JPH04154956A - ＺｎＳｅ基材表面の処理方法 - Google Patents
ＺｎＳｅ基材表面の処理方法Info
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- JPH04154956A JPH04154956A JP27660490A JP27660490A JPH04154956A JP H04154956 A JPH04154956 A JP H04154956A JP 27660490 A JP27660490 A JP 27660490A JP 27660490 A JP27660490 A JP 27660490A JP H04154956 A JPH04154956 A JP H04154956A
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Landscapes
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- Laminated Bodies (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、一般的に言って．ＺｎＳｅ／ＺｎＳ積層品又
は「サンドイッチ」を化学気相成長技術により調製する
方法と、そのように作製された積層品とに関する。
は「サンドイッチ」を化学気相成長技術により調製する
方法と、そのように作製された積層品とに関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕赤外線
の透過する窓は、現在、多くの航空踏査又は航行装置の
入口開口部で使用されている。そのような窓のために用
いられる材料は、（ａ）窓がやってくる信号を有意に減
少させるべきでなくあるいは信号を雑音の多いものにす
べきでないこと、そして（ｂ）窓材料は高速飛行中に遭
遇する塵埃や雨に耐えるのに十分強いものであるべきで
あることを含めて、いくつかの基準を満たさなくてはな
らない。赤外領域において大いに透過性の材料であるセ
レン化亜鉛（ＺｎＳｅ）は、基準（ａ）を非常によく満
たし、それゆえにそのような窓の用途のための理想的な
候補と考えられる。ところが．ＺｎＳｅは、高速飛行中
の雨や塵埃の浸食に事実上耐えない「軟質」材料（ヌー
プ硬さ数約１２０、曲げ強さ約８０００ｐｓｉ （５６
３ｋｇ／ｃｎｆ）である。やはり赤外線の透過する材料
である硫化亜鉛（ＺｎＳ）には、セレン化亜鉛の優れた
光学的性質はないけれどは、この材料はよりはるかに強
く （ヌープ硬さ数約２４０、曲げ強さ約１５，０００
ｐＳｌ（１０５５ｋｇ／ｃＩ１１）、そして少なくとも
マツハ数的１までの高速飛行の条件に耐えることができ
る。
の透過する窓は、現在、多くの航空踏査又は航行装置の
入口開口部で使用されている。そのような窓のために用
いられる材料は、（ａ）窓がやってくる信号を有意に減
少させるべきでなくあるいは信号を雑音の多いものにす
べきでないこと、そして（ｂ）窓材料は高速飛行中に遭
遇する塵埃や雨に耐えるのに十分強いものであるべきで
あることを含めて、いくつかの基準を満たさなくてはな
らない。赤外領域において大いに透過性の材料であるセ
レン化亜鉛（ＺｎＳｅ）は、基準（ａ）を非常によく満
たし、それゆえにそのような窓の用途のための理想的な
候補と考えられる。ところが．ＺｎＳｅは、高速飛行中
の雨や塵埃の浸食に事実上耐えない「軟質」材料（ヌー
プ硬さ数約１２０、曲げ強さ約８０００ｐｓｉ （５６
３ｋｇ／ｃｎｆ）である。やはり赤外線の透過する材料
である硫化亜鉛（ＺｎＳ）には、セレン化亜鉛の優れた
光学的性質はないけれどは、この材料はよりはるかに強
く （ヌープ硬さ数約２４０、曲げ強さ約１５，０００
