JPH04164219A - 水圧センサの製造方法 - Google Patents
水圧センサの製造方法Info
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- JPH04164219A JPH04164219A JP28985490A JP28985490A JPH04164219A JP H04164219 A JPH04164219 A JP H04164219A JP 28985490 A JP28985490 A JP 28985490A JP 28985490 A JP28985490 A JP 28985490A JP H04164219 A JPH04164219 A JP H04164219A
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、トイレ、風呂、シャワー等における水圧の検
知などに用いられている水圧センサの製造方法に関する
。
知などに用いられている水圧センサの製造方法に関する
。
半導体を用いた水圧センサに被測定圧力を容器内に封じ
込めた流体を介してゲージ抵抗を備えた半層体夛イヤフ
ラムの一面に加えるものが知られている。第２図は液体
を封じ込めた液封型圧力センサを示す。この圧力センサ
においては、ダイヤフラム部にゲージ抵抗を備え、その
周辺に増幅器などの出力信号処理回路が集積された半導
体感圧チップ１が容器底板２にガラスの台座２１を介し
て接着剤３で固定され、チップ１上の出力端子は金属製
容器底板２をガラスブッシング４１を介して貫通するリ
ード端子４とアルミニウム線５によって接続されている
。容器底板２と側壁６と金属ダイヤフ・ラム７に囲まれ
た空間にはシリコーン油８が密封されている。そして、
ダイヤフラム７のその空間と反対側の面には容器上蓋９
の開口部９１を通じて被測定圧力が加えられる。チップ
１のゲージ抵抗の抵抗値は、シリコーン油８の圧力とチ
ップ１と台座２１に囲まれた空間２０の真空との圧力差
に応じて変化する。このような構造にすることによりチ
ップ１のダイヤフラムのゲージ面に水が接触することが
避けられる。なお、圧力伝達媒体２には気体を用いるこ
ともできる。
込めた流体を介してゲージ抵抗を備えた半層体夛イヤフ
ラムの一面に加えるものが知られている。第２図は液体
を封じ込めた液封型圧力センサを示す。この圧力センサ
においては、ダイヤフラム部にゲージ抵抗を備え、その
周辺に増幅器などの出力信号処理回路が集積された半導
体感圧チップ１が容器底板２にガラスの台座２１を介し
て接着剤３で固定され、チップ１上の出力端子は金属製
容器底板２をガラスブッシング４１を介して貫通するリ
ード端子４とアルミニウム線５によって接続されている
。容器底板２と側壁６と金属ダイヤフ・ラム７に囲まれ
た空間にはシリコーン油８が密封されている。そして、
ダイヤフラム７のその空間と反対側の面には容器上蓋９
の開口部９１を通じて被測定圧力が加えられる。チップ
１のゲージ抵抗の抵抗値は、シリコーン油８の圧力とチ
ップ１と台座２１に囲まれた空間２０の真空との圧力差
に応じて変化する。このような構造にすることによりチ
ップ１のダイヤフラムのゲージ面に水が接触することが
避けられる。なお、圧力伝達媒体２には気体を用いるこ
ともできる。
このような水圧センサは、５％程度の精度が要求されて
おり、そのために出力レベルの規定値への調整が行われ
る。出力レベルの調整は出力信号処理回路の薄膜抵抗を
トリミングすることによってできるが、そのあとでチッ
プを容器へ組込む際に出力レベルが変化することが予想
されるので、チップを容器へ組込んだのちリード端子４
が接続されるプリント板１０の上に実装された可変抵抗
１１の抵抗値を調整することによって行われる。
おり、そのために出力レベルの規定値への調整が行われ
る。出力レベルの調整は出力信号処理回路の薄膜抵抗を
トリミングすることによってできるが、そのあとでチッ
プを容器へ組込む際に出力レベルが変化することが予想
されるので、チップを容器へ組込んだのちリード端子４
が接続されるプリント板１０の上に実装された可変抵抗
１１の抵抗値を調整することによって行われる。
上記のように外部取付けの可変抵抗により出力レベルを
調整を行うことによってセンサ精度は確保できるが、外
部取付けの部品を必要とするため、原価上昇の一因とな
っている。
調整を行うことによってセンサ精度は確保できるが、外
部取付けの部品を必要とするため、原価上昇の一因とな
っている。
本発明の目的は、精度を確保すると共に、外部取付は部
品を不要にした安価な水圧センサの製造方法を提供する
ことにある。
品を不要にした安価な水圧センサの製造方法を提供する
ことにある。
上記の目的を達成するために、本発明は、ダイヤフラム
部にゲージ抵抗を備えた半導体素体が容器内に収容され
、ダイヤフラム部の一面が真空空間に、他面が圧力媒体
