JPH04129044A - 情報読取り及び/又は入力装置 - Google Patents
情報読取り及び/又は入力装置Info
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- JPH04129044A JPH04129044A JP25145790A JP25145790A JPH04129044A JP H04129044 A JPH04129044 A JP H04129044A JP 25145790 A JP25145790 A JP 25145790A JP 25145790 A JP25145790 A JP 25145790A JP H04129044 A JPH04129044 A JP H04129044A
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Landscapes
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は情報読取り及び/又は入力装置、特に試料面に
対向して配置したプローブを走査させながらこの試料面
に対して情報読取り及び/又は入力を行なう装置に関す
る。
対向して配置したプローブを走査させながらこの試料面
に対して情報読取り及び/又は入力を行なう装置に関す
る。
近年、メモリ材料の用途は、コンピュータおよびその関
連機器、ビデオディスク、ディジタルオーディオディス
ク等のエレクトロニクス産業の中核をなすものであり、
その材料開発も極めて活発に進んでいる。メモリ材料に
要求される性能は用途により異なるが、−殻内には、 ■高密度で記録容量が大きい、 ■記録再生の応答速度が速い、 ■消費電力が少ない、 ■生産性が高(、価格が安い、 等が挙げられる。
連機器、ビデオディスク、ディジタルオーディオディス
ク等のエレクトロニクス産業の中核をなすものであり、
その材料開発も極めて活発に進んでいる。メモリ材料に
要求される性能は用途により異なるが、−殻内には、 ■高密度で記録容量が大きい、 ■記録再生の応答速度が速い、 ■消費電力が少ない、 ■生産性が高(、価格が安い、 等が挙げられる。
従来までは磁性体や半導体を素材とした半導体メモリや
磁気メモリが主であったが、近年レーザー技術の進展に
ともない、有機色素、フォトポリマーなどの有機薄膜を
用いた光メモリによる安価で高密度な記録媒体が登場し
てきた。
磁気メモリが主であったが、近年レーザー技術の進展に
ともない、有機色素、フォトポリマーなどの有機薄膜を
用いた光メモリによる安価で高密度な記録媒体が登場し
てきた。
一方、最近、導体の表面原子の電子構造を直接観察でき
る一走査型トンネル顕微鏡(以後、STMと略す)が開
発され、[G、Binning et a!、、 He
lveticaPhysica Acta、55,7
26 (1982)]単結晶、非晶質を問わず実空間像
の高い分解能の測定ができるようになり、しかも媒体に
電流による損傷を与えずに低電力で観測できる利点をも
有し、さらに大気中でも動作し、種々の材料に対して用
いることができるため広範囲な応用が期待されている。
る一走査型トンネル顕微鏡(以後、STMと略す)が開
発され、[G、Binning et a!、、 He
lveticaPhysica Acta、55,7
26 (1982)]単結晶、非晶質を問わず実空間像
の高い分解能の測定ができるようになり、しかも媒体に
電流による損傷を与えずに低電力で観測できる利点をも
有し、さらに大気中でも動作し、種々の材料に対して用
いることができるため広範囲な応用が期待されている。
STMは金属の探針と導電性物質の間に電圧を加えてl
nm程度の距離まで近づけるとトンネル電流が流れるこ
とを利用している。この電流は両者の距離変化に非常に
敏感であり、トンネル電流を一定に保つように探針を走
査することにより実空間の表面構造を描くことができる
と同時に表面原子の全電子雲に関する種々の情報をも読
み取ることができる。STMを用いた解析は導電性試料
に限られるが、導電性材料の表面に非常に薄く形成され
た単分子膜の構造解析にも応用され始めており、個々の
有機分子の状態の違いを利用した高密度記録の再生技術
としての応用も考えられる。
nm程度の距離まで近づけるとトンネル電流が流れるこ
とを利用している。この電流は両者の距離変化に非常に
敏感であり、トンネル電流を一定に保つように探針を走
査することにより実空間の表面構造を描くことができる
と同時に表面原子の全電子雲に関する種々の情報をも読
み取ることができる。STMを用いた解析は導電性試料
に限られるが、導電性材料の表面に非常に薄く形成され
た単分子膜の構造解析にも応用され始めており、個々の
有機分子の状態の違いを利用した高密度記録の再生技術
としての応用も考えられる。
このSTMの原理を用いて、記録媒体上に電子状態の変
化を起こして、nmオーダーで記録再生する方法がいく
つか提案されている(特開昭63−161552号公報
、特開昭63−161553号公報)。
化を起こして、nmオーダーで記録再生する方法がいく
つか提案されている(特開昭63−161552号公報
、特開昭63−161553号公報)。
この様なSTMの原理を用いた記録再生において、その
記録あるいは再生の具体的方法としては、記録媒体に対
向して配置したプローブを、記録媒体に対し、相対的に
往復動走査させながらこのプローブを用いて記録再生動
作を行なう事が考えられる。
記録あるいは再生の具体的方法としては、記録媒体に対
向して配置したプローブを、記録媒体に対し、相対的に
往復動走査させながらこのプローブを用いて記録再生動
作を行なう事が考えられる。
本発明の目的は、上述の如き、プローブを相対的往復動
させながらこのプローブで情報読取り及び/又は入力を
行なう装置において、より正確な情報読取り及び/又は
入力を行なう事が可能な装置を提供する事にある。
させながらこのプローブで情報読取り及び/又は入力を
行なう装置において、より正確な情報読取り及び/又は
入力を行なう事が可能な装置を提供する事にある。
上述の目的を達成するために、本発明は試料面に対向し
て配置したプローブを該試料面に対して相対的に折り返
し走査させながら該試料面からの情報読取り及び/また
は該試料面への情報入力を行なう装置において、前記プ
ローブを前記試料面に対して相対的に連続して折り返し
走査させる駆動手段と、前記プローブによる前記試料面
の折り返し走査経路に角部が生じないように前記駆動手
段を制御する制御手段とを設けた。この様にする事によ
り、プローブの相対的往復動の折り返し時に、プローブ
に急激な方向変化による微小振動を発生しにくくするこ
とができる。従って、この微小振動による読取り又は入
力時のプローブのブレを防止し、より正確な情報読取り
及び/又は入力が可能となる。
て配置したプローブを該試料面に対して相対的に折り返
し走査させながら該試料面からの情報読取り及び/また
は該試料面への情報入力を行なう装置において、前記プ
ローブを前記試料面に対して相対的に連続して折り返し
走査させる駆動手段と、前記プローブによる前記試料面
の折り返し走査経路に角部が生じないように前記駆動手
段を制御する制御手段とを設けた。この様にする事によ
り、プローブの相対的往復動の折り返し時に、プローブ
に急激な方向変化による微小振動を発生しにくくするこ
