JPH04151830A - シリコンウエハ洗浄装置 - Google Patents
シリコンウエハ洗浄装置Info
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- JPH04151830A JPH04151830A JP27531890A JP27531890A JPH04151830A JP H04151830 A JPH04151830 A JP H04151830A JP 27531890 A JP27531890 A JP 27531890A JP 27531890 A JP27531890 A JP 27531890A JP H04151830 A JPH04151830 A JP H04151830A
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、シリコンウェハの洗浄工程において洗浄槽を
用いないでシリコンウェハを洗浄するための洗浄装置に
関する。
用いないでシリコンウェハを洗浄するための洗浄装置に
関する。
(従来の技術)
シリコンウェハの製造工程において、シリコンウェハの
表面は清浄に保つ必要がある。たとえば、7オトエツチ
ングの際にシリコンウェハの表面に塵が付着している等
の汚染があると配線ショートや断線の原因となる等、製
品の性能と信頼性を向=1 」ニさせるためにはシリコンウェハの表面の汚染物質を
極力低減させる必要がある。そのため、シリコンウェハ
製造上程中においても酸化膜生成前の前洗浄、7オトエ
ツチング後の後洗浄等の洗浄工程がある。
表面は清浄に保つ必要がある。たとえば、7オトエツチ
ングの際にシリコンウェハの表面に塵が付着している等
の汚染があると配線ショートや断線の原因となる等、製
品の性能と信頼性を向=1 」ニさせるためにはシリコンウェハの表面の汚染物質を
極力低減させる必要がある。そのため、シリコンウェハ
製造上程中においても酸化膜生成前の前洗浄、7オトエ
ツチング後の後洗浄等の洗浄工程がある。
シリコンウェハの洗浄は、第3図に示すようにウェハキ
ャリア5にシリコンウェハ4を何枚がまとめて平行にセ
ットし、N H4011+H202+ 020、ItC
l+I−1、O、+ II 、0等の薬液の入った薬液
洗浄槽13Aにウェハキャリア5ごと浸漬し、薬液洗浄
後は純水洗浄′m14A、14Aに浸漬することにより
行っている。
ャリア5にシリコンウェハ4を何枚がまとめて平行にセ
ットし、N H4011+H202+ 020、ItC
l+I−1、O、+ II 、0等の薬液の入った薬液
洗浄槽13Aにウェハキャリア5ごと浸漬し、薬液洗浄
後は純水洗浄′m14A、14Aに浸漬することにより
行っている。
そして、これら薬液は洗浄効果を高めるため加熱するこ
とが多く、たとえば、N I−1、0I−1や1−IC
の場合には80℃程度、Il 、S O、や有機溶剤の
ジクロルベンゼン等を用いる場合には120℃程度に加
熱する。そうすると、加熱された薬液洗浄槽13Aから
は薬液や水分が蒸発し、薬液洗浄槽13Aを含む洗浄室
15A内は当該薬液の雰囲気となる。
とが多く、たとえば、N I−1、0I−1や1−IC
の場合には80℃程度、Il 、S O、や有機溶剤の
ジクロルベンゼン等を用いる場合には120℃程度に加
熱する。そうすると、加熱された薬液洗浄槽13Aから
は薬液や水分が蒸発し、薬液洗浄槽13Aを含む洗浄室
15A内は当該薬液の雰囲気となる。
このように、洗浄室15A内が薬液雰囲気となると、た
とえばN H40Hで洗浄した後HClで洗浄するとい
うように異種の薬液で洗浄する必要がある場合、両方の
薬液の雰囲気同志が接触すると反応により塩が生成して
しまう等の問題があるので、各薬液について洗浄室を1
5A、15Bと別個にしなければならない。しかも、こ
れら両洗浄室間を通してウェハキャリア5を搬送する必
要がある。したがって、両室15Δ、15B間の仕切り
部16はウェハキャリア5を搬送可能で、かつ雰囲気的
に分離する必要が生じ、上下スライド式仕切り等の雰囲
気分離装置を設ける。
とえばN H40Hで洗浄した後HClで洗浄するとい
うように異種の薬液で洗浄する必要がある場合、両方の
