JPH04175618A - 光電センサー装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本発明は撮影画面内の任意の各所において、自動焦点検
出が可能な自動焦点検出装置のための光電変換装置に関
する。 〔従来の技術〕 従来、撮影画面内の複数の位置、あるいは任意の位置に
おいて、自動焦点検出できる装置の提案がなされている
。この種装置は、方式的に見て、いわゆるコントラスト
検知方式、もしくは２像位相差検知方式どちらを採って
もち可能である。いづれにしても被写体の光量分布を把
え、演算により焦点状態を検出するいわゆるパッシブな
方式では上記光量分布を把えるための光電センザーアレ
ーを必要とする。 パッシブな技術を用いて、多数の撮像位置で焦点検出を
行なう技術は−・眼レフカメラにおいて実用されている
。そのセンサー配列は、有限個の焦点検出点各々に対応
して、リニアセンサーアレーを各個別に用意し、生産コ
スト上の要請がら、これらリニアセンサーアレーをワン
チップ上に集積したものである。具体的構成方法は、た
とえば特開昭６３ｉ１．９０６号公報、特開昭６：３−
１７２２０９号公報、特開平１−２７１．７１６号公報
等々に詳しく記載されている。 該従来装置に関して第１１図の焦点検出光学系を用いて
簡単に説明する。 フィールドレンズ２０、多孔視野マスク２１、正レンズ
を２枚並設した２次結像レンズ２２、そして光電素子列
の対が複数配列されたセンサーデバイス２３が配される
。多孔視野マスク２１は不図示の撮影用対物レンズの予
定結像面近傍の位置に設けられ、各スリット２１ａ、２
１．ｂ、２］ｃは夫々測距視野を決定する。２次結像レ
ンズ２２は、たとえばスリット２１ａで画定された被写
体像の一部を略光電素子列の対２３ａと２３ｂ上に再結
像する。 またスリット２１ｂあるいはスリット２１ｃで画定され
た部分は略光電素子列の対２３ｃと２３ｄまたは２３ｅ
と２３ｆ上に再結像される。光電素子列の各対の受光情
報は電気信号として読み出され、相関演算が施されて、
各スリットで決定された測距視野内の被写体に対する対
物レンズの焦点調節状態を表す値が算出される。撮影画
面２７に対し、３個のスリットで画定される測距視野は
たとえば２９Ｌ、２９Ｃ１２９Ｒの位置に設定すること
ができる。 焦点検出の位置が上記例の様に高々数個程度である場合
には、センサーデバイス２３のように、各検出位置に対
応して、リニアセンサーアレーをワンチップ上に離散的
に設ける方法が可能である。 離散的に配置された各リニアセンサーアレーの間の領域
には、センサーアレーの機能をサポートするロジック回
路、アナログ回路を設けられるので、集積度の高いデバ
イスが構成できる。 焦点検出すべき位置が高々数個である場合には、この様
なリニアセンサーアレーの配置が可能であるが、もっと
焦点検出点の配置を稠密にしようとすると、この方法は
不適切である。何故ならリニアセンサーアレーは、各ア
レー毎に画像アナログ情報の一時記憶手段（−斉に蓄積
終了した光電荷情報をシリアルに出力するために必要）
、シリアル情報転送系、順次読み出すためのクロッキン
クを行なうシフトレジスタ等をセンサー画素以外に要す
。かつ、これらの付加回路の全体の方がセンサー画素よ
りもはるかに大面積を必要とするので、ワラチップ内に
構成できるセンサーアレーの数は実質的に厳しく制限さ
れているのである。 従来以上に焦点検出の位置を密に配置するためには、縦
横２次元的にセンサーセルが規則正しく配列されたいわ
ゆるエリアセンサーを用いることが望ましい。この場合
、エリアセンサーの受光領域の一部分の画素情報を選択
的に演算処理することにより、特定の被写体位置に於け
る焦点状態の検出が行われる。テレビカメラやＶＴＲ一
体型カメラ等、電子的撮像デバイスを内蔵するカメラで
は、撮像用センサーと焦点検出用センサーの兼用ができ
るため、多点検出ではないが、コスト上の理由からエリ
アセンサーを用いた焦点検出が実用化されている。 第１２図はその一例である。フォーカスレンズ１はフォ
ーカスモータ２によって駆動可能に構成され、バイモル
フ３の中央には、固体撮像素子４が取り付けられている
。固体撮像素子４はフォーカスレンズ１により結像され
た光学的画像情報を光電変換するもので通例１０万〜５
０万画素を有し、不図示のビデオ信号処理系に導ひかれ
、画像信号を出力する。バイモルフ３はバイモルフ駆動
回路８からの交流電圧によって駆動され、固体撮像素子
４を光軸９の方向へ振動させる。固体撮影素子４の出力
信号はボケ検出回路ｌＯへ接続されており、ボケ検出回
路１０は振動によって前ビン状態（前方にピントが合っ
ている状態）か後ピン状態（後方にピントが合っている
状態）かを検出し、ボケが少なくなる方向へフォーカス
モータ２を回転させ、フォーカスレンズ１を駆動するよ
うになっている。 一般に撮像の全画面内には撮影の対象たる主要被写体と
、その背景とが同時に併存しているので、ボケ検出回路
において演算検出の対象となる画面範囲は何らかの形で
限定されなくてはならない。 従来の技術では通例画面中心部に限定することで制御対
象物をあらかじめ制限している。または、画面中心のま
わりに一定の大きさの枠を設け、その範囲内で最もフン
トラストの高い箇所を対象に制御するという手法もよく
用いられている。 〔発明が解決しようとしている課題１ 画素が縦横２次元的に配列されたエリアセンサ−を用い
た焦点検出装置の場合、従来の技術では以下に述べる様
な多様な問題があり、多数の焦点検出点を配列して比較
評価し制御するという高度な機能は十分実現されるに至
っていない。 第一に被写体画像の局部的情報をランダムにアクセスす
る方法を、一般の撮像用エリアセンサーは有していない
。一般に多点焦点検出では、各検出点の画像情報を速や
かにデータ演算処理し、比較評価した結果をピント調節