とができる。従って、この微小振動による読取り又は入
力時のプローブのブレを防止し、より正確な情報読取り
及び/又は入力が可能となる。
第1図(A)は本発明の第1実施例に係る記録再生装置
を示すブロック構成図である。第1図(A)中、lは記
録装置101.基板電極103、基板104より成る記
録媒体、102はプローブ電極、105は媒体100と
プローブ電極102間のトンネル電流を検出かつ増巾す
るプローブ電流増巾器で、106はトンネル電流が一定
になるように圧電素子を用いた微動機構107を制御す
るサーボ回路である。lO8は記録あるいは消去時には
プローブ電極102と電極と電極103の間に記録/消
去用のパルス電圧を、又再生時には情報再生用一定電圧
を印加するための電源である。
を示すブロック構成図である。第1図(A)中、lは記
録装置101.基板電極103、基板104より成る記
録媒体、102はプローブ電極、105は媒体100と
プローブ電極102間のトンネル電流を検出かつ増巾す
るプローブ電流増巾器で、106はトンネル電流が一定
になるように圧電素子を用いた微動機構107を制御す
るサーボ回路である。lO8は記録あるいは消去時には
プローブ電極102と電極と電極103の間に記録/消
去用のパルス電圧を、又再生時には情報再生用一定電圧
を印加するための電源である。
パルス電圧を印加するときプローブ電流が急激に変化す
るためサーボ回路106は、その間出力電圧が一定にな
るように、HOLD回路をONにするように制御してい
る。
るためサーボ回路106は、その間出力電圧が一定にな
るように、HOLD回路をONにするように制御してい
る。
109はXY力方向プローブ電極102を移動させる様
に微動機構107を制御するためのXY方向走査駆動回
路である。110は粗動機構、111は粗動機構110
を制御する粗動駆動回路で、110と111は、あらか
じめ10−” A程度のプローブ電流が得られる様にプ
ローブ電極102と記録媒体1との距離を粗動制御する
ものである。これらの各機器は、すべてマイクロコンピ
ュータ112により中央制御されている。また113は
再生情報表示等を行なう表示機器を表わしている。11
4はXYステージである。
に微動機構107を制御するためのXY方向走査駆動回
路である。110は粗動機構、111は粗動機構110
を制御する粗動駆動回路で、110と111は、あらか
じめ10−” A程度のプローブ電流が得られる様にプ
ローブ電極102と記録媒体1との距離を粗動制御する
ものである。これらの各機器は、すべてマイクロコンピ
ュータ112により中央制御されている。また113は
再生情報表示等を行なう表示機器を表わしている。11
4はXYステージである。
以下、実施例を図面に従って説明する。
電極102として白金型のプローブ電極を用いる。
このプローブ電極102はサーボ回路106により記録
層101の表面との距離(Z)を制御すべく、電流を一
定に保つように圧電素子により、その距離(Z)を微動
制御されている。更に微動機構107は距離Zを一定に
保ったまま、面内(x、y)方向にも微動制御できるよ
うに設計されている。また、記録媒体は高精度のXYス
テージ114の上に置かれ、任意の位置に移動させるこ
とができる。
層101の表面との距離(Z)を制御すべく、電流を一
定に保つように圧電素子により、その距離(Z)を微動
制御されている。更に微動機構107は距離Zを一定に
保ったまま、面内(x、y)方向にも微動制御できるよ
うに設計されている。また、記録媒体は高精度のXYス
テージ114の上に置かれ、任意の位置に移動させるこ
とができる。
次に、Auで形成した電極103の上に形成されたスク
アリリュウムービス−6−オクチルアズレン(以下5O
AZと略す)のLB膜(8層)を用いた記録・再生・消
去についてその詳細を記す。
アリリュウムービス−6−オクチルアズレン(以下5O
AZと略す)のLB膜(8層)を用いた記録・再生・消
去についてその詳細を記す。
5OA28層を累積した記録層101をもつ記録媒体1
をXYステージ114の上に置き、まず目視によりプロ
ーブ電極102の位置を決め、しっかりと固定する。A
u電極(アース側)103とプローブ電極102の間に
電圧を印加し、電流をモニターしながらプローブ電極1
02と記録層101表面との距離(Z)を調整する。
をXYステージ114の上に置き、まず目視によりプロ
ーブ電極102の位置を決め、しっかりと固定する。A
u電極(アース側)103とプローブ電極102の間に
電圧を印加し、電流をモニターしながらプローブ電極1
02と記録層101表面との距離(Z)を調整する。
次に、再生時にはプローブ電極102とAu電極103
との間に電気メモリー効果を生じる闇値電圧を越えてい
ない電圧である読取り用電圧を印加して後述する様にプ
ローブ電極102を往復動させ、この時のサーボ回路1
06の制御電圧をマイクロコンピュータ112に送る事
により情報再生を行なう。記録時にはこの往復動中にオ
ン状態を生じる閾値電圧を越えるパルス電圧を印加する
。消去時には逆にオフ状態を生じる閾値電圧を越えるパ
ルス電圧を印加する。
との間に電気メモリー効果を生じる闇値電圧を越えてい
ない電圧である読取り用電圧を印加して後述する様にプ
ローブ電極102を往復動させ、この時のサーボ回路1
06の制御電圧をマイクロコンピュータ112に送る事
により情報再生を行なう。記録時にはこの往復動中にオ
ン状態を生じる閾値電圧を越えるパルス電圧を印加する
。消去時には逆にオフ状態を生じる閾値電圧を越えるパ
ルス電圧を印加する。
第1図(B)は同装置の微動機構107の詳細を示す下
面図である。図中107Fは装置本体に固定されたフレ
ーム107Bはプローブ電極102を支持する支持体、
107XS107Yは支持体107Bをフレーム107
Fに対してそれぞれxSY方向に駆動する為の圧電素子
である。圧電素子107X、107YはそれぞれXY走
査駆動回路からの指令信号としての走査電圧の電圧値に
比例した量だけ変位する。即ち、プローブ電極102は
圧電素子107XS107Yそれぞ−れに与え−られた
走査電圧の変化量に比例した量だけ駆動されて、記録、
再生等の時の往復動走査を行なう。尚、本図ではZ方向
微動用圧電素子は省略されている。
面図である。図中107Fは装置本体に固定されたフレ
ーム107Bはプローブ電極102を支持する支持体、
107XS107Yは支持体107Bをフレーム107
Fに対してそれぞれxSY方向に駆動する為の圧電素子
である。圧電素子107X、107YはそれぞれXY走
査駆動回路からの指令信号としての走査電圧の電圧値に
比例した量だけ変位する。即ち、プローブ電極102は
圧電素子107XS107Yそれぞ−れに与え−られた
走査電圧の変化量に比例した量だけ駆動されて、記録、
再生等の時の往復動走査を行なう。尚、本図ではZ方向
微動用圧電素子は省略されている。
第1図(C)にXY方向走査駆動回路109の詳細を示
すブロック図を示す。
すブロック図を示す。
lはプローブ走査のタイミングを制御する走査制御ロジ
ック回路部、2はX方向の走査を制御するカウンタ、3
はY方向の走査を制御するカウンタ、4はXカウンタ2
のカウント出力をX走査電圧データに変換するためのX
走査ROM、5はYカウンタ3のカウント出力をY走査
電圧データに変換するためのY走査ROMである。6.
