JPH04130422A - Liquid crystal cell - Google Patents
Liquid crystal cellInfo
- Publication number
- JPH04130422A JPH04130422A JP2252482A JP25248290A JPH04130422A JP H04130422 A JPH04130422 A JP H04130422A JP 2252482 A JP2252482 A JP 2252482A JP 25248290 A JP25248290 A JP 25248290A JP H04130422 A JPH04130422 A JP H04130422A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- liquid crystal
- gate
- transparent
- counter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 20
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、例えば液晶空間光変調器に用いられる液晶
セルの構造に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to the structure of a liquid crystal cell used, for example, in a liquid crystal spatial light modulator.
［従来の技術］
第２図は例えば公開昭６２−２９７８８０号公報に示さ
れた従来の逆スタガー型薄膜トランジスタヲ有する薄膜
トランジスタアレイ基板と対向基板より成る液晶セルを
示す断面図である。まず薄膜トランジスタアレイ基板よ
り説明する。図に於て、 く１）は透明絶縁基板、 （
２）は画素電極で一般にＩＴＯが使われる。 （３）は
ゲート配線であり、 （４）は半導体層、 （５）はソ
ース配線、く６）はドレイン電極である。 （７）はゲ
ート絶縁膜、 （８）は保護膜でありシリコン窒化膜等
の絶縁膜が用いられる。 （９）は配向膜である。次に
対向基板について説明する。 （１０）は透明絶縁性基
板であり、 （１１）は対向電極で一般にＩＴｏが使わ
れる。また、 （１２）は配向膜である。[Prior Art] FIG. 2 is a sectional view showing a liquid crystal cell comprising a thin film transistor array substrate having a conventional inverted stagger type thin film transistor and a counter substrate, as disclosed in, for example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 62-297880. First, the thin film transistor array substrate will be explained. In the figure, 1) is a transparent insulating substrate, (
2) is a pixel electrode, and ITO is generally used. (3) is a gate wiring, (4) is a semiconductor layer, (5) is a source wiring, and 6) is a drain electrode. (7) is a gate insulating film, and (8) is a protective film, which is an insulating film such as a silicon nitride film. (9) is an alignment film. Next, the counter substrate will be explained. (10) is a transparent insulating substrate, and (11) is a counter electrode generally made of ITo. Further, (12) is an alignment film.
これらの基板の間に液晶（１３）が挟み込まれている。A liquid crystal (13) is sandwiched between these substrates.
次に動作について説明する。ゲート電極に電圧が印加さ
れると半導体層（４）にキ１リアーが誘起され薄膜トラ
ンジスタはＯＮ状態となる。ゲ−ト電極に電圧が印加さ
れていないときはＯＦＦ状態である。ＯＮ状態ではソー
ス信号電圧はそのままドレイン電極に印加され、対向基
板上の透明電極（１１）に印加されている電圧との差分
の電圧が液晶に印加されることになる。これにより液晶
の光学特性が変化し、光強度を変調することができる。Next, the operation will be explained. When a voltage is applied to the gate electrode, a signal is induced in the semiconductor layer (4) and the thin film transistor is turned on. When no voltage is applied to the gate electrode, it is in an OFF state. In the ON state, the source signal voltage is directly applied to the drain electrode, and the voltage difference from the voltage applied to the transparent electrode (11) on the counter substrate is applied to the liquid crystal. This changes the optical properties of the liquid crystal, making it possible to modulate the light intensity.
［発明が解決しようとする課題］
従来の液晶セルは以上のように構成されており、ソース
電極またはゲート電極と対向電極（１１）間の容量につ
いてはなんら考慮されていなかった。[Problems to be Solved by the Invention] Conventional liquid crystal cells are configured as described above, and no consideration was given to the capacitance between the source electrode or gate electrode and the counter electrode (11).
このため、これらの容量とソース配線（５）抵抗或はゲ
ート配線（３）抵抗によるソース信号或はゲート信号の
立ち上がり速度の低下を招くというという問題点があっ
た。Therefore, there is a problem in that the rise speed of the source signal or gate signal is reduced due to these capacitances and the resistance of the source wiring (5) or gate wiring (3).
