JPH0419554B2 - - Google Patents

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JPH0419554B2
JPH0419554B2 JP13242884A JP13242884A JPH0419554B2 JP H0419554 B2 JPH0419554 B2 JP H0419554B2 JP 13242884 A JP13242884 A JP 13242884A JP 13242884 A JP13242884 A JP 13242884A JP H0419554 B2 JPH0419554 B2 JP H0419554B2
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JP
Japan
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layer
electrode
thin film
glass substrate
transparent
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Application number
JP13242884A
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Japanese (ja)
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JPS6111783A (en
Inventor
Hiroshi Washimi
Shiro Kabashima
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Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6111783A publication Critical patent/JPS6111783A/en
Publication of JPH0419554B2 publication Critical patent/JPH0419554B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

産業上の利用分野 この発明は薄膜ELパネル、特にマトリツクス
状に配置された透明電極および背面電極の端子部
にフレキシブルリードを半田付けした構造に関す
る。 従来の技術 従来、交流動作の薄膜EL素子に関して、発光
層に規則的に高い電界(106V/cm程度)を印加
し、絶縁耐圧、発光効率及び動作の安定性等を高
めるために、0.1〜1.0wt%のMn(あるいはCu、
Al、Br等)をドーブしたZnS、ZnSe等の半導体
発光層をY2O3、Ta2O5等の誘電体薄膜でサンド
イツチした三層構造ZnS:Mn(又はZn Se:Mn)
EL素子が開発され、発光諸特性の向上が確かめ
られている。この薄膜EL素子は数KHzの交流電
界印加によつて高輝度発光し、しかも長寿命であ
るという特徴を有している。 薄膜EL素子の1例としてZn S:Mn薄膜EL素
子の基本的構造を第7図に示す。 第7図に基づいて薄膜EL素子の構造を具体的
に説明すると、硬質かつ透明の前面ガラス基板1
上にIn2O3、SnO2等の透明電極2、更にその上に
積層してY2O3、Ta2O5、Al2O3、Si3N4、SiO2
からなる第1の誘電体層3がスパツタあるいは電
子ビーム蒸着法等により重量形成されている。第
1の誘電体層3上にはZn S:Mn焼結ペレツト
を電子ビーム蒸着することにより得られるZnS発
光層4が形成されている。この時蒸着用のZn
S:Mn焼結ペレツトには活性物質となるMnが
目的に応じた濃度に設定されたペレツトが使用さ
れる。Zn S発光層4上には第1の誘電体層3と
同様の材質から成る第2の誘電体層5が積層さ
れ、更にその上にAl等から成る背面電極6が蒸
着形成されている。透明電極2と背面電極6は第
8図に示すように帯状に成形され、互いに直交す
る如く複数本配列されたマトリツクス電極構造が
採用されており、透明電極2と背面電極6が平面
図的に見て交叉した位置7(図示斜線部分)がパ
ネルの1画素に相当する。透明電極2と背面電極
6はそれぞれスイツチ8,9を介して交流電源1
0に接続され、薄膜EL素子が駆動される。 上記の構成において、スイツチ8,8を閉じて
電極2,6間にAC電圧を印加すると、Zn S発
