JPH04126333A - 含浸型カソードの製造方法 - Google Patents
含浸型カソードの製造方法Info
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- JPH04126333A JPH04126333A JP24813290A JP24813290A JPH04126333A JP H04126333 A JPH04126333 A JP H04126333A JP 24813290 A JP24813290 A JP 24813290A JP 24813290 A JP24813290 A JP 24813290A JP H04126333 A JPH04126333 A JP H04126333A
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産１」」」Ｕまた旺
本発明は高放出電流密度が必要なデイスプレィ装置の受
像管等の含浸カソードの製造方法に関するものである。
像管等の含浸カソードの製造方法に関するものである。
従来Δ皮１
含浸型カソードは、酸化物カソードよりも電気伝導を良
＜シ、これにより放出電流密度を向上させるために工夫
されたものである。
＜シ、これにより放出電流密度を向上させるために工夫
されたものである。
この含浸型カソードは、現在ではタングステン多孔質の
基体に電子放出物質を含浸Ｎせた含浸補給型（ｉｍｐｒ
ｅｇｎａｔｅｄ ｄｉｓｐｅｎｓｅｒ ｃａｔｈｏｄｅ
）が主流となっており、例えばＵ、Ｓ、Ｐ ４，１６５
，４７３号、 Ｕ、Ｓ、Ｐ。
基体に電子放出物質を含浸Ｎせた含浸補給型（ｉｍｐｒ
ｅｇｎａｔｅｄ ｄｉｓｐｅｎｓｅｒ ｃａｔｈｏｄｅ
）が主流となっており、例えばＵ、Ｓ、Ｐ ４，１６５
，４７３号、 Ｕ、Ｓ、Ｐ。
３．３５８，１７８号等で詳しく紹介されている。
そこで従来の含浸型カソードの製造工程の流れ図を第２
図に示す。
図に示す。
まず、平均粒径が数μｍのタングステン粉末をペレット
状にしてプレス工程１でプレス成形し、焼結工程２で水
素雰囲気中２５００°Ｃで焼成する。
状にしてプレス工程１でプレス成形し、焼結工程２で水
素雰囲気中２５００°Ｃで焼成する。
この時、タングステン粉末の粒度、プレス圧。
焼結温度などを調整することにより、性状の制御された
多孔質焼結体になるようにする。
多孔質焼結体になるようにする。
次の含浸工程３でＢａＣＯ３，ＣａＣＯ３，Ａｌ２Ｏ３
などを適当なモル比で混合させた電子放射物質（エミッ
タ）をＨ２中１７００〜１８００℃で加熱し、ペレット
孔部に含浸させる。最後に、クリーニング工程４でペレ
ット表面に付着した余剰のエミッタを除去するために、
ブラッシング、研磨および表面クリーニングを行い、次
の組立工程５に送られる。
などを適当なモル比で混合させた電子放射物質（エミッ
タ）をＨ２中１７００〜１８００℃で加熱し、ペレット
孔部に含浸させる。最後に、クリーニング工程４でペレ
ット表面に付着した余剰のエミッタを除去するために、
ブラッシング、研磨および表面クリーニングを行い、次
の組立工程５に送られる。
しかしながら、前述した含浸型カソードの製造方法は、
各工程が複雑であり、また個々のペレットそれぞれに溶
融含浸させるため、量産化が困難である。
各工程が複雑であり、また個々のペレットそれぞれに溶
融含浸させるため、量産化が困難である。
この問題等を解決するため、第３図に見られるようにプ
レス工程６．焼結工程７の後、多孔質タングステンの棒
状焼結体に含浸工程８でエミッタ剤を含浸した後、グラ
インダやマルチワイヤソー等のカッタを用いてペレット
状に切断する切削工程、そしてさらにブラッシング洗浄
工程１０９組立工程１１を経る手法が用いられている（
例えば特公昭６３−４９３３２ ）。
レス工程６．焼結工程７の後、多孔質タングステンの棒
状焼結体に含浸工程８でエミッタ剤を含浸した後、グラ
インダやマルチワイヤソー等のカッタを用いてペレット
状に切断する切削工程、そしてさらにブラッシング洗浄
工程１０９組立工程１１を経る手法が用いられている（
例えば特公昭６３−４９３３２ ）。
この第３図を参照して示した工程によると、ペレット化
を後工程にもってきており、量産に適した製造方法であ
る。
を後工程にもってきており、量産に適した製造方法であ
る。
よ”
しかし、エミッタ剤を含浸させたタングステン焼結体を
カッタで機械的に切断すると、切断面でのタングステン
焼結体の部分が塑性変形を起こして、切断面でのエミッ
タ剤の部分に覆いかぶさり、これにより目詰まりが発生