ｐＳｌ（１０５５ｋｇ／ｃＩ１１）、そして少なくとも
マツハ数的１までの高速飛行の条件に耐えることができ
る。
ＺｎＳｅ上に付着させた厚さ約ｌ ＋ｎｍのＺｎＳの層
は、ＺｎＳｅの光学的性質を有意に低下させることなく
純粋なＺｎＳの雨水浸食抵抗と同等の雨水浸食抵抗を有
する窓を製造するのに十分である、ということは知られ
ている。しかしながら、そのようなＺｎＳｅ／ＺｎＳ
ｒサンドイッチ」を製造するのにつきまとう問題があ
る。主要な問題の一つは．ＺｎＳｅ層とＺｎＳ層との間
の強固な結合を作ることである。このようなサンドイン
チを製作しようとする以前の試みの結果は、ＺｎＳ層が
研磨処理及び加工処理の間に剥げ落ちる製品であった。
は、ＺｎＳｅの光学的性質を有意に低下させることなく
純粋なＺｎＳの雨水浸食抵抗と同等の雨水浸食抵抗を有
する窓を製造するのに十分である、ということは知られ
ている。しかしながら、そのようなＺｎＳｅ／ＺｎＳ
ｒサンドイッチ」を製造するのにつきまとう問題があ
る。主要な問題の一つは．ＺｎＳｅ層とＺｎＳ層との間
の強固な結合を作ることである。このようなサンドイン
チを製作しようとする以前の試みの結果は、ＺｎＳ層が
研磨処理及び加工処理の間に剥げ落ちる製品であった。
このように．ＺｎＳｅ基材とＺｎＳ層との間の付着結合
が強固であるＺｎＳｅ／ Ｚ ｎ Ｓサンドイッチを製
造することができる方法が必要とされている。
が強固であるＺｎＳｅ／ Ｚ ｎ Ｓサンドイッチを製
造することができる方法が必要とされている。
そのような方法の一つの試みは．ＺｎＳｅ基材を化学的
にエツチングしてからＺｎＳ層を適用することであった
。結果として得られたサンドイッチの透過特性は有意の
影響を受けなかったとは言え、ＺｎＳｅ層とＺｎＳ層と
の間の結合の強さは改良されなかった。
にエツチングしてからＺｎＳ層を適用することであった
。結果として得られたサンドイッチの透過特性は有意の
影響を受けなかったとは言え、ＺｎＳｅ層とＺｎＳ層と
の間の結合の強さは改良されなかった。
１９８１年１２月１日発行のアルディンガー（Ａｌｄｉ
ｎｇｅｒ）らの米国特許第４３０３６３５号明細書は、
化学気相成（５） ′ 長（ＣＶＤ）技術により製造される光学等級の硫化亜鉛
物体を開示する。それらは、高いガス圧力下に高温で後
処理にかけられる。ＣＶＤ技術が一般的に開示されては
いるが、硫化亜鉛物体はＺｎＳｅ基村上では形成されず
、それゆえに結合強さの問題は扱われていない。
ｎｇｅｒ）らの米国特許第４３０３６３５号明細書は、
化学気相成（５） ′ 長（ＣＶＤ）技術により製造される光学等級の硫化亜鉛
物体を開示する。それらは、高いガス圧力下に高温で後
処理にかけられる。ＣＶＤ技術が一般的に開示されては
いるが、硫化亜鉛物体はＺｎＳｅ基村上では形成されず
、それゆえに結合強さの問題は扱われていない。
１９８４年５月８日発行のピーターズ（Ｐｅｔｅｒｓ）
の米国特許第４４４７４６９号明細書は、気相反応物（
例えばジメチル亜鉛）と中性の、電荷のない硫黄原子と
を反応させて基材上に例えばＺｎＳを堆積させるための
低温法を開示する。
の米国特許第４４４７４６９号明細書は、気相反応物（
例えばジメチル亜鉛）と中性の、電荷のない硫黄原子と
を反応させて基材上に例えばＺｎＳを堆積させるための
低温法を開示する。
１９８８年９月１３日発行のテ二−ティソン（７’ｕｔ
ｉｓｏｎ）の米国特許第４７７０４７９号明細書及び１
９８８年９月２０日発行のテユーティソンの米国特許第
４７７２０８０号明細書は．ＺｎＳｅ又はＺｎＳの光学
観測窓のＣＶＤ法による製造を一般的に開示する。
ｉｓｏｎ）の米国特許第４７７０４７９号明細書及び１
９８８年９月２０日発行のテユーティソンの米国特許第
