JPH04164259A - 半導体加速度センサ - Google Patents
半導体加速度センサInfo
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- JPH04164259A JPH04164259A JP28985990A JP28985990A JPH04164259A JP H04164259 A JPH04164259 A JP H04164259A JP 28985990 A JP28985990 A JP 28985990A JP 28985990 A JP28985990 A JP 28985990A JP H04164259 A JPH04164259 A JP H04164259A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 12
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 abstract description 27
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 210000001124 body fluid Anatomy 0.000 description 1
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は半導体からなる超小型の加速度センサに関する
。
。
第３図は従来の半導体加速度センサの一例を示し、同図
ｆａ）は横断面図、同図１ｂＪはＩａｌのＡ−Ａｌこお
ける断面図、同図ｆｃｌは（ａｌのＢ−Ｂにおける断面
図である。半導体からなる重り１は半導体からなる梁２
によって半導体からなる固定枠３内に弾性的に結合され
ている。梁２には図示しない半導体ストレンゲージが設
けられており、刀口速度が加わった場合の梁２の撓みを
測定することにより加速度を検出する。これら重り１．
梁２．固定枠３からなる結合体は台座４を介して密閉容
器５の中に収答される。密閉容器５の中は、通常密封流
体６が封入される。半導体ストレンゲージの信号出力は
密閉容器５に設けられた図示しない気密貫通端子を通し
て外部に取り出される。
ｆａ）は横断面図、同図１ｂＪはＩａｌのＡ−Ａｌこお
ける断面図、同図ｆｃｌは（ａｌのＢ−Ｂにおける断面
図である。半導体からなる重り１は半導体からなる梁２
によって半導体からなる固定枠３内に弾性的に結合され
ている。梁２には図示しない半導体ストレンゲージが設
けられており、刀口速度が加わった場合の梁２の撓みを
測定することにより加速度を検出する。これら重り１．
梁２．固定枠３からなる結合体は台座４を介して密閉容
器５の中に収答される。密閉容器５の中は、通常密封流
体６が封入される。半導体ストレンゲージの信号出力は
密閉容器５に設けられた図示しない気密貫通端子を通し
て外部に取り出される。
第４図は従来の半導体加速度センサの異なる例（５ｅｌ
ｆ−Ｔｅｓｔａｂｌｅ Ａｃｃｅｌｅｒｏ ｍｅｔｅｒ
Ｓｙｓｔｅｍ 、 ＨｅｎｒｙＶ、Ａ１１ｅｎ他ＴＨ
Ｏ２４９−３８９００００００２４，１９８９ＩＥＥＥ
）を示し、同図ｆａｌは横断面図、同図ｆｂｌは（ａ
ｔのＡ−ＡＪこおける断面図、同図（ｃｌは（ａｌのＢ
−Ｂにおける断面図である。半導体からなる重り１は半
導体からなる４個の梁２によって、半導体からなる固定
枠３内に弾性的に結合されている。梁２には図示しない
１個あるいは複数個の半導体ストレンゲージが設けられ
ており、加速度が加わった場合の梁の撓みを測定するこ
とにより加速度を検出する。これら重り１．梁２．固定
枠３からなる結合体は下面を台座４が上面を封止蓋７が
所定の間隔ｇを保つよう固定され、台座４と固定枠３と
封止蓋７とで形成される密閉容器５の空間に密封流体６
が封入される。半導体ストレンゲージの信号出力は台座
４あるいは封止蓋７に設けられた図示しない気密貫通端
子を通して外部に取り出される。
ｆ−Ｔｅｓｔａｂｌｅ Ａｃｃｅｌｅｒｏ ｍｅｔｅｒ
Ｓｙｓｔｅｍ 、 ＨｅｎｒｙＶ、Ａ１１ｅｎ他ＴＨ
Ｏ２４９−３８９００００００２４，１９８９ＩＥＥＥ
）を示し、同図ｆａｌは横断面図、同図ｆｂｌは（ａ
ｔのＡ−ＡＪこおける断面図、同図（ｃｌは（ａｌのＢ
−Ｂにおける断面図である。半導体からなる重り１は半
導体からなる４個の梁２によって、半導体からなる固定
枠３内に弾性的に結合されている。梁２には図示しない
１個あるいは複数個の半導体ストレンゲージが設けられ
ており、加速度が加わった場合の梁の撓みを測定するこ
とにより加速度を検出する。これら重り１．梁２．固定
枠３からなる結合体は下面を台座４が上面を封止蓋７が
所定の間隔ｇを保つよう固定され、台座４と固定枠３と
封止蓋７とで形成される密閉容器５の空間に密封流体６
が封入される。半導体ストレンゲージの信号出力は台座
