JPH0412635A - バッテリ充電器 - Google Patents

バッテリ充電器

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JPH0412635A
JPH0412635A JP11398290A JP11398290A JPH0412635A JP H0412635 A JPH0412635 A JP H0412635A JP 11398290 A JP11398290 A JP 11398290A JP 11398290 A JP11398290 A JP 11398290A JP H0412635 A JPH0412635 A JP H0412635A
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古田 政美
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杉浦 正敏
Toshio Matsumoto
敏男 松本
Hideki Watanabe
秀樹 渡辺
Hideo Niwa
丹羽 秀生
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Fuji Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、クリーナや電動工具などのバッテリ・バンク
を挿入してこれに充電するバッテリ充電器に関し、特に
バッテリ充電器の回路構成の改良に関する。
〔従来の技術〕
従来、例えば定電流充電型バッテリ充電器の回路構成の
概略は、第5図に示すように、交流端子la、lbに接
続される商用交流電源を整流平滑化する1次側の直流電
源回路1と、この回路から給電される定電圧電流を所定
の周波数で断続するチョッパとしての絶縁ゲート電界効
果型トランジスタFETと、−次側コイルに印加させる
その断続電圧を降圧して2次側コイルに降圧交流電流を
出力する降圧用トランスTと、その降圧交流電流を整流
平滑化する2次側の直流電源回路2と、充電電流値を常
時検出する電流検出回路3と、この電流検出回路3から
出力される電流値検出信号Slに基づいて充電すべき電
流値に応じて充電制御信号S2の値を変化させる2次側
制御回路4と、この充電制御信号Szに基づいて絶縁ゲ
ート電界効果型トランジスタFETに供給すべきオン・
オフのゲート信号GIのデユーティ−比を変化させる1
次側制御回路5とを有するものである。
充電すべきバッテリBと満充電検知用サーモスタットT
HMを直列接続したバッテリ・パック6をバッテリ充電
器本体のバッテリ・パック固定部(図示せず)に装着す
ると、自ずとバッテリ・パック6の各端子6a、6b、
6cがそれぞれバッテリ充電器の正端子7a、負端子7
b、サーモ端子7Cに導通接続する。今、このバッテリ
Bが正常であると仮定すると、ダイオードD、、を流制
限抵抗R3及び充電器側の感熱保護素子(例えば0CR
)を介してバッテリBに対し微弱な充電が開始される。
そしてシャント抵抗R2の両端の電圧を拾うことにより
電流検出回路3が充電電流値Iを検出し電流値検出信号
S、を2次側制御回路4に供給し、また2次側制御回路
4は充電電圧■を検出する。そして、2次側制御回路4
はその内部のリレーコイル(図示せず)を励磁し、リレ
ースイッチSWを閉成させる。これにより、バッテリB
に対する本格的な充電が開始される。これと同時に、第
5図中では一部回路構成を省略しであるが、2次側制御
回路4側からリレーコイルの励磁電流が端子7c(6c
)、サーモスタッ)THM、端子7b(6b)を介して
流れる。
このバッテリ充電器は定電流充電駆動で、バッテリBに
対し充電すべき充電電流値が常に一定値になるよう制御
するものである。すなわち、電流検出回路3から出力さ
れる電流検出信号SIのアナログ電圧値が所定値に達し
ないときは充電電流をより多く2次側に供給するために
、2次側制御回路4がPWM波の充電制御信号S!を生
成し、これをPWM復調回路のCR積分回路、ホトカプ
ラ(オプト・アイソレータ)PC,を介して1次側制御
回路5ヘアナログ信号として供給する。そして、1次側
制御回路5はその充電制御信号S2に基づいて前よりも
