JPH04121929A - カラーブラウン管および正帯電膜形成方法 - Google Patents
カラーブラウン管および正帯電膜形成方法Info
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- JPH04121929A JPH04121929A JP23973890A JP23973890A JPH04121929A JP H04121929 A JPH04121929 A JP H04121929A JP 23973890 A JP23973890 A JP 23973890A JP 23973890 A JP23973890 A JP 23973890A JP H04121929 A JPH04121929 A JP H04121929A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 70
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 32
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 29
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 claims description 14
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 11
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 9
- JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M sodium bromide Chemical compound [Na+].[Br-] JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- -1 l_2O_3 Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 4
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 3
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 55
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002801 charged material Substances 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はカラーブラウン管と直流高電圧真空管および正
帯電膜形式方法に係り、特に、陽極と陰極を内蔵する真
空容器内の真空耐電圧を向上させるに好適なカラーブラ
ウン管と直流高電圧真空管および正帯電電膜形成に関す
る。
帯電膜形式方法に係り、特に、陽極と陰極を内蔵する真
空容器内の真空耐電圧を向上させるに好適なカラーブラ
ウン管と直流高電圧真空管および正帯電電膜形成に関す
る。
従来、カラーブラウン管においては、陽極と陰極に電圧
を印加しただけでネックガラスが正帯電状態となり、放
電によってネックガラスが劣化することがあった。そこ
で、特開昭64−12449号公報に記載されているよ
うに、ガラス表面に2次電子放出係数が1より小さい絶
縁被膜を形成し、ガラス表面を負電荷で帯電させること
により、耐電圧を向上させるようにしたものが提案され
ている。すなわち、ガラス表面を負帯電してガラス表面
の電位を全体に低く抑えて電子を出に<<シて放電を抑
制する方法が採用されている。
を印加しただけでネックガラスが正帯電状態となり、放
電によってネックガラスが劣化することがあった。そこ
で、特開昭64−12449号公報に記載されているよ
うに、ガラス表面に2次電子放出係数が1より小さい絶
縁被膜を形成し、ガラス表面を負電荷で帯電させること
により、耐電圧を向上させるようにしたものが提案され
ている。すなわち、ガラス表面を負帯電してガラス表面
の電位を全体に低く抑えて電子を出に<<シて放電を抑
制する方法が採用されている。
しかし、従来技術では、負帯電されたガラス表面と陽極
近傍との電位差について配慮されておらず、ガラス表面
全体を負帯電するとガラス表面全体の電位が下がり、陽
極と陽極近傍のガラス表面との電位差が高くなり、陽極
近傍の表面電界が極端に高くなって放電が生じることが
ある。特に、大画面大型カラーブラウン管では、画質向
上策として従来より一段と高い陽極電圧の電子銃を使用
しているため、このようなカラーブラウン管のネックガ