４あるいは封止蓋７に設けられた図示しない気密貫通端
子を通して外部に取り出される。
本例では重り１と台座４あるいは封止蓋７との間に所定
の間隔ｇを設けることで、加速度が加わった場合の重り
１の急激な動きにダンピングをかける構造となっている
。すなわち、ｌす１と台座４あるいは制止蓋７との間の
間隔ｇの隙間内にある密封流体６が、重り１の動きでそ
の間隔ｇが狭められることによって移動することによっ
て住じる所謂、スクィメーフィルム効果で亘り１にタン
ピングをかけるよう（こなっている。
の間隔ｇを設けることで、加速度が加わった場合の重り
１の急激な動きにダンピングをかける構造となっている
。すなわち、ｌす１と台座４あるいは制止蓋７との間の
間隔ｇの隙間内にある密封流体６が、重り１の動きでそ
の間隔ｇが狭められることによって移動することによっ
て住じる所謂、スクィメーフィルム効果で亘り１にタン
ピングをかけるよう（こなっている。
〔発明が解決しようとする課題」
従来の第１の例における半導体加速度センサでは、急激
な加速度が加わった場合、夏りは周囲の密封流体との間
の粘性抵抗でダンピングされるのみで、そのダンピング
効果は小さく■りに振動が生じ、場合にょっそは装置が
破損する危険がある。
な加速度が加わった場合、夏りは周囲の密封流体との間
の粘性抵抗でダンピングされるのみで、そのダンピング
効果は小さく■りに振動が生じ、場合にょっそは装置が
破損する危険がある。
また、第２の例における半導体加速度センサでは、重り
と台座あるいは刺止蓋との間の隙間内の密封流体の移動
によって生じる、所謂、スクイズ−フィルム効果により
ダンピングをかけているが、半導体加速度センサでは一
般に重りの巾Ｗおよび長さＬの寸法は小さく、スクイズ
−フィルム効果を生じる部分の面積ＬＸＷが小さく充分
なダンピング効果が得られない。また、ダンピング効果
をあげるため、この間隔ｇの寸法を小さくすると、加速
度が加りた場合重りが台座あるいは封止蓋と接触するた
めダンピング効果には限度がある。
と台座あるいは刺止蓋との間の隙間内の密封流体の移動
によって生じる、所謂、スクイズ−フィルム効果により
ダンピングをかけているが、半導体加速度センサでは一
般に重りの巾Ｗおよび長さＬの寸法は小さく、スクイズ
−フィルム効果を生じる部分の面積ＬＸＷが小さく充分
なダンピング効果が得られない。また、ダンピング効果
をあげるため、この間隔ｇの寸法を小さくすると、加速
度が加りた場合重りが台座あるいは封止蓋と接触するた
めダンピング効果には限度がある。
本発明の課題は前述の問題点を解決し、重りに対するダ
ンピング効果の大きい半導体加速度センサを提供するこ
とにある。
ンピング効果の大きい半導体加速度センサを提供するこ
とにある。
前述の課題を解決するために、本発明の半導体７１１１
速度センサにおいては半導体からなる頁りと。
速度センサにおいては半導体からなる頁りと。
この宣りの周囲を取り囲んだ半導体からなる固定枠と、
前記重りと固定枠を弾性的に結合しその撓みを測定する
半導体ストレンゲージが設けられた半導体からなる梁と
、これら重りと固定枠と梁とからなる結合体を収容する
密閉容器と、この密閉容器内に封入された密封流体とか
らなる半導体加速度センサにおいて、重りは固定枠に対
して片持ち式に梁で結合されるとともに前記重りと固定
枠との間隔が梁結合部を除き一定寸法に形成されるよう
にする。更に、梁に設けられた半導体ストレンゲージは
拡散技術ｌこより形成されるようにする。
前記重りと固定枠を弾性的に結合しその撓みを測定する
半導体ストレンゲージが設けられた半導体からなる梁と
、これら重りと固定枠と梁とからなる結合体を収容する
密閉容器と、この密閉容器内に封入された密封流体とか
らなる半導体加速度センサにおいて、重りは固定枠に対
して片持ち式に梁で結合されるとともに前記重りと固定
枠との間隔が梁結合部を除き一定寸法に形成されるよう
にする。更に、梁に設けられた半導体ストレンゲージは
拡散技術ｌこより形成されるようにする。
更にまた、重りと固定枠さ梁とが１個の半導体基板から
エツチング技術により一体構造として形成されるように
する。
エツチング技術により一体構造として形成されるように
する。
〔作用〕
１つさ固定枠との間隔は一定寸法に形成されているので
、加速度が加わった場合、宣りはこの一足間隔の隙間を
流れる密封流体との間の粘性抵抗でダンピングされ、か
つ、この間隔は加速度センサの性能に影響なく宣りと固
定枠が接触しない範囲で／ＪＳさい寸法に定めることが
できるので、ダンピング効果を充分高めることができる
。
、加速度が加わった場合、宣りはこの一足間隔の隙間を
流れる密封流体との間の粘性抵抗でダンピングされ、か
つ、この間隔は加速度センサの性能に影響なく宣りと固
定枠が接触しない範囲で／ＪＳさい寸法に定めることが
