JPH04192301A - 正特性サーミスタ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、テレビ受信機の消磁回路等に用いられる正特
性サーミスタ装置に関する。

従来の技術と課題 消磁用正特性サーミスタ装置やモータ起動用正特性サー
ミスタ装置には、ＰＴＣ素子が樹脂製の絶縁ケース内に
ばね端子で挟持された構造のものがある。ＰＴＣ素子に
は一般に第１１図及び第１２図に示すものが使用されて
いた。

第１１図に示すＰＴＣ素子は、素体３０の上下面にＡｇ
　−Ｚｎ　、　Ａｇ　−Ｓｂ等からなるオーム接触のＡ
ｇを主成分とする電極３１．３２が形成されている。ま
た、第１２図に示すＰＴＣ素子は、素体３０の上下面に
２層構造の電極３３．３４が形成きれている。電極３３
は素体３０の表面に形成された下地電極３３ａとその表
面に形成されたＡｇｔ極３３ｂとから構成されている。

同様に電極３４は下地電極３４ａとＡｇ電極３４ｂとか
ら構成きれている。

ところで、これらのＰＴＣ素子は発生した熱が素子外に
逃げやすく、このためテレビ受信機の画面がゆれる等の
不具合が発生していた。また、絶縁ケースには端子を引
き出すための穴等が開いているため、フラックスや塩素
等のＰＴＣ素子を劣化させる物質がこの穴から侵入する
おそれがあった。きらに、ＰＴＣ素子がセット位置から
ずれて絶縁ケースの内壁に接触し、ＰＴＣ素子の発熱と
共に絶縁樹脂からガスが発生し、ＰＴＣ素子が劣化する
可能性もあった。

そこで、本発明の課題は、ＰＴＣ素子で発生した熱が素
子外に逃げにくく、かつ、耐環境性等に優れた正特性サ
ーミスタ装置を提供することにある。

を　　するための手段と作用 以上の課題を解決するため、本発明に係る正特性サーミ
スタ装置は、ＰＴＣ素子の表面を電極部分を残してガラ
スコーティング膜にて被覆し、該ＰＴＣ素子の電極部分
を端子にて挾持した状態でＰＴＣ素子がケースに収納さ
れていることを特徴とする。

以上の構成において、ＰＴＣ素子の表面を電極部分を残
してガラスコーティング膜にて被覆したため、ＰＴＣ素
子が熱絶縁され、ＰＴＣ素子で発生、した熱が素子外に
逃げにくくなる。しかも、ＰＴＣ素子はガラスコーティ
ング膜によって４界から遮蔽され、フラックスや塩素ガ
ス等から保護きれる。

尖甚設 以下、本発明に係る正特性サーミスタ装置の一実施例に
ついて添付図面を参照して説明する。本実施例ではＰＴ
Ｃ素子を２個備えたダブルタイプの正特性サーミスタ装
置の場合を説明する。

第１図ないし第６図は本実施例の正特性サーミスタ装置
に使用されるＰＴＣ素子を製造工程順に示した垂直断面
区である。

第１図はＰＴＣ素子の素体１を示す図である。

素体１は円板状の構造を有し、ＢａＴｉ０．等のセラミ
ックス材料からできている。

まず、無電解めっき等の手段により、素体１の全面に例
えばＮｉ膜２を形成する（第２図参照）。

経済性と信頼性の両方の観点からＮｉ膜２の厚さは約１
μｍにするのが好ましい。

素体１の全面に形成したＮｉ膜２は、化学エツチング、
研磨あるいはプラスト等の方法を用いて不要な部分、本
実施例の場合は素体１の周側面部分のＮｉ膜が除去され
る。素体１の上下面に残ったＮｉ膜は下地電極２ａ、２
ｂとなる（第３図参照）。