して電子放射面での電子放射のむらを引き起こす原因と
なっていた。この際、行う表面クリーニングとして、一
般に用いられる溶剤洗浄やウェットエツチングは、エミ
ッタ剤の劣化や消失を引き起こす心配があり、またブラ
ッシングなどの機械的なりリーニングでは効果が少ない
。
カッタで機械的に切断すると、切断面でのタングステン
焼結体の部分が塑性変形を起こして、切断面でのエミッ
タ剤の部分に覆いかぶさり、これにより目詰まりが発生
して電子放射面での電子放射のむらを引き起こす原因と
なっていた。この際、行う表面クリーニングとして、一
般に用いられる溶剤洗浄やウェットエツチングは、エミ
ッタ剤の劣化や消失を引き起こす心配があり、またブラ
ッシングなどの機械的なりリーニングでは効果が少ない
。
； ための
そこで本発明は、エミッタ剤を含浸させたタングステン
焼結体をカッタで機械的に切断する際、発生するエミッ
タ剤の部分の目詰まりを排除して、電子放射面での電子
放射のむらを防ぐ、含浸型カソードの製造方法を提供す
ることを目的とする。
焼結体をカッタで機械的に切断する際、発生するエミッ
タ剤の部分の目詰まりを排除して、電子放射面での電子
放射のむらを防ぐ、含浸型カソードの製造方法を提供す
ることを目的とする。
本発明の含浸型カソードの製造方法は、エミッタ剤を含
浸させたタングステン焼結体をカッタで機械的に切断し
た後、電子が放射されるカソード表面部をドライエツチ
ングにより、クリーニングする工程を採用することを特
徴とする。
浸させたタングステン焼結体をカッタで機械的に切断し
た後、電子が放射されるカソード表面部をドライエツチ
ングにより、クリーニングする工程を採用することを特
徴とする。
作且
本発明によれば、ドライエツチングによりカソード表面
部をクリーニングすることにより、エミッタ剤の部分の
目詰まりを生じさせたタングステンを除去し、これによ
り電子放射面での電子放射のむらがなくなり、良好とな
った。
部をクリーニングすることにより、エミッタ剤の部分の
目詰まりを生じさせたタングステンを除去し、これによ
り電子放射面での電子放射のむらがなくなり、良好とな
った。
この際、ドライエツチングを用いるため、ウェットエツ
チングで懸念されるエミッタ剤の劣化が生じる心配もな
い。
チングで懸念されるエミッタ剤の劣化が生じる心配もな
い。
爽凰阻
本発明の第１実施例となる含浸型カソードの製造工程の
流れ図を第１図を参照して説明する。
流れ図を第１図を参照して説明する。
この発明はまず、高温高融点耐熱金属であるタングステ
ン粉末２０ｇに、エミッタ剤となる４ＢａＯ−ＣａＯ・
ＡＪ２０３混合物１．８ｇを乾式混合工程１２で乾式混
合し、続いて約１ ｔｏｎ／ ｃａの圧力によるプレス
工程１３で乾式プレスを行い、円柱状の形状に冷間成形
する。
ン粉末２０ｇに、エミッタ剤となる４ＢａＯ−ＣａＯ・
ＡＪ２０３混合物１．８ｇを乾式混合工程１２で乾式混
合し、続いて約１ ｔｏｎ／ ｃａの圧力によるプレス
工程１３で乾式プレスを行い、円柱状の形状に冷間成形
する。
次に、この成形体を結晶化ガラス製容器に収容させた後
、結晶化ガラス製容器内に窒化ボロン（ＢＮ）粉末を充
填させ、かつ内部を真空にしてカプセル封入工程１４を
終了する。そして真空にした結晶化ガラス製容器を熱間
静水圧加圧（旧Ｐ）処理炉内に収容し、１０００℃−１
５００気圧−９０分間、アルゴンガス雰囲気中でＨＩＰ
処理し、含浸型カソード母材である焼結体を得た。この
工程がＨＩＰ処理工程１５である。
、結晶化ガラス製容器内に窒化ボロン（ＢＮ）粉末を充
填させ、かつ内部を真空にしてカプセル封入工程１４を
終了する。そして真空にした結晶化ガラス製容器を熱間
静水圧加圧（旧Ｐ）処理炉内に収容し、１０００℃−１
５００気圧−９０分間、アルゴンガス雰囲気中でＨＩＰ
処理し、含浸型カソード母材である焼結体を得た。この
工程がＨＩＰ処理工程１５である。
さらに、この焼結体は所定の形状になるようにグライン
ダによる機械加工（ペレット化）工程１６を経由させ、
次に組立工程１７に送った。
ダによる機械加工（ペレット化）工程１６を経由させ、
次に組立工程１７に送った。
さて、カソードの組立後、イオンミリング装置内に挿入
し、電子が放射されるカソード表面部を加速電圧ｅｏｏ
ｖ、ｉｔ流密度０ 、５ ｍＡ／ ｃＪ 、０２圧雰囲
気で１時間、イオンミリングしたこの工程が本発明の要
点となるクリーニング工程１８である。
し、電子が放射されるカソード表面部を加速電圧ｅｏｏ
ｖ、ｉｔ流密度０ 、５ ｍＡ／ ｃＪ 、０２圧雰囲
気で１時間、イオンミリングしたこの工程が本発明の要
