JPH04129213A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH04129213A JPH04129213A JP25057290A JP25057290A JPH04129213A JP H04129213 A JPH04129213 A JP H04129213A JP 25057290 A JP25057290 A JP 25057290A JP 25057290 A JP25057290 A JP 25057290A JP H04129213 A JPH04129213 A JP H04129213A
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- inner tube
- tube
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- semiconductor substrates
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Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 8
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造装置に関し、特に減圧化学気
相成長装置に関する。
相成長装置に関する。
従来の減圧化学気相成長装置は、第４図（ａ）の縦型炉
の部分断面斜視図に示すように、反応炉の外管２内に設
置された内管１内に、半導体基板４を石英ボート７に載
せて設置し、この反応炉をとりまくようにヒータ３が巻
かれており、また反応炉内を減圧する真空ポンプ６を有
し、石英ボートを設置する断熱筒５を有している。
の部分断面斜視図に示すように、反応炉の外管２内に設
置された内管１内に、半導体基板４を石英ボート７に載
せて設置し、この反応炉をとりまくようにヒータ３が巻
かれており、また反応炉内を減圧する真空ポンプ６を有
し、石英ボートを設置する断熱筒５を有している。
反応ガスは導入口より外管１まなは内管２内に導入され
、ヒータ３の熱により化学反応を起こし、炉内に設置さ
れた半導体基板５上に反応生成物による薄膜を形成する
。なお、この時、真空ポンプ７により炉内は減圧下に保
たれている。
、ヒータ３の熱により化学反応を起こし、炉内に設置さ
れた半導体基板５上に反応生成物による薄膜を形成する
。なお、この時、真空ポンプ７により炉内は減圧下に保
たれている。
また、第４図（ｂ）は従来の横型炉の部分断面斜視図で
、図（ａ）に対し内管及び断熱筒が不要である点、さら
に石英ボート７の構造が異なる点を除けば、基本的には
同じ構造を有する。
、図（ａ）に対し内管及び断熱筒が不要である点、さら
に石英ボート７の構造が異なる点を除けば、基本的には
同じ構造を有する。
上記の半導体基板４は、外管２又は内管１の内側に一定
間隔で設置され、炉内の半導体基板の中心は全て同軸上
に一存在するように設置されている。
間隔で設置され、炉内の半導体基板の中心は全て同軸上
に一存在するように設置されている。
この従来の減圧化学気相成長装置は、第４図（ａ）、（
ｂ）とも、１本の同軸上にのみ半導体基板を配置してい
るため、処理量が少ないという問題点があった。
ｂ）とも、１本の同軸上にのみ半導体基板を配置してい
るため、処理量が少ないという問題点があった。
本発明は、複数枚の半導体基板が一定間隔で水平にかつ
各半導体基板の中心が一致するように搭載され゛るボー
トを、反応管内の同一円周上に複数個配置して減圧化学
気相成長を行う半導体装置の製造装置である。
各半導体基板の中心が一致するように搭載され゛るボー
トを、反応管内の同一円周上に複数個配置して減圧化学
気相成長を行う半導体装置の製造装置である。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の実施例１を示す部分断面斜視図である
。内径７００ｍｍの石英製外管２内に、内径１８０ｍｍ
の石英製内管１を、第１図のように半導体基板の中心が
同一円周上に位置するように６本並べて立てる。半導体
基板４の出し入れは、反応炉下部より行うため、炉内温
度を均一にするなめに断熱筒５を備えている。反応ガス
は下部より導入され、内管１の内部を上に向かって流れ
、内管１上側の開口部より出た未反応ガス及び反応生成
ガスは、内管１の外壁を通って外管下部の排気口より排
出される。
。内径７００ｍｍの石英製外管２内に、内径１８０ｍｍ
の石英製内管１を、第１図のように半導体基板の中心が
同一円周上に位置するように６本並べて立てる。半導体
基板４の出し入れは、反応炉下部より行うため、炉内温
度を均一にするなめに断熱筒５を備えている。反応ガス
は下部より導入され、内管１の内部を上に向かって流れ
、内管１上側の開口部より出た未反応ガス及び反応生成
ガスは、内管１の外壁を通って外管下部の排気口より排
出される。
一つの内管には半導体基板４が１５０枚設置でき、−度
に合計９００枚の処理が可能である。設置面積はヒータ
ー幅２５０ｍｍとして約１．１ｍ２である。
に合計９００枚の処理が可能である。設置面積はヒータ
ー幅２５０ｍｍとして約１．１ｍ２である。
さらに真空ポンプ６は０．５ｍ２の設置面積が必要とす
ると、装置の単位面積当たりの処理量は、９００枚／１
．６ｍ”＝５６３枚／ｍ２となる。又、１回の処理時間
が４時間がかるとすると、１日で６回即ち、５４００枚
処理が可能である。
ると、装置の単位面積当たりの処理量は、９００枚／１
．６ｍ”＝５６３枚／ｍ２となる。又、１回の処理時間
が４時間がかるとすると、１日で６回即ち、５４００枚
処理が可能である。
実施例２として、第２図（ａ）の縦断面図及びそのＡ−
Ａ断面図である図（ｂ）に示すように、内管１を１本に
した構造とし、その反応炉部分とガスの流れについて示
した。内管１とガス導入管８の側面には穴が多数開いて
おり、ガスは導入管８の側面穴から半導体基板４上を通
り化学気相反応し、半導体基板４上に薄膜を形成する。
Ａ断面図である図（ｂ）に示すように、内管１を１本に
した構造とし、その反応炉部分とガスの流れについて示
した。内管１とガス導入管８の側面には穴が多数開いて
おり、ガスは導入管８の側面穴から半導体基板４上を通