ラスを負帯電させると、ネックガラス内壁面の両極側電
極間で放電が発生してガラス管が貫通破壊する恐れがあ
る。
近傍との電位差について配慮されておらず、ガラス表面
全体を負帯電するとガラス表面全体の電位が下がり、陽
極と陽極近傍のガラス表面との電位差が高くなり、陽極
近傍の表面電界が極端に高くなって放電が生じることが
ある。特に、大画面大型カラーブラウン管では、画質向
上策として従来より一段と高い陽極電圧の電子銃を使用
しているため、このようなカラーブラウン管のネックガ
ラスを負帯電させると、ネックガラス内壁面の両極側電
極間で放電が発生してガラス管が貫通破壊する恐れがあ
る。
本発明の目的は、陽極端近傍表面の電界強度を低くする
ことができるカラーブラウン管と直流高電圧真空管と真
空電気機器と真空設備および正帯電膜形成方法を提供す
ることにある。
ことができるカラーブラウン管と直流高電圧真空管と真
空電気機器と真空設備および正帯電膜形成方法を提供す
ることにある。
上記目的を達成するために、本発明は、第1の装置とし
て、陽極と陰極を内蔵する真空容器の内壁面のうち陰極
を基準電位として静電界の電位が最も高いところから一
定の領域内に、真空中で直流電界を受けて正帯電する絶
縁材を固着してなるカラーブラウン管を構成したもので
ある。
て、陽極と陰極を内蔵する真空容器の内壁面のうち陰極
を基準電位として静電界の電位が最も高いところから一
定の領域内に、真空中で直流電界を受けて正帯電する絶
縁材を固着してなるカラーブラウン管を構成したもので
ある。
第2の装置として、陽極と陰極を内蔵する真空容器の内
壁面のうち陰極を基準電位として静電界の電位が最も高
いところから一定の領域内に、真空中で直流電界を受け
て正帯電する絶縁材を固着してなるカラーブラウン管を
構成したものである。
壁面のうち陰極を基準電位として静電界の電位が最も高
いところから一定の領域内に、真空中で直流電界を受け
て正帯電する絶縁材を固着してなるカラーブラウン管を
構成したものである。
第3の装置として、陽極と陰極を内蔵する真空容器の内
壁面のうち陰極を基準電位として静電界の電位が最も高
いところから一定の領域内に、真空中で直流電界を受け
て正帯電する絶縁材を固着し、この絶縁材から一定の距
離を隔てた陰極側の領域内に、真空中で直流電界を受け
て負帯電する絶縁材を固着してなるカラーブラウン管を
構成したものである。
壁面のうち陰極を基準電位として静電界の電位が最も高
いところから一定の領域内に、真空中で直流電界を受け
て正帯電する絶縁材を固着し、この絶縁材から一定の距
離を隔てた陰極側の領域内に、真空中で直流電界を受け
て負帯電する絶縁材を固着してなるカラーブラウン管を
構成したものである。
第4の装置として、陽極と陰極を内蔵する真空容器のう
ち陰極を基準電位として静電界の電位が最も高いところ
から一定の領域内の容器を、真空中で直流電界を受けて
正帯電する絶縁材で構成し、この絶縁材と隣接する陰極
側領域内の容器を、真空中で直流電流を受けて負帯電す
る絶縁材で構成してなるカラーブラウン管を構成したも
のである。
ち陰極を基準電位として静電界の電位が最も高いところ
から一定の領域内の容器を、真空中で直流電界を受けて
正帯電する絶縁材で構成し、この絶縁材と隣接する陰極
側領域内の容器を、真空中で直流電流を受けて負帯電す
る絶縁材で構成してなるカラーブラウン管を構成したも
のである。
第5の装置として、陽極と陰極を内蔵する真空容器を、
真空中で直流電界を受けて正帯電する絶縁材で構成し、
この真空容器の内壁面のうち陰極を基準電位として静電
界の電位が最も高いところから一定の距離を隔てた陰極
側の領域内に真空中で直流電界を受けて負帯電する絶縁
材を固着してなるカラーブラウン管を構成したものであ
る。
真空中で直流電界を受けて正帯電する絶縁材で構成し、
この真空容器の内壁面のうち陰極を基準電位として静電
界の電位が最も高いところから一定の距離を隔てた陰極
側の領域内に真空中で直流電界を受けて負帯電する絶縁
材を固着してなるカラーブラウン管を構成したものであ
る。
第1〜第5の装置のうちいずれか1つの装置を含む第6
の装置として、真空中で直流電界を受けて正帯電する絶
縁材は、二次電子放出係数δの最大値をδmとし、δ=
1となる一次電子エネルギーをEl、E2(ただし、E
l<E2)としたときに、δm≧1.5、E2≧2.0
keVの条件を満たす二次電子放出係数を有する固体絶
縁物の薄膜で構成されているカラーブラウン管を構成し
たものである。
の装置として、真空中で直流電界を受けて正帯電する絶
縁材は、二次電子放出係数δの最大値をδmとし、δ=
1となる一次電子エネルギーをEl、E2(ただし、E