点となるクリーニング工程１８である。
最後に、イオンミリングしたカソード表面上にＩｒスパ
ッタ膜を約１μｍ形成させるスバツタエ程１９に送った
。
ッタ膜を約１μｍ形成させるスバツタエ程１９に送った
。
なお、本実施例においては、上記に示した表面のクリー
ニングの条件により、含浸型カソードを製造したが、こ
れは−例であり、ドライエツチングの方法および含浸型
カソード母材の製造方法はこの条件に限られたものでは
なく、例えばドライエツチングはＲｅａｃｔｉｖｅ Ｉ
ｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ （ＲＩ Ｅ）等を用いてもむろ
ん有効である。
ニングの条件により、含浸型カソードを製造したが、こ
れは−例であり、ドライエツチングの方法および含浸型
カソード母材の製造方法はこの条件に限られたものでは
なく、例えばドライエツチングはＲｅａｃｔｉｖｅ Ｉ
ｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ （ＲＩ Ｅ）等を用いてもむろ
ん有効である。
光匪Δ熱果
本発明によれば、グラインダやワイヤソー等のカッタで
機械的に切断された切断面の表面りＩＪ −ニングにド
ライエツチングを用いることにより、電子放射面での電
子放射のむらおよびエミッタ剤の劣化が生じない高電流
密度で長寿命の含浸型カソードを製造することができる
。
機械的に切断された切断面の表面りＩＪ −ニングにド
ライエツチングを用いることにより、電子放射面での電
子放射のむらおよびエミッタ剤の劣化が生じない高電流
密度で長寿命の含浸型カソードを製造することができる
。
第１図は本発明による含浸型カソードの製造工程の流れ
図、第２図および第３図は従来の含浸型カソードの製造
工程の流れ図である。 ２・・・・・・乾式混合工程、 ３・・・・・・プレス工程、 ４・・・・・・カプセル封入工程、 ５・・・・・・ＨＩＰ処理工程、 ６・・・・・・機械加工工程、 ７・・・・・・組立工程、 ８・・・・・・クリーニング工程、 ９・・・・・・スパッタ工程。 第１図 第２図 第３図
図、第２図および第３図は従来の含浸型カソードの製造
工程の流れ図である。 ２・・・・・・乾式混合工程、 ３・・・・・・プレス工程、 ４・・・・・・カプセル封入工程、 ５・・・・・・ＨＩＰ処理工程、 ６・・・・・・機械加工工程、 ７・・・・・・組立工程、 ８・・・・・・クリーニング工程、 ９・・・・・・スパッタ工程。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電子放射物質を多孔質耐熱金属焼結体中に含浸させた
後、機械的加工よりペレット状カソードに切断する工程
を有する含浸型カソードの製造方法において、 電子が放射されるカソード表面部をドライエッチングに
よりクリーニングする工程を有することを特徴とする含
浸型カソードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24813290A JPH04126333A (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 含浸型カソードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24813290A JPH04126333A (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 含浸型カソードの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04126333A true JPH04126333A (ja) | 1992-04-27 |
Family
ID=17173708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24813290A Pending JPH04126333A (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 含浸型カソードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04126333A (ja) |
-
1990
- 1990-09-18 JP JP24813290A patent/JPH04126333A/ja active Pending
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