この発明は上記のような問題点を解消するために成され
たもので、ソース電極と対向電極（１１）間の容量或は
ゲート電極と対向電極（１１）間の容量を低減しソース
信号或はゲート信号の立ち上がり速度の低下を防ぐこと
を目的とする。This invention was made to solve the above problems, and reduces the capacitance between the source electrode and the counter electrode (11) or the capacitance between the gate electrode and the counter electrode (11), thereby reducing the source signal or the counter electrode (11). The purpose of this is to prevent the rise speed of the gate signal from decreasing.
［課題を解決するための手段］
この発明に係る液晶セルは、対向電極のうちゲート配線
以外の部分およびソース配線以外の部分の少なくとも一
方の部分に於て透明絶縁基板との間に透明な膜を設けた
ものである。[Means for Solving the Problems] A liquid crystal cell according to the present invention includes a transparent film between at least one of a portion of the counter electrode other than the gate wiring and a portion other than the source wiring and a transparent insulating substrate. It has been established.
［作用コ
ニの発明における七ル構造では、画素電極に対向する部
分の対向電極の表面と画素電極の表面との距離（以下七
ルギャップと呼ぶ）が同じ場合、ソース配線或はゲート
配線に対向する部分の対向電極の表面とソース配線或は
ゲート配線の表面との距離が従来の構造に比べて大きく
でき、従来の構造にくらべて同じ七ルギャップに対しソ
ース電極或はゲート電極と対向電極間の容量を低減する
ことができる。[In the seven-channel structure in Koni's invention, if the distance between the surface of the counter electrode and the surface of the pixel electrode (hereinafter referred to as the seven-channel gap) is the same in the part facing the pixel electrode, the gap between the opposing electrode and the pixel electrode is the same. The distance between the surface of the opposing electrode and the surface of the source wiring or gate wiring can be increased compared to the conventional structure, and the distance between the source electrode or gate electrode and the opposing electrode for the same gap can be increased compared to the conventional structure. Capacity can be reduced.
［実施例コ
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図（ａ）はこの発明の一実施例による液晶セルを示す断
面図、第１図（ｂ）は（ａ）の液晶セルを上部より見た
平面図である。図に於て、（１）（１０）は透明絶縁基
板、 （２）は画素電極、 （１１）は対向電極で例
えば［ＴＯが使われる。 （３）はゲート配線であり、
例えばＣｒ等が使われている。 （４）は半導体層であ
り、例えば水素化アモルファスシリコンが用いられる。[Example 1] An example of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1st
FIG. 1(a) is a sectional view showing a liquid crystal cell according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1(b) is a plan view of the liquid crystal cell of FIG. 1(a) viewed from above. In the figure, (1) and (10) are transparent insulating substrates, (2) is a pixel electrode, and (11) is a counter electrode, for example, [TO is used. (3) is the gate wiring,
For example, Cr is used. (4) is a semiconductor layer, for example, hydrogenated amorphous silicon is used.
（５）はソース配線、 （６）はドレイン電極であり
、例えばＡＩ等が使われる。 （７）はゲート絶縁膜、
（８）は保護膜であり例えばシリコン窒化膜が用いられ
る。 （９）（１２）は配向膜である。 （１３）は液
晶である。また、 （１４）は対向電極（１１）のうち
ゲート配線（３）およびソース配線（５）以外の部分に
於て透明絶縁基板（ｌＯ）との間に設けられた透明な膜
すなわち二の例ではカラーフィルターであり、また、こ
の例ではこのカラーフィルター（１４）は画素電極（２
）と対向する部分のみに設けられている。なお、第１図
（ｂ）では明瞭の為カラーフィルター（１４）を設けた
部分はハツチングで示している。(5) is a source wiring, and (6) is a drain electrode, for example, AI or the like is used. (7) is a gate insulating film,
(8) is a protective film, for example, a silicon nitride film is used. (9) and (12) are alignment films. (13) is a liquid crystal. In addition, (14) is a transparent film provided between the transparent insulating substrate (lO) in a portion of the counter electrode (11) other than the gate wiring (3) and the source wiring (5), that is, the second example. In this example, this color filter (14) is connected to the pixel electrode (2).