l<E2)としたときに、δm≧1.5、E2≧2.0
keVの条件を満たす二次電子放出係数を有する固体絶
縁物の薄膜で構成されているカラーブラウン管を構成し
たものである。
第1〜第6の装置のうちいずれが1つの装置を含む第7
の装置として、真空中で直流電界を受けて正帯電する絶
縁材は、AQ20it Mg0I CuO等の金属酸化
物とNaBr、KI等の金属塩のうちのいずれかあるい
はこれらの混合物で構成されてなるカラーブラウン管を
構成したものである。
の装置として、真空中で直流電界を受けて正帯電する絶
縁材は、AQ20it Mg0I CuO等の金属酸化
物とNaBr、KI等の金属塩のうちのいずれかあるい
はこれらの混合物で構成されてなるカラーブラウン管を
構成したものである。
第6の装置を含む第8の装置として、AQ203゜Mg
O、CuO、NaB r、KI等の正帯電性の固体絶縁
物とCr2O3等の負帯電性の固体絶縁物との配合によ
りδm、E、の値が設定されてなるカラーブラウン管を
構成したものである。
O、CuO、NaB r、KI等の正帯電性の固体絶縁
物とCr2O3等の負帯電性の固体絶縁物との配合によ
りδm、E、の値が設定されてなるカラーブラウン管を
構成したものである。
第9の装置として、陽極と陰極を内蔵する真空容器の構
成に、第1〜第8の装置のいずれか1つの装置のものを
適用してなる直流高電圧真空管を構成したものである。
成に、第1〜第8の装置のいずれか1つの装置のものを
適用してなる直流高電圧真空管を構成したものである。
第10の装置として、陽極と陰極を内蔵する真空容器の
構成に、第1〜第8の装置のうちいずれか1つの装置の
ものを適用してなる真空電気機器を構成したものである
。
構成に、第1〜第8の装置のうちいずれか1つの装置の
ものを適用してなる真空電気機器を構成したものである
。
第11の装置として、陽極と陰極を内蔵する真空容器の
構成に、第1〜第8の装置のうちいずれか1つの装置の
ものを適用してなる真空設備を構成したものである。
構成に、第1〜第8の装置のうちいずれか1つの装置の
ものを適用してなる真空設備を構成したものである。
第1の方法として、陽極と陰極を内蔵する真空容器の内
壁面に、有機物金属円水溶液と黒船水溶液との混合液を
塗布して導電性塗膜を形成し、この塗膜の端部から液体
状誘起金属塩の一部としてしみ出た金属酸化物を有機物
がガス化する温度で加熱し、金属酸化物の焼結による正
帯電膜を前記真空容器の内壁面に形成する正帯電膜形式
方法を採用したものである。
壁面に、有機物金属円水溶液と黒船水溶液との混合液を
塗布して導電性塗膜を形成し、この塗膜の端部から液体
状誘起金属塩の一部としてしみ出た金属酸化物を有機物
がガス化する温度で加熱し、金属酸化物の焼結による正
帯電膜を前記真空容器の内壁面に形成する正帯電膜形式
方法を採用したものである。
第2の方法として、陽極と陰極を内蔵する真空容器の内
壁面に、有機物塩基と金属イオンとの結合による有機物
金属塩の水溶液を塗布して、これを500℃〜1000
℃の雰囲気中で加熱し、焼結によりAl2O3、MgO
,Fe2O,等の金属酸化物の正帯電薄膜を真空容器内
壁面に形成する正帯電膜形成方法を採用したものである
。
壁面に、有機物塩基と金属イオンとの結合による有機物
金属塩の水溶液を塗布して、これを500℃〜1000
℃の雰囲気中で加熱し、焼結によりAl2O3、MgO
,Fe2O,等の金属酸化物の正帯電薄膜を真空容器内
壁面に形成する正帯電膜形成方法を採用したものである
。
真空容器の内壁面のうち陰極を基準として静電界の電位
が最も高いところから一定の領域内に、真空中で直流電
界を受けて正帯電する維縁膜が固着されているため、陽
極端近傍表面の電界強度が低くなり、陽極端近傍で放電
が発生するのを抑制することができる。
が最も高いところから一定の領域内に、真空中で直流電
界を受けて正帯電する維縁膜が固着されているため、陽
極端近傍表面の電界強度が低くなり、陽極端近傍で放電
が発生するのを抑制することができる。
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第1図〜第3図において、カラーブラウン管は真空容器
としてファンネルガラス1とネックガラス3を備えてお
り、これらガラス管の内部に電子銃2と陽極2a、接触
子5が配置されている。ネックがラス3の端部に陰極を
構成する端子7が配置され、ファンネルガラス1の壁面
にアノード用の電源に接続される端子6が配置されてい
る。ファンネルガラス1の壁面には導電膜4が固着され
ている。そして陽極2aに接触子5、導電膜4を介して
陽極電圧が印加されるようになっている。
としてファンネルガラス1とネックガラス3を備えてお
