JPH04136742A - 粒子解析装置 - Google Patents
粒子解析装置Info
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- JPH04136742A JPH04136742A JP2257499A JP25749990A JPH04136742A JP H04136742 A JPH04136742 A JP H04136742A JP 2257499 A JP2257499 A JP 2257499A JP 25749990 A JP25749990 A JP 25749990A JP H04136742 A JPH04136742 A JP H04136742A
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- Japan
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- laser light
- semiconductor laser
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Links
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Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、例えばフローサイトメータのように、サンプ
ル中の被検粒子に光ビームを照射し、その散乱光又は蛍
光の光学的測定によって被検粒る。
ル中の被検粒子に光ビームを照射し、その散乱光又は蛍
光の光学的測定によって被検粒る。
［従来の技術］
フローサイトメータとは、高速で流れる細胞浮遊溶液、
即ちサンプル液に例えばレーザー光を照射し、その散乱
光・蛍光による光電信号を検出し、細胞の性質・構造を
解明する装置であり、細胞化学、免疫学、血液学、腫瘍
学、遺伝学等の分野で使用されている。
即ちサンプル液に例えばレーザー光を照射し、その散乱
光・蛍光による光電信号を検出し、細胞の性質・構造を
解明する装置であり、細胞化学、免疫学、血液学、腫瘍
学、遺伝学等の分野で使用されている。
このフローサイトメータ等に用いられる従来の粒子解析
装置では、フローセルの中央部の例えば２００ｕｍｘ２
００ＬＬｍの微小な四角形断面を有する流通部内を、シ
ース液に包まれて通過する血球細胞などの被検粒子にレ
ーザー光等の照射光を照射し、その結果として生ずる前
方及び側方散乱光により、被検粒子の形状・大きさ・屈
折率等の粒子的性質を得ることが可能である。また、蛍
光剤により染色され得る被検粒子に対しては、照射光と
ほぼ直角方向の側方散乱光から被検粒子の蛍光を検出す
ることにより、被検粒子を解析するための重要な情報を
求めることができる。
装置では、フローセルの中央部の例えば２００ｕｍｘ２
００ＬＬｍの微小な四角形断面を有する流通部内を、シ
ース液に包まれて通過する血球細胞などの被検粒子にレ
ーザー光等の照射光を照射し、その結果として生ずる前
方及び側方散乱光により、被検粒子の形状・大きさ・屈
折率等の粒子的性質を得ることが可能である。また、蛍
光剤により染色され得る被検粒子に対しては、照射光と
ほぼ直角方向の側方散乱光から被検粒子の蛍光を検出す
ることにより、被検粒子を解析するための重要な情報を
求めることができる。
そして、光源としては一般的に光量及び波長の安定性の
高いアルゴンレーザー等のガスレーザー光源が使用され
ている。
高いアルゴンレーザー等のガスレーザー光源が使用され
ている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上述の従来例で使用されるガスレーザー
光源は、一般に使用中に高温となり、かつ大型であると
いう欠点があり、一方で廉価、小型の半導体レーザー光
源は安定性が低く、そのままでは被検粒子の解析に使用
することは好ましくない。
光源は、一般に使用中に高温となり、かつ大型であると
いう欠点があり、一方で廉価、小型の半導体レーザー光
源は安定性が低く、そのままでは被検粒子の解析に使用
することは好ましくない。
本発明の目的は、上述の問題点を解消し、光源として半
導体レーザー光源を使用する粒子解析装置を提供するこ
とにある。
導体レーザー光源を使用する粒子解析装置を提供するこ
とにある。
［課題を解決するための手段〕
上述の目的を達成するために、本発明に係る粒子解析装
置においては、被検粒子に照射した光ビームの散乱光又
は蛍光を受光して被検粒子の解析を行う粒子解析装置で
あって、前記光ビームを出射する半導体レーザー光源と
、該半導体レーザー光源の光量を一定に制御する光量制
御手段と、前記半導体レーザー光源の波長を一定に制御
する波長制御手段とを備えたことを特徴とするものであ
る。
置においては、被検粒子に照射した光ビームの散乱光又
は蛍光を受光して被検粒子の解析を行う粒子解析装置で
あって、前記光ビームを出射する半導体レーザー光源と
、該半導体レーザー光源の光量を一定に制御する光量制
御手段と、前記半導体レーザー光源の波長を一定に制御
する波長制御手段とを備えたことを特徴とするものであ
る。
［作用］
上述の構成を有する粒子解析装置は、光量制御手段又は
波長制御手段によって、光量又は波長を一定に制御され
た半導体レーザー光源の光ビームを被検粒子に照射する
。
波長制御手段によって、光量又は波長を一定に制御され
た半導体レーザー光源の光ビームを被検粒子に照射する
。
［実施例］
本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する。
第１図は構成図を示し、半導体レーザー光源１の背後に
ベルチェ素子２が配置され、更に半導体レーザー光源１
の側部に熱電対３が付設され、ベルチェ素子２及び熱電
対３はベルチェ素子駆動回路４に接続されており、また
半導体レーザー光源ｌにはレーザー光源駆動回路５が接
続されている。半導体レーザー光源１の光ビーム出射方
向の光軸Ｏ上には、集光レンズ６、シース液と共に被検
粒子を流すためのフローセルフ、集光レンズ８、光検出
器９が配置され、光検出器９の出力は信号処理器１０に