４７７２０８０号明細書は．ＺｎＳｅ又はＺｎＳの光学
観測窓のＣＶＤ法による製造を一般的に開示する。
特開昭５５−１３０８０４号公報は、水素とセレン蒸気
とを反応させてセレン化水素を生成させ、次いでこれを
ＣＶＤ法により亜鉛蒸気と反応させることにより調製さ
れる．ＺｎＳｅ物品を製造するためのＺｎＳｅを開示す
る。
とを反応させてセレン化水素を生成させ、次いでこれを
ＣＶＤ法により亜鉛蒸気と反応させることにより調製さ
れる．ＺｎＳｅ物品を製造するためのＺｎＳｅを開示す
る。
特開昭５５−１３０８０５号公報は、亜鉛蒸気とセレン
蒸気とを混合してＺｎＳｅの堆積を引き起こすことによ
るＺｎＳｅの製造を開示する。
蒸気とを混合してＺｎＳｅの堆積を引き起こすことによ
るＺｎＳｅの製造を開示する。
特開昭５９−１４６９１５号公報は、金属亜鉛が基材へ
向かわされる一方で硫黄及び／又はセレン化合物のガス
が供供されて、そのためにＺｎＳ及び／又はＺｎＳｅが
基材へ付着させられる方法を開示する。
向かわされる一方で硫黄及び／又はセレン化合物のガス
が供供されて、そのためにＺｎＳ及び／又はＺｎＳｅが
基材へ付着させられる方法を開示する。
特開昭５７−１１８００４号公報は、セレン化水素が不
活性ガスで希釈されて高温炉内の反応管へ供給される方
法を開示する。基材上にＺｎＳｅを成長させるために、
不活性のキャリヤーガスが亜鉛蒸気が得られるように溶
融亜鉛上へ導かれる。
活性ガスで希釈されて高温炉内の反応管へ供給される方
法を開示する。基材上にＺｎＳｅを成長させるために、
不活性のキャリヤーガスが亜鉛蒸気が得られるように溶
融亜鉛上へ導かれる。
特開昭６０−１５９５６２号公報は、加熱サイクルにか
けられた場合に基材に対する優れた付着付を有するＺｎ
Ｓ−ＺｎＳｅの赤外線透過材料を製造するための方法を
開示する。ＺｎＳｅに対するＺｎＳの付着性を向上させ
るのに有効である混成結晶層が、ＺｎＳとＺｎＳｅとの
界面に形成される。この方法は、ＺｎＳｅ基板をＣＶＤ
合成炉へ入れ、そして亜鉛蒸気を８２Ｓガス及びＨ２Ｓ
ｅガスと一緒に導入することを必要とする。
けられた場合に基材に対する優れた付着付を有するＺｎ
Ｓ−ＺｎＳｅの赤外線透過材料を製造するための方法を
開示する。ＺｎＳｅに対するＺｎＳの付着性を向上させ
るのに有効である混成結晶層が、ＺｎＳとＺｎＳｅとの
界面に形成される。この方法は、ＺｎＳｅ基板をＣＶＤ
合成炉へ入れ、そして亜鉛蒸気を８２Ｓガス及びＨ２Ｓ
ｅガスと一緒に導入することを必要とする。
Ｈ２Ｓｅノ流量は１００％ｌ（、Ｓｅから０％）ＩａＳ
ｅ（ｌＱＱ％Ｈ２Ｓ）まで変えられ、この後にはＨ２Ｓ
のみが存在する。
ｅ（ｌＱＱ％Ｈ２Ｓ）まで変えられ、この後にはＨ２Ｓ
のみが存在する。
〔課題を解決するための手段及び作用効果〕本発明によ
れば．ＺｎＳｅ上へのＺｎＳの化学気相成長によりＺｎ
Ｓｅ基材上にＺｎＳ層を形成する方法であって、ＺｎＳ
の化学気相成長よりも前に．ＺｎＳｅ基材を金属亜鉛蒸
気の不存在下でＨ２Ｓと、このＨ２Ｓと当該ＺｎＳｅ基
材の表面との反応を引き起こすのに十分なだけの温度に
おいて且つそれに十分なだけの時間接触させることを特
徴とする改良方法が提供される。
れば．ＺｎＳｅ上へのＺｎＳの化学気相成長によりＺｎ
Ｓｅ基材上にＺｎＳ層を形成する方法であって、ＺｎＳ
の化学気相成長よりも前に．ＺｎＳｅ基材を金属亜鉛蒸
気の不存在下でＨ２Ｓと、このＨ２Ｓと当該ＺｎＳｅ基
材の表面との反応を引き起こすのに十分なだけの温度に
おいて且つそれに十分なだけの時間接触させることを特
徴とする改良方法が提供される。
本発明によってやはり提供されるのは、下記の工程（Ａ
） 〜（Ｃ）を含む、ＺｎＳｅ上へのＺｎＳの化学気相
成長によりＺｎＳｅ基材上にＺｎＳ層を形成する方法で
