JPH04171837A - イオンビーム形状測定具 - Google Patents
イオンビーム形状測定具Info
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- JPH04171837A JPH04171837A JP29940690A JP29940690A JPH04171837A JP H04171837 A JPH04171837 A JP H04171837A JP 29940690 A JP29940690 A JP 29940690A JP 29940690 A JP29940690 A JP 29940690A JP H04171837 A JPH04171837 A JP H04171837A
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオン注入装置におけるイオンビームの形状を
測定するイオンビーム形状測定具に関する。
測定するイオンビーム形状測定具に関する。
一般に、イオン注入装置は、磁界中のフィラメントから
放出される熱電子を利用してイオンを発生するイオン銃
と、発生するイオンを制御する引出電極、質量分析系及
びビーム収束系と、ウェーハを収納するチェンバとで構
成されている。また、ウェーハにイオンビームを走査し
、ウェーハに照射する前に、イオンビームの偏向走査領
域の形状測定を行うために、以下の操作が行なわれた。
放出される熱電子を利用してイオンを発生するイオン銃
と、発生するイオンを制御する引出電極、質量分析系及
びビーム収束系と、ウェーハを収納するチェンバとで構
成されている。また、ウェーハにイオンビームを走査し
、ウェーハに照射する前に、イオンビームの偏向走査領
域の形状測定を行うために、以下の操作が行なわれた。
まず、ウェーハの代りに、ダミーウェーハあるいは紙等
を載置し、これらのダミーウェーハにイオンビームを照
射する０次に、チャンバより照射されたダミーウェーハ
を取出し、イオンビームによる溶融痕跡を顕微鏡等で大
きさ形状等を測定し、イオンビームの制御条件を設定し
ていた。
を載置し、これらのダミーウェーハにイオンビームを照
射する０次に、チャンバより照射されたダミーウェーハ
を取出し、イオンビームによる溶融痕跡を顕微鏡等で大
きさ形状等を測定し、イオンビームの制御条件を設定し
ていた。
しかしながら、従来のイオンビーム形状測定では、測定
毎にチャンバ外にダミーセルを取出し、測定する工数が
多く浪費するという欠点がある。
毎にチャンバ外にダミーセルを取出し、測定する工数が
多く浪費するという欠点がある。
また、ビームエネルギーの痕跡を測定するために、ビー
ム形状の周辺部が明瞭でなく、精密な測定が出来ないと
いう欠点がある。さらに、ビームエネルギーの均一性を
も確認することが困難であった。
ム形状の周辺部が明瞭でなく、精密な測定が出来ないと
いう欠点がある。さらに、ビームエネルギーの均一性を
も確認することが困難であった。
本発明の目的は、かかる欠点を解消し、より精密に、エ
ネルギー密度の一様性をも測定出来るイオンビーム形状
測定具を提供することにある。
ネルギー密度の一様性をも測定出来るイオンビーム形状
測定具を提供することにある。
本発明のイオンビーム形状測定具は、板状の絶縁板と、
この絶縁板の一面に縦横に等間隔に並べて配置された複
数個の正方形である導電板と、これら導電板と導電線を
介して接続されるイオン電流検出器とを備え構成される
。
この絶縁板の一面に縦横に等間隔に並べて配置された複
数個の正方形である導電板と、これら導電板と導電線を
介して接続されるイオン電流検出器とを備え構成される
。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すイオンビーム形状測定
具の模式平面図である。このイオンビーム形状測定具は
、同図で示すように、例えば、アルミナセラミック板で
ある四角形状の絶縁板１と、この絶縁板１に縦横に等間
隔で並べて形成された正方形の窪みに挿入される導電板
２、例えば、タングステン製の導電板と、この導電板２
の裏面に接続されるとともに絶縁板１の裏面を張り巡ら
される導電線３と、この導電線３と接続されるチャンバ
外の検出器４と、この検出器４と接続されるＡ／Ｄ変換
部５と、このＡ／Ｄ変換部５のパルス信号によりイオン
ビーム形状を写し出す表示部６とを有している。
具の模式平面図である。このイオンビーム形状測定具は
、同図で示すように、例えば、アルミナセラミック板で
ある四角形状の絶縁板１と、この絶縁板１に縦横に等間
隔で並べて形成された正方形の窪みに挿入される導電板
２、例えば、タングステン製の導電板と、この導電板２
の裏面に接続されるとともに絶縁板１の裏面を張り巡ら
される導電線３と、この導電線３と接続されるチャンバ
外の検出器４と、この検出器４と接続されるＡ／Ｄ変換
部５と、このＡ／Ｄ変換部５のパルス信号によりイオン
ビーム形状を写し出す表示部６とを有している。
次に、このイオンビーム形状測定具によるビーム形状測
定手順を説明する。まず、チャンバ内にウェーハに隣接
して、このイオンビーム形状測定具を配置する０次に、
チャンバを所定の真空度に排気する。次に、イオンビー
ムを発生し、この絶縁板１の中心とビーム走査領域の中
心と一致するように、ステージを移動し、位置決めする
。
定手順を説明する。まず、チャンバ内にウェーハに隣接
して、このイオンビーム形状測定具を配置する０次に、
チャンバを所定の真空度に排気する。次に、イオンビー
ムを発生し、この絶縁板１の中心とビーム走査領域の中
心と一致するように、ステージを移動し、位置決めする
。