7はX走査ROMおよびY走査ROMの走査電圧データ
をアナログ電圧に変換するためのD/A変換器である。
ック回路部、2はX方向の走査を制御するカウンタ、3
はY方向の走査を制御するカウンタ、4はXカウンタ2
のカウント出力をX走査電圧データに変換するためのX
走査ROM、5はYカウンタ3のカウント出力をY走査
電圧データに変換するためのY走査ROMである。6.
7はX走査ROMおよびY走査ROMの走査電圧データ
をアナログ電圧に変換するためのD/A変換器である。
8.9はD/A変換器の離散的な変換出力からグリッジ
を取り除き滑らかなアナログ信号にする為のホルダ、1
0.11はそれぞれ駆動する圧電素子107X、 10
7Yに必要な走査電圧VxSVyを供給するためのドラ
イバーである。12はCLK信号を分周する1 / m
デバイダである。
を取り除き滑らかなアナログ信号にする為のホルダ、1
0.11はそれぞれ駆動する圧電素子107X、 10
7Yに必要な走査電圧VxSVyを供給するためのドラ
イバーである。12はCLK信号を分周する1 / m
デバイダである。
第2図に第1図(C)によるxY方向走査駆動回路10
9における走査電圧Vx、Vy (それぞれ圧電素子1
07X、107Yに送信される)のタイミングチャート
を示す。走査電圧発生のタイミングは走査制御ロジック
部1より生成されるクロック信号CLKにより行なわれ
る。
9における走査電圧Vx、Vy (それぞれ圧電素子1
07X、107Yに送信される)のタイミングチャート
を示す。走査電圧発生のタイミングは走査制御ロジック
部1より生成されるクロック信号CLKにより行なわれ
る。
XカウンタはCLKに従いカウントアツプ動作を行ない
nクロックカウント後リセットされ、再び0よりカウン
トアツプする。このときX走査ROMにはa、b区間と
cSd区間では滑らかな反転波形のデータを、b、c区
間とd、e区間では直線的に変化するデータをあらかじ
め書き込んでおく。尚、反転波形と直線波形との接合点
a、 b、 c、 dでは屈曲点(角)が発生しない(
即ち波形の微分値が連続的に変化する)ようにa、bお
よびc、d区間の波形関数を設定しておく。
nクロックカウント後リセットされ、再び0よりカウン
トアツプする。このときX走査ROMにはa、b区間と
cSd区間では滑らかな反転波形のデータを、b、c区
間とd、e区間では直線的に変化するデータをあらかじ
め書き込んでおく。尚、反転波形と直線波形との接合点
a、 b、 c、 dでは屈曲点(角)が発生しない(
即ち波形の微分値が連続的に変化する)ようにa、bお
よびc、d区間の波形関数を設定しておく。
上記データを書き込んだX走査ROMを用いることによ
り第2図のVxに示した電圧波形がD/A変換器6より
出力される。
り第2図のVxに示した電圧波形がD/A変換器6より
出力される。
Yカウンタはクロック信号CLKを1 / mに分周し
たクロック信号によりカウントアツプする。ただし、m
< nとする。
たクロック信号によりカウントアツプする。ただし、m
< nとする。
Y走査ROMにはf、 g区間とり、 i区間では滑
らかな反転波形のデータを、g、 h区間とi、f区
間では直線的に変化するデータをあらかじめ書き込んで
おく。これによりD/A変換器7の出力は第2図のvy
に示す電圧波形となる。
らかな反転波形のデータを、g、 h区間とi、f区
間では直線的に変化するデータをあらかじめ書き込んで
おく。これによりD/A変換器7の出力は第2図のvy
に示す電圧波形となる。
ホルダ8.9はD/A変換器の出力に生じるグリッジを
消去し、離散的な出力電圧を滑らかな連続信号に波形整
形するために用いている。ただし、クロック周波数はX
Y走査周波数に比べ十分に高いため通常用いられている
一次のローパスフィルタでも十分である。
消去し、離散的な出力電圧を滑らかな連続信号に波形整
形するために用いている。ただし、クロック周波数はX
Y走査周波数に比べ十分に高いため通常用いられている
一次のローパスフィルタでも十分である。
第3図にこのXY方向走査駆動回路109による、記録
再生装置の記録層101上でのプローブ電極走査例を示
す。101aは記録ビット、101bはプローブ電極1
02の走査軌跡である。
再生装置の記録層101上でのプローブ電極走査例を示
す。101aは記録ビット、101bはプローブ電極1
02の走査軌跡である。
この様に走査の折返し点でプローブの軌跡は滑らかに反
転する。即ち、プローブの往復動の軌跡中に角部が生じ
ない様にしているので、走査軌跡中で速度が急変する部
所がなく、従ってこの様な速度急変部所で発生しがちな
微小振動の発生を防止する。従って往路、復路共に歪、
経路ずれのない直線走査が可能になり、より正確な記録
再生ができる。更に往復走査の往路、復路両方を利用し
た記録再生も可能となる。又電圧素子が高剛性、大慣性
質量のものを駆動する形態でも、角のない微分値の連続
した波形での電圧反転により駆動がスムーズに行なわれ
るので、アクチュエータの駆動電力を低減可能である。
転する。即ち、プローブの往復動の軌跡中に角部が生じ
ない様にしているので、走査軌跡中で速度が急変する部
所がなく、従ってこの様な速度急変部所で発生しがちな
微小振動の発生を防止する。従って往路、復路共に歪、
経路ずれのない直線走査が可能になり、より正確な記録
再生ができる。更に往復走査の往路、復路両方を利用し
た記録再生も可能となる。又電圧素子が高剛性、大慣性
質量のものを駆動する形態でも、角のない微分値の連続
した波形での電圧反転により駆動がスムーズに行なわれ
るので、アクチュエータの駆動電力を低減可能である。
従ってより小型のアクチュエータの使用が可能となる。
更に、ピエゾ型アクチュエータを用いた場合でも、駆動
の屈曲点で生ずる大きな逆起電力がないためドライバー
の寿命が延び、信頼性が向上する。
の屈曲点で生ずる大きな逆起電力がないためドライバー
の寿命が延び、信頼性が向上する。
本実施例では、往復走査の往路、復路の両方で記録(又
は再生、消去)を行なう様にしている。この為走査中の
プローブの動作を有効に利用でき、記録、再生のスピー
ドアップにつながる。
は再生、消去)を行なう様にしている。この為走査中の
プローブの動作を有効に利用でき、記録、再生のスピー
ドアップにつながる。
第4図に本発明の第2実施例に係る記録再生装置のXY
方向走査駆動回路のブロック図を示す。他の部材は第1
実施例と同様なので説明を省略する。又以降の実施例で
は前述の実施例と同様の部材は同じ符番を冠する。1′
はプローブ走査のタイミングを1llJIjする走査
制御ロジック回路部、2′ はX方向の走査を制御する
カウンタ、3′ はY方向の走査を制御するカウンタ、
4′ はXカウンタ2′ のカウント出力をX走査電圧
データに変換するためのX走査ROM、5’ はYカウ
ンタ3′ のカウント出力をY走査電圧データに変換す
るためのY走査ROMである。