薬液の雰囲気同志が接触すると反応により塩が生成して
しまう等の問題があるので、各薬液について洗浄室を1
5A、15Bと別個にしなければならない。しかも、こ
れら両洗浄室間を通してウェハキャリア5を搬送する必
要がある。したがって、両室15Δ、15B間の仕切り
部16はウェハキャリア5を搬送可能で、かつ雰囲気的
に分離する必要が生じ、上下スライド式仕切り等の雰囲
気分離装置を設ける。
(発明が解決しようとする課題)
ところで、このように洗浄槽に洗浄液を満たし、そこに
シリコンウェハを浸漬する方法では、洗浄によりシリコ
ンウェハ表面から剥離した汚染物質は洗浄液に含まれて
搬送され、最終的には洗浄液とともに洗浄槽上端部から
オーバーフローすること1こなっている。しかし、実際
には直ちにオーバーフローせず、洗浄槽中央部の洗浄液
上面に浮遊する汚染物質もある。そうすると、洗浄終了
後ウェハキャリアを洗浄槽から引き」二げる際1こ、こ
れら浮遊汚染物質がシリコンウェハに再イ11着してし
まう問題がある。
シリコンウェハを浸漬する方法では、洗浄によりシリコ
ンウェハ表面から剥離した汚染物質は洗浄液に含まれて
搬送され、最終的には洗浄液とともに洗浄槽上端部から
オーバーフローすること1こなっている。しかし、実際
には直ちにオーバーフローせず、洗浄槽中央部の洗浄液
上面に浮遊する汚染物質もある。そうすると、洗浄終了
後ウェハキャリアを洗浄槽から引き」二げる際1こ、こ
れら浮遊汚染物質がシリコンウェハに再イ11着してし
まう問題がある。
そこで、本発明はこのような問題点を解決するために、
洗浄槽を用いない洗浄装置を提供することを目的とする
。
洗浄槽を用いない洗浄装置を提供することを目的とする
。
(a題を解決するための手段)
本発明は、シリコンウェハを収容したウェハキャリアを
搬送する搬送装置と、洗浄液をシリコンウェハに噴霧す
る洗浄スプレーとを4イ11えた洗浄ユニットを雰囲気
分離装置を介して接続したことを特徴とするシリコンウ
ェハ洗浄装置である。
搬送する搬送装置と、洗浄液をシリコンウェハに噴霧す
る洗浄スプレーとを4イ11えた洗浄ユニットを雰囲気
分離装置を介して接続したことを特徴とするシリコンウ
ェハ洗浄装置である。
(作用)
本発明の洗浄装置は、洗浄槽の代わりに洗浄スプレーを
用いることとした。そして、シリコンウェハを収容した
「7エハキヤリアは、洗浄スプレーから洗浄iαの噴霧
を受けつつ搬送装置により洗浄ユニット内を搬送される
。
用いることとした。そして、シリコンウェハを収容した
「7エハキヤリアは、洗浄スプレーから洗浄iαの噴霧
を受けつつ搬送装置により洗浄ユニット内を搬送される
。
シリコンウェハの洗浄工程においては、前述の通り薬液
、純水等と洗浄液を代えて洗浄を続けるのであるが、本
発明の洗浄装置は1種類の洗浄液に刈して洗浄ユニット
を1個用いることとし、雰囲気分離装置を介して必要な
洗浄液の数だけ洗浄ユニットを接続した。したがって、
洗浄ユニット内を洗浄液の噴霧を受けつつ搬送されたシ
リコンウェハは、自動開閉シャッター等の雰囲気分離装
置を通って次の洗浄ユニット内に移送され、新たな洗浄
液により洗浄される。これを必要な洗浄液の数だけ繰り
返せば洗浄工程は完了する。
、純水等と洗浄液を代えて洗浄を続けるのであるが、本
発明の洗浄装置は1種類の洗浄液に刈して洗浄ユニット
を1個用いることとし、雰囲気分離装置を介して必要な
洗浄液の数だけ洗浄ユニットを接続した。したがって、
洗浄ユニット内を洗浄液の噴霧を受けつつ搬送されたシ
リコンウェハは、自動開閉シャッター等の雰囲気分離装
置を通って次の洗浄ユニット内に移送され、新たな洗浄
液により洗浄される。これを必要な洗浄液の数だけ繰り
返せば洗浄工程は完了する。
本発明の洗浄装置は、洗浄液の噴n量、ウェハキャリア
の搬送速度等を調整することにより要求される洗浄の程
度に対応することが可能になる。
の搬送速度等を調整することにより要求される洗浄の程
度に対応することが可能になる。
たとえば、第3図に示すように、従来は薬液洗浄のため
の洗浄槽1個に対して純水による洗浄のためには純水洗
浄槽2個を用いなければ十分薬液が除去されないことも