できるので、ダンピング効果を充分高めることができる
。
第１図は本発明における半導体加速度センサの一実施例
を示し、同図（ａｔは横断面図、同図ｆｂｌはｆａｔの
Ａ −Ａ ＩＣおける断面図、同図ｆｃｌはｆａ）のＢ
−Ｂにおける断面図である。半導体からなる皇り１は半
導体からなる梁２によって半導体からなる固定枠３内に
弾性的に結合されている。梁２には図示しない半導体ス
トレンゲージが設けられており、加速度が加わった場合
の梁２の撓みを測定することにより加速度を検出する。
を示し、同図（ａｔは横断面図、同図ｆｂｌはｆａｔの
Ａ −Ａ ＩＣおける断面図、同図ｆｃｌはｆａ）のＢ
−Ｂにおける断面図である。半導体からなる皇り１は半
導体からなる梁２によって半導体からなる固定枠３内に
弾性的に結合されている。梁２には図示しない半導体ス
トレンゲージが設けられており、加速度が加わった場合
の梁２の撓みを測定することにより加速度を検出する。
本発明においては梁２の結合部を除く重り１と固定枠３
との間の間隔εが一定寸法に形成されている。これら東
り１．梁２、固定枠３からなる結合体は下面を台座４が
上面を封止蓋７が重り１と接触しない間隔ｇを保って固
定され、台座４と固定枠３と封止蓋７とで密閉容器５が
形成され、この容器の空間に缶胴流体６が封入されてい
る。半導体ストレンゲージの信号出力は台座４あるいは
封止蓋７に設けられた図示しない気密貫通端子を通して
外部に取り出される。
との間の間隔εが一定寸法に形成されている。これら東
り１．梁２、固定枠３からなる結合体は下面を台座４が
上面を封止蓋７が重り１と接触しない間隔ｇを保って固
定され、台座４と固定枠３と封止蓋７とで密閉容器５が
形成され、この容器の空間に缶胴流体６が封入されてい
る。半導体ストレンゲージの信号出力は台座４あるいは
封止蓋７に設けられた図示しない気密貫通端子を通して
外部に取り出される。
本実施例では、梁２の結合部を除き、重り１と固定枠３
との間の間隔εを一定寸法にすることにより軍り１に対
するダンピング効果をあげている。
との間の間隔εを一定寸法にすることにより軍り１に対
するダンピング効果をあげている。
第２図はこのダンピング効果の原理を示すもので、シリ
ンダ１００の中に設けられた半径Ｒｏのピストン１０２
が、このシリンダ１００内を上下に移動する場合、ピス
トン１０２が受ける制振力ＦＯはビス１−ン速度■に比
例し、次式で嚢わされる。
ンダ１００の中に設けられた半径Ｒｏのピストン１０２
が、このシリンダ１００内を上下に移動する場合、ピス
トン１０２が受ける制振力ＦＯはビス１−ン速度■に比
例し、次式で嚢わされる。
但し、μ：ピストン周囲の流体の粘性係数Ｌ（ｏ：ビス
１−ンの厚み Ｒｏ：ピストンの半径 Ａ：ピストンの面積（π−Ｒ，） ε０：ビストノとシリンダとの隙間間隔Ｃｏ二粘性減衰
係数 逃常、ピストン型の制振器はこの原理に基くものが使用
されており、ｌ）式を用いて本発明における重りｌの制
振力Ｃは次のようにして算出できる。すなわち、重り１
をピストン、固定枠３をシリンダと想定し、ムリ１と固
定枠３との間の隙間の長さとシリンダ周囲の隙間の長さ
を等しくおくと、 ２π・Ｈａ ＝ｗ＋ ２ Ｔ、 ・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・（２）となる。
１−ンの厚み Ｒｏ：ピストンの半径 Ａ：ピストンの面積（π−Ｒ，） ε０：ビストノとシリンダとの隙間間隔Ｃｏ二粘性減衰
係数 逃常、ピストン型の制振器はこの原理に基くものが使用
されており、ｌ）式を用いて本発明における重りｌの制
振力Ｃは次のようにして算出できる。すなわち、重り１
をピストン、固定枠３をシリンダと想定し、ムリ１と固
定枠３との間の隙間の長さとシリンダ周囲の隙間の長さ
を等しくおくと、 ２π・Ｈａ ＝ｗ＋ ２ Ｔ、 ・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・（２）となる。
次に（１）式および（２）式を用い、第１図における対
応する個所に変換すると本装置の粘性減衰係数Ｃは 但し、 Ｈａ −＋Ｈ Ａ→Ｌ＠Ｗ ｅｏ→ ε となる。
応する個所に変換すると本装置の粘性減衰係数Ｃは 但し、 Ｈａ −＋Ｈ Ａ→Ｌ＠Ｗ ｅｏ→ ε となる。
また、東り１の臨界減衰係数Ｃｃはｌす１の質量Ｍとｌ
す１と梁２とからなる振動系のはね常数にとから、 Ｃｃ＝２Ｍ＠Ｋ ・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・（４）となる。
す１と梁２とからなる振動系のはね常数にとから、 Ｃｃ＝２Ｍ＠Ｋ ・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・（４）となる。
ダンピング効果を算定する基準として、粘性減衰係数Ｃ