制御に反映させる必要がある。−１〕記演算処理は、マ
イクロブロセツ勺−をベースとしたハードウェアまたは
Ｉ）　Ｓ　Ｐ等デンタル回路により実行されるので、画
像情報をＡ／Ｄ変換し、デジタルメモリ・−にストアす
る手段も必要である。各検出点の情報をラングｌ、アク
セスできると、これらのデータサンプリンクは、システ
ムハードウエアの構成、メモリー容置、Ａ／Ｄ変換器の
所要速度等あらゆる面で著しく容易になる。従来のエリ
アセンサーは、焦点検出に心火な指定ブロックをランダ
ムに読み出す機能が十分でないため高度な焦点検出機能
の構築が困難であった。特に位相差方式の焦点検出装置
では、異なる光学経路を通過してきた２個の対応する光
学画像の光電出力を必要とし、離れた対応゛４る２ブロ
ツクを適切に同期したタイミングで制御出力するセンサ
ーデバイスを必要とする。通常のエリアセンサーでは、
−律の高いクロック速度で全画面を読出ず中で所要のデ
ータをとり出さねばならず、また読出しのタイミングが
バートド制約されてしまう。このため全般に高速デバイ
スを使用するにも拘らず、結果を得るまでに時間がかか
り、システム能力が低いという問題がおこる１、また焦
点検出の位置を撮影レンズの焦点距離や被写体の種類で
変えたい場合もあり、ランダムに検出点を指定、出力で
きることは重要な要件である。 第２には、各検出点の輝度やコントラスＩ・が異なる一
般的なシーンで各検出点ごとに最適な信号蓄積ができな
いという大きな問題がある。写真やビデオ等で通例撮像
の対象となる人物や風景は光量の強弱範囲が広く、必ず
しも主要な被写体が最も明るいとは限らない。たとえば
撮影したい人物の顔よりも背景となる風景の方が１０〜
１０２倍輝度が高いなどは煩繁に発生ずる状況である。 また背景に太陽の正反射があり、１０３倍も主被写体よ
り明るい点があったりする。従って、多数の焦点検出点
を有するシステムにエリアセンサーを適用した場合には
各別の検出点に対して、最適の蓄積制御や読み出し時の
アンプゲイン指定ができる必要がある。常温で用いる通
常のシリコン光電素子は１０２〜１０３程度のダイナミ
ックレンジしかないため、対象となる広範な輝度変動に
対し全画面−律の制御で各検出点の充分なＳ／Ｎ確保は
期待し２がだい。従来のエリアセンサーを用いると、結
局輝度が高い位置に対し最適制御されるため撮影者の意
志に無関係に高輝度物体もしくは高コン［・ラスト物体
に優先的にピント合ゼするようなシステムが構成されて
しまう。 さらに焦点検出点の配置を稠密にすると、光電センサー
の画素サイズが小さくなってくるので、各検出点ごとに
配分される光量が減少し、システムの低輝度側の性能が
悪くなる。従来のエリアセンサーをそのまま多点焦点検
出系に用いると、低輝度限界性能の劣化、補助光投光時
の補助光有効距離の劣化が避けられない。 〔課題を解決するだめの手段〕 本発明は上記事項に鑑みなされたもので、画素を含む単
位構造が縦横に２次元的に配列された半導体光電センサ
・−において各単位構造に少なくとも１ビット以上のＲ
ＡＭを含み蓄積動作の開始に先立って連続する複数個の
単位構造の上記ＲＡ、　Ｍに外部から書き込むことによ
り１つの実使用画素ブロックを定義し、更に上記画素ブ
ロックを任意の位置に複数個、同時に設定可能ならしめ
、蓄積の制御と画像信号の出力が各画素ブロック固有の
最適条件下で実行出来る光電センづ一装置を提供するも
のである。 本発明の他の目的は」−記構成のセン勺−装置に対して
、撮影画面の全部または一部を撮像するＡ、　Ｆ光学系
を介して光束を受容させフォーカス検知を行なわせるに
際して、光電センサーの動作開始に先立って焦点検出を
行うべき位置を上記定義された画素ブロックとして指定
し、動作を開始したのち各画素ブロックに対してそれぞ
れ独立に光電荷蓄積し、その後シリアルに読み出し、演
算処理するよう自動焦点検出装置を構成することにより
、上記問題点を克服し、画素が２次元配列されたエリア
センサーによる高度な自動焦点検出機能を実現したもの
である。 〔実施例〕 以下実施例に従い、本発明の詳細な説明する。 第１図〜第３図は、本発明になるエリアセンサーの構成
を示し、第４図は上記センサーを適用したＡＰ光学系で
、位相差検出方式である。 第４図から説明する。基本原理は、前出第１１図の従来
形を踏習しているので同一構成部材には同一の番号を付
した。視野マスク板２１は不図示の撮影用対物レンズの
予定結像面近傍の位置に設けられ、単一の広い測距視野
開口２１Ｒの内部が画定された焦点検出範囲となる。１
対の正レンズ２枚からなる２次結像レンズ２２はスリッ
ト２１Ｒで画定された被写体像をエリアセンサーの対２
３Ｐと２３Ｑ上に再結像する。エリアセンサーの各対の
受光情報は対応する位置の局部的画像情報が電気信号と
して読み出され、相関演算が施されて、各位置の被写体
に対する対物レンズの焦点調節状態を表わす値が算出さ
れる。２次結像レンズ２２の手前には、絞り板２４が置
かれ、絞り孔２４Ｐ、２４Ｑ各々が各正レンズに入射す
る光束を規制している。絞り板２４の位置は、フィール
ドレンズ２０のパワーにより撮影用対物レンズの射出瞳
の位置に略々結像関係に置かれている。 エリアセンサー２３は以下の機能を有する。 ■焦点検出を行なうべき領域を複数個、任意に指定でき
る。 ■指定された領域での光量のピーク値を検出可能。 ■ピーク値を検出する画素方向と直交する方向に光量信
号を加算することが可能。 第４図（ａ）では、エリアセンサー２３は２個の隔てら
れた受光領域２３Ｐ、２３Ｑを有するものとして記載さ
れているが、所定の制御性が得られるものならば、−続
きの受光領域であってももちろん良い。一般には、２像
分離のため、２個の光像の間には、光学的に使用しない
境界領域があり、この部分には周辺回路を構成した方が