あったが、本発明の洗浄装置では、純水の噴n量を増加
させ、搬送速度を遅くすることにより1個の洗浄ユニッ
トで十分となる。
の洗浄槽1個に対して純水による洗浄のためには純水洗
浄槽2個を用いなければ十分薬液が除去されないことも
あったが、本発明の洗浄装置では、純水の噴n量を増加
させ、搬送速度を遅くすることにより1個の洗浄ユニッ
トで十分となる。
(実施例)
第1図および第2図に本発明の実施例を示す。
第1図に示すように、この例では4個の洗浄ユニット3
Δ〜3Dを接続した。たとえば、洗浄ユニット3Aにお
いてはN I−1、OH+I−1,02++(20,3
Bにおいては純水、3CにおいてはHCl +1−1
。
Δ〜3Dを接続した。たとえば、洗浄ユニット3Aにお
いてはN I−1、OH+I−1,02++(20,3
Bにおいては純水、3CにおいてはHCl +1−1
。
02+H20,3Dにおいては純水を洗浄液として使用
する。
する。
第2図には洗浄ユニッ)3Aについて詳細に示した。洗
浄液は洗浄スプレー1から噴霧され、ウェハキャリア5
に収容されて搬送装置2により搬送されるシリコンウェ
ハ4を洗浄した後、洗浄ユニッ)3Aの下部に溜まり、
排液管7を通して鋳液され、調合、保温槽8に送られる
。調合、保温槽8にはN H、OH等の各成分を単独に
補給することができ、洗浄液の組成を最適に維持するこ
とができる。また、調合、保温槽8には加熱ヒータ9が
設けられており、洗浄液の温度を最適温度に調整する。
浄液は洗浄スプレー1から噴霧され、ウェハキャリア5
に収容されて搬送装置2により搬送されるシリコンウェ
ハ4を洗浄した後、洗浄ユニッ)3Aの下部に溜まり、
排液管7を通して鋳液され、調合、保温槽8に送られる
。調合、保温槽8にはN H、OH等の各成分を単独に
補給することができ、洗浄液の組成を最適に維持するこ
とができる。また、調合、保温槽8には加熱ヒータ9が
設けられており、洗浄液の温度を最適温度に調整する。
ここで成分、温度をW4整された洗浄液は加圧ポンプ1
()により加圧され、送液管12を通って再び洗浄スプ
レー1に送られ、噴nされる=6− なお、洗浄液中の汚染物質が洗浄スプレー1に循環され
ることのないよう送液管12にはフィルター11が設け
られている。
()により加圧され、送液管12を通って再び洗浄スプ
レー1に送られ、噴nされる=6− なお、洗浄液中の汚染物質が洗浄スプレー1に循環され
ることのないよう送液管12にはフィルター11が設け
られている。
シリコンウェハの洗浄に際しては、この洗浄ユニッ)3
Aで必要とされる洗浄の程度に応じて、洗浄ユニッ)3
Aを通過する間lこ洗浄が十分行われるように洗浄液の
噴霧量と搬送速度を設定する。
Aで必要とされる洗浄の程度に応じて、洗浄ユニッ)3
Aを通過する間lこ洗浄が十分行われるように洗浄液の
噴霧量と搬送速度を設定する。
洗浄ユニッ) 3Aの端まで搬送されたウェハキャリア
5は必要な洗浄が完了しており、雰囲気分離装置6を朋
い−C次の洗浄ユニッ)3Bに送る。各洗浄ユニット内
は洗浄液の蒸気の雰囲気となっているので、ウェハキャ
リア5を移す際だけ雰囲気分離装置6を開き、他は閉じ
ておく。
5は必要な洗浄が完了しており、雰囲気分離装置6を朋
い−C次の洗浄ユニッ)3Bに送る。各洗浄ユニット内
は洗浄液の蒸気の雰囲気となっているので、ウェハキャ
リア5を移す際だけ雰囲気分離装置6を開き、他は閉じ
ておく。
(発明の効果)
本発明の洗浄装置においては洗浄液の循環が速く、常に
最適組成、温度の清浄な洗浄液が噴霧されるので、シリ
コンウェハから剥離した汚染物質が洗浄槽内にとどまっ
てシリコンウェハに再イ」着するという問題は解決され
る。また、洗浄能力は洗浄液の噴霧量やシリコンウェハ
の搬送速度で調=7− 整でき、洗浄槽を用いる場合に比べて処理能力が高く、
省スペース1こなる等の効果がある。
最適組成、温度の清浄な洗浄液が噴霧されるので、シリ
コンウェハから剥離した汚染物質が洗浄槽内にとどまっ
てシリコンウェハに再イ」着するという問題は解決され
る。また、洗浄能力は洗浄液の噴霧量やシリコンウェハ
の搬送速度で調=7− 整でき、洗浄槽を用いる場合に比べて処理能力が高く、
省スペース1こなる等の効果がある。