ある。その工程とは、すなわち、（Ａ）化学気相成長室
において、金属亜鉛蒸気の不存在下にＺｎＳｅ基材を．
ＺｎＳｅとＨ２Ｓとの反応を引き起こすのに十分なだけ
の温度まで加熱する工程、 （Ｂ）金属亜鉛蒸気の不存在下に、１ｎＳｅとＨ２Ｓと
をＨ２ＳがＺｎＳｅの表面と反応するに至るまで接触さ
せる工程、 （Ｃ）金属亜鉛蒸気をＨ２Ｓの存在下に当該化学気相成
長室へ導入し、そして化学気相成長によりＺｎＳｅ上へ
ＺｎＳの層を堆積させる工程、である。
） 〜（Ｃ）を含む、ＺｎＳｅ上へのＺｎＳの化学気相
成長によりＺｎＳｅ基材上にＺｎＳ層を形成する方法で
ある。その工程とは、すなわち、（Ａ）化学気相成長室
において、金属亜鉛蒸気の不存在下にＺｎＳｅ基材を．
ＺｎＳｅとＨ２Ｓとの反応を引き起こすのに十分なだけ
の温度まで加熱する工程、 （Ｂ）金属亜鉛蒸気の不存在下に、１ｎＳｅとＨ２Ｓと
をＨ２ＳがＺｎＳｅの表面と反応するに至るまで接触さ
せる工程、 （Ｃ）金属亜鉛蒸気をＨ２Ｓの存在下に当該化学気相成
長室へ導入し、そして化学気相成長によりＺｎＳｅ上へ
ＺｎＳの層を堆積させる工程、である。
本発明によれば．ＺｎＳｅ上へＺｎＳを堆積させるより
も前に．ＺｎＳｅを金属亜鉛蒸気の不存在下でＨ２Ｓと
、このＨ２ＳをＺｎＳｅと反応させるのに十分なだけの
温度において且つそれに十分なだけの時間接触させるこ
とを含む、ＺｎＳの化学気相成長層のＺｎＳｅ基材への
付着性を向上させる方法も提供される。
も前に．ＺｎＳｅを金属亜鉛蒸気の不存在下でＨ２Ｓと
、このＨ２ＳをＺｎＳｅと反応させるのに十分なだけの
温度において且つそれに十分なだけの時間接触させるこ
とを含む、ＺｎＳの化学気相成長層のＺｎＳｅ基材への
付着性を向上させる方法も提供される。
本発明によれば更に、上述の方法により製造された製品
が提供される。
が提供される。
本発明によれば、化学気相成長により表面上にＺｎＳ層
を堆積させたＺｎＳｅ基材を含んでなる赤外線光学エレ
メントであって、当該ＺｎＳｅ基材の表面がＺｎＳの堆
積よりも前にＨ２Ｓと反応させられて、それにより当該
基材の表面が粗くされている赤外線光学エレメントが提
供される。
を堆積させたＺｎＳｅ基材を含んでなる赤外線光学エレ
メントであって、当該ＺｎＳｅ基材の表面がＺｎＳの堆
積よりも前にＨ２Ｓと反応させられて、それにより当該
基材の表面が粗くされている赤外線光学エレメントが提
供される。
本発明によれば、化学気相成長により表面上にＺｎＳ層
を堆積させたＺｎＳｅ基材を含んでなる赤外線光学エレ
メントであって、当該ＺｎＳｅ基材の表面がＺｎＳ層の
堆積よりも前にＨ２Ｓと反応させられて、それにより当
該基材の表面が粗くされていることを特徴とする、改良
された赤外線光学エレメントも提供される。
を堆積させたＺｎＳｅ基材を含んでなる赤外線光学エレ
メントであって、当該ＺｎＳｅ基材の表面がＺｎＳ層の
堆積よりも前にＨ２Ｓと反応させられて、それにより当
該基材の表面が粗くされていることを特徴とする、改良
された赤外線光学エレメントも提供される。
次に、本発明の詳細な説明す、る。
ＺｎＳ層又はコーティングがその上にあるＺｎＳｅ基材
を含んでなる物品（時として「積層品」又は「サンドイ
ッチ」と称される）は、化学気相成長技術により製造す
ることができる。一般に、この技術は、公知の化学気相
成長法でＺｎＳｅ基材を作製し、所望される場合にはこ
のＺｎＳｅ基材を成形及び研摩し、次いで化学気相成長
によってこのＺｎＳｅ基材の表面上へＺｎＳの層を堆積
させることを伴う。
を含んでなる物品（時として「積層品」又は「サンドイ
ッチ」と称される）は、化学気相成長技術により製造す
ることができる。一般に、この技術は、公知の化学気相
成長法でＺｎＳｅ基材を作製し、所望される場合にはこ
