JPH04184912A - ウエハ保持機構 - Google Patents
ウエハ保持機構Info
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- JPH04184912A JPH04184912A JP2312769A JP31276990A JPH04184912A JP H04184912 A JPH04184912 A JP H04184912A JP 2312769 A JP2312769 A JP 2312769A JP 31276990 A JP31276990 A JP 31276990A JP H04184912 A JPH04184912 A JP H04184912A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
- G03F7/70891—Temperature
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はシンクロトロン放射光により露光を行う露光装
置に関し、特にクエへの温度を一定状態として保持する
ための露光装置のウェハ保持機構に関する。
置に関し、特にクエへの温度を一定状態として保持する
ための露光装置のウェハ保持機構に関する。
［従来の技術］
露光中のウェハの温度は露光光の照射等により上昇する
。このような温度変化によってウェハが伸縮してしまっ
たり、歪が生じてしまった場合には、ウェハの上面に形
成されるマスクパターンが不正確なものとなってしまう
。
。このような温度変化によってウェハが伸縮してしまっ
たり、歪が生じてしまった場合には、ウェハの上面に形
成されるマスクパターンが不正確なものとなってしまう
。
上記のような不具合が生じることを防止するための従来
のウェハ保持機構として第７図に示すようなウェハチャ
ックの温度制御を行うことによって該ウェハチャックに
吸着保持されるウェハの温度制御を行うものがある。
のウェハ保持機構として第７図に示すようなウェハチャ
ックの温度制御を行うことによって該ウェハチャックに
吸着保持されるウェハの温度制御を行うものがある。
ウェハ７２を吸着保持するウエハチャックフ１の内部に
は、配管フ４が屈曲された状態にて埋設されている。ウ
ェハ７２が吸着される吸着面には複数の吸気孔７３が設
けられている。各吸気孔７３は配管７５を介して不図示
の真空ポンプと維かれるもので、これによりウェハ７２
が真空吸着されて保持される。配管７４の内部には温度
調節された液体が循環されており、これにより、ウェハ
チャック７１およびウェハ７２の温度を一定のものとし
、ウェハ７２に伸縮または歪が生じることを防止してい
る。
は、配管フ４が屈曲された状態にて埋設されている。ウ
ェハ７２が吸着される吸着面には複数の吸気孔７３が設
けられている。各吸気孔７３は配管７５を介して不図示
の真空ポンプと維かれるもので、これによりウェハ７２
が真空吸着されて保持される。配管７４の内部には温度
調節された液体が循環されており、これにより、ウェハ
チャック７１およびウェハ７２の温度を一定のものとし
、ウェハ７２に伸縮または歪が生じることを防止してい
る。
［発明が解決しようとする課題］
近年、さらなる高集積化のために露光光としてシンクロ
トロン放射光（ＳＯＲ）を用いたＸ線露光装置が提案さ
れている。このような露光装置においては、きわめて高
い位置決め精度が要求される。該要求精度をみたすウェ
ハステージとして、本出願人による特開平２−１００３
１１号公報に記載されたものがある。このウェハステー
ジにおいては、移動量の大きな粗動ステージ上に移動量
の小さな微動ステージを搭載されて多軸制御される構成
となっている。微動ステージは、板ばね構造とされてい
るために剛性が小さく、振動に弱いものとなっている。
トロン放射光（ＳＯＲ）を用いたＸ線露光装置が提案さ
れている。このような露光装置においては、きわめて高
い位置決め精度が要求される。該要求精度をみたすウェ
ハステージとして、本出願人による特開平２−１００３
１１号公報に記載されたものがある。このウェハステー
ジにおいては、移動量の大きな粗動ステージ上に移動量
の小さな微動ステージを搭載されて多軸制御される構成
となっている。微動ステージは、板ばね構造とされてい
るために剛性が小さく、振動に弱いものとなっている。
また、ｘＨ露光光は焼付線幅が小さいので９、熱歪を防
ぐための温度管理は光露光に比べて一層厳しいものが要
求される。このため、第７図に示したようなウェハ保持
機構を応用する場合、温度調節用の液体は、露光時に発
生するわずかな熱を奪うことができるように高速で流す
必要があるが、これによりウェハステージ（特に微動ス
