JPH04123429A - サンドブラスト装置 - Google Patents
サンドブラスト装置Info
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- JPH04123429A JPH04123429A JP2242689A JP24268990A JPH04123429A JP H04123429 A JPH04123429 A JP H04123429A JP 2242689 A JP2242689 A JP 2242689A JP 24268990 A JP24268990 A JP 24268990A JP H04123429 A JPH04123429 A JP H04123429A
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- pure water
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- sandblasting
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- Pending
Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/10—Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体ウェーへの製造に関わる装置、特にサ
ンドブラスト装置に関するものである。
ンドブラスト装置に関するものである。
〈従来の技術〉
一１ｌｆｕにシリコンウェーハのデバイス活性領域から
の不純物や欠陥の除去法としてのゲッタリング法として
は、酸素析出制御による内因性（イントリンシック）ゲ
ッタリング並びに機械的、イオン打込み、またはリン拡
散等の歪みを用いた外因性（エクストリンシック）ゲッ
タリングがある。外因性ゲッタリング法のうち機械的に
歪みを与えるサンドブラスト法は簡便であるので、多々
利用されている（「シリコン結晶とドーピング」丸善株
式会社、Ｐ１１６．１１７参照）。
の不純物や欠陥の除去法としてのゲッタリング法として
は、酸素析出制御による内因性（イントリンシック）ゲ
ッタリング並びに機械的、イオン打込み、またはリン拡
散等の歪みを用いた外因性（エクストリンシック）ゲッ
タリングがある。外因性ゲッタリング法のうち機械的に
歪みを与えるサンドブラスト法は簡便であるので、多々
利用されている（「シリコン結晶とドーピング」丸善株
式会社、Ｐ１１６．１１７参照）。
従来のサンドブラスト装置を用いて外因性ゲ５・タリン
グ処理されたウェーハにおいては、ボリンシェドウェー
ハの段階において、■洗浄でとりきれないシリカ微粉末
およびそのクラスターなどのサンドブラスト用砥粒（以
下砥粒と略す）の残留。
グ処理されたウェーハにおいては、ボリンシェドウェー
ハの段階において、■洗浄でとりきれないシリカ微粉末
およびそのクラスターなどのサンドブラスト用砥粒（以
下砥粒と略す）の残留。
■ダメージによるシリコン裏面の小部分の剥離によるウ
ェーハ上パーティクル数の増加（デバイス工程での熱処
理前後での変化を含む）という問題点があった。
ェーハ上パーティクル数の増加（デバイス工程での熱処
理前後での変化を含む）という問題点があった。
これは従来のサンドブラスト装置が、砥粒によるダメー
ジを附与するサンドブラスト部のみであり、ダメージ面
に付着した砥粒を含む溶液を除去洗浄する部分、ウェー
ハ面に喰い込んだり強く耐着した砥粒を化学的に熔解さ
せる部分、さらにウェーハ面より剥離しかけているシリ
コンの小片の除去を行う部分を備えていないため、サン
ドブラストによるダメージ附与後、時間を置いて別の化
学的洗浄装置による洗浄を行なわざるをえないためであ
る。
ジを附与するサンドブラスト部のみであり、ダメージ面
に付着した砥粒を含む溶液を除去洗浄する部分、ウェー
ハ面に喰い込んだり強く耐着した砥粒を化学的に熔解さ
せる部分、さらにウェーハ面より剥離しかけているシリ
コンの小片の除去を行う部分を備えていないため、サン
ドブラストによるダメージ附与後、時間を置いて別の化
学的洗浄装置による洗浄を行なわざるをえないためであ
る。
〈発明が解決しようとする課題〉
本発明は、前述のような問題点を解決し、サンドブラス
ト処理後ただちに、■残留砥粒除去溶液（以下除去溶液
と略す）を除去し、■残留砥粒の耐着を防止し、■ジェ
ット噴流によって剥離しかけたシリコン小片を除去する
ことのできるサンドブラスト装置を提供するためになさ
れたものである。
ト処理後ただちに、■残留砥粒除去溶液（以下除去溶液
と略す）を除去し、■残留砥粒の耐着を防止し、■ジェ
ット噴流によって剥離しかけたシリコン小片を除去する
ことのできるサンドブラスト装置を提供するためになさ
れたものである。
〈課題を解決するための手段〉