チップサイズを縮小できる点で有利である。 位相差方式では一般に２個の光像の対応する位置同志で
比較相関をとることを原理とするため、上記■で複数個
任意に指定する焦点検出領域の各々は対応する２個のセ
ンサー画素ブロックを２３Ｐ１２３Ｑ内に各１個有する
。たとえば第４図（ｂ）の様に、画素ブロックＡＲＥＡ
Ｉ　ＰとＡＲＥＡＩＱとは基本的には同一形状に同一の
対応する位置に、かつ、同時に指定されねばならない。 同様に、他の焦点検出領域のために、画素ブロックＡＲ
ＥＡ２ＰとＡＲＥＡ２Ｑが対応して指定され、また画素
ブロックＡＲＥＡ３ＰとＡＲＥＡ３Ｑが対応して指定さ
れねばならない。異なる焦点検圧領域に属する画素ブロ
ック間では、たとえばＡＲＥＡ　Ｉ　ＰとＡＲＥＡ２Ｐ
とでは、同一性、同時性は要求されない。 上記■の加算機能についても、Ｐ、Ｑ各ブロックで同一
の取り扱いが為される必要がある。たとえばＡＲＥＡＩ
　ＰとＡＲＥＡＩＱの３列のアレーを加算するときは、
両方で加算操作されねばならない。 またＡＧＣのための信号は、Ｐ、Ｑにまたがる領域で共
通出力されることが望ましい。たとえばＡＲＥＡ２Ｐか
ら出力されるピーク信号と、ＡＲＥＡ２Ｑから出力され
るピーク信号は、ＯＲ回路により、相対的に大なるもの
が選択出力され、その選択された方の１個の出力によっ
て、ＡＲＥＡ２ＰとＡＲＥＡ２Ｑとの両方が蓄積制御さ
れるようにする。こうすることで、比較相関をとるべき
画素ブロックＡＲＥＡ２ＰとＡＲＥＡ２Ｑの蓄積制御の
同時性が維持され、回路要素のばらつきによる制御の不
一致性が取除かれる。 尚、本発明では指定領域数は３個に限られず、多ければ
多いほど有効性は高い。 以下の説明では簡甲、のため領域２３Ｉ）、２３Ｑの内
、片側の構造について述べる。 エリアセンサー２３の内部的構成を以ｌ・゛訂細に説明
する。 第１図は、第４図示のエリアセンサー（右）の〜部（Ｒ
〜・Ｒ＋１行、ｊ　−ｊ　＋１列部）の構成を示すブロ
ック図である。１画素（点線で囲まれた部分の構成要素
について、Ｒ行、ｊ列部に着Ｌ１シ説明する。 １はＡＦ領領域指定するための記憶回路としてのＳ　Ｒ
Ａ　Ｎｉ部、２と３はアンプ部、４はスイツーヂ、５は
垂直方向に並んだ画素で、かつ指定さイまた領域でのピ
ーク値（光量信号の）を出力する出力ラインＰｏｕｔｊ
、６は光電変換用フォトダイオード部、７．８は電荷転
送用ＣＣＤである。アンプ２と３は、９に示す電源Ｖ、
に接続され、それぞイ１のゲートはｊ列部で共通の垂直
ライン１０．１１によりφ１．１、φｊ　２パルスが印
加可能になっている。又、］に示すＳＲΔＭへは、垂直
ライン１２Ｊ、す、パルスφ１．４、水平ライン１３に
よりパルスｔ！’）１．１が印加可能となっている。光
電変換部６は、アンプ２と３のゲート下のセンシングチ
ャネル部１４．１５と１６を介して接続されでいる。 さらに、アンプ３のソース側電極１７は、水平読出しラ
イン１８に接続され、このライン１８には、信号読出し
容量（：Ｔ　８がつながり、さらにスイッチ１９を介し
て、共通の垂直読出しライン２０に接続さオ′１ている
。又、光電変換部であるフォートダイオード」二面には
、酸化膜を介して電極２１が設けられ、共通の垂直ライ
ン２２を通してパルスφ１．が印加される。ＣＣＤ７．
８には、共通の垂直ライン２３．２４によりパルスφｊ
　１、φ１６が印加される。 次に、第１図のアンプ部２．３のゲート直１部と光電変
換部の素子断面図を第２図（ａ）に、アンプ部２．３の
ソース、ゲート、トレイン部ての素子断面図を第２図（
ｂ）に示す。２５はアンプ２．３のゲート電極で、ゲー
ト容置低減のため、下部のヂャネル層との間の酸化膜厚
が約１０　（１０人となっている。２６は光電、変換部
トの電極部で、２５．２６の電極に印加するバイアス関
係により、光電変換部に蓄積されたキ′〜・リアを、ア
ンプの１＝ンシングチャネル部へ転送可能となる。２７
ζＡ絶縁層（たとえば５１０７層）、２８はＳｌと８Ｉ
Ｏ６との界面に空乏層が接することを防止するためのｎ
型拡散層て、暗電流の発生が抑制できる。２９はＰウニ
ル層、３１はｎ型基板で、Ｌ記’Ｉ）？ｙエル、基板間
は逆バイアスが印加されているためＩ）ウェル部は空乏
化している。又、３０は２８のｎ層より深く形成された
ｎ層で、ｌ−記ｎ層とＰつＪルどの界面３２に、光電変
換部で発生したギヤリン“（この場合電子）３３が転送
され、このキャリアにより３１．３２に示すドレイン、
ソース間を流１’ｌるギヤリア（ホール）３４が変調さ
１１る。これにより増幅機能を持つ。 次に第１図にもどり、本センザーの各動作力法について
説明する。 まず焦点検出領域の指定について説明する。 各画素部に設けられたＳＲΔＭに、パルスφ１　。 ’Ｊ’Ｒ，ｉ　（ｊ、　　Ｒは選択領域の列番号、行番
号）により書き込む。この書き込まれた画讃がＲ行、ｊ
列の時、ＳＲΔＭの出力は、スイッチ４に接続されてい
るため、アンプ２の出力端子４０かピーク検出用垂直ラ
イン５に接続さ第１る。 次いで、蓄積動作につき説明する。 パルスφ１１、φ１２、φｉ３、φ１５、φ、ｆ７１こ
おいて、アンプ２のセンシン・グチャネル部がボΣづ／
シャルとして最も高くなるように印加ζる。 このポテンシャルにより光電変換部で発生したキＮ・リ
アは１べてビーク検出用アンプ２のセンシンク−ｆヤネ
ル部１４に流れ込む。第２図の（１））に示す原理によ
り、このセ゛／シング部のキャリ”Ｊ′により、アンプ
の出力が変調され、ピーク検出用垂直ラインに出力され
る。 この場合、増幅されるホ・−ルと光電変換で発生した電
子とは、異なる領域により、再結合は生じない。 次いで蓄積の終了、水平ライン読出しについて説明する
。 指定領域の画素の列方向のピーク値は、蓄積期間中に、
各ピーク値出力ラインＰｏｕｔｊより検出される。した
がって、焦点検出領域のうち、検出したい垂直ラインの
ピーク出力が、所望の値に達した時、（たとえば、３列