方向走査駆動回路のブロック図を示す。他の部材は第1
実施例と同様なので説明を省略する。又以降の実施例で
は前述の実施例と同様の部材は同じ符番を冠する。1′
はプローブ走査のタイミングを1llJIjする走査
制御ロジック回路部、2′ はX方向の走査を制御する
カウンタ、3′ はY方向の走査を制御するカウンタ、
4′ はXカウンタ2′ のカウント出力をX走査電圧
データに変換するためのX走査ROM、5’ はYカウ
ンタ3′ のカウント出力をY走査電圧データに変換す
るためのY走査ROMである。
第5図に第4図による走査回路における走査電圧Vx、
Vyのタイミングチャートを示す。走査電圧発生のタイ
ミングは走査制御ロジック部1′ より生成されるクロ
ック信号CLK、およびYカウンタ3の動作をイネーブ
ルにする信号YENBにより行なわれる。
Vyのタイミングチャートを示す。走査電圧発生のタイ
ミングは走査制御ロジック部1′ より生成されるクロ
ック信号CLK、およびYカウンタ3の動作をイネーブ
ルにする信号YENBにより行なわれる。
XカウンタはCLKに従いカウントアツプ動作を行ない
nクロックカウント後リセットされ、再びOよりカウン
トアツプする。このときX走査ROMにはaSb区間と
CSd区間では滑らかな反転波形のデータを、b、c区
間とd、e区間では直線的に変化するデータをあらかじ
め書き込んでおく。尚、反転波形と直線波形との接合点
aSbSc、dでは屈曲点(角)が発生しない(即ち波
形の微分値が連続的に変化する)ようにa、bおよびc
、d区間の波形関数を設定してお(。
nクロックカウント後リセットされ、再びOよりカウン
トアツプする。このときX走査ROMにはaSb区間と
CSd区間では滑らかな反転波形のデータを、b、c区
間とd、e区間では直線的に変化するデータをあらかじ
め書き込んでおく。尚、反転波形と直線波形との接合点
aSbSc、dでは屈曲点(角)が発生しない(即ち波
形の微分値が連続的に変化する)ようにa、bおよびc
、d区間の波形関数を設定してお(。
上記データを書き込んだX走査ROMを用いることによ
り第5図のVxに示した電圧波形がD/A変換器6より
出力される。
り第5図のVxに示した電圧波形がD/A変換器6より
出力される。
YカウンタはXカウンタと同様にクロック信号CLKに
よりカウントアツプする。このとき、走査制御ロジック
部1′ はXカウンタ2′ の出力をモニターし、Xカ
ウンタのカウント値が区間a、bまたは区間c、dにあ
るときYENB信号をイネーブルにする。この制御によ
りYカウンター3′ は第5図に示すYENB信号がH
レベルの期間のみカウント動作を行なう。
よりカウントアツプする。このとき、走査制御ロジック
部1′ はXカウンタ2′ の出力をモニターし、Xカ
ウンタのカウント値が区間a、bまたは区間c、dにあ
るときYENB信号をイネーブルにする。この制御によ
りYカウンター3′ は第5図に示すYENB信号がH
レベルの期間のみカウント動作を行なう。
Y走査ROM5’ には区間aSbに相当するカウント
入力に対して滑らかなステップアップ電圧を発生する波
形データを書き込んでおく。これによりD/A変換器7
の出力は第5図のvyに示す電圧波形となる。
入力に対して滑らかなステップアップ電圧を発生する波
形データを書き込んでおく。これによりD/A変換器7
の出力は第5図のvyに示す電圧波形となる。
ホルダ8.9はD/A変換器の圧力に生じるシリコンを
消去し、離散的な出力電圧を滑らかな蒲続信号に波形整
形するために用いている。ただしクロック周波数はXY
走査周波数に比べ十分に高むため通常用いられている一
次のローパスフィルタでも十分である。
消去し、離散的な出力電圧を滑らかな蒲続信号に波形整
形するために用いている。ただしクロック周波数はXY
走査周波数に比べ十分に高むため通常用いられている一
次のローパスフィルタでも十分である。
第6図にこのXY方向走査駆動回路による記録再生装置
の記録装置101上でのプローブ電極走査伊を示す。l
0ITは記録領域の位置検出に用いるトラッキングパタ
ーンである。又、101b’ はプローブ電極の走査
軌跡である。
の記録装置101上でのプローブ電極走査伊を示す。l
0ITは記録領域の位置検出に用いるトラッキングパタ
ーンである。又、101b’ はプローブ電極の走査
軌跡である。
本実施例では、Y方向の駆動はX方向走査が払り返す区
間でのみ行なわれる。従って、各X方β走査のプローブ
軌跡は等間隔かつ平行となる。この為本実施例では第1
実施例の効果に加え、更に化X方向データ列を平行に並
べる事ができる為、より高い記録密度を達成する事が可
能になるという架梁を有する。
間でのみ行なわれる。従って、各X方β走査のプローブ
軌跡は等間隔かつ平行となる。この為本実施例では第1
実施例の効果に加え、更に化X方向データ列を平行に並
べる事ができる為、より高い記録密度を達成する事が可
能になるという架梁を有する。
第7図は本発明の第3実施例に係る記録再生装置を示す
ブロック構成図である。
ブロック構成図である。
401は記録媒体、402は記録媒体1に対向して設け
られたプローブ電極、403はプローブ電極2が取り付
けられている片持ち梁、この片持ち粱403によりプロ
ーブ電極402は2方向に変位できるようになっている
。片持ち梁403のプローブ電極402に対する裏側に
は、トンネル電流検知電極404があり、この電極40
4はZ軸駆動装置405に支持されている。また、媒体
401はxyzy動装置406によってプローブ電極4
02に対してxy及び2方向に微小量動かすことができ
、更にxyzy動装置407によって動かすことができ
る。片持ち粱403.2軸駆動装置405、xyzy動
装置407はベース408に固定されている。xyzy
動機構406のxy方方向動動部しては、アクチュエー
タとして各方向毎に設けられた圧電素子を有する公知の
微動ステージを用いる(ex、特開平2−52286号
公報)。
られたプローブ電極、403はプローブ電極2が取り付
けられている片持ち梁、この片持ち粱403によりプロ
ーブ電極402は2方向に変位できるようになっている
。片持ち梁403のプローブ電極402に対する裏側に
は、トンネル電流検知電極404があり、この電極40
4はZ軸駆動装置405に支持されている。また、媒体
401はxyzy動装置406によってプローブ電極4
02に対してxy及び2方向に微小量動かすことができ
、更にxyzy動装置407によって動かすことができ
る。片持ち粱403.2軸駆動装置405、xyzy動
装置407はベース408に固定されている。xyzy
動機構406のxy方方向動動部しては、アクチュエー
タとして各方向毎に設けられた圧電素子を有する公知の
微動ステージを用いる(ex、特開平2−52286号
公報)。
ベース408は不図示の除振台に乗せである。
記録媒体401は、下記のごとく作成した。
光学研磨したガラス基板(基板503)を中性洗剤およ