の密封された空間に接する水圧センサの製造方法におい
て、封入する圧力伝達媒体の圧力を調整して出力レベル
を規定値にするものとする。そのような方法において、
半導体素体を容器に収容する前に、半導体素体上に形成
され、ゲージ抵抗に接続された薄膜抵抗を出力レベルが
規定値以上になるようにトリミングすることが望ましい
。そして圧力伝達媒体として特にシリコーン油が有効に
用いることができる。
部にゲージ抵抗を備えた半導体素体が容器内に収容され
、ダイヤフラム部の一面が真空空間に、他面が圧力媒体
の密封された空間に接する水圧センサの製造方法におい
て、封入する圧力伝達媒体の圧力を調整して出力レベル
を規定値にするものとする。そのような方法において、
半導体素体を容器に収容する前に、半導体素体上に形成
され、ゲージ抵抗に接続された薄膜抵抗を出力レベルが
規定値以上になるようにトリミングすることが望ましい
。そして圧力伝達媒体として特にシリコーン油が有効に
用いることができる。
出力レベルを、圧力伝達媒体の封入圧力を調整すること
によって規定値に一致させることにより、外部取付は部
品を省略することができる。しかし、センサ出力レベル
は、容器に収容する前に測定される値より経時変化によ
り低下したり、あるいは圧力伝達媒体封入時にその圧力
が上昇する場合に低下したりすることがあるので、容器
収容前に半導体素体上の薄膜抵抗を出力レベルが規定値
以上になるようにトリミングすることが有効である。
によって規定値に一致させることにより、外部取付は部
品を省略することができる。しかし、センサ出力レベル
は、容器に収容する前に測定される値より経時変化によ
り低下したり、あるいは圧力伝達媒体封入時にその圧力
が上昇する場合に低下したりすることがあるので、容器
収容前に半導体素体上の薄膜抵抗を出力レベルが規定値
以上になるようにトリミングすることが有効である。
第１図は、本発明の一実施例を示し、第２図と共通の部
分には同一の符号が付されている。第２図の場合と同様
にワンチップ型の感圧ダイヤフラムチップ１が容器底板
２に台座２１を介して接着剤で固定され、チップ１上の
出力端子はリード端子４とアルミニウム線５によって接
続されている。
分には同一の符号が付されている。第２図の場合と同様
にワンチップ型の感圧ダイヤフラムチップ１が容器底板
２に台座２１を介して接着剤で固定され、チップ１上の
出力端子はリード端子４とアルミニウム線５によって接
続されている。
この状態で、感圧チップ１のゲージ面側から圧力を加え
、チップ上の薄膜抵抗をレーザトリミングしてセンサ精
度に必要となる感度調整と出力レベル調整を実施するが
、レベル調整については規定値より高いレベルになるよ
うにトリミングしておく。次いで、感圧チップを底板２
および上蓋９からなる容器に組込み、底板２と側壁６と
金属ダイヤフラム７に囲まれた空間にオイルタンク１０
に収容されたシリコーン油８を入口導管２２から封入す
る。封入は、出口導管２３に連結されたバルブ２４を開
いてシリコーン油を前記空間に充填したのちバルブ２４
を閉じ、リード端子４を用いてセンサの出力を測定しな
がら液圧調整装置２５により出力レベルが規定値になる
ように液圧を調整して行う。液圧を上げれば出力レベル
は低下するが、０．１〜０．２ｋｇ／ｃｄの範囲の液圧
調整により規定値に一致させることができる。このあと
、導管２２．２３を封じ切る。
、チップ上の薄膜抵抗をレーザトリミングしてセンサ精
度に必要となる感度調整と出力レベル調整を実施するが
、レベル調整については規定値より高いレベルになるよ
うにトリミングしておく。次いで、感圧チップを底板２
および上蓋９からなる容器に組込み、底板２と側壁６と
金属ダイヤフラム７に囲まれた空間にオイルタンク１０
に収容されたシリコーン油８を入口導管２２から封入す
る。封入は、出口導管２３に連結されたバルブ２４を開
いてシリコーン油を前記空間に充填したのちバルブ２４
を閉じ、リード端子４を用いてセンサの出力を測定しな
がら液圧調整装置２５により出力レベルが規定値になる
ように液圧を調整して行う。液圧を上げれば出力レベル
は低下するが、０．１〜０．２ｋｇ／ｃｄの範囲の液圧
調整により規定値に一致させることができる。このあと
、導管２２．２３を封じ切る。
本発明によれば、容器内に封入される圧力伝達媒体の圧
力の調整により出力レベルを規定値に一致させることに
より、外部取付部品なしに出力精度を確保した安価な水
圧センサを得ることができた。そして、予め感圧チップ
上の薄膜抵抗のトリミングで出力レベルを予め規定値よ
り高くしておけば、圧力伝達媒体の圧力の増大により出
力レベルを規定値に一致させることが容易にでき、また
圧力伝達媒体にシリコーン油を用いることにより、調整
がより容易になる。
力の調整により出力レベルを規定値に一致させることに
より、外部取付部品なしに出力精度を確保した安価な水
圧センサを得ることができた。そして、予め感圧チップ
