JPH04168430A - 有機非線形光学材料とその製造方法 - Google Patents
有機非線形光学材料とその製造方法Info
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- JPH04168430A JPH04168430A JP29586290A JP29586290A JPH04168430A JP H04168430 A JPH04168430 A JP H04168430A JP 29586290 A JP29586290 A JP 29586290A JP 29586290 A JP29586290 A JP 29586290A JP H04168430 A JPH04168430 A JP H04168430A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、有機非線形光学材料を用いた非線形光学素子
に関するものである。
に関するものである。
(従来の技術)
従来より、非線形光学材料による第二高調波発生(SH
G)や和周波発生などの非線形光学現象を利用した、光
波長変換等の非線形光学素子の研究が成されてきた。材
料としては、LiNbO3,KDP(KH2PO4)な
どの無機材料を中心に研究開発が進められてきたが、近
年、無機材料に比べて非線形光学定数が大きい、損傷し
きい値が太きい等の特徴を持つ有機材料を用いた研究が
活性化している。
G)や和周波発生などの非線形光学現象を利用した、光
波長変換等の非線形光学素子の研究が成されてきた。材
料としては、LiNbO3,KDP(KH2PO4)な
どの無機材料を中心に研究開発が進められてきたが、近
年、無機材料に比べて非線形光学定数が大きい、損傷し
きい値が太きい等の特徴を持つ有機材料を用いた研究が
活性化している。
このような材料を用いた非線形光学装置の一例として、
例えば特表昭55−500960号公報に示すようなM
NA(2−メチル−4−ニトロアニリン)を用いたもの
がある。また、特開昭60−250334号公報に示さ
れるようなMNA、mNA(メタニトロアニリン)、P
OM(3−メチル−4−ニトロピリジン−1−オキサイ
ド)等を用いた物もある。
例えば特表昭55−500960号公報に示すようなM
NA(2−メチル−4−ニトロアニリン)を用いたもの
がある。また、特開昭60−250334号公報に示さ
れるようなMNA、mNA(メタニトロアニリン)、P
OM(3−メチル−4−ニトロピリジン−1−オキサイ
ド)等を用いた物もある。
非線形光学材料を実際に素子として用いる際には、非線
形光学定数の大きさと共に材料の吸収端が大きな問題と
なる。発生した光の波長に対する吸収が大きい場合には
、非線形光学定数が大きくても発生した光が吸収され易
くなるために波長変換効率は低下する。従って、吸収端
が長波長側にあるほど応用上制限されることになる。特
に、近年盛んに研究開発が進められている光ディスクの
高密度化等への応用には、吸収端がより短波長にあるこ
とが望まれる。
形光学定数の大きさと共に材料の吸収端が大きな問題と
なる。発生した光の波長に対する吸収が大きい場合には
、非線形光学定数が大きくても発生した光が吸収され易
くなるために波長変換効率は低下する。従って、吸収端
が長波長側にあるほど応用上制限されることになる。特
に、近年盛んに研究開発が進められている光ディスクの
高密度化等への応用には、吸収端がより短波長にあるこ
とが望まれる。
(発明が解決しようとする課題)
上記のような有機材料は大きな非線形光学定数を持つが
、吸収端が長波長にあるものが多い。その結果、非線形
性が大きくても発生した光を吸収してしまうため、短波
長の光を取り出す波長変換の場合には効率が低くなると
いう問題がある。
、吸収端が長波長にあるものが多い。その結果、非線形
性が大きくても発生した光を吸収してしまうため、短波
長の光を取り出す波長変換の場合には効率が低くなると