大きなデユーティ−比のゲート制御信号虐を生成し、こ
れを絶縁ゲート電界効果型トランジスタFETに供給す
る。この結果降圧用トランスTの1次側コイルに流れる
電流量が増すので、2次側コイルに流れる電流量も必然
的に増し、バッテリBに対してより多くの充電電流が供
給され、それ故、常に定電流充電が行われる。
ここで、例えば短絡したバッテリBを有するバッテリ・
パック6を装着すると、シャント抵抗R2には過電流(
短絡電流)が流れる。また不良のバッテリ等でも充電途
中で過電流が流れる場合もある。このような過電流が流
れた場合、電流検出回路3がそれを検知し、過電流検出
信号S3をホトカプラPC,を介して1次側制御回路5
へ供給する。そして、1次側制御回路5はこの過電流検
出信号S3に基づいてゲート制御信号Glのデイ−チー
比を強制的に狭める。このため、2次側の充電電流が減
少し、バッテリBに対する過電流の供給が緩和する。
なお、R3−R6は抵抗、C7はコンデンサである。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、上記の回路構成に係るバッテリ充電器に
あっては次の問題点がある。
すなわち、2次側で発生した充電電流の過電流状態を制
限するために、2次側の電流検出回路3及び2次側から
1次側への情報伝達手段としてのホトカプラPC,の経
路で、1次側制御回路から送出すべきゲート制御信号の
デユーティ−比を強制的に狭め、2次側給電量を減少さ
せる方式が採用されているが、急峻な立ち上がりを有す
る過電流状態に対して、過渡的な制限がきわめて困難で
ある。情報伝達系が長いため、応答遅れが目立ち、即座
の電流制限に対処できない。充電すべきバッテリには様
々な種類があり、充電過程で過電流状態が発生すると、
過度な発熱や発火などを引き起こすおそれがある。
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、そ
の課題は、速い応答速度を持つ過電流制限制御系を設け
ることにより、2次側の過電流状態の過渡的な発生をも
すばやく抑制できるバッテリ充電器を提供することにあ
る。
〔課題を解決するための手段〕
本発明に係るバッテリ充電器は、第1(1次側)の直流
電源回路と、これから給電される定電圧を所定の周波数
(例えば100KHz )で断続するチョッパとしての
スイッチング手段(例えばパワーMO3FET)と、そ
の断続電圧を降圧する降圧用トランスと、その降圧電圧
に基づいて直流充電電圧を得る第2(2次側)の直流電
源回路と、充電すべき電流値の変化に応じて充電制御信
号の値を変化させる2次側制御手段と、その充電制御信
号に基づいて該スイッチング手段に供給すべきスイッチ
ング制御信号のデユーティ−比を変化させる1次側制御
手段とを有するものであるが、上記課題を解決するため
に本発明が講じた特徴的な手段は、上記降圧用トランス
の1次側の電流値の急峻な変化を検知する過電流検知手
段(例えばシャント抵抗)と、この手段による検出信号
に基づいてスイッチング制御信号のデユーティ−比を2
次側給電量を減じる方向へ強制設定する過電流制御手段
とを新たに設けたものである。
〔作用〕
2次側に過渡的な過電流状態が発生すると、これと同時
に、降圧用トランスの1次側コイルにも過渡的な電流が
流れる。このため、1次側の過電流検知手段が過電流の
発生を検知し、検出信号を過電流制御手段に送出する。
この検出信号の伝達においてはホトカプラの使用を排除
できるので、伝達速度が殆ど瞬時である。検出信号を受
けた過電流制御手段はスイッチング制御信号のデユーテ
ィ−比を減じるので、1次側給電量とともに2次側給電
量が減少する。このため、2次側の過電流状態がその発
生から回想的に抑制されることになる。
〔実施例〕
次に、本発明に係るバッテリ充電器の実施例を添付図面
に基づいて説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す回路構成図である。な
お、第1図において第5図に示す部分と同一部分には同
一参照符号を付し、その説明は省略する。
1次側の直流電源回路1は、ノイズ除去用フィルタ回路
1c、ダイオードブリッジ回路1d及び平滑コンデンサ
C2で構成されている。降圧用トランスT′の1次側主