) is provided only on the part facing the In FIG. 1(b), for clarity, the portion where the color filter (14) is provided is shown by hatching.
上記のように構成された液晶セルにおいては、対向基板
の透明絶縁基板（１０）と対向電極（ｌ■）との間に設
けた透明な膜（１４）によりソス電極或はゲート電極と
対向電極（１１）間の容量を低減することができる。ま
た対向基板と対向電極の間に設けた透明な膜（１４）と
してカラーフィルターを用いているので工程数は従来の
ままで済ますことができる。In the liquid crystal cell configured as described above, a transparent film (14) provided between the transparent insulating substrate (10) of the counter substrate and the counter electrode (l■) connects the SOS electrode or gate electrode to the counter electrode. (11) It is possible to reduce the capacitance between. Furthermore, since a color filter is used as the transparent film (14) provided between the counter substrate and the counter electrode, the number of steps can be kept as is.
なお、上記実施例では透明絶縁基板（１０）と対向電極
（１１）の間に設けた透明な膜（１４）としてカラーフ
ィルター’ｋ 用１．’ ７’、：が、Ｓ ｉ ０２゜
Ｓｉ３Ｎ４． ポリイミド等の透明な絶縁膜でもよく
、また５ｎ０２． ＩＴＯ等の透明な導電膜でもよい
。In the above embodiment, the transparent film (14) provided between the transparent insulating substrate (10) and the counter electrode (11) was used for color filter 'k. '7', : is S i 02°Si3N4. A transparent insulating film such as polyimide may be used, and 5n02. A transparent conductive film such as ITO may also be used.
また、透明絶縁基板（ｌＯ）と対向電極（１１）の間に
設ける透明な膜（１４）の部分としてゲート配線（３）
以外の部分、またはソース配線（５）以外の部分、また
はゲート配線（３）及びソース配線（５）以外の部分の
何れであってもよい。In addition, a gate wiring (3) is provided as a part of the transparent film (14) provided between the transparent insulating substrate (lO) and the counter electrode (11).
, a portion other than the source wiring (5), or a portion other than the gate wiring (3) and the source wiring (5).
［発明の効果コ
以上のように、この発明によれば、対向電極のうちゲー
ト配線以外の部分およびソース配線以外の部分の少なく
とも一方の部分に於て対向基板の透明絶縁基板との間に
透明な膜を設けたので、ソス電極或はゲート電極と対向
電極間の容量を低減する二とができ、ソース信号或はゲ
ート湧号の立ち上がり特性が改善され性能が向上する効
果がある。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, there is a transparent insulating substrate of the counter substrate in at least one of the portions of the counter electrode other than the gate wiring and the portion other than the source wiring. Since such a film is provided, it is possible to reduce the capacitance between the source electrode or the gate electrode and the counter electrode, and the rise characteristics of the source signal or gate signal are improved, which has the effect of improving performance.
第１図（ａ）は二の発明の一実施例による液晶セルを示
す断面図、第１図（ｂ）は（ａ）の液晶セルを上部より
見た平面図、第２図は従来の液晶セルを示す断面図であ
る。
図において、 （１）（１０）は透明絶縁基板、（２）
は画素電極、 （１１）は対向電極、 （３）はゲート
配線、 （４）は半導体層、 （５）はソース配線、
（６）はドレイン電極、 （７）はゲート絶縁膜、 （
８）は保護膜、 （９）（１２）は配向膜、 く１３）
は液晶、 （１４）はカラーフィルターである。FIG. 1(a) is a sectional view showing a liquid crystal cell according to an embodiment of the second invention, FIG. 1(b) is a plan view of the liquid crystal cell of FIG. 1(a) seen from above, and FIG. 2 is a conventional liquid crystal cell. It is a sectional view showing a cell. In the figure, (1) and (10) are transparent insulating substrates, (2)
is a pixel electrode, (11) is a counter electrode, (3) is a gate wiring, (4) is a semiconductor layer, (5) is a source wiring,
(6) is the drain electrode, (7) is the gate insulating film, (
8) is a protective film, (9) and (12) are alignment films, 13)
is a liquid crystal, and (14) is a color filter.