光層4の両側の誘電体層3,5間に上記AC電圧
が誘起されることになり、従つてZn S発光層4
内に発生した電界によつて伝導体に励起され、か
つ加速されて充分なエネルギーを得た電子が、直
接Mn発光センターを励起し、励起されたMn発
光センターが基底状態に戻る際に橙黄色の発光を
行う。即ち高電界で加速された電子がZn S発光
層4中の発光センターであるZnサイトに入つた
Mn原子の電子を励起し、基底状態に落ちる時、
略々5850Åをピークに幅広い波長領域で強い発光
を呈する。 上記の如き構造を有する薄膜EL素子はスペー
スフアクタの利点を生かした平面薄型デイスプレ
イ・デバイスとして、文字及び図形を含むコンピ
ユーターの出力表示端末機器その他種々の表示装
置に文字、記号、静止画像、動画像等の表示手段
として利用することができ非常に有効なものであ
る。 しかしながら薄膜EL素子の誘電体層は製造工
程途中で発生した多数のピンホールやマイクロク
ラツク等を含み、これらの欠陥を通してZn S発
光層4に湿気等が侵入するため、EL発光損失に
よる発熱、層間剥離、素子特性の劣化等を招来す
る。 上記問題を解決することを目的として、第9図
に示すように、薄膜EL素子特有の不完全さ、即
ちピンホール等によつて通電時に生じるブレーク
ダウンのため起こる微小な熱損傷領域の拡大を防
止、固定化し、大気環境下で湿気保護、放熱効
果、さらに振動、たわみに対しても有効となる薄
膜ELパネル11が知られている。 この薄膜ELパネル11を第9図に基づいて説
明する。なお、第9図の左半分は透明電極2に平
行な方向の断面図を示し、右半分は透明電極2に
直交する方向の断面図を示す。1はガラス基板で
あり、ガラス基板1上に透明電極2が帯状に一定
ピツチ間隔をもつて平行配列され、その上に第1
の誘電体層3、発光層4、第2の誘電体層5、背
面電極6を積層形成した薄膜EL素子12が構成
されている。この薄膜EL素子12を収納する如
く皿状のカバーガラス13がガラス基板1上に重
畳され、その内部間隙に薄膜EL素子12が内蔵
される。ガラス基板1とカバーガラス13の接合
部は光硬化性樹脂(フオトポンド)等の接着剤1
4で密封されている。即ち、ガラス基板1とカバ
ーガラス13は薄膜EL素子12に対する外囲器
15を構成する。そして外囲器15内には薄膜
EL素子12が内蔵されると共にシリコンオイル、
真空グリース等の薄膜EL素子12の保護用の絶
縁性保護流体16が充填封入されている。絶縁性
保護流体16に要求される条件としてはピンホー
ルへの浸透性があり、絶縁耐圧が高く、耐熱性、
耐湿性に優れ、薄膜EL素子12の構成膜と反応
せず、蒸気圧、熱膨脹係数の小さい流動性物質で
あることが望ましいが特にピンホールへの浸透性
があり絶縁耐圧がある程度高いこと及び薄膜EL
素子構成膜と反応しないことを要する。 この絶縁性保護流体16はカバーガラス13に
設けられている注入孔17から注入され、この注
入孔17は樹脂18で封止するか(特開昭54−
122990号公報)、ガラス蓋板を接着剤で接着して
封止する(特開昭52−127790号公報)。 ところで、透明電極2や背面電極6に外部駆動
回路を接続する場合、これらの電極上に直接フレ
キシブルリードを半田付けすることができないの
で、透明電極2や背面電極6の端部に一部が重畳
されるように、AlとNiの二層膜よりなる電極端
子を形成し、この電極端子にフレキシブルリード
を半田付けするようにしている(特開昭57−
89481号公報、特開昭59−27497号公報)。 発明が解決しようとする問題点 ところが、上記の構成によると、AlとNiの二
層膜よりなる電極端子上にフレキシブルリードを
半田付けすることは可能であるが、下層のAlの
ガラス基板に対する密着力が小さいために、フレ
キシブルリードに加わる外力等によつて、電極端
子がガラス基板から剥離しやすく、信頼性に問題
があつた。 問題点を解決するための手段 この発明は、透明電極および背面電極の電極端
子を、Ti層,Al層,Ni層を積層して形成し、こ
の電極端子上にフレキシブルリードを半田付けし
たことを特徴とするものである。 作 用 上記の構成によれば、Ti層がガラス基板およ
びAl層に対して優れた密着力を有することによ
つて、電極端子上に半田付けしたフレキシブルリ
ードに外力等が加わつても、電極端子がガラス基
板から剥離することが防止される。 実施例 第1図はこの発明の一実施例の薄膜ELパネル
20の要部拡大断面斜視図を示す。電極端子2