のＺｎＳｅ基材を成形及び研摩し、次いで化学気相成長
によってこのＺｎＳｅ基材の表面上へＺｎＳの層を堆積
させることを伴う。
結果として得られた「サンドイッチ」は次いで所望の形
状にされ、そして研摩される。
状にされ、そして研摩される。
本発明は．ＺｎＳｅとＺｎＳとの間の付着を向上させて
、その結果としてこれらの層間の結合がより強くなり且
つ最終製品の製作中に積層剥離の起こることがより少な
くなる、上記のＺｎＳｅ／ＺｎＳ ｒサンドイッチ」
の製造方法を提供する。ＺｎＳｅ層及びＺｎＳ層間の付
着力の増大は、曲げ強さについて試験を行った場合に「
サンドイッチ」が結合層に沿って折れる（層間の付着が
弱い場合にそうなるであろうように）と言うよりもむし
ろそれを横切って折れるという事実によって証明される
。本発明の主要な利点のうちの一つは、この増大した付
着力が公知の方法を用いるよりもむらなく達成され、か
くして使用可能な「サンドイッチ」の収率が上昇すると
いうことである。
、その結果としてこれらの層間の結合がより強くなり且
つ最終製品の製作中に積層剥離の起こることがより少な
くなる、上記のＺｎＳｅ／ＺｎＳ ｒサンドイッチ」
の製造方法を提供する。ＺｎＳｅ層及びＺｎＳ層間の付
着力の増大は、曲げ強さについて試験を行った場合に「
サンドイッチ」が結合層に沿って折れる（層間の付着が
弱い場合にそうなるであろうように）と言うよりもむし
ろそれを横切って折れるという事実によって証明される
。本発明の主要な利点のうちの一つは、この増大した付
着力が公知の方法を用いるよりもむらなく達成され、か
くして使用可能な「サンドイッチ」の収率が上昇すると
いうことである。
本発明のもう一つの利点は．ＺｎＳｅ基材上のＺｎＳ層
の均一な成長が公知の方法を用いるよりもむらなく達成
されるということである。
の均一な成長が公知の方法を用いるよりもむらなく達成
されるということである。
本発明の方法は．ＺｎＳｅ基材（これは大抵の場合には
予備成形される）をＨ２Ｓと、Ｈ２ＳをＺｎＳｅ基材の
表面と反応させるのに十分な温度で且つそうするのに十
分な時間接触させることを本質的に必要とする。
予備成形される）をＨ２Ｓと、Ｈ２ＳをＺｎＳｅ基材の
表面と反応させるのに十分な温度で且つそうするのに十
分な時間接触させることを本質的に必要とする。
何らかの特定の理論により本発明を限定するわけではな
いながらも、Ｈ２ＳとＺｎＳｅとの反応はＺｎＳｅ基材
の表面から酸素及び他の汚染物質を取除き、そしてＺｎ
Ｓｅのうちの一部をＺｎＳに転化させる、と信じられる
。
いながらも、Ｈ２ＳとＺｎＳｅとの反応はＺｎＳｅ基材
の表面から酸素及び他の汚染物質を取除き、そしてＺｎ
Ｓｅのうちの一部をＺｎＳに転化させる、と信じられる
。
本発明の方法で使用される温度は重要ではなく、温度は
Ｈ２ＳとＺｎＳｅとを反応させるのに十分なだけ高く、
すなわち約２００℃より高く、且つＺｎＳｅが悪影響を
被らないだけ十分に低い、ということが必要なだけであ
る。
Ｈ２ＳとＺｎＳｅとを反応させるのに十分なだけ高く、
すなわち約２００℃より高く、且つＺｎＳｅが悪影響を
被らないだけ十分に低い、ということが必要なだけであ
る。
１（２Ｓを金属亜鉛蒸気の不存在下においてＺｎＳｅと
反応させるということは、本発明にとって不可欠である
。これは、二つのやり方で達成することができる。第一
の方法は、金属亜鉛蒸気をそれがＺｎＳｅ又はＨ２Ｓと
接触できないように物理的に閉じ込めることである。こ
れは、ＺｎＳｅ及びＨ３Ｓが金属亜鉛の蒸発温度よりも
高い温度で反応するのを可能にする。第二の、そして好
ましい方法は、金属亜鉛の蒸発温度よりも低い温度で、
すなわち約り１９℃〜約６８５℃でＺｎＳｅとＨ２Ｓと
を反応させることである。これは．ＺｎＳｅと金属亜鉛