r51図は本発明の洗浄装置の実施例を示す図、第2図
は本発明の洗浄装置の実施例の洗浄ユニットの部分の詳
細を示す図、 第3図は従来のシリコンウェハの洗浄槽を用いる洗浄工
程を模式的に示す図である。 1・・・洗浄スプレー 2・・・搬送装置、3A〜3D
・・・洗浄ユニット、4・・・シリコンウェハ、5・・
・ウェハキャリア、6・・・雰囲気分離装置、7・・・
排液管、8・・・調合、保温槽、9・・・加熱ヒータ、
10・・・加圧ポンプ、11・・・フィルター 12・
・・送液管、13A、13B・・・薬液洗浄槽、14Δ
、14B・・・純水洗浄槽、15A、15B・・・洗浄
室、16・・・仕切り部。
は本発明の洗浄装置の実施例の洗浄ユニットの部分の詳
細を示す図、 第3図は従来のシリコンウェハの洗浄槽を用いる洗浄工
程を模式的に示す図である。 1・・・洗浄スプレー 2・・・搬送装置、3A〜3D
・・・洗浄ユニット、4・・・シリコンウェハ、5・・
・ウェハキャリア、6・・・雰囲気分離装置、7・・・
排液管、8・・・調合、保温槽、9・・・加熱ヒータ、
10・・・加圧ポンプ、11・・・フィルター 12・
・・送液管、13A、13B・・・薬液洗浄槽、14Δ
、14B・・・純水洗浄槽、15A、15B・・・洗浄
室、16・・・仕切り部。
Claims (1)
- (1)シリコンウェハを収容したウェハキャリアを搬送
する搬送装置と、洗浄液をシリコンウェハに噴霧する洗
浄スプレーとを備えた洗浄ユニットを雰囲気分離装置を
介して接続したことを特徴とするシリコンウェハ洗浄装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27531890A JPH04151830A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | シリコンウエハ洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27531890A JPH04151830A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | シリコンウエハ洗浄装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04151830A true JPH04151830A (ja) | 1992-05-25 |
Family
ID=17553779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27531890A Pending JPH04151830A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | シリコンウエハ洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04151830A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100328258B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2002-03-16 | 이형도 | 웨이퍼 세정장치 |
CN104070028A (zh) * | 2013-03-27 | 2014-10-01 | 天威新能源控股有限公司 | 顶部喷淋硅片预清洗装置 |
-
1990
- 1990-10-16 JP JP27531890A patent/JPH04151830A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100328258B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2002-03-16 | 이형도 | 웨이퍼 세정장치 |
CN104070028A (zh) * | 2013-03-27 | 2014-10-01 | 天威新能源控股有限公司 | 顶部喷淋硅片预清洗装置 |
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