り化学気相反応し、半導体基板４上に薄膜を形成する。
未反応ガス及び反応生成ガスは内管１と外管２の間を通
り排出される。実施例２のような構造にすると、内管が
１つであるため装置メンテナンスが容易であるという利
点を持つ。
り排出される。実施例２のような構造にすると、内管が
１つであるため装置メンテナンスが容易であるという利
点を持つ。
第３図は上述した実施例１と従来型との処理枚数を比較
したグラフを示す。
したグラフを示す。
従来型の第４図（ａ）タイプでは、同じ＜９００枚の処
理を行うとすると、６台の炉が必要で設置面積は、真空
ポンプが６台必要となるので５．４ｍ”となり、単位面
積当りの処理枚数は約１６７枚／ ｍ ２である。又、
１台の装置で処理できる枚数は１５０枚、処理にかかる
時間は４時間とすると、１日当りの処理量は９００枚／
日となる。
理を行うとすると、６台の炉が必要で設置面積は、真空
ポンプが６台必要となるので５．４ｍ”となり、単位面
積当りの処理枚数は約１６７枚／ ｍ ２である。又、
１台の装置で処理できる枚数は１５０枚、処理にかかる
時間は４時間とすると、１日当りの処理量は９００枚／
日となる。
従来型の図（ｂ）タイプの場合は、同じ＜９００枚の処
理を行うとすると、図（ｂ）タイプの炉を重ねて３段に
してこれを２セツト用意し、必要な設置面積は真空ポン
プ６台分を含めて５．８ｍ２である。従って、単位面積
当りの処理量は、約１５５枚／ ｍ ２である。又、１
台の装置で処理できる枚数は１５０枚なので、１日当り
の処理枚数は図（ａ）タイプ同８！９００枚／１日であ
る。
理を行うとすると、図（ｂ）タイプの炉を重ねて３段に
してこれを２セツト用意し、必要な設置面積は真空ポン
プ６台分を含めて５．８ｍ２である。従って、単位面積
当りの処理量は、約１５５枚／ ｍ ２である。又、１
台の装置で処理できる枚数は１５０枚なので、１日当り
の処理枚数は図（ａ）タイプ同８！９００枚／１日であ
る。
したがって、実施例１の装置を用いれば、処理量は単位
面積当りで約２倍、単位時間当りでは５倍増加するとい
う効果がある。
面積当りで約２倍、単位時間当りでは５倍増加するとい
う効果がある。
以上説明したように本発明は、一つの外管に複数本の内
管が入るようにして一度の処理枚数を増やしなので、単
位面積当りの処理量及び１日の処理量が大幅に増大する
。
管が入るようにして一度の処理枚数を増やしなので、単
位面積当りの処理量及び１日の処理量が大幅に増大する
。
第１図は本発明の実施例１の部分断面斜視図、第２図（
ａ）、（ｂ）は実施例２の縦断面図及びそのＡ−Ａ断面
図、第３図は本発明の実施例１の用いたときの処理量と
従来装置の処理量を比較したグラフ、第４図（ａ）、（
ｂ）はそれぞれ従来の減圧化学気相成長装置の部分断面
斜視図である。 １・・・内管、２・・・外管、３・・・ヒータ、４・・
・半導体基板、 ５・・・断熱筒、 ６・・・真空ポンプ、 ７・・・石英ボ ート、 ８・・・ガス導入管。
ａ）、（ｂ）は実施例２の縦断面図及びそのＡ−Ａ断面
図、第３図は本発明の実施例１の用いたときの処理量と
従来装置の処理量を比較したグラフ、第４図（ａ）、（
ｂ）はそれぞれ従来の減圧化学気相成長装置の部分断面
斜視図である。 １・・・内管、２・・・外管、３・・・ヒータ、４・・
・半導体基板、 ５・・・断熱筒、 ６・・・真空ポンプ、 ７・・・石英ボ ート、 ８・・・ガス導入管。
Claims (1)
- 反応管内に半導体基板を設置し、減圧下において化学気
相反応を行い半導体基板上に薄膜を形成する半導体装置
の製造装置において、複数枚の半導体基板が一定間隔で
水平にかつ各半導体基板の中心が一致するように搭載さ
れるボートを複数個前記反応管内の同一円周上に配置す
ることを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25057290A JPH04129213A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25057290A JPH04129213A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04129213A true JPH04129213A (ja) | 1992-04-30 |
Family
ID=17209886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25057290A Pending JPH04129213A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04129213A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102576669A (zh) * | 2009-07-16 | 2012-07-11 | 圆益Ips股份有限公司 | 半导体制造装置 |
| JP2020519032A (ja) * | 2017-05-08 | 2020-06-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 設置面積を減少した製造環境のための垂直マルチ・バッチ磁気アニールシステム |
-
1990
- 1990-09-20 JP JP25057290A patent/JPH04129213A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102576669A (zh) * | 2009-07-16 | 2012-07-11 | 圆益Ips股份有限公司 | 半导体制造装置 |
| JP2012533876A (ja) * | 2009-07-16 | 2012-12-27 | ウォニク アイピーエス カンパニ リミテッド | 半導体製造装置 |
| JP2020519032A (ja) * | 2017-05-08 | 2020-06-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 設置面積を減少した製造環境のための垂直マルチ・バッチ磁気アニールシステム |
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