（しなしながらこれは蒸気ではない）の両方を同じ化学
気相成長室に入れ、そしてＺｎＳｅとＨ２Ｓとを金属亜
鉛の存在下で（しかしながらその実質的な量の蒸気は存
在しない）反応させることによって、「サンドイッチ」
を都合よく製造するのを可能にする。Ｈ２ＳがＺｎＳｅ
と十分に反応したならば、単に成長室の温度を上げて金
属亜鉛を蒸発させるだけで、ＺｎＳの化学気相成長を開
始させることができる。
反応させるということは、本発明にとって不可欠である
。これは、二つのやり方で達成することができる。第一
の方法は、金属亜鉛蒸気をそれがＺｎＳｅ又はＨ２Ｓと
接触できないように物理的に閉じ込めることである。こ
れは、ＺｎＳｅ及びＨ３Ｓが金属亜鉛の蒸発温度よりも
高い温度で反応するのを可能にする。第二の、そして好
ましい方法は、金属亜鉛の蒸発温度よりも低い温度で、
すなわち約り１９℃〜約６８５℃でＺｎＳｅとＨ２Ｓと
を反応させることである。これは．ＺｎＳｅと金属亜鉛
（しなしながらこれは蒸気ではない）の両方を同じ化学
気相成長室に入れ、そしてＺｎＳｅとＨ２Ｓとを金属亜
鉛の存在下で（しかしながらその実質的な量の蒸気は存
在しない）反応させることによって、「サンドイッチ」
を都合よく製造するのを可能にする。Ｈ２ＳがＺｎＳｅ
と十分に反応したならば、単に成長室の温度を上げて金
属亜鉛を蒸発させるだけで、ＺｎＳの化学気相成長を開
始させることができる。
Ｈ２Ｓは、それをＺｎＳｅと反応させるのに十分なだけ
の時間ＺｎＳｅと接触させなくてはならない。当業者に
とっては明らかであるように、この反応時間は、化学気
相成長室で用いられる条件（例えば温度、圧力、Ｈ２Ｓ
流量）によってかなり変えることができる。一般には、
約２時間の最小反応時間が必要とされよう。当業者は．
ＺｎＳｅ基材とＨ２Ｓとの反応は視覚的に認めることが
できるＺｎＳｅ基材表面Ｃ１３） のエツチング又は粗面化を伴うので、特定の組の条件下
で必要な反応時間をたやすく決めることができる。この
ように．ＺｎＳｅをその表面のエツチング又は粗面化を
検出するのに十分なだけ長＜ Ｈ２Ｓと接触させ゛た場
合には、これが反応が起こったという指標を与える。も
ちろんながらＨ２ＳはＺｎＳｅと、これらの二つが不利
な結果に至ることな（反応するための最小限の時間より
も長い間接触させても差支えはないながらも、そのよう
なより長い接触時間は少しの特別な利益も提供しない。
の時間ＺｎＳｅと接触させなくてはならない。当業者に
とっては明らかであるように、この反応時間は、化学気
相成長室で用いられる条件（例えば温度、圧力、Ｈ２Ｓ
流量）によってかなり変えることができる。一般には、
約２時間の最小反応時間が必要とされよう。当業者は．
ＺｎＳｅ基材とＨ２Ｓとの反応は視覚的に認めることが
できるＺｎＳｅ基材表面Ｃ１３） のエツチング又は粗面化を伴うので、特定の組の条件下
で必要な反応時間をたやすく決めることができる。この
ように．ＺｎＳｅをその表面のエツチング又は粗面化を
検出するのに十分なだけ長＜ Ｈ２Ｓと接触させ゛た場
合には、これが反応が起こったという指標を与える。も
ちろんながらＨ２ＳはＺｎＳｅと、これらの二つが不利
な結果に至ることな（反応するための最小限の時間より
も長い間接触させても差支えはないながらも、そのよう
なより長い接触時間は少しの特別な利益も提供しない。
本発明に従ってＺｎＳｅ／ＺｎＳ ｒサンドイッチ」
を工業的に生産する際には、最小反応時間の決定は生産
要素にならない。典型的な工業用の処理においては、Ｈ
２Ｓは、化学気相成長室の温度を約４１９℃（金属亜鉛
の融点）から金属亜鉛の堆積温度（約６８５℃）まで上
昇させる間にＺｎＳｅ基材と接触させられる。この時間
は使用される特定の装置及び手順によって異なるとは言
