JPH04141599A - 部分メツキ方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ産業上の利用分野 本発明は部分メッキ方法及びその装置に関し、例えば配
線基板上の一部に部分メッキ処理を施す際に適用して好
適なものである。

Ｂ発明の概要 本発明は、部分メッキ方法及びその装置において、所定
の流路内にメッキ液を循環させると共に、流路の一部に
形成された開口において、当該メッキ液を被メッキ対象
としての金属表面に接触させることにより、−段と簡易
な方法によって部分メッキ処理を施すことができる。

Ｃ従来の技術 従来、例えば小型モータの配線基板においては、銅張積
層板をエツチング処理することにより、所定の配線パタ
ーン及びランド部を表面に形成したものが用いられてい
る。

この配線パターン及びランド部においては、例えば表面
に防錆処理を施すことにより一段と耐経年変化特性を向
上し得るようになされている。

Ｄ発明が解決しようとする課題 ところが銅箔でなる配線パターン及びランド部の表面に
防錆処理を施すと、この部分に例えば電子部品のリード
を接触させるだけで電気的に導通させることが困難にな
る問題があった。

また当該配線パターン及びランド部をＩＣのワイヤボン
ディング用として用いることが困難な問題があった。

この問題を解決するための一つの方法として、銅箔でな
る配線パターン及びランド部の所定部分にメッキ処理を
施す方法が考えられている。

すなわち第４図に示すように、基材２上に絶縁層３を形
成した基板４上に銅箔層６を形成した銅張積層板７（第
４図（Ａ））の表面にメッキ用レジスト９を塗布しく第
４図（Ｂ））、この状態においてメッキ処理を施すこと
により、メッキ用レジストが塗布されていない部分にメ
ッキ層１０を形成する（第４図（Ｃ））。

この後、メッキ層１０が形成された部分においてエツチ
ング処理することより、第４図（Ｄ）に示すようにメッ
キ層１０形成部を所定のパターンに形成し、メッキ用レ
ジスト９を除去する。

か（して第４図（Ｅ）に示すように銅箔層６の表面に所
定のパターンにメッキ層ｌＯが形成され、当該メッキ層
１０を含む所定のパターン上にレジスト１２を塗布した
後（第４＠（Ｆ））、エツチング処理しく第４図（Ｇ）
）、さらにレジスト１２を除去することにより第４図（
Ｈ）に示すようにメッキ層１０及び銅箔層６でなるラン
ド部１４及び銅箔層６でなる所定パターンの配線パター
ン１５が形成される。

かくしてこの表面にソルダレジスト１７を塗布すること
により所望とする配線基板１９を得る。

ところがこのようにして−度メッキ層１０を所定のパタ
ーンに形成した後、全体をエツチング処理する工程にお
いては、メッキ層１０を所定のパターンにエツチング処
理する分、工程が煩雑になると共に、メッキ層１０のパ
ターン及び銅箔６のパターンに形成ずれが生じることを
避は得ない問題があり、所定パターンに形成された銅箔
層表面の一部にメッキ層を形成する方法としては未だ不
十分であった。

またこれに対してメッキ層を形成しようとする部分を銅
箔パターンを用いた短絡線によって接続し、電解メッキ
時において銅箔パターンの一部にプローブを当接する方
法が考えられる。

ところがこのような方法によると、メッキ処理後におい
て短絡線を除去する工程が必要となり、この分メッキ工
程が煩雑化する問題があった。

本発明は以上の点を考慮してなされたもので、−段と簡
易な方法によって必要な部分だけに部分メッキ処理を施
すことができる部分メッキ方法及びその装置を提案しよ
うとするものである。

ＥＩＫ題を解決するための手段 かかる課題を解決するため第１の発明においては、金属
表面４６の一部にメッキ層を形成する部分メッキ方法に
おいて、所定の流路３６．５２．４８．５３を循環する
メッキ液を、金属表面４６の一部に接触させ、当該金属
表面４６の一部にメッキ層を形成するようにする。

また第２の発明においては、金属表面４６の一部にメッ
キ層を形成する部分メッキ装置２０において、アノード
電極５４及びカソード電極４３を有するメッキ液循環用
の筒状部材４１．４２と、筒状部材４１．４２の一部に
形成された開口３９とを備え、開口３９に金属表面４６
を当接し、当該金属表面４６の当接部分にメッキ液２３
を接触させ、金属表面４６の一部にメッキ層を形成する
ようにする。