と臨界減衰係数Ｃｃとから求められる減衰係数比ζは ζ＝Ｃ／Ｃｃ ・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・＋５１となる。
と臨界減衰係数Ｃｃとから求められる減衰係数比ζは ζ＝Ｃ／Ｃｃ ・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・＋５１となる。
一般に有効なダンピング効果は減衰係数比ζが０７以上
とされており、本発明の半導体加速度センサでは性能に
影響されず（３）式における隙間長εを小さくできるの
で粘性減衰係数Ｃは大きくなり、容易に減衰係数比ζを
０７以上にすることができ充分なダンピング効果が得ら
れる。
とされており、本発明の半導体加速度センサでは性能に
影響されず（３）式における隙間長εを小さくできるの
で粘性減衰係数Ｃは大きくなり、容易に減衰係数比ζを
０７以上にすることができ充分なダンピング効果が得ら
れる。
また、梁２に設けた半導体ストレンケージは、拡散技術
により梁２申に一体として形成される。
により梁２申に一体として形成される。
これにより、梁２の撓み特性に影響はなく精度が向上す
る。
る。
更にまた、半導体基板よりエツナング技術により重り１
．梁２および固定枠３を一体栴造として ′形成するこ
とができる。この場合これら部位の結合部の機械的信頼
性か向上するとともに、製造コス１−が低下する。
．梁２および固定枠３を一体栴造として ′形成するこ
とができる。この場合これら部位の結合部の機械的信頼
性か向上するとともに、製造コス１−が低下する。
本発明（こおける半導体７１１１速曳センサにおいては
、重りと固定枠との間の間隔を一定値にすることにより
、 ７ＪＩＩ速度センサの性吐ζこ影響を与えることな
く充分なダンピング効果が得られ、加速度センサの破損
に対する耐性が著しく向上した。
、重りと固定枠との間の間隔を一定値にすることにより
、 ７ＪＩＩ速度センサの性吐ζこ影響を与えることな
く充分なダンピング効果が得られ、加速度センサの破損
に対する耐性が著しく向上した。
才だ、梁に設けた半導体ストレンゲージは拡散技術によ
り梁の中に一体として形成することにより梁の撓み特性
に影響を与えることなく精夏が向上する。
り梁の中に一体として形成することにより梁の撓み特性
に影響を与えることなく精夏が向上する。
史にまた、半導体基板よりエツチング技術により重り、
采および固定枠を一体構造として形成できるので、これ
ら部位の結合部の機械的信頼性が向上するとともに、製
造コストが低下する。
采および固定枠を一体構造として形成できるので、これ
ら部位の結合部の機械的信頼性が向上するとともに、製
造コストが低下する。
第１図は本発明における半導体加速度センナの一実施例
を示し、同図ｔａ＋は横断面図、同図（ｂｌは（ａｌの
Ａ−Ａにおける断面図、同図ｆｃｌはｔａｌ （１）
Ｂ −Ｂにおける断面図、第２図はダンピング効果の原
理図。 第３図は従来の半導体加速度センサの一例を示し同図ｆ
ａｌは横断面図、同図＋ｂｌはｆａｌのＡ−Ａζこおけ
る断面図、同図ｉｃｌは（ａｔのＢ−Ｂにおける断面図
、第４図は従来の半導体加速度センサの異なる例を示し
、同図（ａｔは横断面図、同図（ｂｌは（ａｔのＡ−Ａ
における断面図、同図ｆｃｌはｆａｌのＢ−Ｂにおける
断面図である。 ■・・・重り、２・・・梁、３・・・固定枠、５・・・
密閉容器、６・・・密封流体、ε・・・間隔（Ｎりと固
定枠との）。 ＩへＶ 否 ＼ ＼鵠 ＼、ノ
を示し、同図ｔａ＋は横断面図、同図（ｂｌは（ａｌの
Ａ−Ａにおける断面図、同図ｆｃｌはｔａｌ （１）
Ｂ −Ｂにおける断面図、第２図はダンピング効果の原
理図。 第３図は従来の半導体加速度センサの一例を示し同図ｆ
ａｌは横断面図、同図＋ｂｌはｆａｌのＡ−Ａζこおけ
る断面図、同図ｉｃｌは（ａｔのＢ−Ｂにおける断面図
、第４図は従来の半導体加速度センサの異なる例を示し
、同図（ａｔは横断面図、同図（ｂｌは（ａｔのＡ−Ａ
における断面図、同図ｆｃｌはｆａｌのＢ−Ｂにおける
断面図である。 ■・・・重り、２・・・梁、３・・・固定枠、５・・・
密閉容器、６・・・密封流体、ε・・・間隔（Ｎりと固
定枠との）。 ＩへＶ 否 ＼ ＼鵠 ＼、ノ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体からなる重りと、この重りの周囲を取り囲ん
だ半導体からなる固定枠と、前記重りと固定枠を弾性的
に結合しその撓みを測定する半導体ストレンゲージが設
けられた半導体からなる梁と、これら重りと固定枠と梁
とからなる結合体を収容する密閉容器と、この密閉容器
内に封入された密封流体とからなる半導体加速度センサ
において、密封容器は固定枠と、この固定枠に密封固着
された台座と、前記固定枠に密封固着された封止蓋とで
構成され、重りは固定枠に対して片持ち式に梁で結合さ