うものの、典型的な工業用の処理においては、それはＨ
２Ｓ及びＺｎＳｅを反応させるのに十分なだけの時間よ
りも長い。
を工業的に生産する際には、最小反応時間の決定は生産
要素にならない。典型的な工業用の処理においては、Ｈ
２Ｓは、化学気相成長室の温度を約４１９℃（金属亜鉛
の融点）から金属亜鉛の堆積温度（約６８５℃）まで上
昇させる間にＺｎＳｅ基材と接触させられる。この時間
は使用される特定の装置及び手順によって異なるとは言
うものの、典型的な工業用の処理においては、それはＨ
２Ｓ及びＺｎＳｅを反応させるのに十分なだけの時間よ
りも長い。
本発明は、以下に掲げる実施例により例示される。
ＺｎＳｅ基材（これは、通常の化学気相成長法で前もっ
て作製され、所望の形状に成形され、そして研摩されて
いる）を、金属亜鉛と一緒に通常の気相成長室に入れた
。この成長室を排気して真空にし、そして約３００℃に
加熱した。成長室の温度を約６００℃まで上げる間に、
成長室へのアルゴンの流入を開始した。成長室内に亜鉛
蒸気は存在しなかった。Ｈ２Ｓ （アルゴンと一緒）の
成長室への流入を開始し、そして約１２時間続けた。こ
の間成長室内に亜鉛蒸気は存在しなかった。Ｈ２Ｓの流
れを続けながら成長室温度を約６９０℃に上昇させ、そ
して金属亜鉛蒸気（アルゴンと一緒）の成長室への流入
を開始した。次いで通常のやり方でもって、ＺｎＳをＺ
ｎＳｅ基材上へ堆積させた。
て作製され、所望の形状に成形され、そして研摩されて
いる）を、金属亜鉛と一緒に通常の気相成長室に入れた
。この成長室を排気して真空にし、そして約３００℃に
加熱した。成長室の温度を約６００℃まで上げる間に、
成長室へのアルゴンの流入を開始した。成長室内に亜鉛
蒸気は存在しなかった。Ｈ２Ｓ （アルゴンと一緒）の
成長室への流入を開始し、そして約１２時間続けた。こ
の間成長室内に亜鉛蒸気は存在しなかった。Ｈ２Ｓの流
れを続けながら成長室温度を約６９０℃に上昇させ、そ
して金属亜鉛蒸気（アルゴンと一緒）の成長室への流入
を開始した。次いで通常のやり方でもって、ＺｎＳをＺ
ｎＳｅ基材上へ堆積させた。
結果として得られたＺｎＳｅ／ＺｎＳ ｒサンドイッ
チ」は．ＺｎＳｅ層とＺｎＳ層との間の結合が強固であ
って、これらの層の剥離を生じることなしに加工及び研
磨が行われた。
チ」は．ＺｎＳｅ層とＺｎＳ層との間の結合が強固であ
って、これらの層の剥離を生じることなしに加工及び研
磨が行われた。
Claims (9)
- １．ＺｎＳｅ上へのＺｎＳの化学気相成長によりＺｎＳ
ｅ基材上にＺｎＳ層を形成する方法であって、ＺｎＳの
化学気相成長よりも前に、ＺｎＳｅ基材を金属亜鉛蒸気
の不存在下でＨ＿２Ｓと、このＨ＿２Ｓと当該ＺｎＳｅ
基材の表面との反応を引き起こすのに十分なだけの温度
において且つそれに十分なだけの時間接触させることを
特徴とする上記の方法。 - ２．前記ＺｎＳｅ基材の反応に続いてＺｎＳの化学気相
成長が行われる、請求項１記載の方法。 - ３．下記の工程（Ａ）〜（Ｃ）を含む、ＺｎＳｅ上への
ＺｎＳの化学気相成長によりＺｎＳｅ基材上にＺｎＳ層
を形成する方法。 （Ａ）化学気相成長室において、金属亜鉛蒸気の不存在
下にＺｎＳｅ基材を、ＺｎＳｅとＨ＿２Ｓとの反応を引
き起こすのに十分なだけの温度まで加熱する工程 （Ｂ）金属亜鉛蒸気の不存在下に、上記ＺｎＳｅ基材と
Ｈ＿２ＳとをＨ＿２ＳがＺｎＳｅの表面と反応するに至
るまで接触させる工程 （Ｃ）金属亜鉛蒸気をＨ＿２Ｓの存在下において上記成
長室へ導入し、そして化学気相成長により当該ＺｎＳｅ
上へＺｎＳの層を堆積させる工程 - ４．ＺｎＳｅ上へＺｎＳを堆積させるよりも前に、Ｚｎ
Ｓｅを金属亜鉛蒸気の不存在下でＨ＿２Ｓと、このＨ＿
２ＳをＺｎＳｅと反応させるのに十分なだけの温度にお