上の薄膜抵抗のトリミングで出力レベルを予め規定値よ
り高くしておけば、圧力伝達媒体の圧力の増大により出
力レベルを規定値に一致させることが容易にでき、また
圧力伝達媒体にシリコーン油を用いることにより、調整
がより容易になる。
第１図は本発明の一実施例の水圧センサの液封時の断面
図、第２図は従来の水圧センサの断面図である。 １；感圧チップ、２；容器底板、２１；台座、４：リー
ド端子、５ニアルミニウム線、７：金属ダイヤフラム、
８：シリコーン油、９：容器上蓋、１０ニオイルタンク
、２５：圧力調整装置。 ・・１′、ミ
図、第２図は従来の水圧センサの断面図である。 １；感圧チップ、２；容器底板、２１；台座、４：リー
ド端子、５ニアルミニウム線、７：金属ダイヤフラム、
８：シリコーン油、９：容器上蓋、１０ニオイルタンク
、２５：圧力調整装置。 ・・１′、ミ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ダイヤフラム部にゲージ抵抗を備えた半導体素体が
容器内に収容され、ダイヤフラム部の一面が真空空間に
、他面が圧力伝達媒体の密封された空間に接する圧力セ
ンサの製造方法において、封入する圧力伝達媒体の圧力
を調整して出力レベルを規定値にすることを特徴とする
水圧センサの製造方法。 ２）請求項１記載の方法において、半導体素体を容器に
収容する前に、半導体素体上に形成され、ゲージ抵抗に
接続された薄膜抵抗を出力レベルが規定値以上になるよ
うにトリミングする水圧センサの製造方法。 ３）請求項１あるいは２記載の方法において、圧力伝達
媒体としてシリコーン油を用いる水圧センサの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28985490A JP2621636B2 (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 水圧センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28985490A JP2621636B2 (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 水圧センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04164219A true JPH04164219A (ja) | 1992-06-09 |
| JP2621636B2 JP2621636B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=17748624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28985490A Expired - Lifetime JP2621636B2 (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 水圧センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2621636B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103645007A (zh) * | 2013-11-27 | 2014-03-19 | 芜湖通和汽车管路系统有限公司 | 一种液压传感器芯片封装结构 |
| CN103645004A (zh) * | 2013-11-27 | 2014-03-19 | 芜湖通和汽车管路系统有限公司 | 一种压力传感器芯片封装结构 |
| JP2015503749A (ja) * | 2011-12-28 | 2015-02-02 | ポスコ | センサー装置及びそれを含む冷却設備の性能評価装置 |
-
1990
- 1990-10-26 JP JP28985490A patent/JP2621636B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015503749A (ja) * | 2011-12-28 | 2015-02-02 | ポスコ | センサー装置及びそれを含む冷却設備の性能評価装置 |
| CN103645007A (zh) * | 2013-11-27 | 2014-03-19 | 芜湖通和汽车管路系统有限公司 | 一种液压传感器芯片封装结构 |
| CN103645004A (zh) * | 2013-11-27 | 2014-03-19 | 芜湖通和汽车管路系统有限公司 | 一种压力传感器芯片封装结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2621636B2 (ja) | 1997-06-18 |
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