次に、第４図に示すように、この素体ｌ全面にバレル法
あるいは吹き付は法等の手段により、ガラス材３を薄く
付着させる。さらに、このガラス材３の表面で、下地電
極２ａ、２ｂと重なる部分に例えば、ｈｇ膜４，５を印
刷等の手段によって形成する（第５図参照）、Ａｇ膜４
，５にはＡｇをペースト状にした材料が使用され、その
膜厚は、例えば２〜６μｍ！度りする・ 次に、素体１は約５００℃の温度で３０分間焼付は処理
が行なわれる。このとき、Ａｇ膜４，５近傍のガラス材
３がＡｇ膜４，５に拡散して、Ａｇ膜４．５はＡｇを主
成分とする電極４ａ、　５ａになる（第６図参照）。こ
のＡｇを主成分とする電極４ｇ、　５ａは下地電極２ａ
＋　２ｂに強固に接合する。また、残りの部分のガラス
材３は下地電極２ａ、２ｂの一部や素体１の周側面にガ
ラスコーティング膜３ａを形成する。このガラスコーテ
ィング膜３ａは絶縁性を有し、素体１に強固に密着して
いる。

こうして製作されたＰＴＣ素子を２個使用して、第７図
に示すテレビ受信機の消慰回路等に用いられる正特性サ
ーミスタ装置が製作きれる。正特性サーミスタ装置８は
、絶縁ケース９内に一対のばね端子１５．１５　（第９
図参照）と共通端子１６（第８図参照）とを収納し、各
ばね端子１５．１５の舌部１５ａ、１５ａと共通端子１
６の熱結合部１６ａとの間に消高用ＰＴＣ素子２０とヒ
ータ用ＰＴＣ素子２５がそれぞれ挾持されている。絶縁
ケース９の材料にはフェノール樹脂等が使用される。

また、各端子１５．１５．１６のリード足１５ｂ、　１
５ｂ、　１６ｂは、絶縁ケース９の底部に開口した穴か
ら導出している。端子１５には、例えば、厚きが０．２
５ｍｍのＳＵＳ板を打ち抜き加工した後、表面をＳｎめ
っき処理したものが使用される。同様に、端子１６には
、例えば、厚さが０．１０ｍｍのＳＵＳ板を打ち抜き加
工した後、表面をＳｎめっき処理したものが使用される
。

こうして得られた正特性サーミスタ装置８において、Ｐ
ＴＣ素子２０．２５はその表面が電極部分を残してガラ
スコーティング膜３ａによって被覆されているので、ケ
ース９の穴１０から侵入する塩素ガス等から保護される
。また、ＰＴＣ素子２０．２５が正規のセット位置から
ずれてケース９の内壁に接触しても、ガラスコーティン
グ膜によってケース９との接触部分の温度は従来の正特
性サーミスタ装置と比較して低くなる。たとえＰＴＣ素
子２０゜２５の熱によってケース９からガスが発生して
もガラスコーティング膜３ａにて保護きれているＰＴＣ
素子２０．２５はガスの影響を受けにくい。さらに、第
９図に示すように、ばね端子１５が２個の舌部１５ａを
有する場合、ＰＴＣ素子２０（又は２５）がずれて、一
方の舌部１５ａが電極４ａに接触し、他方の舌部１５ａ
が電極４ａから外れてＰＴＣ素子２ｏの外周縁部に接触
しても、外周縁部のＮｉ電極２ａはガラスコーティング
きれているので、スパークは生じない。

こうして得られた正特性サーミスタ装置８を使用して第
１０図に示す消磁回路を構成する。この消磁回路におい
て、スイッチＳ１をオンすると、交流電源２８から消磁
コイル２９に電流が流れ、消磁コイル２９に磁束が発生
する。これと同時に、消磁用ＰＴＣ素子２０及びヒータ
用ＰＴＣ素子２５にも電流が流れる。ＰＴＣ素子２０に
電流が流れると、　ＰＴＣ素子２０の温度が上昇し、Ｐ
ＴＣ素子２ｏの抵抗値が大きくなるので、次第に消磁コ
イル２９側に流れる電流が減少して消磁コイル２９が消
磁される。また、バイパス側に接続されているヒータ用
ＰＴＣ素子２５に電流が流れるとＰＴＣ素子２５の温度
が上昇する。ＰＴＣ素子２０．２５は共通端子１６の熱
結合部１６ａを介して熱結合しているので、ＰＴｃ素子
２０はＰＴＣ素子２５によってヒートアップされ、きら
に消磁コイル２９に流れる電流をさらに減少させる。