り、これらガラス管の内部に電子銃2と陽極2a、接触
子5が配置されている。ネックがラス3の端部に陰極を
構成する端子7が配置され、ファンネルガラス1の壁面
にアノード用の電源に接続される端子6が配置されてい
る。ファンネルガラス1の壁面には導電膜4が固着され
ている。そして陽極2aに接触子5、導電膜4を介して
陽極電圧が印加されるようになっている。
また電子銃2は、陽極2a、端子7とは異なる電位を与
えられた複数の電極2b、2c、2d。
えられた複数の電極2b、2c、2d。
2e、2fから構成さ九ている。
ここで、ネックがラス3の真空側内壁面XYに沿った電
位を測定すると第2図で示されるような特性となる。同
図において陽極電圧は導電膜4の電位に等しい。また点
線は静電界の電位分布であるが、端子6および端子7に
電圧が印加されると、複数の電極2b〜2fから放出さ
れた電子がネックガラス3の表面に入射し、この面が負
電荷で帯電されるため、静電界の電位分布が1点鎖線で
示されるような電位分布に変わる。
位を測定すると第2図で示されるような特性となる。同
図において陽極電圧は導電膜4の電位に等しい。また点
線は静電界の電位分布であるが、端子6および端子7に
電圧が印加されると、複数の電極2b〜2fから放出さ
れた電子がネックガラス3の表面に入射し、この面が負
電荷で帯電されるため、静電界の電位分布が1点鎖線で
示されるような電位分布に変わる。
第2図の1点鎖線で示されるような特性のままであると
、ネックガラス3表面の負帯電は導電膜4の近くまで形
成されるため、導電膜4近傍の領域においてはガラス縁
面の電界強度が高くなり、この領域で絶縁破壊が起こる
恐れがある。
、ネックガラス3表面の負帯電は導電膜4の近くまで形
成されるため、導電膜4近傍の領域においてはガラス縁
面の電界強度が高くなり、この領域で絶縁破壊が起こる
恐れがある。
そこで、本実施例においては、導電膜4端部の黒鉛膜4
Aから一定の領域A内のネックがラス3の表面に亘って
41!W1の正帯電膜8が固着されている。
Aから一定の領域A内のネックがラス3の表面に亘って
41!W1の正帯電膜8が固着されている。
正帯電膜8は、真空中で、この膜に一次電子が入射する
と正帯電で帯電する特性を有する絶縁物の薄膜で形成さ
れている。この正帯電膜8に用いられる絶縁材としては
、例えばAg3032M g OpCu○などの金属酸
化物あるいはNaBr、KIなどの金属塩等、またはこ
れらの混合物が用いられている。そしてこれら絶縁物か
ら正帯電膜8を生成するに際しては、後述するように、
−次電子エネルギE2≧2.0keV、二次電子放出係
数δの最大値δm≧1.5となるδ−Eo特性を有する
固体絶縁物が用いられ、10μ以下の厚さの薄膜を形成
することとしている。
と正帯電で帯電する特性を有する絶縁物の薄膜で形成さ
れている。この正帯電膜8に用いられる絶縁材としては
、例えばAg3032M g OpCu○などの金属酸
化物あるいはNaBr、KIなどの金属塩等、またはこ
れらの混合物が用いられている。そしてこれら絶縁物か
ら正帯電膜8を生成するに際しては、後述するように、
−次電子エネルギE2≧2.0keV、二次電子放出係
数δの最大値δm≧1.5となるδ−Eo特性を有する
固体絶縁物が用いられ、10μ以下の厚さの薄膜を形成
することとしている。
ここで正帯電膜8の真空中における二次電子放出係数δ
は、膜表面に入射する一次電子の個数と膜表面から放出
される二次電子の個数の比である。
は、膜表面に入射する一次電子の個数と膜表面から放出
される二次電子の個数の比である。
δは一次電子の入射エネルギーE、に依存して変わり、
第4図に示す特性を示すようになっている。
第4図に示す特性を示すようになっている。
そしてδの最大値δm、δ=1を与える一次電子エネル
ギーをE□、E2(ここで、E1≧E2とすると、δ〉
1の領域すなわちEo>ElあるいはEo< Ezとな
るエネルギーEoを有する一次電子が入射した表面には
負電荷が帯電する。一方、δ≦1の領域すなわちE工≧
E0≧E2となるエネルギーE、を有する一次電子が入
射した表面には正電荷が帯電する。この場合δmが大き
いほど帯電による正電荷量は大きくなる。またE2が大
きいほど正帯電を起こす一次電子エネルギー領域が広が
ることになる。このため、本実施例においては、正帯電
膜8として、E2≦2゜0keV、δm≦1゜5、とな
るδ−E0特性を有する固体絶縁物で構成し、10μm
以下の厚さの薄膜を領域Aのネックガラス3表面に固着
することとしている。
ギーをE□、E2(ここで、E1≧E2とすると、δ〉
1の領域すなわちEo>ElあるいはEo< Ezとな
るエネルギーEoを有する一次電子が入射した表面には