の蓄積を終了する）パルスφ１．Ｉ、φＩ２、φ、３に
よりポテンシャルをアンプ３のセンシングチャネル１５
部が最も高くなるようにする。これにより、アンプ２の
センシングチャネル部１４に蓄積していた光電変換によ
り発生したキャリアは、１６を介してアンプ３のセンシ
ングチャネル部１５に転送され、水平読出しライン１８
を通して、増幅された信号が容量ＣＴ、Ｒに読出される
。 出力ライン読出し動作について説明する。 各容量ＣＴ、Ｒに読出された信号は、パルスｔｌ’Ｒ，
２によりスイッチ１９を介して、出力ライン２０に出力
される。 次いで横方向画素の加算動作について説明する。 この加算動作は例えば、信号を検出しようとしていた垂
直ラインのピーク値が、システムで要求される最大の蓄
積時間においても、十分てない場合専行なわれる。この
様な場合、蓄積終了後、各画素列のフォトダイオードに
接続されたＣＣＤ　（たとえば３列の場合は８に示すＣ
ＣＤ）に、ピーク検出用アンプ２のセンシングチャネル
部に蓄積していた信号キャリアを転送する。たとえば、
ｊ列の場合は、パルスφ１１、φ、３、φＩ　５により
実行できる。 次に水平方向のキャリアを加算する。たとえば（ｊ＋１
）列の信号をｊ列に加算する場合を例に説明する。この
場合はパルスφＪｕ１．ｓ、φｌや１，６により、（ｊ
＋１）列部の画素部のＣＣＤのキャリアを８に示すＣＣ
Ｄの方へ転送する。この動作により３列とｊ＋１列のキ
ャリアが加算される。 加算後、パルスφ、２、φ、３、φ、８により読出し用
アンプ３のセンシングチャネル部１５のポテンシャルを
高くし、キャリア１５に転送し読出しを行なえば、ｊ列
とｊ＋１列部での各信号の加算信号が水平ラインに出力
される。 以上、３列と（ｊ＋１）列の加算の方法について説明し
たが、この加算は、２列だけでな（、ＣＣＤのパルスに
より、多数列の加算も可能であることは言うまでもない
。 上記の加算動作方法は、各列によりまず蓄積し、そのピ
ーク検出を行ない、着目している列の信号が不足してい
る場合加算を行なうものである。 それに対し、指定された領域（エリア）内で、蓄積動作
中に加算を行う方式について次に説明する。 まず焦点検出領域の指定を上述の如くして行なう。 蓄積動作について説明する。 上記の動作により指定された２次元領域において、３列
と（ｊ＋１）列の加算を蓄積動作時から行なう列につい
て説明する。 パルスφ１１・φｊ２・φＩ３・φｊ５・φｊ６・φノ
＋１．１、φｌ＋＋、２、φｊ杓、３、φｌ＋１．５、
φｉ＋＋、６によりきまる各半導体層のポテンシャルを
それぞれＶ、、、、、ＬＨ，２、Ｖｄ１３、Ｖｄ１．５
、Ｖ□６、’ｔｌ＋ｌ、ｌ、ｖ１１＋１．２、Ｖ１１＋
１．３、ｖｄ１＋１．６、■φ巨１．６とする０ この場合 Ｖｓ＋、２．Ｖｕ　　３＜Ｖｕ、＋　　　　　　　　　
　　　　　・・・（１）Ｖ１＋１＋＋、　ｌ＋　Ｖ１１
＋１．２＜ＶｄＩ＋１．３＜Ｖ１１＋ｌ、　ｅ＜Ｖ−Ｈ
＋＋、ｓ＜ｖ＃１．６＜ｖ＄１　３・・・（２） （１）（２）を満足するように、上記パルスを印加する
。 これによりｊ列とｊ＋１列でのフォトダイオードで発生
したキャリアは、以上のようなポテンシャルの関係にし
ておけばすべて３列アンプ２のセンシングチャンネル部
１４に集められる。これにより、蓄積期間中に水平方向
２画素分の加算信号がピーク出力ラインに読出される。 この後上記蓄積の終了、水平ライン読出し、出力ライン
読出し動作を行なうことで水平ライン、出力ラインに加
算信号を読出すことが出来る。 上記のエリアセンサーと、ＡＦ光学系とを用いたカメラ
の動作はたとえば以下の様に構成できる。 ここでは、銀塩のカメラを例にとるが。ビデオカメラや
その他Ｉ　Ｔ　ｖ等工業的用途にも用いうることは無論
である。 第５図（２１）は−１−記のエリアセンサーを用いてＡ
　Ｐ処理を行なう処理系の実施例を示すブロック図であ
る。図において、１は」一連のエリアセン日ノ−，２は
エリアセンサーからの各列のモニター信号（ピーク値信
号）及び各列からの読み出された画素イに号を入力し、
マイクロブエコセフ号−３に各（ｉ゛号を伝えるインタ
ーフェイス回路である。該回路は後述する如く各列のピ
ーク信号を基準値と比較し比較結果をブリセッサーに伝
えるコンパレーターや読み出された画素信号に対して増
幅するアンプや、該アンプ出力をＡ　Ｉ）変換してプロ
セラカーに伝える△Ｄ変換器等を有する。又、該インタ
ーフェイス回路はマイクロプロセッザーからの指令に基
づいてエリアセンサを制御（駆動）する各制御化−」（
パルス）をエリアセン日ノーに供給する。第５図（ｌ−
１）は上記ブロセッ→ブー３内のＲＯＭにストアーされ
るプログラムフ［コーチヤードであり、該）Ｄ　−チャ
ートに従い動作を説明する。７ 第５図（ｂ）のフＵ−チャ〜トに（２１）従い説明する
９、カメラの制御フロー（４マイクロブ［］］セツウー
第５図（ａ））内にＲＯＭの形でストアされるのが一般
的である。１ ステップ（００１）にてＡＦプロゲラｌ、か開始され、
各種フラッグ類や、ＲＡ　Ｍ内容がイーンヤライズされ
る。さらにステップ（００２）にでセンサーがリセット
される。次にステップ（００３）にて焦点検出（Ａ　Ｔ
”　）領域が指定さ第１る３、この指定動作は先述した
様に、ＡＦ用ユ、リアセン→ノーの各画素に設けられた
Ｓ　ＲＡ　Ｍに１ヒツト情報を書き込むことである。こ
の指定はマー、゛−アルに又は撮影状態に応じてオート
で指定しても良い。たとえばＭ行Ｎ列の画素数を持つセ
ンサーにおいて、；３個のＡ、　Ｆ領域（３列）を指定
しまたい場合（Ｍ、、Ｎ、）〜・（Ｍ２、Ｎ＋” （Ｍ、、Ｎ２）〜・（Ｍ　２、Ｎ、） （Ｍ、、、Ｎ３）〜（Ｍ　２、Ｎ３） の各画素にΔＦ領域指定ビット１を書き込めばよい。 これにより例えば第６図（？１）の３−“）の測距視野
が指定される。もちろん各列の長さＮ４２　　Ｍ、は共