例えば、消磁用ＰＴＣ素子２０として、直径が１４ｔｏ
ｍ、板厚が２ｍｍの円板状のもので、Ｃｕｒｉｅ点が５
０℃、常温（２５℃）での抵抗値が５，０ΩのＰＴＣ素
子を使用し、ヒータ用ＰＴＣ素子２５として、直径が１
２ｍｍ、板厚が２ｍｍの円板状のもので、Ｃｕｒｉｅ点
が１４３℃、常温（２５℃）での抵抗値が１８０ΩのＰ
ＴＣ素子を使用した場合、ＰＴＣ素子２０．２５の表面
をガラスコーティング膜で被覆する前には、消磁コイル
２９（Ｊｕｌに流れる電流（スイッチｓ１をオンしてか
ら６０秒後の残流を流）は１．５ｍＡであった。ところ
が、ＰＴＣ素子２０．２５の表面をガラスコーティング
膜で被覆した後では、消磁コイル２９側に流れる電流（
スイッチＳ１をオンしてから６０秒後の残流ｔｉ）は１
．０ｍＡにまで減少した。従って、従来よりテレビ受信
機の画面のゆれ等を少なくすることができる正特性サー
ミスタ装置が得られる。

なお、本発明に係る正特性サーミスタ装置は、前記実施
例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に
変更することができる。

前記実施例ではダブルタイプの正特性サーミスタ装置に
ついて説明したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、ＰＴＣ素子を１個備えたシングルタイプの正特性
サーミスタ装置であってもよい。

また、ダブルタイプの正特性サーミスタ装置の場合、少
なくとも一方のＰＴＣ素子がガラス材にて被覆されてい
ればよい。さらに、ＰＴＣ素子は、ＰＴＣ素体に下地電
極を設けることなく、直接Ａｇを主成分とする電極と該
Ａｇを主成分とする電極部分を残して前記素体を被覆し
たガラスコーティング膜とを設けたものであってもよい
。

発明の効果 以上の説明で明らかなように、本発明によれば、ＰＴＣ
素子の表面を電極部分を残してガラス材にて被覆したた
め、ＰＴＣ素子で発生した熱が素子外に逃げにくくなり
、残流電流が小さくなる。これにより、テレビ受信機の
画面のゆれ等が少なくなり、高品質画像を要求されるテ
レビ受信機にも使用することができる正特性サーミスタ
装置が得られる。きらに、残流を流が小さくなる分だけ
、消磁回路を構成する消磁コイルの抵抗値をアップする
ことができる。従って、消磁コイルの巻線径を細くする
ことができ、ひいては安価で小型の消磁コイルを採用す
ることができる。しかも、ＰＴＣ素子は電極部分以外の
部分がガラス材によって外界から遮蔽きれ、耐環境性が
向上する。

また、ＰＴＣ素子が正規の位置からずれてケースに接触
しても、ガラスコーティング膜によってケースとの接触
部分の温度は従来の正特性サーミスタ装置の場合と比較
して低くなる。そのため、ケースの材質を選択する範囲
が広がると共に、正特性サーミスタ装置の実装密度をア
ップするととができる、さらに、ケースの内壁面にＰＴ
Ｃ素子が面接触するのを肪止するための突起を設ける必
要もなくなる。たとえ、ＰＴＣ素子の熱によってケース
９からガスが発生してもＰＴＣ素子はガラスコーティン
グ膜にて保護されているのでガスの影響を受けにくい。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第１０図は本発明に係る正特性サーミスタ
装置の一実施例を示すもので、第１図、第２図、第３図
、第４図、第５図及び第６図は正特性サーミスタ装置に
使用されるＰＴＣ素子の製造工程順を示す垂直断面図、
第７図は正特性サーミスタ装置の垂直断面図、第８図は
共通端子の平面図、第９−図はＰＴＣ素子とばね端子と
の位置関係を示す平面図、第１０図は正特性サーミスタ
装置を用いた消磁回路を示す電気回路図である。第１１
ｖＩＡ及び第１２図は従来の正特性サーミスタを示す垂
直断面図である。 １・・・１体、３ａ・・・ガラスコーティング膜、４ａ
、５ａ・・・電極、８・・・正特性サーミスタ装置、９
・・・ケース、Ｉｓ、　１６・・・端子、２０．２５・
・・ＰＴＣ素子。 特許出願人　　株式会社村田製作所

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．ＰＴＣ素子の表面を電極部分を残してガラスコーテ
   ィング膜にて被覆し、該ＰＴＣ素子の電極部分を端子に
   て挾持した状態でＰＴＣ素子がケースに収納されている
   ことを特徴とする正特性サーミスタ装置。