テージ）に振動が発生してしまい、十分な位置決め精度
での露光を行うことができないという問題点がある。
ぐための温度管理は光露光に比べて一層厳しいものが要
求される。このため、第７図に示したようなウェハ保持
機構を応用する場合、温度調節用の液体は、露光時に発
生するわずかな熱を奪うことができるように高速で流す
必要があるが、これによりウェハステージ（特に微動ス
テージ）に振動が発生してしまい、十分な位置決め精度
での露光を行うことができないという問題点がある。
本発明は上記のような従来技術が有する問題点に鑑みて
なされたものであって、ウェハの温度上昇の防止をウェ
ハに振動が生じることなく行うことのできるウェハ保持
機構を実現することを目的とする。
なされたものであって、ウェハの温度上昇の防止をウェ
ハに振動が生じることなく行うことのできるウェハ保持
機構を実現することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明のウェハ保持機構け、
露光装置内に設けられ、露光処理が施されるウェハを保
持するウェハ保持機構であって、ウェハを吸着保持する
吸着保持手段を備えたウェハ吸着部と、 内部に温度調節された液体が循環することにより、温度
が一定に保たれる温度調節部とを有し、前記ウェハ吸着
部および温度調節部は微小間隙をもたせて配設されてお
り、該微小間隙には、両者間での熱伝達を図るための液
体または気体が、両者の周辺部をシール手段によって封
入されている。
持するウェハ保持機構であって、ウェハを吸着保持する
吸着保持手段を備えたウェハ吸着部と、 内部に温度調節された液体が循環することにより、温度
が一定に保たれる温度調節部とを有し、前記ウェハ吸着
部および温度調節部は微小間隙をもたせて配設されてお
り、該微小間隙には、両者間での熱伝達を図るための液
体または気体が、両者の周辺部をシール手段によって封
入されている。
この場合、ウェハ吸着部および温度調節部の各対向面に
、熱伝達性を向上させるためのフィンをそれぞれ形成し
てもよい。
、熱伝達性を向上させるためのフィンをそれぞれ形成し
てもよい。
［作用］
ウェハを吸着保持するウェハ吸着部と、内部に温度調節
された液体が循環することにより温度が一定に保たれる
温度調節部分とが独立に設けられている。ウェハ吸着部
と温度調節部との間の微小間隙には、熱伝達を図るため
の液体または気体が磁性流体シールによって封止されて
封入されているので、ウェハ吸着部と温度調節部とは熱
的に一体となるが、振動は伝わりにくいものとなる。
された液体が循環することにより温度が一定に保たれる
温度調節部分とが独立に設けられている。ウェハ吸着部
と温度調節部との間の微小間隙には、熱伝達を図るため
の液体または気体が磁性流体シールによって封止されて
封入されているので、ウェハ吸着部と温度調節部とは熱
的に一体となるが、振動は伝わりにくいものとなる。
［実施例］
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の要部構成を示す斜視図であ
る。
る。
本実施例はウェハを微細に位置決めするための微動ステ
ージの構成を示すものである。
ージの構成を示すものである。
第１微動ステージ１０１、第２微動ステージ１０２、第
３微動ステージ１０３のそれぞれは、個別に設けられた
ピエゾ素子の駆動に応じてウェハ吸着部であるウェハチ
ャック１０７をＸ、Ｙ。
３微動ステージ１０３のそれぞれは、個別に設けられた
ピエゾ素子の駆動に応じてウェハ吸着部であるウェハチ
ャック１０７をＸ、Ｙ。
θ軸方向にそれぞれ微細に移動させるものである。第１
図には第１微動ステージ１０１を駆動するためのピエゾ
素子１０４のみが示され、他のピエゾ素子は不図示とさ
れている。これらのＸ。
図には第１微動ステージ１０１を駆動するためのピエゾ
素子１０４のみが示され、他のピエゾ素子は不図示とさ
れている。これらのＸ。
Ｙ、θ軸に関しては、それぞれ不図示のダンパ機構が設
けられており、ウェハチャック１０７が移動されたとき
に生じる振動の減衰を早めている。
けられており、ウェハチャック１０７が移動されたとき
に生じる振動の減衰を早めている。
上記の各微動ステージを載置するＺチルトステージ１１
０は、３枚のＺ支持板ばね１０５によりＺ、Ｗｘ、ＷＹ
方向に柔、それ以外の方向には剛に支持されており、さ
らに、３個の駆動用インチワーム１０６により３点独立
に２方向に駆動される。各駆動用インチワーム１０６に
よる移動量は変位センサ１１１によって計測され、正確
なＺ方向およびＷｘ、ＷＹ方向の位置決めが行われる。
０は、３枚のＺ支持板ばね１０５によりＺ、Ｗｘ、ＷＹ
方向に柔、それ以外の方向には剛に支持されており、さ