接続され、信号処理器１０の出力は表示器１１に接続さ
れている。
ベルチェ素子２が配置され、更に半導体レーザー光源１
の側部に熱電対３が付設され、ベルチェ素子２及び熱電
対３はベルチェ素子駆動回路４に接続されており、また
半導体レーザー光源ｌにはレーザー光源駆動回路５が接
続されている。半導体レーザー光源１の光ビーム出射方
向の光軸Ｏ上には、集光レンズ６、シース液と共に被検
粒子を流すためのフローセルフ、集光レンズ８、光検出
器９が配置され、光検出器９の出力は信号処理器１０に
接続され、信号処理器１０の出力は表示器１１に接続さ
れている。
半導体レーザー光源１の出力光量は常に半導体レーザー
光源１に内蔵する検出器によってモニタされ、光量が一
定となるようにレーザー光源駆動回路５により制御され
ている。一方、半導体レーザー光源１の温度は熱電対３
によって検出され、その検出温度に基づいてベルチェ素
子駆動回路４によりベルチェ素子２を制御して、半導体
レーザー光源１の温度を一定に保持し光ビームの波長の
安定化を図っている。
光源１に内蔵する検出器によってモニタされ、光量が一
定となるようにレーザー光源駆動回路５により制御され
ている。一方、半導体レーザー光源１の温度は熱電対３
によって検出され、その検出温度に基づいてベルチェ素
子駆動回路４によりベルチェ素子２を制御して、半導体
レーザー光源１の温度を一定に保持し光ビームの波長の
安定化を図っている。
このように、出力光量、波長共に安定した状態で半導体
レーザー光源１から出射された光ビームは光軸Ｏ上を進
み、集光レンズ６によってフローセルフ内を流通する生
細胞等の被検粒子に集光され、その前方散乱光等は集光
レンズ８によって光検出器９上に集光され、その光信号
に基づいて信号処理器１０内で被検粒子の解析が行われ
、その結果が表示器１１に表示される。
レーザー光源１から出射された光ビームは光軸Ｏ上を進
み、集光レンズ６によってフローセルフ内を流通する生
細胞等の被検粒子に集光され、その前方散乱光等は集光
レンズ８によって光検出器９上に集光され、その光信号
に基づいて信号処理器１０内で被検粒子の解析が行われ
、その結果が表示器１１に表示される。
なお、ベルチェ素子２の代りにヒータを使用して、半導
体レーザー光源２の温度を制御してもよい。
体レーザー光源２の温度を制御してもよい。
［発明の効果〕
以上説明したように本発明に係る粒子解析装置は、光量
制御手段又は波長制御手段によって、光量及び波長が一
定に制御された半導体レーザー光源の光ビームを被検粒
子に照射して、その散乱光又は蛍光を受光して被検粒子
の解析を行い、光源として半導体レーザー光源を使用す
ることができるので、装置を小型で廉価に構成すること
が可能である。
制御手段又は波長制御手段によって、光量及び波長が一
定に制御された半導体レーザー光源の光ビームを被検粒
子に照射して、その散乱光又は蛍光を受光して被検粒子
の解析を行い、光源として半導体レーザー光源を使用す
ることができるので、装置を小型で廉価に構成すること
が可能である。
図面第１図は本発明に係る粒子解析装置の一実施例の構
成図である。 符号１は半導体レーザー光源、２はベルチェ素子、３は
熱電対、４はベルチェ素子駆動回路、５はレーザー光源
駆動回路、７はフローセル、９は光検出器、１０は信号
処理器である。
成図である。 符号１は半導体レーザー光源、２はベルチェ素子、３は
熱電対、４はベルチェ素子駆動回路、５はレーザー光源
駆動回路、７はフローセル、９は光検出器、１０は信号
処理器である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被検粒子に照射した光ビームの散乱光又は蛍光を受
光して被検粒子の解析を行う粒子解析装置であって、前
記光ビームを出射する半導体レーザー光源と、該半導体
レーザー光源の光量を一定に制御する光量制御手段と、
前記半導体レーザー光源の波長を一定に制御する波長制
御手段とを備えたことを特徴とする粒子解析装置。 ２、前記波長制御手段は前記半導体レーザー光源の温度
を制御する温度制御手段とした請求項１に記載の粒子解
析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2257499A JPH04136742A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 粒子解析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2257499A JPH04136742A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 粒子解析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04136742A true JPH04136742A (ja) | 1992-05-11 |
Family
ID=17307143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2257499A Pending JPH04136742A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 粒子解析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04136742A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021063779A (ja) * | 2019-10-17 | 2021-04-22 | 富士電機株式会社 | 粒子分析装置 |
-
1990
- 1990-09-28 JP JP2257499A patent/JPH04136742A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021063779A (ja) * | 2019-10-17 | 2021-04-22 | 富士電機株式会社 | 粒子分析装置 |
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