コイルTaの両端間には抵抗Rt、コンデンサC3及び
ダイオードD2で構成されるノイズ除去回路10が接続
されている。この1次側主コイルTaと接地間にはチョ
ッパとしてのパワー絶縁ゲート電界効果型トランジスタ
FETとシャント抵抗Rsが直列接続されている。
このトランジスタFETは後述する1次側制御回路20
から送出される可変デユーティ−比のゲート制御信号G
1によって所定の周波数で断続的に開閉される。
2次側の直流電源回路2は、整流ダイオードDs、D4
と電流制限コイルLと平滑コンデンサC1とから構成さ
れている。トランスT′の2次側の分巻コイルTbには
2次側制御回路4及び電流検出回路3などにロジック電
源電圧■Cc(5■)を給電するための直流安定電源回
路30が接続されている。この直流安定電源回路30は
整流ダイオードD5.3端子レギュレータIC及びコン
デンサC,,C6から構成されている。また、トランス
T′の1次側の分巻コイルTcには1次側制御回路20
などのロジック電源電圧V、:C(5V)を給電するた
めの直流電源回路40が接続されている。
この直流電源回路40は整流ダイオードD6と平滑コン
デンサC6とから構成されている。
充電制御信号(フィードバック信号)Szを2次側から
1次側に伝達すべきホトカプラPC,は発光素子たる発
光ダイオードLED、と受光素子たるホトトランジスタ
Tr、 とで構成されている。
発光ダイオードLED、のアノードは抵抗R1を介して
2次側の■cc電源に接続され、そのカソードは2次側
制御回路4の充電制御信号出力端子4aに接続されてお
り、抵抗R1(+が発光ダイオードLED、と抵抗R3
に並列接続されている。一方、ホトトランジスタTr、
のコレクタは抵抗Rs。
PWM復調回路21.誤差増幅器22を介して制御用I
C23の2番端子に接続されている。PWM復調回路2
1は直列接続の分圧抵抗RII+  RIZとこれらに
並列接続した充放電コンデンサC9とからなる積分回路
である。この充放電コンデンサC7の正極は1次側のV
CC電源(制御用IC23の6番端子に印加)に3端子
レギユレータICを介して接続され、電圧■。、にプル
アップされている。誤差増幅器22はPNP )ランジ
スタQ1.エミッタ抵抗RI3及びコレクタ抵抗RI4
で構成されており、そのコレクタ電圧が制御用IC23
02番端子に印加される。
本実施例に使用した制御用IC23は型番FA5304
P (S)(M)(富士電機株式会社製)で、一部省略
してその詳細な回路構成を第2図に示す。
二の制御用ICのすべての回路要素の説明は本発明の理
解を煩雑にするだけであるからこれを割愛するが、以下
、本発明に関係する回路要素のみを説明する。
トランジスタFETに対しPWM波のゲート制御信号G
、を送出する手段としてのPWM比較器23aは、4つ
の入力(A、B、C,D)を有しており、A入力に印加
する内蔵発振器(O3C)23Cの発振器出力に対し、
B入力に印加するC8端子電圧、2番端子を介してC入
力に印加する誤差増幅器出力、及びD入力に印加するD
T電圧を比較し、O3端子電圧、誤差増幅器出力、DT
電圧のうち最も低い電圧の入力と優先的に比較される。
最も低い入力の電圧値が発振器出力より低い期間はPW
M比較器23aの出力が高レベルで、高い期間は低レベ
ルとなる。PWM比較器23aの出力が低レベルのとき
はNORゲート23bの出力すなわち5番端子に現れる
電圧は高レベルとなる。N。
Rゲート23bは3人力で、これらにはPWM比較器2
3aの出力、低電圧誤動作防止回路(U、V、L、0)
23dの出力及びRSフリップ・フロップ23eのQ出
力が印加されている。低電圧誤動作防止回路(U、V、
L、0)23dは、このICの電源投入の初期において
各回路の電源電圧の不十分な期間の誤動作を防止するた
め、十分な電源電圧に達したときに出力を出すものであ
る。またRSフリップ・フロップ23eのセット人力S
はコンパレータ23fの出力を受け、またそのリセット
入力RはPWM比較器23aの出力を受ける。そして、
このコンパレータ23fの検出入力には3番端子を介し
て後述する過電流発生信号Isが印加される。
なお、8番端子に接続されたコンデンサC8は電源投入
