JPH041307B2 - - Google Patents
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- JPH041307B2 JPH041307B2 JP56198277A JP19827781A JPH041307B2 JP H041307 B2 JPH041307 B2 JP H041307B2 JP 56198277 A JP56198277 A JP 56198277A JP 19827781 A JP19827781 A JP 19827781A JP H041307 B2 JPH041307 B2 JP H041307B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/24—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices
- G01R15/245—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices using magneto-optical modulators, e.g. based on the Faraday or Cotton-Mouton effect
- G01R15/246—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices using magneto-optical modulators, e.g. based on the Faraday or Cotton-Mouton effect based on the Faraday, i.e. linear magneto-optic, effect
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、密閉容器内に複数の電流導体が隣接
して置かれる電気機器の導体電流を測定するよう
にした電流測定装置に関する。
して置かれる電気機器の導体電流を測定するよう
にした電流測定装置に関する。
従来、導体電流を磁気センサーを用いて測定す
るものとして、コイル内にに磁気センサーを置い
て、コイルに流れる電流によつて作られる軸方向
磁界を検出する装置が考えられている。これを複
数の導体が隣接して置かれる電気機器に適用した
場合、各導体内の磁気センサーの位置において
は、各導体自身の電流による磁界のみならず、他
の導体の電流による磁界が存在する。各磁気セン
サーは、それらを同時に検出するため、磁気セン
サーの出力には、対応する被測定導体の電流成分
の他他の導体の電流成分がかなり大きな比率で混
入し、充分な測定精度が得られないという欠点が
生ずる。
るものとして、コイル内にに磁気センサーを置い
て、コイルに流れる電流によつて作られる軸方向
磁界を検出する装置が考えられている。これを複
数の導体が隣接して置かれる電気機器に適用した
場合、各導体内の磁気センサーの位置において
は、各導体自身の電流による磁界のみならず、他
の導体の電流による磁界が存在する。各磁気セン
サーは、それらを同時に検出するため、磁気セン
サーの出力には、対応する被測定導体の電流成分
の他他の導体の電流成分がかなり大きな比率で混
入し、充分な測定精度が得られないという欠点が
生ずる。
本発明は、2本あるいは3本の電流導体が隣接
して配置される場合に、導体の一部をらせん状に
構成し、その内部に磁気センサーを、らせん状導
体の形状・配置によつて決まる所定の方向に向け
て設置することによつて、隣接する他相の磁界の
影響を排除して測定精度を向上させると共に、磁
気センサーを支持部材と共に一体形成することで
らせん状導体の固定を確実にし、小形化できる電
流測定装置を提供する。
して配置される場合に、導体の一部をらせん状に
構成し、その内部に磁気センサーを、らせん状導
体の形状・配置によつて決まる所定の方向に向け
て設置することによつて、隣接する他相の磁界の
影響を排除して測定精度を向上させると共に、磁
気センサーを支持部材と共に一体形成することで
らせん状導体の固定を確実にし、小形化できる電
流測定装置を提供する。
第1図にこの発明の一実施例を示す。1は管状
密閉金属容器であり、内部に絶縁ガスが充填され
ている。2は容器1内に収納されたパイプ状導体
で、所定のピツチのらせん状検出部2aが設けら
れている。3は検出部2a内に配置され偏光子・
検光子を付属したフアラデー効果素子で、検出部
2aを流れる電流のつくる導体軸方向の磁界を検
出する。フアラデー素子3には、LED等の光源
4から光ケーブル5,6を通して光を入力し、フ
アラデー素子3を通過した後の光出力を光ケーブ
ル5,6によつて光電変換・増幅器7に導き、電
気的出力として取出す。8は2個の密閉金属容器
1間にあつて、導体2を保持するためのエポキシ
等の支持部材であり、検出部2aをこの中に設
け、一体成形したものである。
密閉金属容器であり、内部に絶縁ガスが充填され
ている。2は容器1内に収納されたパイプ状導体
で、所定のピツチのらせん状検出部2aが設けら
れている。3は検出部2a内に配置され偏光子・
