JPH04184158A - 酸素センサー - Google Patents
酸素センサーInfo
- Publication number
- JPH04184158A JPH04184158A JP31016590A JP31016590A JPH04184158A JP H04184158 A JPH04184158 A JP H04184158A JP 31016590 A JP31016590 A JP 31016590A JP 31016590 A JP31016590 A JP 31016590A JP H04184158 A JPH04184158 A JP H04184158A
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- Japan
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- resistance
- electrode
- titania
- resistor
- substrate
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 58
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は酸素センサーに関する。
チタニアはn形半導体で、抵抗値が雰囲気中の酸素分圧
に依存する性質が自動車用酸素センサーに応用されてい
る。しかしながら、チタニアの抵抗値は酸素分圧だけで
なく温度に対しても強い依存性を示すため、作動温度範
囲が約350〜400℃と狭く、自動車の排ガス温度4
00〜900℃の全範囲でセンサーを作動させることが
困難であるという問題がある。第9図にチタニア抵抗の
温度依存性を示す。また、第10図にセンサーのデユー
ティ比(リッチとリーンの出力時間比)を示す。
に依存する性質が自動車用酸素センサーに応用されてい
る。しかしながら、チタニアの抵抗値は酸素分圧だけで
なく温度に対しても強い依存性を示すため、作動温度範
囲が約350〜400℃と狭く、自動車の排ガス温度4
00〜900℃の全範囲でセンサーを作動させることが
困難であるという問題がある。第9図にチタニア抵抗の
温度依存性を示す。また、第10図にセンサーのデユー
ティ比(リッチとリーンの出力時間比)を示す。
そこで、基板中にヒータを内蔵してセンサーの温度を制
御することが提案されている。
御することが提案されている。
また、チタニア酸素センサーの温度特性を補償するため
に、センサー素子としてのチタニアと別に、排ガス雰囲
気から遮断したチタニアサーミスタ素子を直列に設ける
ことが提案されている。すなわち、未焼成アルミナ基板
とふたとなる未焼成アルミナ基板の間にチタニアを挟ん
で焼成してサーミスタとしたり、焼成済アルミナ基板上
にチタニアサーミスタを形成した後、ガラスシールして
いる。
に、センサー素子としてのチタニアと別に、排ガス雰囲
気から遮断したチタニアサーミスタ素子を直列に設ける
ことが提案されている。すなわち、未焼成アルミナ基板
とふたとなる未焼成アルミナ基板の間にチタニアを挟ん
で焼成してサーミスタとしたり、焼成済アルミナ基板上
にチタニアサーミスタを形成した後、ガラスシールして
いる。
基板中にヒータを内蔵してセンサー温度を制御する方法
は、排ガス温度が低い場合は有効であるが、高温側は制
御できず、なりゆきとなる欠点がある。
は、排ガス温度が低い場合は有効であるが、高温側は制
御できず、なりゆきとなる欠点がある。
また、アルミナ基板中にチタニアサーミスタを一体焼成
する方法は、チタニアの融点が低いので焼成時にチタニ
アが融解したり、アルミナ基板中が還元π囲気のために
チタニアサーミスタの抵抗が低くなりすぎて抵抗の調整
が困難である欠点がある。また、基板焼成後にチタニア
サーミスタを形成する方法は、ガラスシールが熱衝撃で
割れたり、ガラスの抵抗がノイズとなる問題がある。
する方法は、チタニアの融点が低いので焼成時にチタニ
アが融解したり、アルミナ基板中が還元π囲気のために
チタニアサーミスタの抵抗が低くなりすぎて抵抗の調整
が困難である欠点がある。また、基板焼成後にチタニア
サーミスタを形成する方法は、ガラスシールが熱衝撃で
割れたり、ガラスの抵抗がノイズとなる問題がある。
そこで、本発明はこれらの問題点のない酸素センサーを
提供することを目的とする。
提供することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するために、アルミナ基板上
に感ガス抵抗用電極と基準抵抗用電極とを直列に配し、
感ガス抵抗用電極間上にチタニア層を設けてチタニア感
ガス抵抗とし、かつ基準抵抗としてアルミナ基板の抵抗
を利用したことを特徴とする酸素センサーを提供する。
に感ガス抵抗用電極と基準抵抗用電極とを直列に配し、
感ガス抵抗用電極間上にチタニア層を設けてチタニア感
ガス抵抗とし、かつ基準抵抗としてアルミナ基板の抵抗