らに、３個の駆動用インチワーム１０６により３点独立
に２方向に駆動される。各駆動用インチワーム１０６に
よる移動量は変位センサ１１１によって計測され、正確
なＺ方向およびＷｘ、ＷＹ方向の位置決めが行われる。
なお、第１図においてはＺ支持板ばね１０５および駆動
用インチワーム１０６のそれぞれ１つのみに符号を付し
ている。
用インチワーム１０６のそれぞれ１つのみに符号を付し
ている。
ウェハチャック１０７は上記のように構成されたステー
ジ上に取付けられる。ウェハチャック１０７の裏面には
、複数の円が同心的に配置された形状の放熱用フィン１
１７が形成され、その中心付近にウェハチャック１０７
の表面に形成された不図示の吸気孔と露光装置外部に設
けられた不図示の真空ポンプとを継ぐ配管１０８が設け
られている。ウェハチャック１０７の背部（反ウェハ側
）には、放熱用フィン１１７と対応適合する形状の吸熱
用フィン１１４が設けられている。吸熱用フィン１１４
は粗動ステージ１１８と直結して温度調節部を構成する
ものであり、放熱用フィン１１７とは直接触れることな
く、微小間隙（５０μｍ）を有するように設けられてい
る。吸熱用フィン１１４の内部には温度調節水が循環す
るように流される流路１１５が形成されている。放熱用
フィン１１７と吸熱用フィン１１４との間には熱伝導性
の高い液体が介在され、その周辺部は磁性流体シールに
より封止される。
ジ上に取付けられる。ウェハチャック１０７の裏面には
、複数の円が同心的に配置された形状の放熱用フィン１
１７が形成され、その中心付近にウェハチャック１０７
の表面に形成された不図示の吸気孔と露光装置外部に設
けられた不図示の真空ポンプとを継ぐ配管１０８が設け
られている。ウェハチャック１０７の背部（反ウェハ側
）には、放熱用フィン１１７と対応適合する形状の吸熱
用フィン１１４が設けられている。吸熱用フィン１１４
は粗動ステージ１１８と直結して温度調節部を構成する
ものであり、放熱用フィン１１７とは直接触れることな
く、微小間隙（５０μｍ）を有するように設けられてい
る。吸熱用フィン１１４の内部には温度調節水が循環す
るように流される流路１１５が形成されている。放熱用
フィン１１７と吸熱用フィン１１４との間には熱伝導性
の高い液体が介在され、その周辺部は磁性流体シールに
より封止される。
第２図は、第１図に示した実施例の全体構成を示す斜視
図である。
図である。
第２図において、メインフレーム２０１はステージ全体
の基台となるもので、このメインフレーム２０１に取付
けられた一対のＹ粗動ガイドバー２０２にＹ粗動ステー
ジ２０３が静圧案内されて上下に可動となっている。Ｙ
粗動ステージ２０３は、自重を相殺する目的で、一対の
バランスベルト２０４を介してメインチャンバー２０５
に取付けられたバランスシリンダ２０６と連結されてお
り、前記メインフレーム２０１に取付けられたＹ駆動用
電動シリンダ２０７により駆動、位置決めされる。
の基台となるもので、このメインフレーム２０１に取付
けられた一対のＹ粗動ガイドバー２０２にＹ粗動ステー
ジ２０３が静圧案内されて上下に可動となっている。Ｙ
粗動ステージ２０３は、自重を相殺する目的で、一対の
バランスベルト２０４を介してメインチャンバー２０５
に取付けられたバランスシリンダ２０６と連結されてお
り、前記メインフレーム２０１に取付けられたＹ駆動用
電動シリンダ２０７により駆動、位置決めされる。
さらに、Ｙ粗動ステージ２０３上に取付けられた一対の
Ｘ粗動用ガイドバー２０８に、Ｘ粗動ステージ２０９が
静圧案内されて左右に可動となっている。このＸ粗動ス
テージ２０９は、Ｙ粗動ステージ２０３に取付けられた
Ｘ駆動用電動シリンダ２１０により、駆動、位置決めさ
れる。Ｘ粗動ステージ２０９上には、第１図に示したウ
ェハ１０９の微細位置決めをするウェハ微動ステージが
載置されている。
Ｘ粗動用ガイドバー２０８に、Ｘ粗動ステージ２０９が
静圧案内されて左右に可動となっている。このＸ粗動ス
テージ２０９は、Ｙ粗動ステージ２０３に取付けられた
Ｘ駆動用電動シリンダ２１０により、駆動、位置決めさ
れる。Ｘ粗動ステージ２０９上には、第１図に示したウ
ェハ１０９の微細位置決めをするウェハ微動ステージが
載置されている。
次に、本実施例におけるクエへの温度制御動作について
第３図を参照して説明する。
第３図を参照して説明する。
第３図は、第１図に示した実施例の要部構成をより詳細
に示す断面図であり、ウェハチャック１０７と吸熱用フ
ィン１１７を備える温度調節部３０６との接合状態を示
す断面図である。
に示す断面図であり、ウェハチャック１０７と吸熱用フ
ィン１１７を備える温度調節部３０６との接合状態を示
す断面図である。
ウェハチャック１０７に設けられた放熱用フィン１１７