Ｆ作用 メッキ液を循環させるようになされた流路の一部に開口
３９を形成し、当該開口３９を外部からふさぐようにし
て被メッキ対象としての金属表面４６を当接し、当該金
属表面４６にメッキ液２３を接触させることにより、当
該金属表面４６の接触部分にメッキ層を形成することが
できる。

Ｇ実施例 以下図面について、本発明の一実施例を詳述する。

第１図において２０は全体として部分メッキ装置を示し
、液槽２２内にメッキ液２３が溜められており、当該メ
ッキ液２３はヒータ２４によって所定温度に加熱されて
いる。

このヒータ２４は電源２６の温度調節部に接続された電
熱線２７及び水２８を封止してなり、電熱線２７によっ
て水２８を加熱することにより当該水２８を介してメッ
キ液２３を加熱し得るようになされている。

また所定温度に加熱されたメッキ液２３は弁３１．３２
及びポンプ３４によって流路管３６に送り込まれるよう
になされている。

この流路管３６の先端部は液層２２の下側部に設けられ
た円筒形状の部分メッキ用治具３８の内部に固定され、
これにより当該流路管３６内を流れるメッキ液が部分メ
ッキ用治具３８の先端開口部３９に送出される。

この部分メッキ用治具３８は第２図に示すようにテフロ
ンコーティングによって絶縁層を表面に形成した外部円
筒部材４１及び流路管３６の先端部に同様にしてテフロ
ンコーディングによって絶縁層を表面に形成した内部円
筒部材４２による二重円筒構造でなり、外部円筒部材４
１の外周には電源２６のマイナス端子に接続されている
円筒形状のカソード電極４３が形成されている。

このカソード電極４３の先端部は部分メッキ用治具３８
を構成する外部円筒部材４１及び内部円筒部材４２より
も突設しており、当該部分メッキ用治具３８を被メッキ
対象としての配線基板４５の所定位置に当接した際にカ
ソード電極４３だけが配線基板４５の表面（すなわち配
線パターン及びランド部を形成する銅箔層４６）に接触
するようになされており、この状態において内部円筒部
材４２の先端部及び配線基板の表面間に所定の間隙４８
が生じるようになされている。

またこのカソード電極４３の周端部にはパツキン５１が
設けられており、部分メッキ用治具３８を配線基板４５
の表面に当接した際に、当該部分メッキ用治具３８の内
部を流れるメッキ液２３が外部に漏れないようになされ
ている。

従ってこの状態において弁３１．３２及びポンプ３４に
よって液層２２内のメッキ液２３が部分メッキ用治具３
８の内部円筒部材４２の内部側流路５２に送り込まれる
と、このメッキ液２３は内部円筒部材４２の先端部及び
配線基板４５間の間隙４８を介して内部円筒部材４２及
び外部円筒部材４１間に形成されている外部側流路５３
を介して液層２２内に再び還元されるようになされてい
る。

ここで部分メッキ用治具３８の内部円筒部材４２の内部
には第３図に示すように綱目状のアノード電極５４が設
けられ、電源２６のプラス端子に接続されている。

従って当該部分メッキ用治具３８の先端開口部３９を配
線基板４５の表面銅箔層４６に当接した際にカソード電
極４３がメッキ処理をしようとする銅箔層４６に接触す
ることにより当該銅箔層４６がカソード電極４３と同電
位となり、さらにアノード電極５４を介して流入するメ
ッキ液２３が当該銅箔層４６に接触することによりこれ
を電解メッキ処理することができる。

以上の構成において、部分メッキ装置２０は配線基板４
５の部分メッキ処理をしようとする表面部分（すなわち
部分メッキ処理をしようとする銅箔層４６）に部分メッ
キ用治具３８の先端開口部３９を当接すると共に、弁３
１及び３２をそれぞれ開くことにより液槽２２内のメッ
キ液２３を流路管３６を介して部分メッキ用治具３８に
送出する。

このとき電源２６によって部分メッキ用治具３８のアノ
ード電極５４及びカソード電極４３に所定電圧を印加す
ることにより、カソード電極４３に接触している配線基
板４５上の銅箔層４６及γメッキ液２３に所定の電位差
を生じさ（、これ（より当該銅箔層４６のうちのカソー
ド電極４３゜同電位かつメッキ液２３が接触している部
分に１解メッキ処理を施すことができる。