次に、イオン注入条件と同じエネルギに設定し、イオン
ビームを絶縁板１に照射する。このことにより、導電板
２に捕捉されたイオンは、イオン電流として検出器４で
検出される。次に、検出されたイオン電流は、それぞれ
のアナログ電流値の大きさに応じてＡ／Ｄ変換部５によ
りパルス電圧数に変換される。
ビームを絶縁板１に照射する。このことにより、導電板
２に捕捉されたイオンは、イオン電流として検出器４で
検出される。次に、検出されたイオン電流は、それぞれ
のアナログ電流値の大きさに応じてＡ／Ｄ変換部５によ
りパルス電圧数に変換される。
次に、各パルス電圧数を表示部６に送り、例えば、デイ
スプレィ画面上にパルス電圧数に応じて、ビーム形状と
して表示する。ここで、この表示方法には、イオン電流
に応じて輝度の明るさで対応しておけば、ビーム形状だ
けでなく、ビームの均一性をも測定出来る。
スプレィ画面上にパルス電圧数に応じて、ビーム形状と
して表示する。ここで、この表示方法には、イオン電流
に応じて輝度の明るさで対応しておけば、ビーム形状だ
けでなく、ビームの均一性をも測定出来る。
以上説明したように本発明は、イオン電流を検出する複
数の小さな正方形導電板を絶縁基板にマトリックス状に
配置し、これら導電板によって検知されるイオン電流を
測定することによって、イオンビームの形状寸法及びイ
オンビームの密度を精密に測定出来るイオンビーム形状
測定具が得られるという効果がある。
数の小さな正方形導電板を絶縁基板にマトリックス状に
配置し、これら導電板によって検知されるイオン電流を
測定することによって、イオンビームの形状寸法及びイ
オンビームの密度を精密に測定出来るイオンビーム形状
測定具が得られるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示すイオンビーム形状測定
具である。 １・・・絶縁板、２・・・導電板、３・・・導電線、４
・・・検出器、５・・・Ａ／Ｄ変換部、６・・・表示部
。
具である。 １・・・絶縁板、２・・・導電板、３・・・導電線、４
・・・検出器、５・・・Ａ／Ｄ変換部、６・・・表示部
。
Claims (1)
- 板状の絶縁板と、この絶縁板の一面に縦横に等間隔に
並べて配置された複数個の正方形である導電板と、これ
ら導電板と導電線を介して接続されるイオン電流検出器
とを備えることを特徴とするイオンビーム形状測定具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29940690A JPH04171837A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | イオンビーム形状測定具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29940690A JPH04171837A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | イオンビーム形状測定具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04171837A true JPH04171837A (ja) | 1992-06-19 |
Family
ID=17872151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29940690A Pending JPH04171837A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | イオンビーム形状測定具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04171837A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008027614A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子の入射角モニタ素子 |
| US20130057250A1 (en) * | 2011-09-07 | 2013-03-07 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Apparatus and method for measuring ion beam current |
-
1990
- 1990-11-05 JP JP29940690A patent/JPH04171837A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008027614A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子の入射角モニタ素子 |
| US20130057250A1 (en) * | 2011-09-07 | 2013-03-07 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Apparatus and method for measuring ion beam current |
| US8890506B2 (en) * | 2011-09-07 | 2014-11-18 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Apparatus and method for measuring ion beam current |
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