通である必要はなく、中央のＮ７列の視１ｆｉ長くして
第６図（１））の様に指定し、でも良い。−・般に撮影
対物レンズの焦点距離Ｉこより、望４ニジ、い多点ＡＦ
領領域分布は異なり、また動体撮影時には画面内で被写
体の位置が動くので過去の経過に伴ない以降の領域設定
を可変する、〕とが望ましい１、設定領域数は別に３個
に制約されない。尚この領域設定Ｃ」第４１４にて説明
した如く２つの各受光領域に対して各設定領域が対応す
る杼打なわ第１るものとする。領域設定を完Ｊ″４−る
とステップ（００［）において蓄積をスタートさせる。 本発明になるエリアセンサーは指定領域内１：範囲を限
定した蓄積量モニ、り・−ピーク信号Ｐ　Ｏｕ　ｔ　。 ｊを蓄積動作中常時出力１．７いる３、選択され１．領
域を含むセンサー列ごとのピーク信号を蓄積材」′判定
用コンパレータに入力（７、所定レベルに達１、たとき
に、ｊ−記コンパ

【／−夕出力が反転するよう１：し２
ておけばコンパレータの状態を検出すること１こより各
センサー列での蓄積終了を判定できる。 従って、ステップ（００５）〜（００６）では領域、指
定された各列のＰｏｕｔ、ｊをぞれぞれ独立に判定する
コンバレ・−り群を繰り返（，２見に行くループｓ設定
すｔｌばよい。この際に°ｌｌｌ／バレー）レベルを大
小複数個用意し、蓄積終了後ｎｉ定時間経過したのちに
、そのときの蓄積量によって用いる二１〉バＬ・・−ト
レベルを決める技術が公知である。この６ＬうなＪノ法
を用いると、選択さｆｔ　ｆ、コ〉バレーｊ・レベルに
応じて読出時の”アップゲ、イン４−決定することがで
きる４、 この様にし、て指定領域（列）の蓄積材γを検出４′る
とスーンツブ（００７）でたとλば−１，２方法に彷い
決定されたゲインに読出（５，系’／’　：、、・グを
設定１７、ステップ（００８）にて上記蓄積が終了し、
た列１３対してシリアル読出１７を実ｊｊする６、以降
よく知らすまた方法によりステップｃｏ　ｏ　９）にて
相関演算を行ない、異なる光学経路を通っＴ形成された
２像の位相差イー算出する。ステップ＜　０１０　）に
おいて−Ｆ−記相関演算の結Ｗの信頼度につき公知の方
法で判定し、もし信頼度充分ならばステップ（０１１）
にてその領域につきＡＦ検出が出来たことを示すＯＫフ
ラッグをセットしステップ（０１，２）で演算の結果を
ストアする。一方、ステップ（０１０）でのＡＦ信頼度
判定が不可であればステップ（０１３）でＡＦ検出が出
来なかったことを示すＮＧフラッグをセットする。いず
れにしてもステップ（０１，４）に進み、最大蓄積時間
フラッグを見て、もしセット状態ならすでに蓄積演算シ
ーケンスは終了したものとしてステップ（０１６）以降
へ、また最大蓄積時間フラッグがリセットならステップ
（０１５）に進み指定した全領域（全列）についての蓄
積演算処理が終了したかどうかをチエツクし終了済なら
同じく、ステップ（０１６）へ、また未了ならステップ
（００５）に戻り上記蓄積演算処理を残りの領域（列）
について継続する。尚上記蓄積時間はステップ（００４
）での蓄積スタート時点から計時が開始されているもの
とする。 ステップ（０１６）に到達した時点では、指定したＡ、
　Ｆ領域のすべて（全指定列）について、ＡＦ検出の可
不可および、可能の場合には各指定列の領域ごとに２像
位相差情報が得られている。これらをもとに撮影者が撮
りたいであろう主要被写体が指定した複数個のＡＦ領領
域内、どれに該当するかを推定する。公知の推定手法が
いくつか知られており、たとえば、測距可能であったＡ
Ｐ領領域中で最もカメラに近い位置にあるものを選択す
る。ステップ（０１６）で主要被写体と推定された領域
の情報にもとづき以降のピント調整制御を行なう。レン
ズのピント調整制御の具体形は各種可能であり、本質的
でないが、たとえばデフォーカス量にもとづいて駆動す
るシステムであれば２像位相差情報をステップ（０１７
）にてデフォーカス量に換算し、その分をステップ（０
１８）にてレンズ駆動する。 一方、被写体輝度が暗く、あらかじめ設定された最大蓄
積時間を経過しても所定のコンパレータレベルに到達し
ない場合には、インタラブド（０１９）がかかり、強制
的に蓄積を終了する。最大蓄積時間は撮影モードやカメ
ラの動作状態で定義し直すことがあり、プログラマブル
インタラブトが望ましい。この強制終了の場合には、−
列のセンサーアレーの蓄積電荷量だけではＡＦ精度が不
足することが考えられるので、ステップ（０２０）にて
隣接アレーの信号加算を行なうかどうかを判定する。多
くの被写体はセンサー列方向と直交する行方向にも輝度
分布を持っており、隣接アレー信号を加算混合すること
は被写体パターンの特徴を平滑化し情報を失うことにつ
ながる。しかし一方で著しい低輝度のときは、上記被写
体パターンがそもそも電気的ノイズに埋もれてしまって
いるので多少の平滑化があっても、信号量の増大効果に
よる改善の方が顕著である。 ステップ（０２０）で加算操作不要と判定されると、ス
テップ（００７）の通常シーケンスに制御を戻す。一方
、加算操作を行う方が有利と判定されるとステップ（０
２１）で加算されるアレーの範囲を指定しステップ（０
２２）で読出しアンプのゲインを指定しステップ（０２
３）で加算読出しを行う。相関演算以降は通常シーケン
スに復帰する。 尚、実施例では各列の蓄積量モニタピーク信号レベルが
所定レベル以下の時に低輝度であると判定し、ステップ
（０２１）に進み、その後のステップでその列に対して
隣接する列の対応領域を上述の如くして指定するととも
に前述のセンサーでの信号加算処理及び加算信号の読出
しを行なう。 本実施例は上記の如く加算読出し法を適用するケースを
最長蓄積でも所定信号レベルに達しない低輝度時につい
て説明したが、本発明はもちろんこの様な応用に限定さ
れない。たとえば補助光使用時にもっと積極的に用いて
も良い。−眼レフのＡＦ補助光はストライプ状のパター