と温度調節部３０６に設けられた吸熱用フィン１１４と
は上述のように微小間隙３０４を有するように配設され
ている。ウェハチャック１０７のウェハ吸着面側には複
数の吸気孔３０１が設けられている。各吸気孔３０１は
ウェハチエツク１０７内に埋設された吸着用配管３０２
を介して不図示の真空ポンプと継がれるもので、これに
より、ウェハ１０９はウェハチャック１０７の吸着面に
て吸着保持される。温度調節部３０６の内部には流路１
１５が形成されており、該流路１１５内に一定温度に調
節された液体を温調用配管３０３を介して循環させるこ
とにより、温度調節部３０６の温度が一定に保たれる。
と温度調節部３０６に設けられた吸熱用フィン１１４と
は上述のように微小間隙３０４を有するように配設され
ている。ウェハチャック１０７のウェハ吸着面側には複
数の吸気孔３０１が設けられている。各吸気孔３０１は
ウェハチエツク１０７内に埋設された吸着用配管３０２
を介して不図示の真空ポンプと継がれるもので、これに
より、ウェハ１０９はウェハチャック１０７の吸着面に
て吸着保持される。温度調節部３０６の内部には流路１
１５が形成されており、該流路１１５内に一定温度に調
節された液体を温調用配管３０３を介して循環させるこ
とにより、温度調節部３０６の温度が一定に保たれる。
上述したように、放熱用フィン１１７と吸熱用フィン１
１４との間の微小間隙３０４には熱伝導性の良好な液体
が介在されており、ウェハチャック１０７と温度調節部
３０６との間での熱伝達性を良好なものとしている。ま
た、該液体を封止するための磁性流体シールは、放熱用
フィン１１フ、吸熱用フィン１１４の周辺部である端部
３０５をシールしている。シール方法としては端部３０
５と同形状の環状の永久磁石（不図示）をウェハチャッ
ク１０７に埋設して磁力を与えるものとした。
１４との間の微小間隙３０４には熱伝導性の良好な液体
が介在されており、ウェハチャック１０７と温度調節部
３０６との間での熱伝達性を良好なものとしている。ま
た、該液体を封止するための磁性流体シールは、放熱用
フィン１１フ、吸熱用フィン１１４の周辺部である端部
３０５をシールしている。シール方法としては端部３０
５と同形状の環状の永久磁石（不図示）をウェハチャッ
ク１０７に埋設して磁力を与えるものとした。
上記のような構成とすることにより、ウェハ１０９と温
度調節部３０６とは熱的に一体とされ、温度調節部３０
６に生じた振動に影響されることなく一定温度に保たれ
る。
度調節部３０６とは熱的に一体とされ、温度調節部３０
６に生じた振動に影響されることなく一定温度に保たれ
る。
ウェハチャック１０７は第３微動ステージ１０３（第１
図参照）上に固定され、温度調節部３０６は粗動ステー
ジ１１８（第１図参照）内に設けられている。
図参照）上に固定され、温度調節部３０６は粗動ステー
ジ１１８（第１図参照）内に設けられている。
微小間隙３０４の大きさは、第１乃至第３微動ステージ
１０１〜１０３（第１図参照）により構成される微動ス
テージの移動量（２０μ−程度）よりも大きなことが必
要であり、本実施例の場合には上述したように５０μｍ
とした。
１０１〜１０３（第１図参照）により構成される微動ス
テージの移動量（２０μ−程度）よりも大きなことが必
要であり、本実施例の場合には上述したように５０μｍ
とした。
また、本実施例は縦型ステージとして説明したが、横型
ステージに適用しても当然よい。
ステージに適用しても当然よい。
本実施例においては温度調節部３０６は粗動ステージ１
１８に設けられ、ウェハチャック１０７は微動ステージ
上に設けられている。この微動ステージは粗動ステージ
１１８上に設けられているため、温度調節用の液体の通
過によって振動する粗動ステージ１１８の振幅が微小間
隔３０４の間で吸収される許容範囲以上振動しないよう
に粗動ステージ１１８の剛性を高める必要がある。本実
施例においては、粗動ステージ１１８の固有振動数は５
００Ｈｚ、温度調節用液体の通過によって生じる振幅は
０．０２μｍであり、充分に許容範囲内のものであった
。
１８に設けられ、ウェハチャック１０７は微動ステージ
上に設けられている。この微動ステージは粗動ステージ
１１８上に設けられているため、温度調節用の液体の通
過によって振動する粗動ステージ１１８の振幅が微小間
隔３０４の間で吸収される許容範囲以上振動しないよう
に粗動ステージ１１８の剛性を高める必要がある。本実
施例においては、粗動ステージ１１８の固有振動数は５
００Ｈｚ、温度調節用液体の通過によって生じる振幅は
０．０２μｍであり、充分に許容範囲内のものであった
。
また、本実施例においてウェハチャック１０７の裏面に
形成される放熱用フィン１１７は複数の円が同心的に配