いう問題がある。
本発明の目的は、これらの問題点を低減し、有機非線形
光学材料の非線形性を向上させると共に材料の吸収端を
より短波長化した、高効率の非線形光学素子およびその
作製方法を提供することにある。
光学材料の非線形性を向上させると共に材料の吸収端を
より短波長化した、高効率の非線形光学素子およびその
作製方法を提供することにある。
(作用)
有機非線形光学材料を用いて、非線形光学素子を作製す
る際、材料を合成した後に適当な溶剤により再結晶化処
理しさらに昇華法を2回以上施し精製すると、材料に含
まれる原材料や不純物が著しく減少する。その結果、材
料の化学的、物理的安定性が向上し、更に材料の非線形
性が向上すると共に吸収端が短波長化する。さらに、融
点近傍で変質しない材料の場合には、ゾーンメルティン
グ法を用いて精製すればさらに原料や不純物が減少する
。このように、高純度に精製した材料を用いて非線形光
学素子を作製すると、吸収端が短波長になるため、より
応用範囲が広く、安定で高効率の非線形光学素子が実現
される。
る際、材料を合成した後に適当な溶剤により再結晶化処
理しさらに昇華法を2回以上施し精製すると、材料に含
まれる原材料や不純物が著しく減少する。その結果、材
料の化学的、物理的安定性が向上し、更に材料の非線形
性が向上すると共に吸収端が短波長化する。さらに、融
点近傍で変質しない材料の場合には、ゾーンメルティン
グ法を用いて精製すればさらに原料や不純物が減少する
。このように、高純度に精製した材料を用いて非線形光
学素子を作製すると、吸収端が短波長になるため、より
応用範囲が広く、安定で高効率の非線形光学素子が実現
される。
すなわち、次のようにして本発明を実現できる。有機非
線形光学材料を合成した後、適当な溶剤を用いて再結晶
化により精製する。再結晶化の方法は、温度を徐々に低
下させ材料の飽和濃度を下げることにより析出させる方
法(溶液冷却法)、溶剤を蒸発させることにより飽和濃
度を下げて析出させる方法(溶剤蒸発法)等様々な方法
がある。次に精製した材料を試料管中にいれ、中高真空
(10”6〜1O−8Torr程度)の雰囲気にして、
試料管を適当な温度勾配をつけた炉の中に入れる。試料
管は、例えば長さが1m〜2m程度、内径は40〜10
0φ程度の物が用いられるが、その形状や、最適な設定
温度や温度勾配は、材料の種類や用いる試料管の径、真
空度等によって異なる。材料を昇華する前に一度、昇華
温度より土産から数土産程度低温に数時間保ち、溶剤や
低分子等の脱気を十分に行う。その後、材料を昇華する
。昇華させる温度は、できるだけ低温が好ましい。以上
のように昇華を行うと、材料を入れた高温部には昇華し
にくい残留物が残り、低温部には昇華物が帯状に広がる
。最も低温部には、昇華し易い低分子等の不純物が広が
る事が多い。求める材料の昇華物は低温部の中間に広が
ることが多い。このような昇華精製を2回以上繰り返す
と、材料の不純物濃度が極度に減少し、非線形材料の非
線形性が向上すると共に吸収端が短波長化する。短波長
化の程度は、材料によって異なるが吸収端が10〜11
00n程度低下するものが多い。非線形性の増大の程度
も材料により異なるが、未昇華材料に比べ上記の様な方
法で精製した材料は、数倍程度増大するものが多い。こ
のようにして精製した材料を用いて、非線形光学素子を
製造すれば、素子の非線形性を増大させると共に吸収端
を低下できる。材料が融点近くの温度で変質しない場合
には、昇華精製した後にさらにゾーンメルティング法に
より精製することができる。有機物は、酸素中で高温に
すると酸化するものが多いので、材料を融解する時には
十分に注意をする必要がある。試料管に材料を詰めると
きに、材料を入れ十分に真空にしだ後(10’〜1O−
8Torr)に、鎗、He等の不活性ガスを注入し、融
解して冷やしては固める、という操作を繰り返す事によ
り材料を詰めるとよい。一つのゾーンメルティング炉に
多くの(10力所程度)ゾーン(高温部)をつくり0.