時のソフトスタートの長短を加減する時限コンデンサで
ある。また、第1図示の1次側制御回路20において特
に説明しない抵抗、コンデンサ及びダイオードはバイア
ス、位相調整、破壊防止用などの補助的役割を果たすも
のである。
電流検出回路3は充電電流値を電圧値として検出する反
転増幅器3aとホトカプラPCzにおける発光ダイオー
ドLED、のドライバ回路3bとから構成されている。
電流検出回路3はシャント抵抗R2の電圧降下値(負電
圧)を入力抵抗RISを介して反転入力に受けるオペア
ンプOPとその帰還抵抗RI b +帰還コンデンサC
8とから構成され、その反転増幅出力は2次側制御回路
4の端子4aに電流検出信号S1として供給されると共
に、抵抗R1?を介してLED2に直列接続したシャン
トレギュレータReに供給される。シャントレギュレー
タReの両端電圧はコンデンサC1の充電電圧程度に保
持され′ており、オペアンプOPが一定値以上を超える
と、シャントレギュレータReに電流が流れ、これによ
り発光ダイオードLED。
が発光する。ホトカプラPC,のホトトランシタTr、
のコレクタは抵抗R6を介して制御用ICの2番端子に
接続しており、またこのコレクタ側はVCC電源にプル
アップされている。
次に、上記実施例における特徴的動作を説明する。
(起動期間) まず、AC電源が1次側に投入されると、直流電源回路
1の出力には定電圧V0が現れ、分圧抵抗R11+を介
して制御用ICの6番端子に1次側■α電源が給電され
、低電圧誤動作防止回路23dの出力(高レベル)がN
ORゲート23bなどに印加する。これと同時に、定電
流源(10μA)23gによって時限コンデンサC8の
充電が開始され、それに伴いC3端子電圧も第3図に示
す如く所定の時定数で徐々に上昇する。また電源投入に
よって発振器23cが第3図に示す如く3角波形を連続
的に出力する。この起動初期においては、2次側制御回
路4から送出される充電制御信号S2に基づいて誤差増
幅器出力は第3図に示す如く上限値にある。PWM比較
器23aは発振器出力に対し、C8端子電圧、誤差増幅
器出力及びDT電圧(e+)のうち最も低い電圧と比較
するものであるから、起動初期においては優先的にC5
端子電圧が比較され、ソフトスタートがかかる。PWM
比較器出力及びこの反転出力たるゲート制御信号Glの
パルス幅(デユーティ−比)が徐々に拡大し、これに伴
いチョッパトランジスタFETのオン期間も徐々に長く
なり、2次側給電量を単調増加させる。
これにより、2次側の直流電源回路2から直流電圧が生
成され、前述した態様に従い、バッテリBに対する充電
が開始される。
(通常動作期間) 充電電流■はシャント抵抗R2の電圧降下をもたらすが
、電流検出回路3は上記の電圧陳下値を検出する。すな
わち、充電電流Iの値が増加すると、電圧降下が大きく
なるので、電流検出信号S1の電圧値が上昇する。また
充電電流Iの値が減少すると、電流検出信号SIの電圧
値が下がる。2次側制御回路4はこの電流検出信号S、
をPWM変調して充電制御信号S2を生成するPWM変
調器(図示せず)を有しているが、2次側制御回路4の
端子4aからホトカプラPC,に対し第1図に付記した
ような充電制御信号S2のPWM波が送出されている。
ここで、パルス幅W+は定電流(例えば6A)に合致し
ているときで、パルス幅w2は不足電流があるときで、
パルス幅W、は余剰電流があるときを示す。なお、tは
周期を表す。
第1図に付記するように、このPWM波が高レベル(H
)のときはホトカプラPC,の発光ダイオードLED、
がオフ状態(発光状態)で、低レベル(L)のときはオ
ン状態(非発光状態)である。したがって、ホトカプラ
PC,のホトトランジスタTr、は発光ダイオードLE
D、のオン・オフに合わせてオン・オフし、このディジ
タル信号はPWM復調回路21でアナログ化され、トラ
ンジスタQ、のベース電圧は第1図に付記するように充
電制御信号S2のPWM波をそのまま復調した波形を有
する。
ところで、1次側に充電制御信号としてのPWM波がホ
トカプラPC,を通してそのまま到達し、2次側に設け
られたPWM復調回路21でアナログ化するから、ホト
カプラPC,の特性のバラツキや温度特性の悪さなどを
原因とする信号伝達の不具合を解消できる。つまり、発