置された形状として説明したが、この形状に限定される
ものではない。
形成される放熱用フィン１１７は複数の円が同心的に配
置された形状として説明したが、この形状に限定される
ものではない。
第４図（ａ）は本発明の第２の実施例の要部の上面図、
第４図（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。
第４図（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。
本実施例は、ウェハチャック１１７の裏面に形成される
放熱用フィンをストライプ状に溝が形成された放熱用フ
ィン４０１としたものである。
放熱用フィンをストライプ状に溝が形成された放熱用フ
ィン４０１としたものである。
第５図（ａ）は、本発明の第３の実施例の要部の上面図
、第５図（ｂ）はそのＢ−Ｂ線断面図である。
、第５図（ｂ）はそのＢ−Ｂ線断面図である。
本実施例は、ウェハチャック１１７の裏面に形成される
放熱用フィンを格子状に溝が形成された放熱用フィン５
０１としたものである。
放熱用フィンを格子状に溝が形成された放熱用フィン５
０１としたものである。
第６図（ａ）は、本発明の第４の実施例の要部の上面図
、第６図（ｂ）はそのＣ−Ｃ線断面図である。
、第６図（ｂ）はそのＣ−Ｃ線断面図である。
本実施例は、ウェハチャック１１７の裏面に形成される
放熱用フィンをハニカム状に溝が形成された放熱用フィ
ン６０１としたものである。
放熱用フィンをハニカム状に溝が形成された放熱用フィ
ン６０１としたものである。
上記の第２乃至第４のいずれの実施例においても、各放
熱用フィン４０１，５０１，６０１とそれぞれ組合わさ
れる吸熱用フィンは、各放熱用フィン４０１，５０１，
６０１と対応適合する形状とされている。この場合、適
合面の大きなもの程熱伝導効率が高いものとなる。例え
ば、第２の実施例のものよりも第３の実施例のものの方
が熱伝導効率が高いものとなる。
熱用フィン４０１，５０１，６０１とそれぞれ組合わさ
れる吸熱用フィンは、各放熱用フィン４０１，５０１，
６０１と対応適合する形状とされている。この場合、適
合面の大きなもの程熱伝導効率が高いものとなる。例え
ば、第２の実施例のものよりも第３の実施例のものの方
が熱伝導効率が高いものとなる。
以上説明した各実施例において、ウェハの吸着方法とし
ては真空吸着法によるもののみを示したが、静電吸着法
によるものであっても本発明を適用できることは明白で
あり、このように構成してもよい。
ては真空吸着法によるもののみを示したが、静電吸着法
によるものであっても本発明を適用できることは明白で
あり、このように構成してもよい。
また、シール手段については磁性流体シールについての
み示したがシール手段はこれに限定されるものではなく
、金属ベローズ等を用いてもよい。
み示したがシール手段はこれに限定されるものではなく
、金属ベローズ等を用いてもよい。
さらに、ウェハチャック１０７と温度調節部３０６との
間の微小間隙３０４には液体を充填するものとして説明
したが、これは両者間に熱伝導を生じさせるためのもの
であり、気体であっても当然よい。
間の微小間隙３０４には液体を充填するものとして説明
したが、これは両者間に熱伝導を生じさせるためのもの
であり、気体であっても当然よい。
［発明の効果］
本発明は以上説明したように構成されているので、以下
に記載するような効果を奏する。
に記載するような効果を奏する。
請求項１に記載のものにおいては、振動源である冷却用
の液体が内部を循環する温度調節部と、ウェハを吸着、
保持するウェハ吸着部とを独立のものとし、熱的には一
体であるが、振動は伝わりにくいように構成することに
より、ウェハの温度変化の防止をウェハに振動が生じる
ことなく行うことができ、位置決め精度を向上すること
ができる効果がある。
の液体が内部を循環する温度調節部と、ウェハを吸着、
保持するウェハ吸着部とを独立のものとし、熱的には一
体であるが、振動は伝わりにくいように構成することに
より、ウェハの温度変化の防止をウェハに振動が生じる
ことなく行うことができ、位置決め精度を向上すること
ができる効果がある。
請求項２に記載のものにおいては、ウェハ吸着部と温度
調節部との間での熱伝導が良好なものとなり、上記効果
を一層向上することができる効果がある。
調節部との間での熱伝導が良好なものとなり、上記効果
を一層向上することができる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の要部構成を示す斜視図
、第２図は第１の実施例の全体構成を示す斜視図、第３
図は第１の実施例の要部構成をより詳細に示す断面図、