びトリクレンを用いて洗浄した後、下引き層としてCr
を真空蒸着法により厚さ50人体積させ、更にAuを同
法により400人蒸着した下地電極(Au電極502)
を形成した。
びトリクレンを用いて洗浄した後、下引き層としてCr
を真空蒸着法により厚さ50人体積させ、更にAuを同
法により400人蒸着した下地電極(Au電極502)
を形成した。
次にスクアリリュウムービス−6−オクチルアズレン(
以下5QAZと略す)を濃度0.2mg/mlで溶かし
たクロロホルム溶液を20℃の水相上に展開し、水面上
に単分子膜を形成した。溶媒の蒸発を待ち係る単分子膜
の表面圧を20mN/mまで高め、更にこれを一定に保
ちながら前記電極基板を水面を横切るように速度5 m
m /分で静かに浸漬し、さらに引上げ2層のY形単
分子膜の累積を行った。この操作を4回繰り返すことで
SQAZg層を累積した記録層501をもつ記録媒体4
01が作成される。
以下5QAZと略す)を濃度0.2mg/mlで溶かし
たクロロホルム溶液を20℃の水相上に展開し、水面上
に単分子膜を形成した。溶媒の蒸発を待ち係る単分子膜
の表面圧を20mN/mまで高め、更にこれを一定に保
ちながら前記電極基板を水面を横切るように速度5 m
m /分で静かに浸漬し、さらに引上げ2層のY形単
分子膜の累積を行った。この操作を4回繰り返すことで
SQAZg層を累積した記録層501をもつ記録媒体4
01が作成される。
片持ち梁403は、シリコンのエツチング技術を適用し
て作成した。シリコンの結晶の性質を高度に利用した異
方性エツチングの手法で長さ100μm、幅20μm1
厚さ14mの5i02の片持ち梁を形成した。この手法
は公知である。[K、E、Petersen。
て作成した。シリコンの結晶の性質を高度に利用した異
方性エツチングの手法で長さ100μm、幅20μm1
厚さ14mの5i02の片持ち梁を形成した。この手法
は公知である。[K、E、Petersen。
Proc、IEEE70,42() (1982)]プ
ローブ電極402は、前記異方性エツチングで作成した
5in2の片持ち梁601の一端にSiイオンをフォー
カスト・イオン・ビーム装置で打ち込み、このSi上に
選択的にSiを結晶成長させ、Auを真空蒸着法により
厚さ300人蒸着して作成した。
ローブ電極402は、前記異方性エツチングで作成した
5in2の片持ち梁601の一端にSiイオンをフォー
カスト・イオン・ビーム装置で打ち込み、このSi上に
選択的にSiを結晶成長させ、Auを真空蒸着法により
厚さ300人蒸着して作成した。
また、片持ち梁601のプローブ電極2に対する裏側に
も、Auを真空蒸着法により200人蒸着し、電極60
2を形成している。
も、Auを真空蒸着法により200人蒸着し、電極60
2を形成している。
トンネル電流検知電極404は、直径1 m mのタン
グステン棒をKOH溶液中で電解研磨することで作成し
た。先端曲率0.1μmR以下である。
グステン棒をKOH溶液中で電解研磨することで作成し
た。先端曲率0.1μmR以下である。
Z軸駆動装置405は、圧電素子を使用した一軸の変位
を行うもので前記トンネル電流検知電極404を支持し
、Z軸方向へ駆動が行える。
を行うもので前記トンネル電流検知電極404を支持し
、Z軸方向へ駆動が行える。
xyzy動、装置406は、円筒形圧電素子を使用して
おり、任意の電圧を印加することでx、y及び2方向に
記録媒体401を微動できる。微動制御可能範囲は、X
S7 N Zについてすべて0.1層m〜I μmで
あり、機械的分解能は0.01層mである。
おり、任意の電圧を印加することでx、y及び2方向に
記録媒体401を微動できる。微動制御可能範囲は、X
S7 N Zについてすべて0.1層m〜I μmで
あり、機械的分解能は0.01層mである。
xyz粗動装置407は、xyzステージを使用してい
る。
る。
409は、片持ち粱403及びxyz微動装置406を
駆動するための制御回路であり、X%Y方向操作制御部
として第1(又は第2)実施例に示した構成のxy方向
走査駆動回路を内蔵している。記録再生消去回路411
は媒体401の下地電極502とプローブ電極402と
接続されており、両電極間に記録/再生/消去用の電圧
を印加するための回路、及び電流電圧変換を行う回路か
らなる。これらの機器、回路はマイクロ・コンピュータ
412と接続され制御される。
駆動するための制御回路であり、X%Y方向操作制御部
として第1(又は第2)実施例に示した構成のxy方向
走査駆動回路を内蔵している。記録再生消去回路411
は媒体401の下地電極502とプローブ電極402と
接続されており、両電極間に記録/再生/消去用の電圧
を印加するための回路、及び電流電圧変換を行う回路か
らなる。これらの機器、回路はマイクロ・コンピュータ
412と接続され制御される。
次に記録/再生/消去の実験について述べる。
トンネル電流検知電極404と電極602の間にバイア
ス電圧+100mV(電極602バイアス)を印加し、
2軸駆動装置405を動かし、両電極間に流れるトンネ
ル電流が1nAになる位置で止める。ここでxyz粗動
装置407、そしてxyz微動装置406の2軸を駆動
し媒体401をプローブ電極403に対して近づける。
ス電圧+100mV(電極602バイアス)を印加し、
2軸駆動装置405を動かし、両電極間に流れるトンネ
ル電流が1nAになる位置で止める。ここでxyz粗動
装置407、そしてxyz微動装置406の2軸を駆動
し媒体401をプローブ電極403に対して近づける。
xyの位置については記録層501が存在すればどこで
も良い。媒体401がプローブ電極402に向かい、プ
ローブ電極402の頂点原子の電子雲が記録層501の
表面上の原子の電子雲と重なる距離まで接近すると、原
子間力が生じる。この力はプローブ電極402を支持し
ている片持ち粱403をたわませる。片持ち梁403が
たわむことで電極602とトンネル電流検知電極404
との距離が変化し、これにより1nAに設定してあった
トンネル電流が変化する。このトンネル電流の変化を制
御回路409で、元の1nAに戻すようにxyz微動装
置406のZ軸駆動部へフィードバックを行う。この状
態を維持すれば、プローブ電極402は記録層501に
対して常に一定の距離にあることになる。
も良い。媒体401がプローブ電極402に向かい、プ
ローブ電極402の頂点原子の電子雲が記録層501の
表面上の原子の電子雲と重なる距離まで接近すると、原
子間力が生じる。この力はプローブ電極402を支持し
ている片持ち粱403をたわませる。片持ち梁403が
たわむことで電極602とトンネル電流検知電極404
との距離が変化し、これにより1nAに設定してあった
トンネル電流が変化する。このトンネル電流の変化を制
御回路409で、元の1nAに戻すようにxyz微動装
置406のZ軸駆動部へフィードバックを行う。この状