光ダイオードLED、はアナログ的発光量で発光制御さ
れるのではなく、単にオン・オフ的に発光・消光するだ
けであるから、ホトカプラPC,の特性のバラツキはさ
ほど問題とはならない。また温度特性が悪くても論理振
幅を十分とれるので、これも問題とはならない。更に経
時変化に対しても長寿命で信転性が高い。したがって、
安価なホトカプラの使用も可能である。換言すれば、充
電制御の精度が従来に比して高く、装着されるバッテリ
の具合に柔軟に対応できるので、バッテリの損傷や発火
等の突発事故を未然に防止できることにもなる。
トランジスタQ、のベースにPWM復調信号が印加して
いるが、その誤差増幅器出力は前述したように制御用I
Cの2番端子に供給されている。
誤差増幅器出力が上限から下降し平衡状態(定電流充電
状態)になると、この誤差増幅器出力の値が最も低くな
るので、第3図に示すように、これが発振器出力と比較
され、この結果、通常動作期間におけるPWM比較器出
力及びゲート信号CIのデユーティ−比が第3図に示す
ように可変調整される。これにより、バッテリBに対す
る定電流充電が行われる。
(充電電流の増加時) 例えば、バッテリBに対する充電期間においてバッテリ
Bのインピーダンスが急に低下したときは、充電電流が
増加するが、この充電電流の増加は充電制御信号SIの
PWM波のパルス幅を狭め、1次側の誤差増幅器出力の
電圧値を下げる方向に働く。このため、ゲート制御信号
のPWM波のパルス幅が狭くなり、2次側の給電量を減
少させ、バッテリBに対する充電電流値を下げて定電流
値に戻す。このような2次側から1次側へのフィードバ
ック制御は通常動作期間において比較的なだらかな電流
変化に追従する。
(過電流発生時) 充電電流の増加が比較的急峻に発生すると、電流検出信
号S、の電圧値が急激に上昇する。これによって、ホト
カプラPC,の発光ダイオードLE D tが発光して
ホトトランジスタTrがオン状態となり、制御用ICの
2番端子に印加する電圧(誤差増幅器出力)が強制的に
下がる。これによって、2次側給電量は比較的速や力弓
こ抑制される。
しかしながら、2次側の急激な充電電流の増加の情報は
電流検出回路3.ホトカプラPC。等を介して1次側の
制御用ICへ伝達されるため、回路の応答速度の遅れが
大きく、2次側給電量の抑制制御に長いタイムラグが出
てしまい、バッテリBの損傷・破損などのおそれがある
この問題を解決するために、本実施例においては過電流
の発生に対し、これを回想的すみやかに制限する回路が
設けられている。2次側に過電流が発生すると、これと
同時に1次側のコイルTaに流れる電流(FETのドレ
イン電流)も急激に増加し、シャント抵抗R3の電圧降
下が増大して制御用ICの3番端子に過電流発生信号I
Sの電圧値が上昇する(第4図参照)、この過電流発生
信号ISO電圧値がコンパレータ23fの基準電圧e、
を超えると、コンパレータ23fの出力が高レベルとな
り、これに伴いRSフリップ・フロップ23eのQ出力
が高レベルとなり、さらにNORゲ−)23bの出力は
PWM比較器23aの出力の如何に拘わらず低レベルに
なる。すなわちゲート制御信号G、が低レベルとなるた
め、トランジスタFETは強制的に遮断され、ドレイン
電流は流れない。したがって、PWM比較器23aの出
力が高レベルのときでも、トランジスタFETが次のサ
イクルに移るまで強制的に遮断されるので、2次側給電
量がすみやかに減少し、過電流状態が即座に解消される
。このためバッテリBの充電特性が様々であっても、損
傷や発火等を起こさず、支障なくバッテリ充電を完了さ
せることができる。
次のサイクルにおいても、2次側が過充電状態にあると
きには、上記と同様の過充電制限動作が行われるが、新
たなサイクルに入ると、第4図に示すように、ゲート制
御信号G1は一旦立ち上がるので、トランジスタFET
は一度オン状態となり、過充電状態であれば、僅少のタ
イムラグの後、強制的にオフ状態に戻る。例えば、過充
電状態が検知された場合、その後の数サイクル期間に亘
り、トランジスタFETの遮断を継続されると、2次側
の直流安定電源30が不能となり、その間は2次側制御
回路4が働かず、全く監視機能が消滅してしまう。しか
しながら、本実施例においては過充電状態における給電