第４図（ａ）は本発明の第２の実施例の要部の上面図、
第４図（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図、第５図（ａ）は本
発明の第３の実施例の要部の上面図、第５図（ｂ）はそ
のＢ−Ｂ線断面図、第６図（ａ）は本発明の第４の実施
例の要部の上面図、第６図（ｂ）はそのＣ−Ｃ線断面図
、第７図は従来例の構成を示す断面図である。 １０１−・・第１微動ステージ、 １０２−・・第２微動ステージ、 １０３−・・第３微動ステージ、 １０４−・・ピエゾ素子、１０５−・・Ｚ支持板ばね、
１０６−・・インチワーム、 １０７−・・ウェハチャック、 １０８−・・配管、１０９−・・ウェハ、１１０−Ｚチ
ルトステージ、 １１１−・・変位センサ、１１４−・・吸熱用フィン、
１１５−・・流路、 １１７．４０１，５０１，６０１−・・放熱用フィン、 １１ Ｂ−・・粗動ステージ、 ２０１−・・メインフレーム、 ２０２−Ｙ粗動ガイドパン、 ２０３−・・Ｙ粗動ステージ、 ′ ２０４−・・バランスベルト、 ２０５−・・メインチャンバ、 ２０６−・・バランスシリンダ、 ２０７−Ｙ駆動用電動シリンダ、 ２０ Ｂ−・・Ｘ粗動用ガイドバー、 ２０９−Ｘ粗動ステージ、 ２１０−Ｘ駆動用電動シリンダ、 ３０１−・・吸気孔、３０２−・・吸着用配管、３０３
−・・温調用配管、３０４−・・微小間隙、３０５−・
・端部、３０６−・・温度調節部。 特許出願人 キャノン株式会社
、第２図は第１の実施例の全体構成を示す斜視図、第３
図は第１の実施例の要部構成をより詳細に示す断面図、
第４図（ａ）は本発明の第２の実施例の要部の上面図、
第４図（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図、第５図（ａ）は本
発明の第３の実施例の要部の上面図、第５図（ｂ）はそ
のＢ−Ｂ線断面図、第６図（ａ）は本発明の第４の実施
例の要部の上面図、第６図（ｂ）はそのＣ−Ｃ線断面図
、第７図は従来例の構成を示す断面図である。 １０１−・・第１微動ステージ、 １０２−・・第２微動ステージ、 １０３−・・第３微動ステージ、 １０４−・・ピエゾ素子、１０５−・・Ｚ支持板ばね、
１０６−・・インチワーム、 １０７−・・ウェハチャック、 １０８−・・配管、１０９−・・ウェハ、１１０−Ｚチ
ルトステージ、 １１１−・・変位センサ、１１４−・・吸熱用フィン、
１１５−・・流路、 １１７．４０１，５０１，６０１−・・放熱用フィン、 １１ Ｂ−・・粗動ステージ、 ２０１−・・メインフレーム、 ２０２−Ｙ粗動ガイドパン、 ２０３−・・Ｙ粗動ステージ、 ′ ２０４−・・バランスベルト、 ２０５−・・メインチャンバ、 ２０６−・・バランスシリンダ、 ２０７−Ｙ駆動用電動シリンダ、 ２０ Ｂ−・・Ｘ粗動用ガイドバー、 ２０９−Ｘ粗動ステージ、 ２１０−Ｘ駆動用電動シリンダ、 ３０１−・・吸気孔、３０２−・・吸着用配管、３０３
−・・温調用配管、３０４−・・微小間隙、３０５−・
・端部、３０６−・・温度調節部。 特許出願人 キャノン株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、露光装置内に設けられ、露光処理が施されるウェハ
を保持するウェハ保持機構であって、ウェハを吸着保持
する吸着保持手段を備えたウェハ吸着部と、 内部に温度調節された液体が循環することにより、温度
が一定に保たれる温度調節部とを有し、 前記ウェハ吸着部および温度調節部は微小間隙をもたせ
て配設されており、該微小間隙には、両者間での熱伝達
を図るための液体または気体が、両者の周辺部を封止す
るシール手段によって封入されていることを特徴とする
ウェハ保持機構。 ２、請求項１記載のウェハ保持機構において、ウェハ吸
着部および温度調節部の各対向面に、熱伝達性を向上さ
せるためのフィンがそれぞれ形成されていることを特徴
とするウェハ保持機構。 ３、請求項１記載のウェハ保持機構において、シール手
段が磁性流体シールによって構成されていることを特徴
とするウェハ保持機構。 ４、請求項１記載のウェハ保持機構において、シール手
段が金属ベローズによって構成されることを特徴とする
ウェハ保持機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2312769A JPH04184912A (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | ウエハ保持機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2312769A JPH04184912A (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | ウエハ保持機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04184912A true JPH04184912A (ja) | 1992-07-01 |