1,22の構成を除いては、第9図と同様である
ため、同一部分には同一参照符号を付している。
前記電極端子21,22は、ガラス基板1上に厚
さ500Å程度のTi層23と、厚さ1000Å程度のAl
層24と、厚さ1000Å程度のNi層25とを順に
積層して形成されている。ここで、一方の電極端
子21は透明電極2の上に一部重なり合うように
形成されており、他方の電極端子22はその上に
一部重なり合うように背面電極6が形成されてい
る。これら電極端子21,22上に接着剤14を
介してカバーガラス13が接着固定されていると
ともに、半田26を介して、ポリエチレン等の樹
脂シート27の片面に銅等のリードパターン28
を形成したフレキシブルリード29のリードパタ
ーン28が電気的および機械的に接続固着されて
いる。 第2図ないし第6図は上記薄膜ELパネル20
の製造方法について説明するための各工程の要部
平面図を示す。 まず、ガラス基板1の上面に多数の透明電極2
を、一本おきに逆方向に引き出すためにそれぞれ
の端部を千鳥形に配置して形成する(第2図)。 次に、上記透明電極2の端部に一部重なり合う
位置および将来形成する背面電極6が一部重なり
合う位置に、それぞれ電子ビーム蒸着法,スパツ
タ法等によつてTi層23,Al層24,Ni層25
を連続的に積層形成して、電極端子21,22を
形成する(第3図)。 次に、透明電極2上に第1の誘電体層3,発光
層4,第2の誘電体層5および背面電極6を順次
積層して薄膜EL素子12を形成する。このとき
背面電極6の端部は前記電極端子22上に一部重
ね合せて形成する。前記発光層4の形成時および
または形成後に、膜質を良くするために200〜500
℃程度で加熱する。このとき、前記電極端子2
1,22のTi層23がガラス基板1に拡散して
強固に密着するとともに、Al層24とも相互拡
散して強固に密着する(第4図)。 次に、上記薄膜EL素子12を覆うようにカバ
ーガラス13を光硬化性接着剤(フオトボンド)
等の接着剤14で接着固定して、外囲器15を形
成し、この外囲器15内にシリコンオイル等の絶
縁性保護流体16を充填して封止する(第5図)。 次に、カバーガラス13の外部に導出されてい
る電極端子21,22上にそれぞれ半田26を介
してフレキシブルリード29のリードパターン2
8を接続固定する(第6図)。 上記実施例の電極端子21,22と、上記実施
例と同一厚さのAlとNiの2層膜よりなる従来の
電極端子Aと、同じく上記と同一厚さのNiの単
層膜よりなる従来の電極端子Bとについて、電極
端子の幅と半田付け長さを変えることにより半田
付け面積を変えて、それぞれ厚さ25μmの半田2
6を介してフレキシブルリード29を半田付けし
て、剥離試験を行なつたところ、電極端子1個当
りの平均耐剥離強度は次表のようになつた。
INDUSTRIAL APPLICATION FIELD This invention relates to a thin-film EL panel, and particularly to a structure in which flexible leads are soldered to terminal portions of transparent electrodes and back electrodes arranged in a matrix. Conventional technology Conventionally, for AC-operated thin-film EL devices, a high electric field (about 10 6 V/cm) is regularly applied to the light emitting layer, and in order to improve dielectric strength, luminous efficiency, stability of operation, etc. ~1.0wt% Mn (or Cu,
A three-layer structure ZnS:Mn (or Zn Se:Mn) in which a semiconductor light-emitting layer such as ZnS or ZnSe doped with Al, Br, etc. is sandwiched with a dielectric thin film such as Y 2 O 3 or Ta 2 O 5 .