本発明は、微小砥粒の懸濁液をジェットノズルからウェ
ーハ裏面に打ちつけてダメージを与えるサンドブラスト
装置において、ウェーハを搬送するヘルドコンヘア上方
に、ウェーハ搬送方向の順に、サンドブラスト用砥粒、
純水Ａ、残留砥粒除去液、純水Ｂをそれぞれ噴出する複
数本のジェットノズルを配列し、かつ砥粒、純水Ａ、残
留砥粒除去液、純水Ｂをそれぞれ独立に回収し、循環さ
せ、または排出することのできる上部および下部仕切り
板と槽とを備えたことを特徴とするサンドブラスト装置
である。
ーハ裏面に打ちつけてダメージを与えるサンドブラスト
装置において、ウェーハを搬送するヘルドコンヘア上方
に、ウェーハ搬送方向の順に、サンドブラスト用砥粒、
純水Ａ、残留砥粒除去液、純水Ｂをそれぞれ噴出する複
数本のジェットノズルを配列し、かつ砥粒、純水Ａ、残
留砥粒除去液、純水Ｂをそれぞれ独立に回収し、循環さ
せ、または排出することのできる上部および下部仕切り
板と槽とを備えたことを特徴とするサンドブラスト装置
である。
〈作用〉
第１図に示すような本発明に係るサンドブラスト装置に
よればサンドブラスト処理後のウェーハを乾燥させるこ
となく、直ちに純水Ａのジェット噴射によって砥粒溶液
を除去し、また乾燥させずに化学エツチング作用を有す
る除去溶液をジェット噴射することによって、ウェーハ
上に固着しかかった砥粒と、ウェーハ面より剥離しかか
ったサンドブラストによって発生したウェーハ小片と、
をウェーハ面より除去し、さらに純水Ｂをジェット噴射
することによってウェーハ表面を清浄化することが可能
となる。
よればサンドブラスト処理後のウェーハを乾燥させるこ
となく、直ちに純水Ａのジェット噴射によって砥粒溶液
を除去し、また乾燥させずに化学エツチング作用を有す
る除去溶液をジェット噴射することによって、ウェーハ
上に固着しかかった砥粒と、ウェーハ面より剥離しかか
ったサンドブラストによって発生したウェーハ小片と、
をウェーハ面より除去し、さらに純水Ｂをジェット噴射
することによってウェーハ表面を清浄化することが可能
となる。
サンドブラスト部１．純水Ａ噴射部２．除去溶液噴射部
３．純水Ｂ噴射部４とが上部および下部仕切り板１５．
１６によって仕切られているので、砥粒、純水Ａ、除去
溶液、純水Ｂは、必要に応じてそれぞれ独立に回収、循
環、排出することができる。
３．純水Ｂ噴射部４とが上部および下部仕切り板１５．
１６によって仕切られているので、砥粒、純水Ａ、除去
溶液、純水Ｂは、必要に応じてそれぞれ独立に回収、循
環、排出することができる。
〈実施例〉
本発明に係る装置を用いて６′°φＮ型シリコン単結晶
のエツチドウェーハにサンドブラスト処理を行なったあ
と、従来法と同し洗浄工程を通したウェーハ（実施例）
と、従来のサンドブラスト装置を用いて、処理したあと
従来法と同じ洗浄工程を通したウェーハ（従来法）との
ブラスト面以外のウェーハ表面でのパーティクル数を比
較した結果を第２図に示す。
のエツチドウェーハにサンドブラスト処理を行なったあ
と、従来法と同し洗浄工程を通したウェーハ（実施例）
と、従来のサンドブラスト装置を用いて、処理したあと
従来法と同じ洗浄工程を通したウェーハ（従来法）との
ブラスト面以外のウェーハ表面でのパーティクル数を比
較した結果を第２図に示す。
従来法と比較して実施例では残留パーティクル数に大幅
な改善が見られた。
な改善が見られた。
第３図に残留パーティクルの粒度分布を示す。
実施例では、０．３μｍ〜２μｍ、２μ細以上のパーテ
ィクル数が減少していることがわかる。これは本発明に
係るサンドブラスト装置によって、クラスター化した砥
粒の残滓とウェーハ表面から剥離したウェーハ小片とが
大幅に除去されていることを示すものである。
ィクル数が減少していることがわかる。これは本発明に
係るサンドブラスト装置によって、クラスター化した砥
粒の残滓とウェーハ表面から剥離したウェーハ小片とが
大幅に除去されていることを示すものである。
〈発明の効果〉
本発明によると、従来のサンドブラスト装置を使用して
処理を行なったウェーハ上に残留するサンドブラスト砥
粒数と、ウェーハ表面より剥離したウェーハ小片の残留
数とを減少でき、ポリッシング前のウェー八表面清浄度
を上げることができるようになった。
処理を行なったウェーハ上に残留するサンドブラスト砥
粒数と、ウェーハ表面より剥離したウェーハ小片の残留
数とを減少でき、ポリッシング前のウェー八表面清浄度
を上げることができるようになった。
さらに、本発明に係る装置を用いることによって、サン
ドブラスト処理後の洗浄を行なう場合において、■薬液
使用量の削減、■洗浄時間の短縮、ができるという効果
もある。
ドブラスト処理後の洗浄を行なう場合において、■薬液
使用量の削減、■洗浄時間の短縮、ができるという効果
もある。
第１図は本発明に係る装置の説明図で（ａ）は側面図、