いて且つそれに十分なだけの時間接触させることを含む
、ＺｎＳの化学気相成長層のＺｎＳｅ基材への付着性を
向上させる方法。 - ５．請求項１又は２記載の方法により製造された製品。
- ６．請求項３記載の方法により製造された製品。
- ７．請求項４記載の方法により製造された製品。
- ８．化学気相成長により表面上にＺｎＳ層を堆積させた
ＺｎＳｅ基材を含んでなる赤外線光学エレメントであっ
て、当該ＺｎＳｅ基材の表面がＺｎＳの堆積よりも前に
金属亜鉛蒸気の不存在下でＨ＿２Ｓと反応させられて、
それにより当該基材の表面が粗くされている、上記の赤
外線光学エレメント。 - ９．化学気相成長により表面上へＺｎ層を堆積させたＺ
ｎＳｅ基材を含んでなる赤外線光学エレメントであって
、当該ＺｎＳｅ基材の表面がＺｎＳ層の堆積よりも前に
Ｈ＿２Ｓと反応させられて、それにより当該基材の表面
が粗くされていることを特徴とする赤外線光学エレメン
ト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27660490A JPH07116607B2 (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | ＺｎＳｅ基材表面の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27660490A JPH07116607B2 (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | ＺｎＳｅ基材表面の処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04154956A true JPH04154956A (ja) | 1992-05-27 |
| JPH07116607B2 JPH07116607B2 (ja) | 1995-12-13 |
Family
ID=17571760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27660490A Expired - Fee Related JPH07116607B2 (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | ＺｎＳｅ基材表面の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07116607B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115491654A (zh) * | 2022-08-29 | 2022-12-20 | 江苏布拉维光学科技有限公司 | 一种制备硒化锌硫化锌叠层光学材料的方法 |
-
1990
- 1990-10-17 JP JP27660490A patent/JPH07116607B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115491654A (zh) * | 2022-08-29 | 2022-12-20 | 江苏布拉维光学科技有限公司 | 一种制备硒化锌硫化锌叠层光学材料的方法 |
| CN115491654B (zh) * | 2022-08-29 | 2024-01-16 | 江苏布拉维光学科技有限公司 | 一种制备硒化锌硫化锌叠层光学材料的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07116607B2 (ja) | 1995-12-13 |
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