EL devices have been developed, and improvements in various light-emitting characteristics have been confirmed. This thin film EL element emits high-intensity light when an alternating current electric field of several KHz is applied, and has a long lifespan. FIG. 7 shows the basic structure of a Zn S:Mn thin film EL device as an example of a thin film EL device. To specifically explain the structure of the thin film EL element based on FIG. 7, the hard and transparent front glass substrate 1
A transparent electrode 2 made of In 2 O 3 , SnO 2 or the like is placed on top, and a first layer made of Y 2 O 3 , Ta 2 O 5 , Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , SiO 2 etc. is layered on top of the transparent electrode 2 . The dielectric layer 3 is formed by sputtering, electron beam evaporation, or the like. A ZnS luminescent layer 4 is formed on the first dielectric layer 3 by electron beam evaporation of ZnS:Mn sintered pellets. At this time, Zn for deposition
S:Mn sintered pellets are used in which the concentration of Mn, which is an active substance, is set to suit the purpose. A second dielectric layer 5 made of the same material as the first dielectric layer 3 is laminated on the ZnS light emitting layer 4, and a back electrode 6 made of Al or the like is further deposited thereon. The transparent electrode 2 and the back electrode 6 are formed into a strip shape as shown in FIG. 8, and a matrix electrode structure is adopted in which a plurality of electrodes are arranged perpendicularly to each other. The intersection position 7 (hatched area in the figure) corresponds to one pixel on the panel. The transparent electrode 2 and the back electrode 6 are connected to the AC power supply 1 via switches 8 and 9, respectively.
0, and the thin film EL element is driven. In the above configuration, when the switches 8 and 8 are closed and an AC voltage is applied between the electrodes 2 and 6, the above AC voltage will be induced between the dielectric layers 3 and 5 on both sides of the ZnS light emitting layer 4. , therefore the ZnS luminescent layer 4
Electrons that are excited in the conductor by the electric field generated within the conductor and accelerated to obtain sufficient energy directly excite the Mn luminescent center, and when the excited Mn luminescent center returns to the ground state, it becomes orange-yellow. emits light. In other words, electrons accelerated by a high electric field enter the Zn site, which is the luminescence center in the ZnS luminescent layer 4.
When the electron of Mn atom is excited and falls to the ground state,
It emits strong light in a wide wavelength range with a peak of approximately 5850 Å. The thin film EL element having the structure described above can be used as a flat thin display device that takes advantage of the space factor to display characters, symbols, still images, moving images, etc. It can be used as a means of displaying images, etc., and is very effective. However, the dielectric layer of a thin film EL element contains many pinholes and microcracks generated during the manufacturing process, and moisture, etc. enters the ZnS light emitting layer 4 through these defects, resulting in heat generation due to EL emission loss, This may lead to delamination, deterioration of device characteristics, etc. In order to solve the above problem, as shown in Fig. 9, we investigated the expansion of the microscopic thermal damage area caused by the breakdown caused by pinholes, etc., which occur during energization. A thin-film EL panel 11 is known that prevents and fixes moisture in an atmospheric environment, has a heat dissipation effect, and is effective against vibration and deflection. This thin film EL panel 11 will be explained based on FIG. 9. Note that the left half of FIG. 9 shows a cross-sectional view in a direction parallel to the transparent electrode 2, and the right half shows a cross-sectional view in a direction perpendicular to the transparent electrode 2. Reference numeral 1 denotes a glass substrate, on which transparent electrodes 2 are arranged parallel to each other in a strip shape at a constant pitch interval,
A thin film EL element 12 is constructed by laminating a dielectric layer 3, a light emitting layer 4, a second dielectric layer 5, and a back electrode 6. A dish-shaped cover glass 13 is superimposed on the glass substrate 1 so as to accommodate the thin film EL element 12, and the thin film EL element 12 is built into the internal gap thereof. The joint between the glass substrate 1 and the cover glass 13 is bonded with an adhesive 1 such as photocurable resin (Photopond).