これに対してメッキ処理を停止する場合は、〕３１及び
３２を閉じることによりメッキ液２３＆：ポンプ３４及
びバキューム弁３５を介して１１２内に還元し、部分メ
ッキ川沿ＪＩ３Ｂにこれを創出させないようにするわ このようにして弁３１及び３２を開閉操作すＺことによ
りメッキ液２３を部分メッキ用治具３εに送出又は送出
停止させることができ、これにＪり部分メッキ処理を実
行又は停止させることがズきる。

か（して配線基板４５の表面において配線パターン及び
ランド部を形成する銅箔層４６に対し７部分メッキ処理
を施すことができる。

以上の構成によれば、部分メッキ装Ｒ２Ｏをバいるよう
にしたことより、従来のようにメッキ層を所定のパター
ンにエツチング処理したり、又は銅箔を用いて短絡線を
形成するような煩鉾な工程を実行することなく一段と簡
易な方法によって配線基板４５上の配線パターン又はラ
ンド部の一部に部分メッキ処理を施すことができる。

因にメッキ処理を糺うす部分だけにメッキ液を接触させ
るようにしたことにより、従来のように配線基板全体を
メッキ液の申に浸漬する方法に比して、メッキ処理を施
さない部分へのメッキ液の付着を少なくすることがてき
、これによりメッキ液の消費髪を一段と少なくすること
ができる。

またメッキ装Ｗ２０において部分メッキ用沿興３８にメ
ッキ液２３を循環させるようにしたことにより、メッキ
液温度及び金属イオン量を一段と安定させてメッキ処理
することができ、これにより一段と均一かつ確実にメッ
キ層を形成することができる。

なお上述の実施例においては、外部電源を用いた電解メ
ッキ処理に本発明を適用した場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、たとえば外部電源を用いない無電
解置換メッキ処理等においても本発明を適用することが
できる。

また上述の実施例においては、部分メッキ用治具として
二重Ｉ１．造の筒状部材を用いた場合について述べたが
、本発明はこれに限らず、例えば−本の筒状部材を途中
で折り返し、当該折り返し部分に開口を設けてこの開口
に被メッキ金属表面を当接するようにしても良い。

また上述の実施例においては、部分メッキ用沿兵の筒状
部材として円筒部材を用いた場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、断面多角形形状の種々の筒状部材
を用いても良い。

また上述の実施例においては、銅箔てなる配線パターン
及び又はランド部にメッキ処理を施す場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、他の種々の朧電層でなる
配線基板上の配線パターン及び又はランド部に部分メッ
キを施す場合に本発明を適用することがてきる。

さらに上述の実施例においては、本発明を配線基板の表
面に形成された配線パターン及び又はランド部に対して
部分メッキ処理を施す場合について述べたが、本発明は
これに限らず、他の種々の金属面に部分メッキ処理を施
す場合に広く適用することができる。

Ｈ発明の勤先 上述のように本発明によれば、所定の流路内にメッキ液
を循環させ、５咳流路の一部に形成された関口において
、当該開口に外部から当接した金Ｓ表面にメッキ液を接
触させるようにしたことにより、−段と簡めな方法によ
って５酋金属表面の接触部分にメッキ層を形成すること
ができる部分メッキ方法及びその装置を実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による部分メッキ装置の一実施例を示す
路線的断面図、第２図はその部分メッキ用沿其の詳細構
成を示す拡大断面図、第３図は部分メッキ用治具のアノ
・−ド電極を示す底面図、第４図は従来のメッキ方法を
示す断面図である。 ２０・・・・・・部分メッキ装置、２２・・・・・・液
槽、２３・・・・・・メッキ液、３１．３２・・・・・
・弁、３４−−−−−・ポンプ、３６−−−−−−流路
管、３　Ｂ　−−−−−一部分メッキ用治具、４１−−
−−−−外部円筒部材、４２・・・・・・内部円筒部材
、４３・・・・・・カソード電極、４５・・・・・・配
線基板、４６・・・・・・銅箔層、５４−−−−・・ア
ノード電極。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）金属表面の一部にメッキ層を形成する部分メッキ
   方法において、 所定の流路を循環するメッキ液を、上記金属表面の一部
   に接触させ、当該金属表面の一部にメッキ層を形成する
   ようにした ことを特徴とする部分メッキ方法。
2. （２）金属表面の一部にメッキ層を形成する部分メッキ
   装置において、 アノード電極及びカソード電極を有するメッキ液循環用
   の筒状部材と、 上記筒状部材の一部に形成された開口と を具え、上記開口に上記金属表面を当接し、当該金属表
   面の当接部分に上記メッキ液を接触させ、上記金属表面
   の一部にメッキ層を形成するようにした ことを特徴とする部分メッキ装置。