検光子を付属したフアラデー効果素子で、検出部
2aを流れる電流のつくる導体軸方向の磁界を検
出する。フアラデー素子3には、LED等の光源
4から光ケーブル5,6を通して光を入力し、フ
アラデー素子3を通過した後の光出力を光ケーブ
ル5,6によつて光電変換・増幅器7に導き、電
気的出力として取出す。8は2個の密閉金属容器
1間にあつて、導体2を保持するためのエポキシ
等の支持部材であり、検出部2aをこの中に設
け、一体成形したものである。
フアラデー素子3に対して光を入力・出力する
ための光ケーブルは支持絶縁物中に埋込み、この
中を通して容器1の外に引出す。フアラデー素子
3が置かれる検出部2aは、発熱によつて高温と
なるため、フアラデー素子3の近傍の光ケーブル
5には、テフロン・ジヤケツト等の高耐熱光フア
イバーを用いる。一方、支持部材8から外部へ引
出す光ケーブル6には、ナイロン・ジヤケツト等
の高密閉性光フアイバーを用い、そのジヤケツト
と支持部材8との間で気密性を保持する。これら
両者は融着等の方法により接続点9で接続する。
なお、支持部材8からの引出口の前後および容器
1の外の光ケーブル6は、ゴム、ビニル等の被覆
で包み、機械的強度を持たせる。
ための光ケーブルは支持絶縁物中に埋込み、この
中を通して容器1の外に引出す。フアラデー素子
3が置かれる検出部2aは、発熱によつて高温と
なるため、フアラデー素子3の近傍の光ケーブル
5には、テフロン・ジヤケツト等の高耐熱光フア
イバーを用いる。一方、支持部材8から外部へ引
出す光ケーブル6には、ナイロン・ジヤケツト等
の高密閉性光フアイバーを用い、そのジヤケツト
と支持部材8との間で気密性を保持する。これら
両者は融着等の方法により接続点9で接続する。
なお、支持部材8からの引出口の前後および容器
1の外の光ケーブル6は、ゴム、ビニル等の被覆
で包み、機械的強度を持たせる。
以上の構成により、気密型光コネクタを使うこ
となく、容器外とセンサー部を光学的に接続する
ことが可能となる。
となく、容器外とセンサー部を光学的に接続する
ことが可能となる。
第1図には、1本の電流導体のみを示してある
が、同様の構造を有する2本あるいは3本の導体
が並設されている。これら各相のフアラデー素子
部は導体軸方向の同一位置に設置する。
が、同様の構造を有する2本あるいは3本の導体
が並設されている。これら各相のフアラデー素子
部は導体軸方向の同一位置に設置する。
次に、原理を3相導体の場合について説明す
る。
る。
a相、b相,c相の各導体は、任意の三角形の
頂点に配置されているものとする。ここで、第2
図に示すように、a相のセンサー位置を原点と
し、a相導体軸をZ軸とするような直交座標系を
とる。各相導体のセンサーはX−Y平面上に存在
するように設置する。このとき、b相,c相を流
れる電流Ib,Icのつくる磁界がa相のセンサーに
及ぼす影響を排除することは以下の方法により可
能となる。
頂点に配置されているものとする。ここで、第2
図に示すように、a相のセンサー位置を原点と
し、a相導体軸をZ軸とするような直交座標系を
とる。各相導体のセンサーはX−Y平面上に存在
するように設置する。このとき、b相,c相を流
れる電流Ib,Icのつくる磁界がa相のセンサーに
及ぼす影響を排除することは以下の方法により可
能となる。
第1図におけるらせん状の検出部2aでは、そ
の導体形状に沿つて電流が流れるため、その電流
による発生磁界は、自相のセンサー位置において
は軸方向成分のみとなり、他相のセンサー位置に
おいては軸方向成分と電流の流れている導体を中
心とする円周方向成分を持つ。具体的には、第3
図のb相電流Ibおよびc相電流Icがa相のセンサ
ー位置につくる磁界は、それぞれZ軸方向成分
(Hbz,Hcz)と各相導体を中心とする円周方向
成分(Hb,Hc)となる。さらに円周方向成分を
X,Y軸成分に分けると、結局a相のセンサー位
置につくる磁界のb相,c相成分は(1),(2)式で表
わされるものとなる。ここで・はベクトルを表わ
す信号である。
の導体形状に沿つて電流が流れるため、その電流
による発生磁界は、自相のセンサー位置において
は軸方向成分のみとなり、他相のセンサー位置に
おいては軸方向成分と電流の流れている導体を中
心とする円周方向成分を持つ。具体的には、第3
図のb相電流Ibおよびc相電流Icがa相のセンサ
ー位置につくる磁界は、それぞれZ軸方向成分
(Hbz,Hcz)と各相導体を中心とする円周方向
成分(Hb,Hc)となる。さらに円周方向成分を
X,Y軸成分に分けると、結局a相のセンサー位
置につくる磁界のb相,c相成分は(1),(2)式で表
わされるものとなる。ここで・はベクトルを表わ
す信号である。
H〓b=Hbx
Hby
Hbz= Hbsinb
−Hbcosb
Hbz …(1)
H〓c=Hcx
Hcy
Hcz= Hcsinc
−Hccosc
Hcz …(2)
この式におけるHb,Hc,Hbz,Hczは、各相
の電流の他にらせん状の検出部2aの構造および
母線間距離によつて決まる量である。
の電流の他にらせん状の検出部2aの構造および
母線間距離によつて決まる量である。
一方a相のセンサーの感度方向を第3図に示す