4 is sealed. That is, the glass substrate 1 and the cover glass 13 constitute an envelope 15 for the thin film EL element 12. And inside the envelope 15 there is a thin film.
In addition to the built-in EL element 12, silicone oil,
An insulating protective fluid 16 such as vacuum grease for protecting the thin film EL element 12 is filled and sealed. The conditions required for the insulating protective fluid 16 include permeability into pinholes, high dielectric strength, heat resistance,
It is desirable that the material has excellent moisture resistance, does not react with the constituent films of the thin film EL element 12, and has a low vapor pressure and coefficient of thermal expansion, but it is particularly desirable that it has good permeability into pinholes, has a somewhat high dielectric strength, and is a thin film. EL
It is required that it does not react with the element constituent films. This insulating protective fluid 16 is injected from an injection hole 17 provided in the cover glass 13, and this injection hole 17 is sealed with a resin 18 (Japanese Patent Application Laid-Open No.
122990), and a glass lid plate is bonded and sealed with an adhesive (Japanese Patent Application Laid-open No. 127790/1983). By the way, when connecting an external drive circuit to the transparent electrode 2 or the back electrode 6, it is not possible to solder the flexible leads directly onto these electrodes, so some parts may overlap with the ends of the transparent electrode 2 or the back electrode 6. As shown in the figure, an electrode terminal is formed from a two-layer film of Al and Ni, and a flexible lead is soldered to this electrode terminal (Japanese Patent Application Laid-Open No. 1983-1999).
89481, Japanese Patent Application Laid-open No. 59-27497). Problems to be Solved by the Invention However, according to the above structure, although it is possible to solder a flexible lead onto an electrode terminal made of a two-layer film of Al and Ni, it is difficult to adhere the underlying Al layer to the glass substrate. Since the force is small, the electrode terminal is likely to peel off from the glass substrate due to external force applied to the flexible lead, resulting in a reliability problem. Means for Solving the Problems This invention provides electrode terminals for transparent electrodes and back electrodes that are formed by laminating a Ti layer, an Al layer, and a Ni layer, and that flexible leads are soldered onto the electrode terminals. This is a characteristic feature. Effects According to the above configuration, the Ti layer has excellent adhesion to the glass substrate and the Al layer, so even if external force is applied to the flexible lead soldered on the electrode terminal, the electrode terminal is prevented from peeling off from the glass substrate. Embodiment FIG. 1 shows an enlarged cross-sectional perspective view of essential parts of a thin film EL panel 20 according to an embodiment of the present invention. Electrode terminal 2
Since the structure is the same as that in FIG. 9 except for the configurations 1 and 22, the same reference numerals are given to the same parts.
The electrode terminals 21 and 22 are made of a Ti layer 23 with a thickness of about 500 Å and an Al layer 23 with a thickness of about 1000 Å on the glass substrate 1.
The layer 24 and the Ni layer 25 having a thickness of about 1000 Å are laminated in this order. Here, one electrode terminal 21 is formed so as to partially overlap the transparent electrode 2, and the other electrode terminal 22 has the back electrode 6 formed so as to partially overlap thereon. A cover glass 13 is adhesively fixed onto these electrode terminals 21 and 22 via an adhesive 14, and a lead pattern 28 made of copper or the like is attached to one side of a resin sheet 27 made of polyethylene or the like via solder 26.
The lead pattern 28 of the flexible lead 29 formed thereon is electrically and mechanically connected and fixed. Figures 2 to 6 show the above thin film EL panel 20.