を利用したことを特徴とする酸素センサーを提供する。
すなわち、基準抵抗をサーミスタとして可変とする第6
図の如き回路の酸素センサーにおいて、そのサーミスタ
としてアルミナ基板自体の抵抗を利用するものである。
図の如き回路の酸素センサーにおいて、そのサーミスタ
としてアルミナ基板自体の抵抗を利用するものである。
通常の厚膜基板に用いられるアルミナ基板の体積抵抗率
は500℃で109Ωcm、700℃で107Ωcm程
度であり、チタニア抵抗の温度依存性に近いので、チタ
ニア感ガス抵抗の基準抵抗用サーミスタとして適してい
る。しかも、アルミナ基板とふた(アルミナ)の間に電
極を形成するだけでよいので、特別のシール材は不要で
ありかつ基板焼成時にも劣化の問題がない。
は500℃で109Ωcm、700℃で107Ωcm程
度であり、チタニア抵抗の温度依存性に近いので、チタ
ニア感ガス抵抗の基準抵抗用サーミスタとして適してい
る。しかも、アルミナ基板とふた(アルミナ)の間に電
極を形成するだけでよいので、特別のシール材は不要で
ありかつ基板焼成時にも劣化の問題がない。
96%アルミナ粉に有機バインダーを混合し、ドクター
ブレード法で厚さ500庫のアルミナグリーンシートを
成形した。このシート1に第1図のような電極パターン
2,3.4を白金ペースト印刷により形成し幅4 [0
111、長さ40mmに切断した。この時、TiD□抵
抗用電極ギャップL1 を1鮒とし基準抵抗用ギー?7
プL3を0.05mm 、 0.1 m10.2 mm
。
ブレード法で厚さ500庫のアルミナグリーンシートを
成形した。このシート1に第1図のような電極パターン
2,3.4を白金ペースト印刷により形成し幅4 [0
111、長さ40mmに切断した。この時、TiD□抵
抗用電極ギャップL1 を1鮒とし基準抵抗用ギー?7
プL3を0.05mm 、 0.1 m10.2 mm
。
0.3証と4種類形成した。又、基準抵抗用電極線幅り
、は0.5 mmとし、TlO2抵抗用電極長さL2は
l m+nとした。
、は0.5 mmとし、TlO2抵抗用電極長さL2は
l m+nとした。
チタニア抵抗及び基準抵抗はLl及びL3に比例し、L
2及びL4に逆比例する。したがって、チタニア及びア
ルミナの固有抵抗にLl/L2及びL 3 / L 4
を乗じた値でそれぞれの抵抗値が決まる。今回の場合、
第7図を参照すると、チタニアのリッチ及びリーン抵抗
の間に基準抵抗を入れる必要があるので、Ll /L3
XL4 /L2(この値をAとする)の値が重要とな
る。本実施例ではAを10.5 、2.5 、1.7と
4種類形成した事になる。
2及びL4に逆比例する。したがって、チタニア及びア
ルミナの固有抵抗にLl/L2及びL 3 / L 4
を乗じた値でそれぞれの抵抗値が決まる。今回の場合、
第7図を参照すると、チタニアのリッチ及びリーン抵抗
の間に基準抵抗を入れる必要があるので、Ll /L3
XL4 /L2(この値をAとする)の値が重要とな
る。本実施例ではAを10.5 、2.5 、1.7と
4種類形成した事になる。
この電極シート1及びTie2抵抗用電極の長さを決め
る為のアルミナグリーンシートによる窓枠シート5及び
カバーシート6と白金リード線7を第2図のように積層
し、80℃で加熱圧着した。この積層体を500℃まで
5℃/Hrで昇温脱脂しその後200℃/Hrで昇温、
1500℃で2時間焼成しアルミナ基板を作成した。こ
のアルミナ基板の窓枠部にチタニア粉末と5wt%の白
金ブラックと有機バインダーを混合したチタニアペース
トを厚す200J−塗布し1200℃で2時間焼成し感
ガス層8を形成した(第3〜5図)。
る為のアルミナグリーンシートによる窓枠シート5及び
カバーシート6と白金リード線7を第2図のように積層
し、80℃で加熱圧着した。この積層体を500℃まで
5℃/Hrで昇温脱脂しその後200℃/Hrで昇温、
1500℃で2時間焼成しアルミナ基板を作成した。こ
のアルミナ基板の窓枠部にチタニア粉末と5wt%の白
金ブラックと有機バインダーを混合したチタニアペース
トを厚す200J−塗布し1200℃で2時間焼成し感
ガス層8を形成した(第3〜5図)。
それぞれの素子についてチタニアのリッチ及びリーン抵
抗と基準抵抗を測定した結果を第7図に示す。これによ
るとA=5の時400〜1000℃の間で基準抵抗がチ
タニアのりッチーリーン抵抗の間にあり良好である事が
分かった。又、Aの値と基準抵抗値はほぼ比例関係にあ
り、Aが3〜80間であれば良い事がわかった。A=5
の素子においてセンサー素子温度とデユーティ−比(リ
ッチ出力時間/(リッチ出力時間子リッチ出力時間)×
100)の関係を調べたく第8図)。これによれば本発
明品は400〜900℃の間(自動車の排ガス温度範囲
)でデユーティ−比が50±2%以内と非常に良好な値
であった。
抗と基準抵抗を測定した結果を第7図に示す。これによ
るとA=5の時400〜1000℃の間で基準抵抗がチ