制限のサイクルにおいても僅少又は最低限のデユーティ
−比のゲート制御信号GIがトランジスタFETに送出
されるので、制御系の電源回路の機能を最低限維持する
ことができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、降圧用トランスの1次
側の電流値の唐、畦な変化を検知する過電流検知手段と
、この手段による検出信号に基づいてスイッチング制御
信号のデユーティ−比を2次側給電量を滅しる方向へ強
制設定する過電流制御手段とを有する点に特徴があるか
ら、次の効果を奏する。
すなわち、2次側に過渡的な過電流状態が発生しても、
2次側の制御回路を経たフィードバック信号を以て1次
側の給電量を制御するのではなく、2次側の過電流状態
により直接的に誘導される降圧用トランスの1次側電流
の変化を検知することにより、この1次側電流を直接制
御するものであるから、速い応答速度の過電流制限が実
現される。
二のためバッテリの充電特性が様々であっても、損傷や
発火等を起こさず、支障なくバッテリ充電を完了させる
ことができ、多種多用なバッテリの充電が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す回路構成図である。 第2図は同実施例における1次側の制御用ICの回路構
成を示すブロック図である。 第3図は同実施例における起動期間及び通常動作期間の
各種信号波形を示すタイミングチャート図である。 第4図は同実施例における過電流発生時の各種信号波形
を示すタイミングチャート図である。 第5図は従来のバッテリ充電器の回路構成を示すブロッ
ク図である。 〔主要符号の説明〕 1・・・1次側直流電源回路 FET・・・絶縁ゲート電界効果型トランジスタT′・
・・降圧用トランス 2・・・2次側直流電源回路 3・・・電流検出回路 Sl・・・電流値検出信号 S2・・・充電制御信号 S、、Is・・・過電流発生信号 G、・・・ゲート制御信号 4・・・2次側制御回路 6・・・バッテリ・バック B・・・バッテリ 20・・・1次側制御回路 30・・・直流安定電源回路 40・・・直流電源回路 PC,、PC,・・・ホトカプラ 21・・・PWM復調回路 22・・・誤差増幅器 23・・・制御用1c 23a・・・PWM比較器 23b・・・NORゲート 23c・・・内蔵発振器 23d・・・低電圧誤動作防止回路 23e・・・RSフリップ・フロップ 23f・・・コンパレータ 23g・・・定電流源 Rz、Re・・・シャント抵抗。 第3図 第4区 特許出願人  富士電機株式会社(外2名)代 理 人
 弁理士 山 1) 稔 ―電津滲Jq  yi4:bJr

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)第1の直流電源回路から給電される定電圧を所定
    の周波数で断続するスイッチング手段と、該断続電圧を
    降圧する降圧用トランスと、該降圧電圧に基づいて直流
    充電電圧を得る第2の直流電源回路と、充電すべき電流
    値の変化に応じて充電制御信号の値を変化させる2次側
    制御手段と、該充電制御信号に基づいて該スイッチング
    手段に供給すべきスイッチング制御信号のデューティー
    比を変化させる1次側制御手段とを有するバッテリ充電
    器であって、 該降圧用トランスの1次側の電流値の急峻な変化を検知
    する過電流検知手段と、この手段による検出信号に基づ
    いて該スイッチング制御信号のデューティー比を2次側
    給電量を減じる方向へ強制設定する過電流制御手段とを
    有することを特徴とするバッテリ充電器。
  2. (2)請求項第(1)項において、2次側で充電すべき
    電流値の変化から過電流状態を検出する過電流検出手段
    と、この過電流検出手段の検出信号を1次側に伝達する
    ホトカプラと、その検出信号に基づく過電流制限信号を
    生成してこれを前記1次側制御手段の入力信号として割
    り込ませる回路系とを有することを特徴とするバッテリ
    充電器。
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