Family
ID=18033199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2312769A Pending JPH04184912A (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | ウエハ保持機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04184912A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1123639A2 (en) * | 1998-09-25 | 2001-08-16 | Aehr Test Systems, Inc. | Wafer level burn-in and test thermal chuck and method |
| WO2002013244A3 (en) * | 2000-08-08 | 2002-11-28 | Qc Solutions Inc | Apparatus and method for handling and testing of wafers |
| JP2010251748A (ja) * | 2009-04-13 | 2010-11-04 | Asml Netherlands Bv | 冷却デバイス、冷却配置、および冷却配置を含むリソグラフィ装置 |
| US9081309B2 (en) | 2009-04-13 | 2015-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Detector module, cooling arrangement and lithographic apparatus comprising a detector module |
-
1990
- 1990-11-20 JP JP2312769A patent/JPH04184912A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1123639A2 (en) * | 1998-09-25 | 2001-08-16 | Aehr Test Systems, Inc. | Wafer level burn-in and test thermal chuck and method |
| EP1123639A4 (en) * | 1998-09-25 | 2007-11-14 | Aehr Test Systems | THERMAL TEST CARRIER PLATE AND BURNING ON PLATE LEVEL AND CORRESPONDING METHOD |
| WO2002013244A3 (en) * | 2000-08-08 | 2002-11-28 | Qc Solutions Inc | Apparatus and method for handling and testing of wafers |
| JP2010251748A (ja) * | 2009-04-13 | 2010-11-04 | Asml Netherlands Bv | 冷却デバイス、冷却配置、および冷却配置を含むリソグラフィ装置 |
| US8817228B2 (en) | 2009-04-13 | 2014-08-26 | Asml Netherland B.V. | Cooling arrangement and lithographic apparatus comprising a resilient wall creating a gap between a detector module housing and a heat sink of the cooling arrangement |
| US9081309B2 (en) | 2009-04-13 | 2015-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Detector module, cooling arrangement and lithographic apparatus comprising a detector module |
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