タニアのりッチーリーン抵抗の間にあり良好である事が
分かった。又、Aの値と基準抵抗値はほぼ比例関係にあ
り、Aが3〜80間であれば良い事がわかった。A=5
の素子においてセンサー素子温度とデユーティ−比(リ
ッチ出力時間/(リッチ出力時間子リッチ出力時間)×
100)の関係を調べたく第8図)。これによれば本発
明品は400〜900℃の間(自動車の排ガス温度範囲
)でデユーティ−比が50±2%以内と非常に良好な値
であった。
このようにアルミナ基板自身を基準抵抗用サーミスタと
するとセンサー素子先端部に容易に印刷形状だけで形成
する事ができる。
するとセンサー素子先端部に容易に印刷形状だけで形成
する事ができる。
従来温度依存性が大きかった為にヒータを内蔵していた
が本発明品は温度依存性がほとんどない為にヒータを内
蔵する必要がない。その為にヒータをコントロールする
回路が不要となったり、センサー素子も小型化できセン
サーコストは大幅に低減できる。また、チタニアサーミ
スタを用いる場合のように、焼成時にサーミスタが劣化
したり、ガスシールが不完成という欠点もない。すなわ
ち、簡単な構成でかつ自動車排ガスの全温度範囲で使用
できる酸素センサーが提供される。
が本発明品は温度依存性がほとんどない為にヒータを内
蔵する必要がない。その為にヒータをコントロールする
回路が不要となったり、センサー素子も小型化できセン
サーコストは大幅に低減できる。また、チタニアサーミ
スタを用いる場合のように、焼成時にサーミスタが劣化
したり、ガスシールが不完成という欠点もない。すなわ
ち、簡単な構成でかつ自動車排ガスの全温度範囲で使用
できる酸素センサーが提供される。
第1〜5図は実施例のセンサーの電極パターン図、組立
図、平面図及び断面図、第6図は実施例のセンサーの電
気回路図、第7〜8図は実施例のセンサーの特性図、第
9〜10図は従来例のセンサーの特性図である。 1・・・アルミナ基板、 2.3.4・・・電極、
5・・・窓枠シート、 6・・・カバーシート、
7・・・リード線、 訃・・チタニア感ガス層
。
図、平面図及び断面図、第6図は実施例のセンサーの電
気回路図、第7〜8図は実施例のセンサーの特性図、第
9〜10図は従来例のセンサーの特性図である。 1・・・アルミナ基板、 2.3.4・・・電極、
5・・・窓枠シート、 6・・・カバーシート、
7・・・リード線、 訃・・チタニア感ガス層
。
Claims (1)
- 1、アルミナ基板上に感ガス抵抗用電極と基準抵抗用電
極とを直列に配し、感ガス抵抗用電極間上にチタニア層
を設けてチタニア感ガス抵抗とし、かつ基準抵抗として
アルミナ基板の抵抗を利用したことを特徴とする酸素セ
ンサー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31016590A JPH04184158A (ja) | 1990-11-17 | 1990-11-17 | 酸素センサー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31016590A JPH04184158A (ja) | 1990-11-17 | 1990-11-17 | 酸素センサー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04184158A true JPH04184158A (ja) | 1992-07-01 |
Family
ID=18001947
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31016590A Pending JPH04184158A (ja) | 1990-11-17 | 1990-11-17 | 酸素センサー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04184158A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013530396A (ja) * | 2010-06-04 | 2013-07-25 | デルファイ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 低コスト同時焼成センサ加熱回路 |
-
1990
- 1990-11-17 JP JP31016590A patent/JPH04184158A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013530396A (ja) * | 2010-06-04 | 2013-07-25 | デルファイ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 低コスト同時焼成センサ加熱回路 |
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