JPH04132991A - 真空プロセス装置におけるx線検出器保護装置 - Google Patents

真空プロセス装置におけるx線検出器保護装置

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Publication number
JPH04132991A
JPH04132991A JP25422190A JP25422190A JPH04132991A JP H04132991 A JPH04132991 A JP H04132991A JP 25422190 A JP25422190 A JP 25422190A JP 25422190 A JP25422190 A JP 25422190A JP H04132991 A JPH04132991 A JP H04132991A
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JP
Japan
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ray detector
slit
sample
detector
ray
Prior art date
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Pending
Application number
JP25422190A
Other languages
English (en)
Inventor
Saburo Shimizu
三郎 清水
Hiroyuki Yamakawa
洋幸 山川
Hiroshi Yanagida
柳田 博司
Ko Fuwa
耕 不破
Junichi Shigetomi
重富 潤一
Kazuhiro Yamamuro
和弘 山室
Shozo Ino
井野 正三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Science and Technology Agency
Ulvac Inc
Original Assignee
Research Development Corp of Japan
Ulvac Inc
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Publication date
Application filed by Research Development Corp of Japan, Ulvac Inc filed Critical Research Development Corp of Japan
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、真空プロセス装置における成膜中の膜の元素
組成と結晶構造をその場観察する反射型高速電子線回折
(RHEED)−全反射角X線分光法(TRAXS)装
置に用いられ得るX線検出器保護装置に関するものであ
る。
[従来の技術] 従来成膜中の膜の元素組成を観察するため真空プロセス
装置において用いられてきたX線検出器保護用手段とし
ては、添付図面の第2図に示すように、観察すべき試料
Aから発生したX線信号を検知するX線検出器Bの前面
にフィルタCを配置し、このフィルタCの前方にスリッ
トDを設け、そしてこのスリットDの周囲を汚染防止用
カバーEで覆った構造のものが知られており、X線検出
器Bとその前面に設けられたフィルタCは真空プロセス
装置例えばMBE装置の蒸発源Fを備えた真空チャンバ
内に配置され、試料Aから発生したX線信号が汚染防止
用カバーEの前方開口部、スリットp及びフィルタCを
透過し、X線検出器Bに入射する用に各部は光学的に配
置されている。
MBE(分子ビームエピタキシャル)装置の蒸発源Fか
ら試料Aに対して照射された蒸着物質は、試料A以外の
場所にも入射し、付着する。また試料Aに入射した蒸着
物質も一部は再蒸発してその一部はX線検出器Bに向う
ことになる。これらの蒸着物質は汚染防止用カバーEに
よりX線検出器Bへの入射を阻止され、またスリットD
はX線取出し角の分解能を向上させる働きとと共に、フ
ィルタCと合わせて電子、熱、光等からX線検出器Bを
保護する働きをしている。
[発明が解決しようとする課題] このように真空成膜装置において成膜中の膜の元素組成
を観察するため真空成膜装置内にX線検出器を設ける際
には蒸発物質によるX線検出器の汚染が問題となるため
X線検出器の前面にフィルタを設けている。この構造で
は、蒸着物質によるX線検出器の汚染はフィルタによっ
て防げるが、半面観察機能の点ではフィルタによりX線
が吸収されるため軽元素や低エネルギX線を検出するこ
とは不可能であるという問題点がある。
また、軽元素や低エネルギX線を検出するのにウィンド
レス型のX線検出器も開発されているが、この方式では
、分子線照射中は汚れによる感度低下を防ぐためにケー
トバルブを介するなとして検出器を成長室の外に待避さ
せておく必要かあり、そのため成膜中にその場での観察
ができないという問題点かある。
そこで、本発明は、上記のような従来技術のもつ問題点
を解決して成膜中に膜の元素組成をその場観察すること
のできる真空プロセス装置におけるX線検出器保護装置
を提供することを目的としている。
[課題を解決するための手段] 上記の目的を達成するために、本発明による真空プロセ
ス装置におけるX線検出器保護装置においては、真空プ
ロセス装置内における観察すべき試料からのX線信号を
検出するX線検出器の前方に多段式のスリットが設けら
れ、そしてこの多段式スリットを冷却する冷却手段が設
けられることを特徴としている。
本発明においては、多段式スリットとX線検出器との間
にベリリウムやその他の金属から成るフィルタを挿置す
ることもできる。
[作  用] 本発明による真空プロセス装置におけるX線検出器保護
装置においては、X線検出器の前方に多段式のスリット
を設け、そしてこの多段式スリットを冷却する冷却手段
を設けたことにより、コールドトラップとして機能し、
蒸発源方向から入射する蒸着物質だけでなく試料から再
蒸発して入射してくる物質も効率良くトラップすること
ができると共に熱による検出器の劣化を防止する働きが
得られる。これによってX線検出器本体は蒸着物質等の
付着による汚染は防止され、また光、電子線の入射によ
るSN比の低下も防止される。
また、多段式スリットとX線検出器との間にベリリウム
やその他の金属から成るフィルタを挿入した場合には、
X線検出器を蒸着物質による汚染及び電子線等による損
傷から一層有効に保護する働きをする。
[実施例] 以下添付図面の第1図を参照して本発明の実施例につい
て説明する。