1〜2mm/hの割合で試料管を移動させるとよい。
線形光学材料を合成した後、適当な溶剤を用いて再結晶
化により精製する。再結晶化の方法は、温度を徐々に低
下させ材料の飽和濃度を下げることにより析出させる方
法(溶液冷却法)、溶剤を蒸発させることにより飽和濃
度を下げて析出させる方法(溶剤蒸発法)等様々な方法
がある。次に精製した材料を試料管中にいれ、中高真空
(10”6〜1O−8Torr程度)の雰囲気にして、
試料管を適当な温度勾配をつけた炉の中に入れる。試料
管は、例えば長さが1m〜2m程度、内径は40〜10
0φ程度の物が用いられるが、その形状や、最適な設定
温度や温度勾配は、材料の種類や用いる試料管の径、真
空度等によって異なる。材料を昇華する前に一度、昇華
温度より土産から数土産程度低温に数時間保ち、溶剤や
低分子等の脱気を十分に行う。その後、材料を昇華する
。昇華させる温度は、できるだけ低温が好ましい。以上
のように昇華を行うと、材料を入れた高温部には昇華し
にくい残留物が残り、低温部には昇華物が帯状に広がる
。最も低温部には、昇華し易い低分子等の不純物が広が
る事が多い。求める材料の昇華物は低温部の中間に広が
ることが多い。このような昇華精製を2回以上繰り返す
と、材料の不純物濃度が極度に減少し、非線形材料の非
線形性が向上すると共に吸収端が短波長化する。短波長
化の程度は、材料によって異なるが吸収端が10〜11
00n程度低下するものが多い。非線形性の増大の程度
も材料により異なるが、未昇華材料に比べ上記の様な方
法で精製した材料は、数倍程度増大するものが多い。こ
のようにして精製した材料を用いて、非線形光学素子を
製造すれば、素子の非線形性を増大させると共に吸収端
を低下できる。材料が融点近くの温度で変質しない場合
には、昇華精製した後にさらにゾーンメルティング法に
より精製することができる。有機物は、酸素中で高温に
すると酸化するものが多いので、材料を融解する時には
十分に注意をする必要がある。試料管に材料を詰めると
きに、材料を入れ十分に真空にしだ後(10’〜1O−
8Torr)に、鎗、He等の不活性ガスを注入し、融
解して冷やしては固める、という操作を繰り返す事によ
り材料を詰めるとよい。一つのゾーンメルティング炉に
多くの(10力所程度)ゾーン(高温部)をつくり0.
1〜2mm/hの割合で試料管を移動させるとよい。
試料はゾーンを100回程度通過させた。このように精
製した材料を用いて素子を製造すると、更に非線形性が
増し吸収端が短波長化できる。この様な処理をした材料
はバルク結晶、導波路型等の公知の何れの素子にも用い
る事ができる。また、このような非線形光学素子は、第
二高調波発生や和周波発生による波長変換や光パラメト
リツク発振などのすべての非線形光学素子に適応できる
。
製した材料を用いて素子を製造すると、更に非線形性が
増し吸収端が短波長化できる。この様な処理をした材料
はバルク結晶、導波路型等の公知の何れの素子にも用い
る事ができる。また、このような非線形光学素子は、第
二高調波発生や和周波発生による波長変換や光パラメト
リツク発振などのすべての非線形光学素子に適応できる
。
特に、光デイスク用光源などに期待されるファイバー型
のような導波路型素子は、光を閉じ込めることができる
ため、パワー密度が向上し高効率の波長変換が期待され
る。導波路型の素子は、基本波と高調波の両方を導波さ
せる導波−導波型と、基本波のみを導波させ高調波を放
射させる導波−放射型(チェレンコフ放射方式)とがあ
るが、チェレンコフ放射方式を用いれば、位相の整合条
件を最も緩くすることができる。この場合には、基本波
がモードとして導波層を伝播する条件は、モードに対す