FIG. 2 shows a plan view of the main parts of each step for explaining the manufacturing method of FIG. First, a large number of transparent electrodes 2 are placed on the top surface of a glass substrate 1.
are formed by arranging their ends in a staggered manner so that every other one can be pulled out in the opposite direction (Fig. 2). Next, a Ti layer 23, an Al layer 24, and a Ni layer are formed by electron beam evaporation, sputtering, etc. at a position that partially overlaps the end of the transparent electrode 2 and a position that partially overlaps the back electrode 6 to be formed in the future. layer 25
are continuously laminated to form electrode terminals 21 and 22 (FIG. 3). Next, the first dielectric layer 3, the light emitting layer 4, the second dielectric layer 5, and the back electrode 6 are sequentially laminated on the transparent electrode 2 to form the thin film EL element 12. At this time, the end portion of the back electrode 6 is formed so as to partially overlap the electrode terminal 22 . 200 to 500 during and/or after the formation of the light emitting layer 4 in order to improve the film quality.
Heat at around ℃. At this time, the electrode terminal 2
The Ti layers 23 of Nos. 1 and 22 diffuse into the glass substrate 1 and firmly adhere to it, and also interdiffuse with the Al layer 24 to firmly adhere to it (FIG. 4). Next, the cover glass 13 is attached with a photocurable adhesive (Photobond) so as to cover the thin film EL element 12.
etc., to form an envelope 15, and the envelope 15 is filled with an insulating protective fluid 16 such as silicone oil and sealed (FIG. 5). Next, the lead pattern 2 of the flexible lead 29 is placed on the electrode terminals 21 and 22 led out to the outside of the cover glass 13 via solder 26, respectively.
8 is connected and fixed (Fig. 6). The electrode terminals 21 and 22 of the above embodiment, the conventional electrode terminal A made of a two-layer film of Al and Ni with the same thickness as the above embodiment, and the conventional electrode terminal A made of a single layer film of Ni with the same thickness as the above example. Regarding electrode terminal B, the soldering area was changed by changing the width of the electrode terminal and the soldering length, and each solder 2 with a thickness of 25 μm was
When the flexible lead 29 was soldered through the electrode terminal 6 and a peel test was conducted, the average peel resistance strength per electrode terminal was as shown in the following table.

【表】 なお、従来の薄膜ELパネルでは、カバーガラ
ス13を接着する接着剤14が硬化する際に収縮
を伴うために、その応力によつて電極端子が剥離
することがあつたが、上記実施例のように、電極
端子21,22上にカバーガラス13を接着すれ
ば、ガラス基板1に対する電極端子21,22の
密着力が大きいことによつて、接着剤14の硬化
時の収縮による応力で、電極端子21,22が剥
離することもない。ただし、透明電極2はガラス
基板1に対して密着力が大きいので、透明電極2
側については、透明電極2上に直接カバーガラス
13を接着するようしてもよい。 さらに、透明電極2は電極端子21の下面全体
に形成するようにしてもよい。ただし、上記実施
例のように、透明電極2の端部を外囲器15内に
存在させる方が、耐湿性がよい。この理由は、透
明電極2は結晶性が大きく、結晶粒界を通して外
囲器15内に湿気が浸入しやすいからである。 また、背面電極6は、上記実施例に示すよう
に、カバーガラス13の下にまで延在させること
なく、外囲器15内にのみ存在せしめるようにし
てもよい。 さらにまた、電極端子21,22は、Ti層2
3の厚さを50〜2000μm程度、Al層24の厚さを
500〜3000μm程度、Ni層25の厚さを500〜数
μm程度に設定すればよい結果が得られる。 発明の効果 この発明によれば以上のように、電極端子とガ
ラス基板との密着力が大きいため、電極端子に半
田付けされたフレキシブルリードに加わる外力等
によつて、電極端子が剥離することがなく、信頼
性の高い薄膜ELパネルが得られる。
[Table] In addition, in conventional thin-film EL panels, the adhesive 14 that adheres the cover glass 13 shrinks when it hardens, and the electrode terminals sometimes peel off due to the stress. As in the example, if the cover glass 13 is bonded onto the electrode terminals 21 and 22, the strong adhesion of the electrode terminals 21 and 22 to the glass substrate 1 will reduce the stress caused by shrinkage of the adhesive 14 when it hardens. , the electrode terminals 21 and 22 will not peel off. However, since the transparent electrode 2 has a strong adhesion force to the glass substrate 1, the transparent electrode 2
As for the side, the cover glass 13 may be bonded directly onto the transparent electrode 2. Furthermore, the transparent electrode 2 may be formed on the entire lower surface of the electrode terminal 21. However, as in the above embodiment, the moisture resistance is better when the end portion of the transparent electrode 2 is placed inside the envelope 15. The reason for this is that the transparent electrode 2 has high crystallinity, and moisture easily infiltrates into the envelope 15 through the grain boundaries. Further, the back electrode 6 may be provided only within the envelope 15 without extending below the cover glass 13 as shown in the above embodiment. Furthermore, the electrode terminals 21 and 22 are connected to the Ti layer 2
The thickness of layer 3 is approximately 50 to 2000 μm, and the thickness of Al layer 24 is approximately 50 to 2000 μm.