単位ベクトルn〓の方向とする。このときn〓に垂直
な方向に対して感度は零となる。n〓のZ−X平面
への射影のZ軸となす角をα,Z−Y平面への射
影のZ軸となす角をβとすれば、ベクトルn〓の
X,Y,Z成分は n〓=(sinαcosβ,cosαsinβ,cosαcosβ)…(
3) と表現できる。
単位ベクトルn〓の方向とする。このときn〓に垂直
な方向に対して感度は零となる。n〓のZ−X平面
への射影のZ軸となす角をα,Z−Y平面への射
影のZ軸となす角をβとすれば、ベクトルn〓の
X,Y,Z成分は n〓=(sinαcosβ,cosαsinβ,cosαcosβ)…(
3) と表現できる。
a相のセンサーの検出する他相(b,c相)の
磁界H〓oは H〓p=H〓b・n〓+H〓c・n〓 …(4) であり、これを零にするためにはH〓b,H〓cが互い
に独立なことから H〓b・n〓=H〓c・n〓=o …(5) を満足すればよい。以上(1),(2),(3),(5)式から α=tan-1Hbz/Hbcosc−Hcz/Hccosb/cosbs
inc−sinbcosc…(6) β=tan-1Hbz/Hbsinc−Hcz/Hcsinb/cosbs
inc−sinbcosc…(7) が得られる。(6)(7)式においてH〓bz/H〓bおよびH〓c
z/H〓cは各相電流の大きさに関係しない量であ
る。したがつて、a相のセンサーの感度方向を第
3図に示されるように、(6)(7)式の角度α,βによ
つて決定される方向に設置することによつて、b
相電流,c相電流による磁界の影響を排除するこ
とができる。
磁界H〓oは H〓p=H〓b・n〓+H〓c・n〓 …(4) であり、これを零にするためにはH〓b,H〓cが互い
に独立なことから H〓b・n〓=H〓c・n〓=o …(5) を満足すればよい。以上(1),(2),(3),(5)式から α=tan-1Hbz/Hbcosc−Hcz/Hccosb/cosbs
inc−sinbcosc…(6) β=tan-1Hbz/Hbsinc−Hcz/Hcsinb/cosbs
inc−sinbcosc…(7) が得られる。(6)(7)式においてH〓bz/H〓bおよびH〓c
z/H〓cは各相電流の大きさに関係しない量であ
る。したがつて、a相のセンサーの感度方向を第
3図に示されるように、(6)(7)式の角度α,βによ
つて決定される方向に設置することによつて、b
相電流,c相電流による磁界の影響を排除するこ
とができる。
以上、a相のセンサーについて述べたが、b
相、c相のセンサーについても同様に他相の影響
を排除することが可能であり、各相に設置された
センサーは自相の電流による磁界のみを検出する
ため、他相の影響を受けず測定精度が向上する。
相、c相のセンサーについても同様に他相の影響
を排除することが可能であり、各相に設置された
センサーは自相の電流による磁界のみを検出する
ため、他相の影響を受けず測定精度が向上する。
(6)(7)式におけるH〓bz/H〓bまたはH〓cz/H〓cの
値
はらせん状導体の構造と各相導体の配置によつて
決まる量であるが、その絶対値は1に比べて充分
小さい。したがつてセンサーの取付角α,βは充
分小さい値となり、センサーの感度方向と自相電
流による磁界の方向とのずれによる、自相に対す
る感度低下は微小であり、問題にならない。
値
はらせん状導体の構造と各相導体の配置によつて
決まる量であるが、その絶対値は1に比べて充分
小さい。したがつてセンサーの取付角α,βは充
分小さい値となり、センサーの感度方向と自相電
流による磁界の方向とのずれによる、自相に対す
る感度低下は微小であり、問題にならない。
以上述べたように、本発明によれば、導体をら
せん構造とすることで、軸方向の磁界を発生さ
せ、その旋回数およびピツチを適切な値にとるこ
とによつて、フアラデー素子の感度に合つた強さ
の磁界を供給することが可能となり、さらに各相
のフアラデー素子の感度方向を(6),(7)式から求ま
る角度だけ軸方向からずらして設置することによ
つて、他相の影響を排除することが可能となる。
せん構造とすることで、軸方向の磁界を発生さ
せ、その旋回数およびピツチを適切な値にとるこ
とによつて、フアラデー素子の感度に合つた強さ
の磁界を供給することが可能となり、さらに各相
のフアラデー素子の感度方向を(6),(7)式から求ま
る角度だけ軸方向からずらして設置することによ
つて、他相の影響を排除することが可能となる。
また、本発明では、支持部材中にフアラデー素
子を一体成形したので、フアラデー素子の機械的
変位を防ぐとともに小形化を図ることができる。
子を一体成形したので、フアラデー素子の機械的
変位を防ぐとともに小形化を図ることができる。
さらに、フアラデー素子の近傍の光ケーブル
に、テフロン・ジヤケツト等の高耐熱性光フアイ
バーを用いることによつて、電流導体の発熱によ
る高温下においても充分な特性を保持することが
可能であり、一方支持絶縁物中から外部へ引出す
光ケーブルに、ナイロン・ジヤケツト等の気密度
の高い光フアイバーを用い、そのジヤケツトと支
持絶縁物8との間で気密性を保持することによつ
て、気密型光コネクタが不要となる利点がある。
に、テフロン・ジヤケツト等の高耐熱性光フアイ