れるとともに前記重りと固定枠との間隔が梁結合部を除
き一定寸法に形成されたことを特徴とする半導体加速度
センサ。 ２）請求項１）記載の半導体加速度センサにおいて、梁
に設けられた半導体ストレンゲージは拡散技術により形
成されたことを特徴とする半導体加速度センサ。 ３）請求項１）あるいは２）記載の半導体加速度センサ
において、重りと固定枠と梁とが１個の半導体基板から
エッチング技術により一体構造として形成されたことを
特徴とする半導体加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2289859A JP2555219B2 (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 半導体加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2289859A JP2555219B2 (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 半導体加速度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04164259A true JPH04164259A (ja) | 1992-06-09 |
| JP2555219B2 JP2555219B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=17748685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2289859A Expired - Fee Related JP2555219B2 (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 半導体加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555219B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010145212A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Denso Corp | 半導体装置 |
| JP2010210425A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 加速度センサ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01163672A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-27 | Fujikura Ltd | 半導体加速度センサ |
| JPH01301175A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体加速度センサの衝撃緩和装置 |
| JPH02231571A (ja) * | 1988-04-11 | 1990-09-13 | Nippondenso Co Ltd | 加速度センサ |
-
1990
- 1990-10-26 JP JP2289859A patent/JP2555219B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01163672A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-27 | Fujikura Ltd | 半導体加速度センサ |
| JPH02231571A (ja) * | 1988-04-11 | 1990-09-13 | Nippondenso Co Ltd | 加速度センサ |
| JPH01301175A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体加速度センサの衝撃緩和装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010145212A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Denso Corp | 半導体装置 |
| JP2010210425A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 加速度センサ |
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| JP2555219B2 (ja) | 1996-11-20 |
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