第1図には真空成膜装置に実施した本発明の一実施例に
よる装置の要部を概略的に示し、この図面において、1
は図示してない真空成膜装置の真空チャンバ内に挿置さ
れた観察すべき試料、2は観察すべき試料1に対して蒸
着すべき物質を供給する蒸発源、3は観察すべき試料1
に対して所定の位置に位置決めされたX線検出器、4は
X線検出器3の前方に配置された液体窒素シュラウドで
、本発明における冷却手段を構成している。この液体窒
素シュラウド4の中央開口部には多段式のスリット5が
取り付けられ、これらの各スリット5は液体窒素シュラ
ウド4によって冷却されている。
また、当然X線検出器3は液体窒素シュラウド4の中央
開口部内に取り付けられた各スリット5を通して試料1
からのX線信号が入射できるように位置決めされている
このように構成した図示装置の動作において、観察すべ
き試料1から発生されたX線は液体窒素シュラウド4の
中央開口部内に取り付けられた各スリット5を通ってX
線検出器3に入射する。この際、蒸発源から蒸発し或い
は試料1から再蒸発してX線検出器3の方向に入射する
蒸着物質は液体窒素シュラウド4及びスリット5の表面
に吸着し、トラップされる。また例えば最前方のスリッ
トに吸着された蒸着物質が再蒸発しても次段のスリット
で再吸着され、こうして各段のスリットによってX線検
出器3へ入射しようとする蒸着物質は有効に吸着され、
X線検出器3が蒸着物質によって汚染されるのを防止し
ている。
また、液体窒素シュラウド4及び多段式のスリット5で
構成されるコールドトラップは、加熱された試料1から
の放射熱、反射型高速電子線回折法おける電子線照射に
よって試料1から発生する二次電子や散乱電子が直接X
線検出器3に入射するのを有効に防止でき、検出器3の
劣化を防止ししている。
ところで、図示実施例ではシュラウド4及び多段式のス
リット5の冷却には液体窒素が用いられているが、使用
する蒸着物質の種類によっては水、またはその他の適当
な冷媒を用いることかできる。
また変型例として、X線検出器3と多段式のスリット5
との間にベリリウムやその他の金属薄膜または有機薄膜
を設け、シュラウド4及び多段式のスリット5で構成さ
れるコールドトラップと共に蒸着物質による汚染及び電
子線等による損傷からX線検出器3を保護するように構
成することもできる。
なお、図示実施例では真空成膜装置に適用した場合につ
いて説明してきたか、当然、本発明は試料の元素組成と
結晶構造をその場観察するため他の真空プロセス装置に
も同様に適用できる。
[発明の効果コ 以上説明してきたように、本発明によれば、X線検出器
の前方に多段式のスリットを設け、そしてこの多段式ス
リットを冷却する冷却手段を設けてコールドトラップを
構成しているので、蒸発源方向から入射する蒸着物質や
試料から再蒸発して入射してくる物質を効率良くトラッ
プすることができると同時に熱による検出器の損傷を防
止することができる。これによりX線検出器は蒸着物質
等の付着による汚染や光、電子線の入射によるSN比の
低下を防止して長期間安定して動作することができ、ま
た例えば成膜装置等における成膜中に膜の元素組成を十
分な感度でその場観察することができるようになり、さ
らに、軽元素分析や低エネルギX線検出も十分に行うこ
とができる。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の一実施例の装置の要部を示す概略平面
図、第2図は従来技術を例示する概略線図である。 図   中 観測すべき試料 蒸発源 X線検出器 液体窒素シュラウド 多段式のスリット 韮1図 第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、真空プロセス装置内における観察すべき試料からの
    X線信号を検出するX線検出器の前方に多段式のスリッ
    トを設け、この多段式スリットを冷却する冷却手段を設
    けたことを特徴とするX線検出器保護装置。 2、真空プロセス装置内における観察すべき試料からの
    X線信号を検出するX線検出器の前方に多段式のスリッ
    トを設け、この多段式スリットを冷却する冷却手段を設
    け、また上記多段式スリットとX線検出器との間にベリ
    リウムやその他の金属から成るフィルタを挿置したこと
    を特徴とするX線検出器保護装置。
JP25422190A 1990-09-26 1990-09-26 真空プロセス装置におけるx線検出器保護装置 Pending JPH04132991A (ja)

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JP25422190A JPH04132991A (ja) 1990-09-26 1990-09-26 真空プロセス装置におけるx線検出器保護装置

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Publication Number Publication Date
JPH04132991A true JPH04132991A (ja) 1992-05-07

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ID=17261949

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JP25422190A Pending JPH04132991A (ja) 1990-09-26 1990-09-26 真空プロセス装置におけるx線検出器保護装置

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JP (1) JPH04132991A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10444166B2 (en) 2015-12-21 2019-10-15 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation detection device, radiation inspection system, and method for adjusting radiation detection device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50145174A (ja) * 1974-05-10 1975-11-21

Patent Citations (1)

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