Good results can be obtained by setting the thickness of the Ni layer 25 to about 500 to several μm. Effects of the Invention According to the present invention, as described above, since the adhesion between the electrode terminal and the glass substrate is strong, the electrode terminal is prevented from peeling off due to external force applied to the flexible lead soldered to the electrode terminal. Therefore, a highly reliable thin-film EL panel can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の一実施例の薄膜ELパネル
の端子部の拡大断面斜視図である。第2図ないし
第6図は上記薄膜ELパネルの製造方法について
説明するための各段階の要部平面図である。第7
図は薄膜EL素子の断面図、第8図は透明電極と
背面電極の配置関係を示す要部平面図である。第
9図は従来の薄膜ELパネルの断面図である。 1……前面ガラス基板、2……透明電極、3,
5……誘電体層、4……発光層、6…背面電極、
13……背面ガラス板、14……接着剤、15…
…外囲器、16……絶縁性保護流体、21,22
……電極端子、23……Ti層、24……Al層、
25……Ni層、26……半田、29……フレキ
シブルリード。
FIG. 1 is an enlarged sectional perspective view of a terminal portion of a thin film EL panel according to an embodiment of the present invention. FIGS. 2 to 6 are plan views of essential parts at each stage for explaining the method for manufacturing the thin film EL panel. 7th
The figure is a cross-sectional view of a thin film EL element, and FIG. 8 is a plan view of essential parts showing the arrangement relationship between a transparent electrode and a back electrode. FIG. 9 is a cross-sectional view of a conventional thin film EL panel. 1...Front glass substrate, 2...Transparent electrode, 3,
5... Dielectric layer, 4... Light emitting layer, 6... Back electrode,
13... Rear glass plate, 14... Adhesive, 15...
...Envelope, 16...Insulating protective fluid, 21, 22
... Electrode terminal, 23 ... Ti layer, 24 ... Al layer,
25...Ni layer, 26...Solder, 29...Flexible lead.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 前面ガラス基板上に透明電極、第1の誘電体
層、発光層、第2の誘電体層および背面電極をそ
の順に積層した薄膜EL素子と、前記透明電極お
よび背面電極にそれぞれ電気的に接続された電極
端子と、前記薄膜EL素子を覆うカバーガラスと
を備えたものにおいて、 前記電極端子を、透明ガラス基板上にTi層,
Al層,Ni層を順次積層して形成し、各電極端子
上にフレキシブルリードを半田付けしたことを特
徴とする薄膜ELパネル。
[Scope of Claims] 1. A thin film EL element in which a transparent electrode, a first dielectric layer, a light emitting layer, a second dielectric layer, and a back electrode are laminated in that order on a front glass substrate, and the transparent electrode and the back electrode. and a cover glass covering the thin-film EL element, the electrode terminals being arranged on a transparent glass substrate with a Ti layer,
A thin film EL panel that is formed by sequentially laminating Al and Ni layers and has flexible leads soldered onto each electrode terminal.
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