態を維持すれば、プローブ電極402は記録層501に
対して常に一定の距離にあることになる。
ここでxyz微動装置406のx、y走査を行えば、プ
ローブ電極402と記録層501は一定の距離を保った
状態で記録層501の表面を移動可能である。
ローブ電極402と記録層501は一定の距離を保った
状態で記録層501の表面を移動可能である。
プローブ電極402とAu電極502との間に電気メモ
リ効果を生じる闇値電圧を越えていない電圧である1、
5Vの読み取り用電圧を印加して電流値を測定したとこ
ろ、μA以下でOFF状態を示した。
リ効果を生じる闇値電圧を越えていない電圧である1、
5Vの読み取り用電圧を印加して電流値を測定したとこ
ろ、μA以下でOFF状態を示した。
次にON状態を生じる閾値電圧V th、ON以上の電
圧である±8vの三角波パルス電圧をプローブ電極40
2とAu電極502との間に印加したのち、再び!、5
Vの読取り用電圧を印加して電流値を測定したところ0
.7mA程度のON状態を示した。また次、にON状態
からOFF状態へ変化する閾値電圧V th、OFF以
上の電圧である±5vの三角波パルス電圧を印加したの
ち、再び1.5Vを印加して電流値を測定したところμ
A以下でOFF状態に戻ることが確認された。
圧である±8vの三角波パルス電圧をプローブ電極40
2とAu電極502との間に印加したのち、再び!、5
Vの読取り用電圧を印加して電流値を測定したところ0
.7mA程度のON状態を示した。また次、にON状態
からOFF状態へ変化する閾値電圧V th、OFF以
上の電圧である±5vの三角波パルス電圧を印加したの
ち、再び1.5Vを印加して電流値を測定したところμ
A以下でOFF状態に戻ることが確認された。
次に前記と同様にプローブ電極402と記録層501と
の距離を一定に保ちながら、X7Z微動装置406をX
方向へ1100nの等間隔で移動させながら、±8vの
三角波パルス電圧をプローブ電極402とAu電極50
2の間に印加し、ON状態を書き込んだ。その後両電極
間に読取り用電圧1.5vを印加し、同様にX方向へ移
動させながらON状態領域とOFF状態領域に流れる電
流値を読み取ることができた。本例では、ON状態領域
を流れるプローブ電流が記録前又はOFF状態領域と比
較して3桁以上変化していたことを確認した。更に両電
極間に閾値電圧V th、oFF以上のIOVを印加し
ながら再び記録位置を移動させた結果、全ての記録状態
が消去されOFF状態になったことも確認した。また、
0.001μmから0.1μmの間で種々のピッチで記
録/再生/消去を行い分解能を測定したところ0.01
μm以下であることがわかった。実験後、プローブ電極
402をSEMにより観察を行った結果、媒体とプロー
ブの接触による損傷は見られながった。
の距離を一定に保ちながら、X7Z微動装置406をX
方向へ1100nの等間隔で移動させながら、±8vの
三角波パルス電圧をプローブ電極402とAu電極50
2の間に印加し、ON状態を書き込んだ。その後両電極
間に読取り用電圧1.5vを印加し、同様にX方向へ移
動させながらON状態領域とOFF状態領域に流れる電
流値を読み取ることができた。本例では、ON状態領域
を流れるプローブ電流が記録前又はOFF状態領域と比
較して3桁以上変化していたことを確認した。更に両電
極間に閾値電圧V th、oFF以上のIOVを印加し
ながら再び記録位置を移動させた結果、全ての記録状態
が消去されOFF状態になったことも確認した。また、
0.001μmから0.1μmの間で種々のピッチで記
録/再生/消去を行い分解能を測定したところ0.01
μm以下であることがわかった。実験後、プローブ電極
402をSEMにより観察を行った結果、媒体とプロー
ブの接触による損傷は見られながった。
本実施例も第1(又は第2)実施例で示した様な走査電
圧により第3図(又は第6図)に示した様な走査軌跡で
記録又は再生、消去を行う。
圧により第3図(又は第6図)に示した様な走査軌跡で
記録又は再生、消去を行う。
本実施例の様にプローブ電極と記録層との間の原子間力
を一定にする様に制御する機構を設けてもよい。又本実
施例の様にxy方向走査の為に記録媒体側を駆動する形
態でも前述した様な効果が期待できる。
を一定にする様に制御する機構を設けてもよい。又本実
施例の様にxy方向走査の為に記録媒体側を駆動する形
態でも前述した様な効果が期待できる。
第8図に本発明の第4実施例に係る記録再生装置の構成
を示す。201はドライバー10S11がない事を除い
て第4図で示したものと同様のxy方向走査駆動回路で
ある。202は特開平2−52286号公報に見られる
様なXYステージ、203は記録媒体、203aは記録
媒体上のトラッキングパターン(口上の溝もしくは表面
電子状態の異なるパターン)、204はプローブ電極を
有するバイモルフ型のカンチレバー、205はプローブ
電極に流れるトンネル電流を検出する電流アンプ、20
6はトンネル電流とプローブ媒体間距離を制御する基準
電圧VRとの誤差を検出する誤差増幅器、207は情報
ビットの検出信号の周波数の領域をカットするローパス
フィルタ、218はサンプルホールドアンプ、208は
バイモルフカンチレバーをZ方向に駆動するためのドラ
イバーである。
を示す。201はドライバー10S11がない事を除い
て第4図で示したものと同様のxy方向走査駆動回路で
ある。202は特開平2−52286号公報に見られる
様なXYステージ、203は記録媒体、203aは記録
媒体上のトラッキングパターン(口上の溝もしくは表面
電子状態の異なるパターン)、204はプローブ電極を
有するバイモルフ型のカンチレバー、205はプローブ
電極に流れるトンネル電流を検出する電流アンプ、20
6はトンネル電流とプローブ媒体間距離を制御する基準
電圧VRとの誤差を検出する誤差増幅器、207は情報
ビットの検出信号の周波数の領域をカットするローパス
フィルタ、218はサンプルホールドアンプ、208は
バイモルフカンチレバーをZ方向に駆動するためのドラ
イバーである。
209はプローブ電極に書込みパルスを印加するための
パルス発生器である。210はトンネル電流からデータ
信号を分離出力するためのバイパスフィルタである。
パルス発生器である。210はトンネル電流からデータ
信号を分離出力するためのバイパスフィルタである。
211はトンネル電流とトラッキングエツジ検出レベル
VEGとを比較するコンパレータ、212はコンパレー
タの出力であるトラッキングエツジ信号Exの立ち上が
りに同期したパルスTxを生成するエツジ検出器、21
3はエツジ検出器212のパルスタイミングTxにより
X走査電圧Vxをサンプリングするサンプルホールド回
路、214は媒体上のトラッキングパターンとプローブ
X走査との相対位置関係を決める基準電圧VTに基づき
サンプルホールド213の出力電圧を積分する誤差検出
器、215はVxと積分器214の出力をだし合わせる