バーを用いることによつて、電流導体の発熱によ
る高温下においても充分な特性を保持することが
可能であり、一方支持絶縁物中から外部へ引出す
光ケーブルに、ナイロン・ジヤケツト等の気密度
の高い光フアイバーを用い、そのジヤケツトと支
持絶縁物8との間で気密性を保持することによつ
て、気密型光コネクタが不要となる利点がある。
本発明の実施にあたつて、らせん状導体近傍の
支持絶縁物中に、強磁性材料から成るシールド部
材を埋込むことによつて、自相の磁界を強め、他
相へもれる磁界を減少させることができるため、
センサー取付角度設定の許容範囲が広くなり、測
定精度が向上する。
支持絶縁物中に、強磁性材料から成るシールド部
材を埋込むことによつて、自相の磁界を強め、他
相へもれる磁界を減少させることができるため、
センサー取付角度設定の許容範囲が広くなり、測
定精度が向上する。
第1図は本発明の一実施例を示す稿成図、第2
図及び第3図は本発明の作用を示す説明図であ
る。図において、1は容器、2は導体、3は磁気
センサー(フアラデー素子)、8は支持部材であ
る。
図及び第3図は本発明の作用を示す説明図であ
る。図において、1は容器、2は導体、3は磁気
センサー(フアラデー素子)、8は支持部材であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 容器内に2本あるいは3本が隣接して配置さ
れ多相電流が流れる各導体の電流を磁気センサー
で検出するようにしたものにおいて、上記各導体
の少なくとも一部をらせん状に構成し、他相の上
記導体に流れる電流が自相の上記磁気センサーの
位置に作る磁界方向に垂直な一方向のみに感度を
有する上記磁気センサーをらせん状の上記導体内
に配置し、上記磁気センサーが配置された上記導
体の外周を囲繞し上記導体と上記磁気センサーと
を一体化した絶縁性の支持部材を上記容器に固着
した電流測定装置。 2 支持部材内の各導体間に強磁性部材あるいは
導電性部材が埋設されていることを特徴とする特
許請求範囲第1項記載の電流測定装置。 3 磁気センサーは磁気光学素子であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項記載の
電流測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56198277A JPS5897662A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 電流測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56198277A JPS5897662A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 電流測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5897662A JPS5897662A (ja) | 1983-06-10 |
JPH041307B2 true JPH041307B2 (ja) | 1992-01-10 |
Family
ID=16388444
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56198277A Granted JPS5897662A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 電流測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5897662A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60203863A (ja) * | 1984-03-29 | 1985-10-15 | Toshiba Corp | ガス絶縁3相変流器 |
JPS60207071A (ja) * | 1984-03-31 | 1985-10-18 | Toshiba Corp | ガス絶縁変流器 |
JPS60207068A (ja) * | 1984-03-31 | 1985-10-18 | Toshiba Corp | ガス絶縁変流器 |
JPS61215966A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-25 | Toshiba Corp | 変流器装置 |
JP4768962B2 (ja) * | 2004-02-17 | 2011-09-07 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 多相電流検出装置 |
-
1981
- 1981-12-04 JP JP56198277A patent/JPS5897662A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5897662A (ja) | 1983-06-10 |
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