ンを投光する設計が多いので上記ストライプの長平方向
に信号加算してもパターンの混合、平滑化の悪さがおこ
らず信号加算のメリットだけが得られる。従って補助光
投光時には通常用いる標準シーケンスとして設定しても
よい。また補助光に限らず画像信号を足し上げる方向、
つまりセンサーアレーとして信号処理するアレ一方向と
直交の方向に構造を持たない−次元的なパターンでは加
算読出しによるメリットのみが得られ、加算によるパタ
ーンの混合はおこらない。そこで被写体パターンの性状
があらかじめ知られているときには、これをもっと強く
用いて、蓄積時間の短縮を図る等の利用を行なうことが
できる３、センサーに非破壊読出機能があるときには蓄
積動作中にいつたん読出して加算の利害得失が演算で評
価できる。非破壊読出し機能がなくても加算の可能性の
ある隣接センサー列を比較的に短い時間で読出してソフ
ト的に解析し加算のメリットが推定できれば、再度蓄積
するというような手続きで実行できる。 次に第３図を用いて本発明のセンサー構造の第２実施例
について説明する。上述した第１図示の第１実施例と同
じ箇所に関しては、同・番号にて記載する。本第２実施
例の特徴は、加算に用いたＣＣＤを読出しラインに使用
し、出力垂直ラインも４５に示ずＣＣＤとなっている点
にある。 この第２実施例における焦点検出領域の指定及び蓄積動
作は第１実施例と全く同様に行なわれるのてその説明は
省略する。該実施例における蓄積終了後の読１ｉ、１ｔ
ｌＪ作につき説明する。蓄積終了後パルスφ、１　φｊ
３、φ、６により各パルスが印加される半導体層のポテ
ンシャルＶφｊ　３、■φ１８、■φ１６を ■φ１　、く■Φｊ　３〈■φｉ　６　　　・・・（３
）となるようにすると、センシングチャネル部１４に蓄
積期間中にだくわえられたキャリアがＣＣＬ）　８に転
送される。これを水平方向に並んだＣＣＤにより垂直Ｃ
ＣＤ４５に転送し、さらに垂直ＣＣＤ　４．５により転
送し読出し動作が完γする。 又、この第２実施例においても、第１実施例と同様に蓄
積中に水平方向にとなりあった画素の加算ができること
は言うまでもない。 又、本実施例センサー装置において、−列中に２個以上
の異なる領域を指定したい場合には第１３図の如く一列
の画素列に対し２本以上−のへＧＣ出力線を設は各々の
ＡＧＣ出力線への結線を０Ｎ−ＯＦＦするＲＡＭを各画
素について出力線の数だけＲＡ　Ｍ　１、ＲＡＭ２等設
ければよい。 本発明に用いる異なるタイプのセンサーを第：３実施例
として以下に説明する。基本的な３項［］、ずなわぢ、 ■焦点検出領域を複数個任意に指定できる。 ■指定された領域での光量のピーク値を検出ＬＪ能。 ■ピーク値を検出する画素方向と直交する方向に光量信
号を加算することが可能。 の諸機能については同等である。しかし、セン勺−画素
の基本構成、読出しの方法、加算読出しの方法等の具体
構成において異なっている。 第７図に該第３実施例の全体構成を示す。２は基準電圧
発生回路で、該回路にてｍ行ｎ列に配置された各画素１
−１．１〜］、−、ｎ、。に対してリセツ］・電位を又
、駆動回路３により駆動パルスが供給さオ］　る　。 ４はシフトレジスタで、このレジスターの出力４−１〜
４−ｍはセンサーの対応する行の全画素に接続されてい
る。センサーの各列ごとの出力５１〜５−０は、加算ラ
イン選択回路６に接続される。また、各列ごとのピーク
出カフ　−、〜７−ｎは、蓄積時間制御／加算判定回路
８に接続さ第１る。６により選択された列の出力９−１
〜９．−３（ここでは指定されたラインと隣接した２ラ
インの加算を可能とする場合を示すが、加算は２ライン
に限られない）は、それぞれスイッチｉｏ、、、、〜１
０−３を介して加算回路１１に接続される。ここで１０
−１と１０−３は加算を行なうとき加算実行信号１２に
よりＯＮするスイッチ、１０−２は１０−１．１．０−
３とベア性をとる為に入れられた常時ＯＮのＳＷである
。 第８図に第７図示のセンサーの一部（Ｉ〜］→−１行、
Ｊ〜ｊ＋１列の画素）の構成を示す。１行Ｊ列目の画素
について説明する。１００はダブルエミッタ構造のフ第
１・トランジスタで、コレクタは電源■１に接続され、
ベースはリセッ１−Ｍ０３ＩＯＩを介して基準電圧Ｖ　
Ｂ　Ｈに接続される。一方のエミッタはリセットＭＯ８
１０２を介して基準電圧ＡＧＮＤに接続されるとともに
転送ＭＯ３１０３を介して蓄積容量】０４に接続され、
さらに読出しＭＯ３１，０５を介して」列の読出しライ
ン１．０６−、に接続される。もう一方のエミッタは領
域選択ＭＯ３１０７を介してｊ列のピークライン１０８
□に接続される。 リセットＭＯＳｌ０Ｉ、１０２のゲートには、それぞれ
ベースリセットパルスφ７．とエミッタリセットパルス
φ１１．が印加される。転送ＭＯ３１，０３のゲートに
は転送パルスφＴＳｊが印加される。１０９は読出しラ
イン選択パルスφＬＳＩとシフトレジスタの出力φｓＲ
＋　（４ｉ）のＡＮＤをとり読出す画素を選択するＡＮ
Ｄ回路で出力は読出しＭＯ３１０５のゲートに接続され
る。領域を指定する為の記憶回路１１０（例えばＳＲＡ
Ｍやシフトレジスタで実現される。ここではＳＲＡＭの
場合について述べる）には列選択パルスφ５□ｊとデー
タラインＤＡＴＡ１が接続される。記憶回路１１０の出
力は領域選択ＭＯ８１０７のゲートに接続される。Ｊ列
目のピークライン１０８−Ｉは、ピークラインリセット
ＭＯ３１，１１−、を介してＡＧＮＤに接続され、Ｊ列
目の読出しライン１０６□はリセットＭＯ３１１２−、
を介してＡＧＮＤに接続される。１１１□と１１１．の
ゲートには、それぞれリセットパルスφ７□とφ、が印
加される。１１３．１１４はセンサ出力、ピーク出力を
それぞれ低インピーダンスで出力するバッファである。 次いで加算ライン選択回路について第９図を用いて説明
する。第９図の加算ライン指定用の記憶回路１２０−１