加算器である。
VEGとを比較するコンパレータ、212はコンパレー
タの出力であるトラッキングエツジ信号Exの立ち上が
りに同期したパルスTxを生成するエツジ検出器、21
3はエツジ検出器212のパルスタイミングTxにより
X走査電圧Vxをサンプリングするサンプルホールド回
路、214は媒体上のトラッキングパターンとプローブ
X走査との相対位置関係を決める基準電圧VTに基づき
サンプルホールド213の出力電圧を積分する誤差検出
器、215はVxと積分器214の出力をだし合わせる
加算器である。
216はXYステージのX方向アクチュエータを駆動す
るドライバー、217はXYステージのY方向アクチュ
エータを駆動するドライバである。上述した構成から図
の様にデータ入出力及びZ軸制御を行う制御回路310
が形成される。
るドライバー、217はXYステージのY方向アクチュ
エータを駆動するドライバである。上述した構成から図
の様にデータ入出力及びZ軸制御を行う制御回路310
が形成される。
第9図に第8図の記録再生装置におけるタイミングチャ
ートを示す。
ートを示す。
プローブ電極のZ位置制御はトンネル電流JTを用いて
、206.207.218、および208によるフィー
ドバック回路によりJTの平均値が一定となるように制
御する。ただし、トラッキングエツジ信号Exにより、
プローブがトラッキングパターン上を走査するときはサ
ンプルホールド218をホールド状態とする。
、206.207.218、および208によるフィー
ドバック回路によりJTの平均値が一定となるように制
御する。ただし、トラッキングエツジ信号Exにより、
プローブがトラッキングパターン上を走査するときはサ
ンプルホールド218をホールド状態とする。
媒体表面のプローブ走査はXYステージにより行う。走
査駆動回路201より、屈曲点(角)のない即ち微分値
が連続的に変化する走査信号Vx、Vyを出力する。v
y倍信号ドライバ217を経由してそのままY方向のア
クチュエータを駆動する。
査駆動回路201より、屈曲点(角)のない即ち微分値
が連続的に変化する走査信号Vx、Vyを出力する。v
y倍信号ドライバ217を経由してそのままY方向のア
クチュエータを駆動する。
Vxはトラッキングのための追跡信号△Xと加算され、
ドライバ16を経由してX方向のアクチュエータを駆動
する。
ドライバ16を経由してX方向のアクチュエータを駆動
する。
追跡信号△Xはプローブが媒体上のトラッキングパター
ンエツジを通過するタイミングを表わす信号Txから生
成する。すなわち、TxとVxとの位相関係のずれを検
出する。Vxの電圧をサンプルホールド213で、Tx
のタイミングでサンプリングすることによりこの位相情
報を電圧に変換することができ、更にこの信号を基準電
圧7丁と比較積分することにより△Xを得る。
ンエツジを通過するタイミングを表わす信号Txから生
成する。すなわち、TxとVxとの位相関係のずれを検
出する。Vxの電圧をサンプルホールド213で、Tx
のタイミングでサンプリングすることによりこの位相情
報を電圧に変換することができ、更にこの信号を基準電
圧7丁と比較積分することにより△Xを得る。
このようにX方向駆動電圧FVXはトラッキング追跡電
圧が重畳され、媒体上のトラッキングパターンを追跡し
つつX捜査を行う。
圧が重畳され、媒体上のトラッキングパターンを追跡し
つつX捜査を行う。
この様に本実施例において、屈曲点(角)のないXY走
査軌跡を用いて記録再生装置のトラッキング制御を行な
うことにより、 (1)トラッキングエツジ検出からX走査方向の反転ま
での走査が滑らかに行なえるので、カンチレバーおよび
XYステージの相対微小振動が極力押えられる。それゆ
えエツジ検出時におけるトンネル電流のばらつき、ジッ
タ等が低減され、安定したトラッキングが行なえる。
査軌跡を用いて記録再生装置のトラッキング制御を行な
うことにより、 (1)トラッキングエツジ検出からX走査方向の反転ま
での走査が滑らかに行なえるので、カンチレバーおよび
XYステージの相対微小振動が極力押えられる。それゆ
えエツジ検出時におけるトンネル電流のばらつき、ジッ
タ等が低減され、安定したトラッキングが行なえる。
(2)X方向走査の反転動作においてはプローブ、媒体
間の相対移動速度が減速されながら行なわれるため媒体
基板の凹凸などに起因する雑音成分に対し、その雑音周
波数を低減して検出する。このため、プローブ走査反転
時に、周波数が高く読み出しデータに近い帯域の雑音の
発生を押えることができる。
間の相対移動速度が減速されながら行なわれるため媒体
基板の凹凸などに起因する雑音成分に対し、その雑音周
波数を低減して検出する。このため、プローブ走査反転
時に、周波数が高く読み出しデータに近い帯域の雑音の
発生を押えることができる。
第1θ図に本発明の第5実施例に係るカンチレバーとプ
ローブを複数個配置した記録再生装置を示す。
ローブを複数個配置した記録再生装置を示す。
201は第8図と同様のxY方向走査駆動回路、302
は記録媒体、303はステージと媒体の基台、304は
マルチプローブヘッド、305はカンチレバー、306
はプローブ電極、307はステージをX方向に駆動する
ピエゾアクチュエータ、308はステージをY方向に駆
動するピエゾアクチュエータである。
は記録媒体、303はステージと媒体の基台、304は
マルチプローブヘッド、305はカンチレバー、306
はプローブ電極、307はステージをX方向に駆動する
ピエゾアクチュエータ、308はステージをY方向に駆
動するピエゾアクチュエータである。
309はマルチプローブヘッドをX方向に駆動するピエ
ゾアクチュエータ、310Aは角プローブ毎のデータ人
8力とZ軸方向の駆動制御をパラレルに行なう様に各プ
ローブ毎に設けられている第8図で示した制御回路31
0が複数内蔵されている制御回路部である。
ゾアクチュエータ、310Aは角プローブ毎のデータ人
8力とZ軸方向の駆動制御をパラレルに行なう様に各プ
ローブ毎に設けられている第8図で示した制御回路31
0が複数内蔵されている制御回路部である。
311は310からのトンネル電流信号からトラッキン
グパターンの位置信号を検出してトラッキングずれを測
定し、それを補正すべ(アクチュエータ309を駆動す
るトラッキング制御回路部である。
グパターンの位置信号を検出してトラッキングずれを測
定し、それを補正すべ(アクチュエータ309を駆動す
るトラッキング制御回路部である。
本実施例における各カンチレバーの制御は第4実施例と
同じように行なう。トラッキングパターンの追跡はマル
チプローブヘッドに取り付けられたアクチュエータ30
9により行なう。
同じように行なう。トラッキングパターンの追跡はマル
チプローブヘッドに取り付けられたアクチュエータ30
9により行なう。
xY方向走査駆動回路201は第4実施例同様屈曲点(
角)のない反転走査を行なう。
角)のない反転走査を行なう。
