出口窓1−0は、高エネルギーに対して透過
性のある幾分薄いシートで構成されている。このシート
は、アルミニウムまたはチタンの様な金属で作成するこ
とが可能であり、数10マイクロ・メーターの厚さを有
している。さらに、この窓幅としては、多くの適用例、
特に、照射による桐材の処理に関連した適用例において
は、]、 c mを越える窓幅を要している。
この様に構成された従来の電r銃においては、以下に述
べる様にして、電子ビーム源となる電子が放出される。
即ち、イオン化室3に貫通配置された陽極ワイヤ1に、
低圧力下でパルス電圧を印加すると、アース電位にある
イオン化室の壁4との間に放電が起こり、イオン化室3
内にプラズマが発生する。一方、高電圧室5内に配設さ
れた陰極7は、前記プラズマから陽イオンを引き出す。
この陽イオンは、イオン化室3と高電圧室5との間に配
設された導電性抽出グリッド11を通って高電圧室5内
に侵入し、陰極7に当たる。すると、陰極7の表面にお
いて、前記陽イオンの衝撃によって電子が放出される。
この様にして放出された電子は、陽イオンとは逆方向に
進み、導電性抽出グリッド11に向かって加速され、さ
らに、イオン化室3を通過して出口窓10に至り、電子
ビーム源として供給される。
ここで、導電性抽出グリフ+;11の近辺における陽イ
オンの初朋エネルギーを無視し、負のバイアス電圧をV
IIT、陽イオンの電荷量をeとずれは、陽イオンは(
単一の荷電イオンに関係があることを念頭におけは)、
e−VIITに等しいエネルギーをもって陰極7に到達
するものと考えることができる。また、陰極7の表面上
で抽出グリッドより引き出された陽イオンの衝撃により
2次放出された電子は、抽出グリッド]−1に向かって
加速され、そこで電子は、e・V IITのエネルギー
に到達する。
これらの状態下において、−個の陽イオンと、この陽イ
オンによって放出される電子は、同じ電場線に対応して
、はぼ重畳する軌道を呈する。
1−記の様な電子銃は、主として、電子銃を電子励起に
よるガス・レーザー、マグネット・ハイドロダイナミッ
ク発電機に、また、出口窓]、0をX線発生用ターゲッ
トに置き換えることで、X線発生装置に適用し得るもの
である。
ところで、電子銃より発生する電子ビームに要求される
強度は、適用対象(例えば、電子励起によるガス・レー
ザー等)に著しく依存するものである。そこで、従来よ
り上記のビーj、強度ス、j策と=  5  − =  4 − して、第3図に示した陰極7に印加する負のバイアス電
圧を可変とすることにより、イオン化¥3から引き出す
陽イオン数を変化させ、それによって、陰極表面におけ
る陽イオン衝撃によって放出される電子数を変化させて
、電子電流を変化させ、電子ビーム強度を制御する方法
が用いられていた。
(発明か解決しようとする課題) しかしながら、−1−述した様な従来の電子銃には、以
下に述べる様な解決すべき課題があった。即ち、電子電
流を変化させるためには、上記の様に、陰極表面に到達
する陽イオン数、即ちイオン化室3から抽出グリッドを
通して引き出す陽イオン数を変化させれはよいわけであ
るが、従来は、この手段として、負のバイアス電圧を変
化させる方法のみを採用していた。そのため、電子ビー
ムの強度を増加するには、負のバイアス電圧を増加させ
なけれはならず、電源容量の増加をもたらし、効率が非
常に悪いものであった。
本発明は、−1−記の様な従来技術の欠点を解消するた
めに提案されたものであり、その目的は、電子ビームの
強度の調整を容易に行うことができ、また、陰極に接続
される電源の容量を低減することのできる高効率の電子
銃を提供することにある。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明は、電子に対して透過性のある出口窓と、その反
対側に設けられた導電性抽出グリッドを備え、また、低
圧力でイオン化すべき気体と、この気体を電離させて陽
イオンを発生させるワイA・を備えたイオン化室と、前
記抽出グリッドを介してイオン化室と連通され、抽出グ
リッドに対向する位置に陰極を収容した高電圧室から成
る電r−銃において、イオン化室内のワイヤの長手方向
に平行な磁場を発生させる磁場発生装置を配設したこと
を特徴とするものである。
(作用) 本発明の電子銃によれば、イオン化室内のワイヤの長手
方向に平行な磁場を発生させることにより、イオン化室
内のイオン化効率を予め高めることができるので、従来
と同じパルス電圧で飛躍的に高いプラズマ密度を達成す
ることができる。その結果、従来と同じ電子ビーム強度
を得る場合でも、電圧可変操作のみで対応するより電源
容量は小さくて済み、ワイヤに印加するパルス電圧の低
減も実現できる。