る実効屈折率をN(ω)とすると、ns(ω)くN(ω
) < ng(ω)・・・・・■となる(但し、ns(
−)、ng(cc+)はそれぞれ基本波。に対する屈折
率で、スラブ型の場合には、基板、導波層の屈折率、フ
ァイバー型の場合にはクラッド、コアの屈折率を示す。
のような導波路型素子は、光を閉じ込めることができる
ため、パワー密度が向上し高効率の波長変換が期待され
る。導波路型の素子は、基本波と高調波の両方を導波さ
せる導波−導波型と、基本波のみを導波させ高調波を放
射させる導波−放射型(チェレンコフ放射方式)とがあ
るが、チェレンコフ放射方式を用いれば、位相の整合条
件を最も緩くすることができる。この場合には、基本波
がモードとして導波層を伝播する条件は、モードに対す
る実効屈折率をN(ω)とすると、ns(ω)くN(ω
) < ng(ω)・・・・・■となる(但し、ns(
−)、ng(cc+)はそれぞれ基本波。に対する屈折
率で、スラブ型の場合には、基板、導波層の屈折率、フ
ァイバー型の場合にはクラッド、コアの屈折率を示す。
)。また、位相整合条件は、第二高調波に対する基板ま
たはクラッドの屈折率をn2(2ω)とすると、 N(ω)<ns(2ω)・・・・・・・・・・・・・■
となり、第二高調波を発生する非線形分極波は、基本波
モードと同一の位相速度c/N(ω)で伝播し第二高調
波は、 N(ω)=nS(2cc+)cosθ・・・・・・■を
みたすθ方向に自動的に放射される。
たはクラッドの屈折率をn2(2ω)とすると、 N(ω)<ns(2ω)・・・・・・・・・・・・・■
となり、第二高調波を発生する非線形分極波は、基本波
モードと同一の位相速度c/N(ω)で伝播し第二高調
波は、 N(ω)=nS(2cc+)cosθ・・・・・・■を
みたすθ方向に自動的に放射される。
式■、式■の条件を満たし、さらに、変換効率を高める
ために、基本波がシングルモードとなることを主眼に、
クラッドの材質(屈折率分散)、コアの幅等を設定する
とよい。このように設定した屈折率分散、コア径をもつ
中空ファイバーを用いて、波長変換素子を作製する。有
機物は、大気中で扱ウド熱や光により変質するものが多
い。このため、ファイバーやスラブ中への材料の注入や
結晶化の際には、熱による変質を防ぐ必要がある。この
ような際には、−度雰囲気を真空にした後に、真空中あ
るいは不活性ガスを導入してから、熱を加えるようにす
ればよい。
ために、基本波がシングルモードとなることを主眼に、
クラッドの材質(屈折率分散)、コアの幅等を設定する
とよい。このように設定した屈折率分散、コア径をもつ
中空ファイバーを用いて、波長変換素子を作製する。有
機物は、大気中で扱ウド熱や光により変質するものが多
い。このため、ファイバーやスラブ中への材料の注入や
結晶化の際には、熱による変質を防ぐ必要がある。この
ような際には、−度雰囲気を真空にした後に、真空中あ
るいは不活性ガスを導入してから、熱を加えるようにす
ればよい。
以上のような、非線形光学素子およぶその製造方法は、
DAN、MNAをはじめとして、PNP、MBANP、
MMONS、 DIVA、 DMNP、ソノ他スチル
ベン系、アセチレン系材料のようなすべての有機非線形
材料に適応できることは、いうまでもない。
DAN、MNAをはじめとして、PNP、MBANP、
MMONS、 DIVA、 DMNP、ソノ他スチル
ベン系、アセチレン系材料のようなすべての有機非線形
材料に適応できることは、いうまでもない。
(実施例)
実施例により本発明を具体的に説明する。
実施例1
有機非線形光学材料DAN(4−(N、N−ジメチルア
ミノ)−3−アセトアミド−ニトロベンゼン)を用いて
素子を作製した。再結晶化はメタノールを用い、溶媒蒸