〜１２０−ｏは例えばシフトレジスタから構成され駆動
パルス１２４、データライン１２５が接続されている。 ｊ列目について説明する。Ｊ列目のセンサの出力５−Ｉ
はスイッチＭＯ３１２１−、，１２２、、１２３−Ｉを
介してそれぞれライン１２７．１２８．１２９に接続さ
れる。一方、１．２１．、〜１２３−．のゲートには、
それぞれ記憶回路１２０−ｕ−＋い１２ｏ−、，１，２
Ｏ−ｕ−＋＋の出力である１　２６−＋１−１１．１、
２６−、、　１．２６−日＋１．が接続されている。 またライン１２７〜１２９と出力９−１〜９−３の間に
出力バッファ１３０〜１３２がそれぞれ設けられている
。 次いで、該第３実施例の制作につき説明する。 まず領域指定動作について説明する。 第８図の各画素部に設けた記憶回路のうち指定領域の画
素に対応する記憶回路１１０にパルスφ５□１、＋　Ｄ
　Ａ　Ｔ　Ａ　＋を印加する。 これにより領域を指定する画素にのみ、５Ｗ１０７をＯ
Ｎする電位を記憶する。又、該指定動作にて各列ごとに
指定された画素のエミッタのみがピークライン１０８−
＋１＋１に接続され指定された画素出力の最大値がライ
ン７ヨ、＋ｎ、に出力される。 次いで蓄積動作について説明する。 φ１．φ１１．に第１４図のパルスを加えることにより
、センサがリセットされ蓄積が開始されると同時に各列
のピークラインに指定された画素の最大値が出力される
。φ、、、ＯＮ時φ□３．をＯＮすることにより容量１
０４はリセットされる。 次いで蓄積の終了動作について説明する。 今ｊ列目のピーク出カフ−Ｉが所定の電位にＶ　ｒ　ｅ
　ｌ　２に達した場合を例にして説明する。上記ピーク
出力は蓄積時間制御加算判定回路８に入力し、基準電位
Ｖ　ｒ　ｅ　Ｉ　２と比較されピーク出力がＶ　ｒ　ｓ
　ｆ　２に達した際にφＴＳＩをＯＮＬ、その時点での
ｊ列目のセンサ出力をそれぞれ容量（１０４に相当）に
読出す。この場合所定時間内に十分な信号成分か得られ
たと判断し、信号の加算は行なわない。 ところで所定の時間までにピーク出カフ、、、ＩがＶ　
ｒ　ｓ　ｌ　２に達しなかった場合は強制的にφ。５．
をＯＮＬ蓄積を終了する。 この際７−８が第２の電位Ｖ　ｒ　ｅ　Ｉ　３　（Ｖ　
ｒ　ｅ　Ｉ　３　＜　Ｖ　ｔ　ｅ　Ｉ　２　）に達せず
隣接する列の信号を加算しても飽和しない場合、加算を
行なうと判断する。 又は、強制終了時の７−Ｉ、７−　ｆｌ−１１，７−＋
Ｉ＋ｌ＋の隣接する列のピーク値を読んでその和が飽和
レベルを超えないという基準で加算の可否を判定しても
良い。 尚上記の蓄積終了動作及び加算の可否の判定動作は各指
定列ごとに行なわれる。 次いで読出し加算動作について説明する。まず加算を行
なわない場合について説明する。全３列に対して読出し
を行なう例について述べる。この場合φＬ５１にて読出
しライン１０６−、を指定する。 又第９図の加算ライン選択用記憶回路１２０．をパルス
ライン１．、２４、データーライン１２５を介して選択
指定する。 又、ソフトレジスタ４により出力４−＋（＋＝１〜■〕
１）を次々にＯＮとする。これにより容１（１０４に相
当）に蓄えられた電荷は容景分割され読出しライン１０
６．、、Ｉを介して出力５−１に出力される。 該出力５ヨから出力される電荷はスイッチ１２２　　。 を介して出力９−２に出力さ第１る。この時スイッチ］
、、　０−、、１．０−３は加算を行なわないのでＯＦ
Ｆとなっており上記出力９−２からの信号（電荷）はそ
のまま基準電位■ｒ　ａ　ｌ　ｌを基準として出力され
る。 ３列以外の指定列に−）いても同様に読出し動作が行な
われることはもぢろんである。 次いで加算を行なう場合について説明する。この場合は
加算するラインのライン選択パルスを指定すると同時に
、加算する中央のラインの加算ライン選択用記憶回路を
指定する。今、列ｊ１、ｊ、ｊ。１を加算場合について
説明する。この場合選択パルスはφ０５．。−１，〜φ
１．ｓｆｉ＋１４となり記憶回路は１２０．−、となる
。この様な指定状態Ｆでンフトレンスタ４により４−：
　（ｉ＝１〜ｍ）を次々にＯＮすると、Ｊ−＋、］、Ｊ
＋１の各列の出力が出力ライン５−（Ｈ−１ｙ・５−ｊ
、５（１・ｌ）（こそれぞ才を出力される。このとき、
スイッチＭＯ３，１２］、−、，１１，１２１、，１２
３−ｔ＋−＋ｉがそれぞ第１ＯＮし又いるので、ライン
］２７には５−ｚ＋＋＋の出力がりイン１２８には５．
−；の出力がライン１２９には５−〈、−目の出力が現
われバッファ１３０〜１３２を介し、９−１〜９−３に
出力される。加算を行な・）場合スイッチ１０．、ｌ、
１０−３をＯＮしておくのて出力］３には９−１〜９−
１の出力の和がＶ　ｖ　ｅ　Ｉ　ｌを基準として出力さ
れる。 本第３実施例を一部変更した画素構成を第１０図に示す
。先の例と同じ部分には同一・の番号を付は説明を省略
する。尚第１Ｏ図では３列のみを示しているものである
。本例ではダブルエミッタ構造のフォトダイオードの一
方のエミッタは転送ＭＯＳ　Ｉ　Ｏ３を介して読出しＭ
Ｏ３２００のゲートに接続される。読出し、ＭＯ３２０
０のトレインは読出し画末選択用ＭＯ３２０］を介して
電源■１に接続され、ソースはｊ列［］の読出しライン
１０６−１に接続さ第１る続出し画素選択用ＭＯ３２０
１のゲー　ｊ・にはＡ　Ｎ　Ｉ）回路１０９の出力が接
続される。各列の読出しライン１０６−、は、それぞ第
１負荷２０２−、　、を介してＧ　Ｎ　ｌ）に接続され
読出しＭＯ３２００と負荷２０２　、はソースフォロア
回路を構成する。該第］、０図示のセンサーの動作につ
いて説明する。 領域指定、蓄積動作は前記第３実施例と同じであるので
説明は省略する。 蓄積終了動作について説明する。今Ｊ列での蓄積が終了
し前述の第３実施例と同様にしでφＴ　Ｓ　ｌがＯＮす
ると、そのときのセンサーのエミッタ電位は転送ＭＯ３
１０３を介し読出ｔ、ＭＯ３２００のゲーｔ・に読出さ