（ｂ）は正面図、第２図は実施例と従来法とのパ−ティ
クル数を示す特性図、第３圀は実施例と従来法との残留
パーティクルの粒度分布を示す特性図である。 １・・・サンドブラスト部、 ２・・・純水噴射部、 ３・・・残留砥粒除去液噴射部、 ４・・・純水噴射部、 ５・・・ジェントノズル、６
・・・ヘルドコンベア、 ７・・・サンドブラスト砥粒溶液槽、 ８・・・純水槽、 ９・・・残留砥粒除去液槽、
１０・・・純水槽、 １１・・・排出口、１２・
・・排水口、 １３・・・循環口または排出口、
１４・・・排出口、 １５・・・上部仕切り板、
１６・・・下部仕切り板、
（ｂ）は正面図、第２図は実施例と従来法とのパ−ティ
クル数を示す特性図、第３圀は実施例と従来法との残留
パーティクルの粒度分布を示す特性図である。 １・・・サンドブラスト部、 ２・・・純水噴射部、 ３・・・残留砥粒除去液噴射部、 ４・・・純水噴射部、 ５・・・ジェントノズル、６
・・・ヘルドコンベア、 ７・・・サンドブラスト砥粒溶液槽、 ８・・・純水槽、 ９・・・残留砥粒除去液槽、
１０・・・純水槽、 １１・・・排出口、１２・
・・排水口、 １３・・・循環口または排出口、
１４・・・排出口、 １５・・・上部仕切り板、
１６・・・下部仕切り板、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 微小砥粒の懸濁液をジェットノズルからウェーハ裏面に
打ちつけてダメージを与えるサンドブラスト装置におい
て、 ウェーハを搬送するベルトコンベア上方に、ウェーハ搬
送方向の順に、サンドブラスト用砥粒、純水Ａ、残留砥
粒除去液、純水Ｂをそれぞれ噴出する複数本のジェット
ノズルを配列し、かつ砥粒、純水Ａ、残留砥粒除去液、
純水Ｂをそれぞれ独立に回収し、循環させ、または排出
することのできる上部および下部仕切り板と槽とを備え
たことを特徴とするサンドブラスト装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2242689A JPH04123429A (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | サンドブラスト装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2242689A JPH04123429A (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | サンドブラスト装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04123429A true JPH04123429A (ja) | 1992-04-23 |
Family
ID=17092776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2242689A Pending JPH04123429A (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | サンドブラスト装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04123429A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001177136A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-06-29 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法ならびに粉体噴射法による薄膜基板貫通孔加工装置およびパターニング装置 |
| JP2016002639A (ja) * | 2014-06-19 | 2016-01-12 | 東ソー株式会社 | 表面加工装置、表面加工設備および表面加工方法 |
-
1990
- 1990-09-14 JP JP2242689A patent/JPH04123429A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001177136A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-06-29 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法ならびに粉体噴射法による薄膜基板貫通孔加工装置およびパターニング装置 |
| JP2016002639A (ja) * | 2014-06-19 | 2016-01-12 | 東ソー株式会社 | 表面加工装置、表面加工設備および表面加工方法 |
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