Claims (1)
ている薄膜トランジスタと透明な画素電極とソース配線
とゲート配線とを少なくとも具備する薄膜トランジスタ
アレイ基板、および少なくともその表面が絶縁物からな
る基板上に設けられている透明な対向電極を少なくとも
具備する対向基板により液晶を挟み込むような構造を有
する液晶セルに於て、上記対向電極のうち上記ゲート配
線以外の部分およびソース配線以外の部分の少なくとも
一方の部分に於て上記対向基板の透明絶縁基板との間に
透明な膜を設けたことを特徴とする液晶セル。A thin film transistor array substrate including at least a thin film transistor provided on a substrate at least whose surface is made of an insulating material, a transparent pixel electrode, a source wiring, and a gate wiring; In a liquid crystal cell having a structure in which a liquid crystal is sandwiched between opposing substrates having at least transparent opposing electrodes, at least one of a portion of the opposing electrode other than the gate wiring and a portion other than the source wiring. A liquid crystal cell characterized in that a transparent film is provided between the counter substrate and the transparent insulating substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2252482A JPH04130422A (en) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | Liquid crystal cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2252482A JPH04130422A (en) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | Liquid crystal cell |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04130422A true JPH04130422A (en) | 1992-05-01 |
Family
ID=17237992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2252482A Pending JPH04130422A (en) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | Liquid crystal cell |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04130422A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19505081C2 (en) * | 1994-02-17 | 1999-11-25 | Murata Manufacturing Co | High voltage capacitor and process for its manufacture |
-
1990
- 1990-09-21 JP JP2252482A patent/JPH04130422A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19505081C2 (en) * | 1994-02-17 | 1999-11-25 | Murata Manufacturing Co | High voltage capacitor and process for its manufacture |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3708637B2 (en) | Liquid crystal display device | |
| KR100250093B1 (en) | Active matrix substrate and method for producing the same | |
| US4821092A (en) | Thin film transistor array for liquid crystal display panel | |
| JP2616160B2 (en) | Thin film field effect transistor element array | |
| US6614500B2 (en) | Liquid crystal display having a dummy source pad and method for manufacturing the same | |
| US7656467B2 (en) | Liquid crystal display and fabricating method thereof | |
| JP2001005032A (en) | Liquid crystal display device | |
| US5426523A (en) | Liquid crystal display having a light blocking film on stepped portions | |
| KR20010040002A (en) | Active matrix type liquid crystal display apparatus | |
| JP2682997B2 (en) | Liquid crystal display device with auxiliary capacitance and method of manufacturing liquid crystal display device with auxiliary capacitance | |
| JPH09218424A (en) | Liquid crystal display element of thin-film transistors and its production | |
| JPH06332007A (en) | Liquid crystal display device | |
| JPH031648B2 (en) | ||
| KR20050031478A (en) | Ocb mode liquid crystal display | |
| JPH04130422A (en) | Liquid crystal cell | |
| JPH0720496A (en) | Active matrix type liquid crystal display device | |
| JPH0239103B2 (en) | ||
| JP3124025B2 (en) | Liquid crystal display | |
| JP3113480B2 (en) | Liquid crystal display | |
| JPH0862629A (en) | Liquid crystal display device | |
| JP2947299B2 (en) | Matrix display device | |
| JPH0748563B2 (en) | Thin film transistor device | |
| KR100282331B1 (en) | In-plane switching mode liquid crystal device | |
| JP2804063B2 (en) | Thin film transistor, active matrix circuit substrate using the transistor, and image display device | |
| JP2677248B2 (en) | Active matrix liquid crystal display panel |