れる。この後φＴｓＩをＯＦＦするとこのときのＪ−ミ
ッタ電位は転送ＭＯ３１，，０３のゲート容量に充電さ
れた電荷として保持される９、次いで読出し動作につき
説明−４る。 読出すラインをφＬ５で指定する。ｊ列の読出（２につ
いて説明する。この場合はφい、にて指定さイ１シフト
レジスター４を動作させると選択さねた画素のＡ、　Ｎ
　Ｄ回路１０Ｇ１が“Ｉ（”を出力し、２０１のＭＯＳ
がＯＮＬ、対応し７た画素の蓄積路Ｊ′時の電圧がソー
スフォロアで読出しライン５−１に出力される。 ３列以外の読出し動作に１）いても同様に行なわれる。 又、加ｐ処理についても第３実施例と同様に行なわイ′
する。 以上に示す実施例は、領域指定の効果を主に読出し時間
の短縮においたものである。カメラ等の撮影機器では、
中央制御装置としてＪチップマイクロコンピュータが一
般に用いられ、このＩＣに内蔵されたＡ　１．）変換器
、ＲＡ　Ｍ等を使用して像化゛号の読取りがプログラド
制御のちとに実行さｔする構成が多い。一般に上記構成
は、低価格℃実現Ｃき、かつシステト設ｄ１の自由度が
高い反ＦＫ＋、処理速度が著しく低いという問題がある
。従って、大量の画素情報を取り込んで選択的に利用す
るのは、処理時間の面でもメモリー効率の面でも得策で
なく、充電センザー装置から所要のｆ−夕のみが出力さ
れることが重要な機能となる。 第１５図（ａ）は、第７図ないし第８図の装置と類似の
画素アクセス方法を持つセンサー装置の改良例である。 領域指定用のシフトレジスタＡ１〜Ａｎ、Ｂ、〜Ｂ、を
縦方向、横方向の各々に複数個設けることにより、読出
し領域を同時に複数個設定できる。第１５図（ｂ）は第
１５図（ａ）の読出し用シフトレジスターＣ及び領域指
定レジスターＡとの接続関係を示す回路図である。該第
１５図による読出し動作を簡単に説明する。領域指定レ
ジスタＡ１でｎビット目から指定されているときには、
領域指定シフトレジスタＡのｎビット目の出力ｎはＨ，
ｎ−ｎビット目の出力ｎ−１はしてあり、４人力ＡＮＤ
はｎビット目のみＨとなる。 したがって読出し用シフトレジスタはＣのフリップフロ
ップＤｍにデータＤが入力し該フリップフロップＤｍ、
即ちシフトレジスタＣのｎビット目よりシフトレジスタ
の動作が開始する。従ってエリアセンサーの列における
ｎビット目の画素出力からアクセスすることができる。 またデコーダを設け１ビツトづつ指定領域を通信して読
出す方式をとることもできる。たとえば第１６図の様な
デコーダを設はデーターＤ、〜Ｄ３に領域指定データー
を入力する。 これによりデータＤ１〜Ｄ３にて指定されたアンドゲー
トからクロックＣＬＫに同期した読出しパルスが出力さ
れる。例えばデータＤ１〜Ｄ３として第１７図示のデー
タをデコーダに入力すると、デコーダーの出力を構成す
るアントゲートは第２３図の如くそのビットとして５ビ
ツト目のゲートから読出しパルスを出力する。よって、
このデコーダー出力にて画素出力をアクセスする場合は
列の５ビツト目の画素出力から読出されることとなる。 〔効果〕 以上の如く、本発明に係る光電センサー装置ではエリア
センサーにおいて任意の位置及び大きさの実使用画素ブ
ロックを指定出来るので、例えば該センサーを焦点検出
装置に使用する場合等において多測距点のオートフォー
カスを簡単に実現出来るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るエリアセンサーの構成を示す構成
図、 第２図（ａ）、（ｂ）は上記第１図示センサーの素子の
断面を示す構造断面図、 第３図は本発明に係るエリアセンサーの他の一実施例を
示す構成図、 第４図（ａ）は本発明のエリアセンサーを用いて焦点検
出装置を構成する場合の光学系を示す構成図、 第４図（ｂ）は焦点検出エリアを示す説明図、第５図（
ａ）は焦点検出装置の一実施例を示す回路図、 第５図（ｂ）は第５図（ａ）に示した焦点検出装置の制
御フローを示す説明図、 第６図（ａ）（ｂ）は第５図示の焦点検出装置の測距視
野を示す説明図、 第７図は本発明に係るエリアセンサーの他の実施例を示
す構成図、 第８図は第７図示のエリアセンサーの詳細を示す構成図
、 第９図は第７図示の加算ライン選択回路の一実施例を示
す回路図、 第１０図は本発明に係るセンサーの他の一実施例を示す
要部構成図、 第１１図（ａ）（ｂ）は従来の光電センサーを用いた焦
点検出装置例を示す構成図、 第１２図はエリアセンサーを開いた焦点検出装置の従来
例を示す構成図、 第１３図は第３図示のセンサーの一部変形例を示す構成
図、 第１４図は第７図実施例の動作を説明するための波形図
、 第１５図（ａ）（ｂ）は本発明に係るセンサー装置の他
の一実施例を示す構成図、 第１６図は本発明に係るセンサー装置の読出し回路例を
示す構成図、 第１７図は第１６図示の読出し回路動作の説明図である
。 １・・・記憶回路 ２．３・・・アンプ部 ４・・・スイッチ ５・・出力ライン ６・・・光電変換用フォトダイオード部７・・電荷転送
用ＣＣＤ 第２Ｋ （ａ） （ｂ） （０，＞ （ｂ） １−−　　　−−一−Ｊ 加頁ライン選択回路 ＡＣｒＣ２ＡＣｒＣｌ 俯卵暗闇 ｖ色比し用シフトしジスタ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）画素を含む単位構造が２次元的に配列された半導
   体光電センサーにおいて、任意の位置に複数個同時に、
   任意の大きさの実使用画素ブロックを設定する手段を設
   けたことを特徴とする光電センサー装置。
2. （２）上記画素を含む単位構造に少なくとも１ビット以
   上のＲＡＭを含み、蓄積動作の開始に先立って連続する
   複数個の単位構造の上記ＲＡＭに外部から書き込むこと
   により上記実使用画素ブロックを設定することを特徴と
   する請求項第１項記載の光電センサー装置。