発法により2回おこなった。その後、長さ1.5m。
ミノ)−3−アセトアミド−ニトロベンゼン)を用いて
素子を作製した。再結晶化はメタノールを用い、溶媒蒸
発法により2回おこなった。その後、長さ1.5m。
内径約60φの試料管に、再結晶化を施し、精製した材
料をいれ6 X 10’Torrの真空度にした。次に
、高温部の温度を約90度に2〜3時間保ち、低分子や
溶剤等を蒸発させた。その後、高温部の温度を115度
に設定し、DANの昇華を開始した。未昇華材料は山吹
色をしているがこのような昇華精製を3回以上繰り返す
と、薄レモン色の材料となる。また、未昇華材料と昇華
精製を繰り返して得た材料の液体クロマトグラフィーの
結果を第1図に示す。(b)は、未昇華材料、(a)は
、昇華材料の結果であるが、昇華により1.492付近
のピークが消滅し、昇華により不純物が取り除かれたこ
とがわかる。また第2図に、未昇華材料と昇華精製を繰
り返して得た材料から作成した板状結晶での(001)
面での吸収スペクトルを示す。図より、昇華精製後の吸
収端は約22nm(約1000cm−1)短波長になっ
ていることがわかる。さらに、未昇華材料と昇華後の材
料をパウダーテストにより評価すると、昇華後の非線形
性は、未昇華品の1.5倍〜数倍程度向上した。このよ
うに昇華精製を複数回繰り返して得た材料により、メタ
ノールを溶媒として再結晶法により単結晶を作製した。
料をいれ6 X 10’Torrの真空度にした。次に
、高温部の温度を約90度に2〜3時間保ち、低分子や
溶剤等を蒸発させた。その後、高温部の温度を115度
に設定し、DANの昇華を開始した。未昇華材料は山吹
色をしているがこのような昇華精製を3回以上繰り返す
と、薄レモン色の材料となる。また、未昇華材料と昇華
精製を繰り返して得た材料の液体クロマトグラフィーの
結果を第1図に示す。(b)は、未昇華材料、(a)は
、昇華材料の結果であるが、昇華により1.492付近
のピークが消滅し、昇華により不純物が取り除かれたこ
とがわかる。また第2図に、未昇華材料と昇華精製を繰
り返して得た材料から作成した板状結晶での(001)
面での吸収スペクトルを示す。図より、昇華精製後の吸
収端は約22nm(約1000cm−1)短波長になっ
ていることがわかる。さらに、未昇華材料と昇華後の材
料をパウダーテストにより評価すると、昇華後の非線形
性は、未昇華品の1.5倍〜数倍程度向上した。このよ
うに昇華精製を複数回繰り返して得た材料により、メタ
ノールを溶媒として再結晶法により単結晶を作製した。
結晶のサイズは、10mmX510mmX5程度であっ
た。このような、結晶により角度位相整合により波長変
換素子を作成した。この素子により、Nd−YAGおよ
び発振波長が950から990nmの半導体レーザによ
り緑及び青色のコヒーレントな第二高調波を得た。
た。このような、結晶により角度位相整合により波長変
換素子を作成した。この素子により、Nd−YAGおよ
び発振波長が950から990nmの半導体レーザによ
り緑及び青色のコヒーレントな第二高調波を得た。
実施例2
実施例1と同様に、MNA(2−メチル−4−ニトロア
ニリン)についても再結晶化により純化した後に4回昇
華精製をおこなって、ブリッジマン法により単結晶を育
成した。再結晶化の溶剤として、クロロホルムを用いた
。昇華の際の真空度は、I X 1O−6Torrとし
、またガラス管は外径60φ、長さ1.5mのものを用
いた。MNAの場合も大きく吸収端が短波長化し4回の
昇華精製によって吸収端は、530nmから460nm
と大きく低下し、非線形性も約2倍に向上した。
ニリン)についても再結晶化により純化した後に4回昇