この様に複数のプローブを設けた場合も本発明は良好に
適用可能である。
適用可能である。
以上の各実施例は記録再生装置であったが、記録のみ又
は再生のみの装置であっても良い事はいうまでもない。
は再生のみの装置であっても良い事はいうまでもない。
又往復動しながら試料表面をプローブで走査し、試料表
面の観察を行なう、往復動スキャン型のSTM装置ある
いはAFM装置、MFM装置等に本発明を適用しても良
い。この場合折り返し部での微小振動による観察像の歪
の発生を防止できるという効果を有するものである。
面の観察を行なう、往復動スキャン型のSTM装置ある
いはAFM装置、MFM装置等に本発明を適用しても良
い。この場合折り返し部での微小振動による観察像の歪
の発生を防止できるという効果を有するものである。
以上述べた様に、本発明によれば往復動走査を行ないな
がら、情報読取り及び/又は入力を行なう装置において
、折り返し部における微小振動を防止してより正確な情
報読取り及び/又は入力を実際できる。
がら、情報読取り及び/又は入力を行なう装置において
、折り返し部における微小振動を防止してより正確な情
報読取り及び/又は入力を実際できる。
第1図(A)(B)(C)は、本発明の第1実施例に係
る記録再生装置のそれぞれ全体構成、微動機構、Xv方
向走査駆動回路のブロック図、第2図は同装置における
各信号のタイミングチャート、 第3図は同装置におけるプローブ電極の走査例を示す模
式図、 第4図は本発明の第2実施例に係る記録再生装置のxY
方向走査駆動回路のブロック図、第5図は同装置におけ
る各信号のタイミングチャート、 第6図は同装置におけるプローブ電極の走査例を示す模
式図、 第7図は本発明の第3実施例に係る記録再生装置の構成
を示すブロック図、 第8図は本発明の第4実施例に係る記録再生装置の構成
を示すブロック図、 第9図は同装置における各信号のタイミングチャート、 第10図は本発明の第5実施例に係る記録再生装置の構
成を示すブロック図である。 図中、 1、02.306・・・プローブ電極 100.203.401・・・記録媒体107・・・微
動機構 406・・・xyz微動機構 109.201・・・XY方向走査駆動回路409・・
・制御回路 である。 第 図
る記録再生装置のそれぞれ全体構成、微動機構、Xv方
向走査駆動回路のブロック図、第2図は同装置における
各信号のタイミングチャート、 第3図は同装置におけるプローブ電極の走査例を示す模
式図、 第4図は本発明の第2実施例に係る記録再生装置のxY
方向走査駆動回路のブロック図、第5図は同装置におけ
る各信号のタイミングチャート、 第6図は同装置におけるプローブ電極の走査例を示す模
式図、 第7図は本発明の第3実施例に係る記録再生装置の構成
を示すブロック図、 第8図は本発明の第4実施例に係る記録再生装置の構成
を示すブロック図、 第9図は同装置における各信号のタイミングチャート、 第10図は本発明の第5実施例に係る記録再生装置の構
成を示すブロック図である。 図中、 1、02.306・・・プローブ電極 100.203.401・・・記録媒体107・・・微
動機構 406・・・xyz微動機構 109.201・・・XY方向走査駆動回路409・・
・制御回路 である。 第 図
Claims (1)
- (1)試料面に対向して配置したプローブを該試料面に
対して相対的に折り返し走査させながら該試料面からの
情報読み取り及び/または該試料面への情報入力を行な
う装置において、前記プローブを前記試料面に対して相
対的に連続して折り返し走査させる駆動手段と、前記プ
ローブによる前記試料面の折り返し走査経路に角部が生
じないように前記駆動手段を制御する制御手段とを設け
たことを特徴とする情報読取り及び/又は入力装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25145790A JPH04129044A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 情報読取り及び/又は入力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25145790A JPH04129044A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 情報読取り及び/又は入力装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04129044A true JPH04129044A (ja) | 1992-04-30 |
Family
ID=17223108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25145790A Pending JPH04129044A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 情報読取り及び/又は入力装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04129044A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6632132B1 (en) | 1999-07-01 | 2003-10-14 | Daikin Industries, Ltd. | Tornado type intake and blowing device |
JP2005521066A (ja) * | 2002-03-22 | 2005-07-14 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 試験プローブ整列装置 |
-
1990
- 1990-09-19 JP JP25145790A patent/JPH04129044A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6632132B1 (en) | 1999-07-01 | 2003-10-14 | Daikin Industries, Ltd. | Tornado type intake and blowing device |
JP2005521066A (ja) * | 2002-03-22 | 2005-07-14 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 試験プローブ整列装置 |
JP4803959B2 (ja) * | 2002-03-22 | 2011-10-26 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 試験プローブ整列装置 |
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