(実施例) 以下、本発明の一実施例を第1図及び第2図に基づいて
具体的に説明する。なお、第3図に示した従来型と同一
の部Hには同一の符−」°をイ・jして、説明は省略す
る。
本実施例においては、第1図に示した様に、イオン化室
3内に、陽極ワイヤ1の長平方向に平行な磁場を発生ず
ることかできる磁場発生装置20が設けられている。他
の構成は第3図に示した従来型と同様である。
この様な構成を有する本実施例の電子銃においては、以
下に述べる様にして、電子ビームの強度を容易に調整す
ることができる。即ち、イオン化室3内に配設された陽
極ワイヤ1とイオン化室の壁4との間にパルス電圧を印
加し、それと同門して磁場発生装置20を印加する。す
ると、パルス放電によってイオン化室3の気体が電離し
て電子が発生ずる。この場合、第2図に示した様に、電
場(E)に対して垂直に磁場(H)が存在するため、パ
ルス放電によって発生した電子は、陽極ワイヤ1の長平
方向にらせん運動を行なう。その結果、気体原子との衝
突を促進し、イオン化効率を高め、プラズマ密度も高い
ものとなる。こうして、放電により生成したプラズマ中
の陽イオンは、高電圧室5内の陰極7に向かって加速さ
れ、抽出グリッド11を通過して、陰極7に当たる。つ
まり、陰極表面に到達する陽イオン数が増加し、この陽
イオンによって2次放出される電子数も増加することに
なる。
従って、電子ビーム強度を大幅に増加させる必要がある
場合には、従来と同様に陰極7に印加する負のバイアス
電圧■を増加し、さらに、イオン化室3に配設された磁
場発生装置20により、陽極ワイヤ1の長手方向に平行
な磁場を発生させて、イオン化室内のイオン化効率を高
めれば、効率良  Q− く電子ビーム強度を増加させることができる。−方、従
来と同様の電子ビーム強度が必要である場合においても
、磁場発生装置20により、陽極ワイヤ1の長平方向に
平行な磁場を発生させることにより、イオン電流の増大
を図ることができ名ので、陰極7に印加する負のバイア
ス電圧■及び陽極ワイヤ1に印加するパルス電圧を低減
することが可能となり、電源容量の低減を実現できる。
さらに、陽極ワイヤ1に印加するパルス電圧の低減が可
能となることから、パルスの高繰返し化に適し、パルス
発生装置の長寿命化も図れる。
[発明の効果] 以上説明した様に、本発明によれば、イオン化室内のワ
イヤの長手方向に平行な磁場を発生させる磁場発生装置
を配設することによって、電子ビームの強度の調整を容
易に行うことができ、また、陰極に接続される電源の容
量を低減することのできる高効率の電子銃を提供するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による電子銃の一実施例を示す断面図、
第2図はイオン化室内の電子の軌道を示す図、第3図は
従来の電子銃の一例を示す断面図である。 コブ・・陽極ワイヤ、2・・・絶縁物、3・・・イオン
化室、4・・・イオン化室の壁、5・・高電圧室、6・
・・高電圧室の壁、7・・・陰極、8・・・絶縁物、9
・・・電圧導入端子、10・・・出口窓、11−・・・
導電性抽出グリッド、12・・・排気口、20・・・磁
場発生装置。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 電子に対して透過性のある出口窓と、その反対側に設け
    られた導電性抽出グリッドを備え、また、低圧力でイオ
    ン化すべき気体と、この気体を電離させて陽イオンを発
    生させるワイヤを備えたイオン化室と、前記抽出グリッ
    ドを介してイオン化室と連通され、抽出グリッドに対向
    する位置に陰極を収容した高電圧室から成る電子銃にお
    いて、前記イオン化室内のワイヤの長手方向に平行な磁
    場を発生させる磁場発生装置を配設したことを特徴とす
    る電子銃。
JP32252790A 1990-11-28 1990-11-28 電子銃 Pending JPH04196039A (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62143352A (ja) * 1985-11-29 1987-06-26 オフイス ナシヨナル デチユ−ド エ ドウ ルシエルシエ アエロスパシヤル 電子銃

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62143352A (ja) * 1985-11-29 1987-06-26 オフイス ナシヨナル デチユ−ド エ ドウ ルシエルシエ アエロスパシヤル 電子銃

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