華精製をおこなって、ブリッジマン法により単結晶を育
成した。再結晶化の溶剤として、クロロホルムを用いた
。昇華の際の真空度は、I X 1O−6Torrとし
、またガラス管は外径60φ、長さ1.5mのものを用
いた。MNAの場合も大きく吸収端が短波長化し4回の
昇華精製によって吸収端は、530nmから460nm
と大きく低下し、非線形性も約2倍に向上した。
実施例3
作用に示すように設定した屈折率分散、コア径をもつ中
空ファイバーを用いて、波長変換素子を作製した。材料
は、実施例1に示す方法により精製したDANを用いた
。まず、試料管に昇華精製したDANと中空ファイバー
をいれ管内を中高真空(10−6Torr〜1O−8T
orr)とした。試料管の温度を上昇させ、90°Cか
ら110°Cの温度に約1.5時間はど保ち、脱気を十
分に行った。その後、試料管の温度を材料が融解するま
で上昇させるが、融解する温度の約10〜20°C低温
になった時、高純度の不活性ガスを約0.8気圧程度注
入し、材料の昇華を防いだ。本実施例ではMガスを用い
た。毛細管現象により材料が融解すると、数分でファイ
バー中に材料が満たされる。有機物は、融点付近の温度
で酸化や分解するものが多いが、DANを十分に精製し
たこと、および試料管内を十分に高真空にした後にMガ
スをいれて融解をおこなった事により、DANは変質し
なかった。このようすを第3図に示す。(b)は未昇華
材料を大気中で加熱した場合の液体クロマトグラフィー
の結果である。加熱前の結果(第1図(b))に比べ、
新たなピークが発生しており、新しい物質が生成されて
いることがわかる。一方、(a)は昇華材料を高真空に
しだ後Arガスをいれた雰囲気中で加熱した場合であり
、加熱前の結果(第1図(a))と比べ、全く変化して
いない。以上のように材料を精製し、ファイバーへの注
入や、結晶化を行い、ファイバー型の波長変換素子を作
製し、Nd−YAGレーザからの緑色の第二高調波、半
導体レーザからの青色の第二高調波を得た。コア径1.
2μm、屈折率n(λ)〜1.7(波長λ〜10100
0n程度のガラスファイバーを用いて、変換効率約10
%の波長変換素子を実現した。
空ファイバーを用いて、波長変換素子を作製した。材料
は、実施例1に示す方法により精製したDANを用いた
。まず、試料管に昇華精製したDANと中空ファイバー
をいれ管内を中高真空(10−6Torr〜1O−8T
orr)とした。試料管の温度を上昇させ、90°Cか
ら110°Cの温度に約1.5時間はど保ち、脱気を十
分に行った。その後、試料管の温度を材料が融解するま
で上昇させるが、融解する温度の約10〜20°C低温
になった時、高純度の不活性ガスを約0.8気圧程度注
入し、材料の昇華を防いだ。本実施例ではMガスを用い
た。毛細管現象により材料が融解すると、数分でファイ
バー中に材料が満たされる。有機物は、融点付近の温度
で酸化や分解するものが多いが、DANを十分に精製し
たこと、および試料管内を十分に高真空にした後にMガ
スをいれて融解をおこなった事により、DANは変質し
なかった。このようすを第3図に示す。(b)は未昇華
材料を大気中で加熱した場合の液体クロマトグラフィー
の結果である。加熱前の結果(第1図(b))に比べ、
新たなピークが発生しており、新しい物質が生成されて
いることがわかる。一方、(a)は昇華材料を高真空に
しだ後Arガスをいれた雰囲気中で加熱した場合であり
、加熱前の結果(第1図(a))と比べ、全く変化して
いない。以上のように材料を精製し、ファイバーへの注
入や、結晶化を行い、ファイバー型の波長変換素子を作
製し、Nd−YAGレーザからの緑色の第二高調波、半
導体レーザからの青色の第二高調波を得た。コア径1.
2μm、屈折率n(λ)〜1.7(波長λ〜10100
0n程度のガラスファイバーを用いて、変換効率約10
%の波長変換素子を実現した。
(発明の効果)
実施例に示したように、本発明により素子作製の際に、
昇華精製を2回以上行うことにより、吸収端を大きく短
波長化し、また非線形性を向上させることが可能となり
、従来に比べ、材料の応用範囲が広がり高効率の非線形
光学素子が実現可能となった。また、導波路への材料の
注入や結晶化を不活性ガス中あるいは真空中で行うこと
により、材料の変質を防ぐことが可能となった。
昇華精製を2回以上行うことにより、吸収端を大きく短
波長化し、また非線形性を向上させることが可能となり
、従来に比べ、材料の応用範囲が広がり高効率の非線形
光学素子が実現可能となった。また、導波路への材料の
注入や結晶化を不活性ガス中あるいは真空中で行うこと
により、材料の変質を防ぐことが可能となった。
第1図(a)、(b)は、昇華を3回繰り返すことによ
り精製したDANと、未昇華のDANの液体クロマトグ
ラフィーの分析結果である。 第2図は、昇華を3回繰り返すことにより精製したDA
Nと、未昇華のDANの(001)面での吸収スペクト
ルである。 第3図(a)、(b)は、大気中で融解したDANと、
高真空にした後にArガス中で融解したDANの液体ク
ロマトグラフィーの分析結果である。
り精製したDANと、未昇華のDANの液体クロマトグ
ラフィーの分析結果である。 第2図は、昇華を3回繰り返すことにより精製したDA
Nと、未昇華のDANの(001)面での吸収スペクト
ルである。 第3図(a)、(b)は、大気中で融解したDANと、
高真空にした後にArガス中で融解したDANの液体ク
ロマトグラフィーの分析結果である。
Claims (5)
- (1)再結晶化処理した後に昇華法を少なくとも2回以
上施して得られる有機非線形光学材料であって、未昇華
材料よりも吸収端が短波長であることを特徴とする有機
非線形光学材料。 - (2)再結晶化処理した後に昇華法を少なくとも2回以
上施すことを特徴とする有機非線形光学材料の製造方法
。 - (3)請求項2記載の有機非線形光学材料の製造方法の
工程の後に、ゾーンメルティング法をさらに施したこと
を特徴とする有機非線形光学材料の製造方法。 - (4)請求項1記載の有機非線形光学材料をコアとする
導波路型非線形光学素子。 - (5)不活性ガス中あるいは真空中で有機非線形材料の
注入及び、あるいは結晶化を行うことを特徴とする請求
項4記載の導波路型非線形光学素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29586290A JPH04168430A (ja) | 1990-11-01 | 1990-11-01 | 有機非線形光学材料とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29586290A JPH04168430A (ja) | 1990-11-01 | 1990-11-01 | 有機非線形光学材料とその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04168430A true JPH04168430A (ja) | 1992-06-16 |
Family
ID=17826150
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29586290A Pending JPH04168430A (ja) | 1990-11-01 | 1990-11-01 | 有機非線形光学材料とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04168430A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011149102A (ja) * | 2011-03-03 | 2011-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機化合物の精製方法及び発光装置の作製方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6350400A (ja) * | 1986-08-14 | 1988-03-03 | Agency Of Ind Science & Technol | 有機単結晶フアイバの製造方法 |
JPH0255300A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-23 | Mitsubishi Kasei Corp | Mnaの単結晶成長法 |
-
1990
- 1990-11-01 JP JP29586290A patent/JPH04168430A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6350400A (ja) * | 1986-08-14 | 1988-03-03 | Agency Of Ind Science & Technol | 有機単結晶フアイバの製造方法 |
JPH0255300A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-23 | Mitsubishi Kasei Corp | Mnaの単結晶成長法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011149102A (ja) * | 2011-03-03 | 2011-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機化合物の精製方法及び発光装置の作製方法 |
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