負電荷が帯電する。一方、δ≦1の領域すなわちE工≧
E0≧E2となるエネルギーE、を有する一次電子が入
射した表面には正電荷が帯電する。この場合δmが大き
いほど帯電による正電荷量は大きくなる。またE2が大
きいほど正帯電を起こす一次電子エネルギー領域が広が
ることになる。このため、本実施例においては、正帯電
膜8として、E2≦2゜0keV、δm≦1゜5、とな
るδ−E0特性を有する固体絶縁物で構成し、10μm
以下の厚さの薄膜を領域Aのネックガラス3表面に固着
することとしている。
上記構成において、正帯電膜8が形成された領域Aに電
子が到来すると正電荷の帯電が起り、領域Aの電位は第
2図の点線で示した静電界の電位よりも高い電位、すな
わち実線で示されるような電位となる。これにより導電
膜4の黒鉛端4A近傍における電界強度を大幅に下げる
ことができ、電子の電界放出を抑制して放電に伴う絶縁
破壊を防止することができる。
子が到来すると正電荷の帯電が起り、領域Aの電位は第
2図の点線で示した静電界の電位よりも高い電位、すな
わち実線で示されるような電位となる。これにより導電
膜4の黒鉛端4A近傍における電界強度を大幅に下げる
ことができ、電子の電界放出を抑制して放電に伴う絶縁
破壊を防止することができる。
次に本発明の他の実施例を第5図に示す。
本実施例は、ネックがラス3の内壁面のうち端子7から
一定の領域Bにおいて端子7端部から一定距1w2まで
の区間を幅としてネックガラス3の内周面に沿って負帯
電膜9を形成したものであり、他の構成は前記実施例と
同様であるので、同一のものには同一符号を付してそれ
らの説明は省略する。
一定の領域Bにおいて端子7端部から一定距1w2まで
の区間を幅としてネックガラス3の内周面に沿って負帯
電膜9を形成したものであり、他の構成は前記実施例と
同様であるので、同一のものには同一符号を付してそれ
らの説明は省略する。
負帯電膜9はδ〉1となるδ−E。特性を有する固体絶
縁物、例えばCr2O3等を用いて構成されている。こ
の負帯電膜9は、−次電子エネルギーE、の如何にかか
わらず一次電子が入射すると負電荷で帯電する性質を有
するものである。このため、負帯電膜9が形成された領
域Bにおいては、ネックガラス3自体のδ−E、特性に
依存せず負電荷で帯電される。このため低電位側のガラ
ス表面の電界強度の大きさが大幅に緩和されることにな
る。したがって、本実施例によれば、導電膜4の黒鉛端
4A端部側近傍における表面電界と低電位側のガラス表
面電界の電界強度を大幅に低くすることができ、ネック
ガラス3表面の耐電圧を向上させることができる。
縁物、例えばCr2O3等を用いて構成されている。こ
の負帯電膜9は、−次電子エネルギーE、の如何にかか
わらず一次電子が入射すると負電荷で帯電する性質を有
するものである。このため、負帯電膜9が形成された領
域Bにおいては、ネックガラス3自体のδ−E、特性に
依存せず負電荷で帯電される。このため低電位側のガラ
ス表面の電界強度の大きさが大幅に緩和されることにな
る。したがって、本実施例によれば、導電膜4の黒鉛端
4A端部側近傍における表面電界と低電位側のガラス表
面電界の電界強度を大幅に低くすることができ、ネック
ガラス3表面の耐電圧を向上させることができる。
また、第1図に示されるように、正帯電膜8に隣接して
ネックガラス3の低電位側の領域に負帯電@10を形成
することも可能である。この場合ネックガラス3の表面
が正帯電膜および負帯電膜10で被われるため、ネック
ガラス3内壁の帯電量を絶縁材の配合によって正確に調
整できるため、ネックガラス3表面の耐電圧をより向上
させることができる。
ネックガラス3の低電位側の領域に負帯電@10を形成
することも可能である。この場合ネックガラス3の表面
が正帯電膜および負帯電膜10で被われるため、ネック
ガラス3内壁の帯電量を絶縁材の配合によって正確に調
整できるため、ネックガラス3表面の耐電圧をより向上
させることができる。
次に、ネックガラス3の内壁面に正帯電膜を生成するに
際して、第7図に示されるように、有機物金属片水溶液
と黒鉛等の導電性物質水溶液とを混合した水溶液をネッ
クガラス3の内壁面に塗布して導電膜11を形成し、こ
の導電膜11の端部よりしみ出た液体状有機金属片を約
500℃〜100℃の温度で加熱し、これを焼結させて
正帯電膜12を形成することも可能である。この場合導
電膜11の端部に領域Aよりも短い領域に正帯電膜12
が形成されるため、正帯電膜12を形成する作業を簡素
化することができる。
際して、第7図に示されるように、有機物金属片水溶液
と黒鉛等の導電性物質水溶液とを混合した水溶液をネッ
クガラス3の内壁面に塗布して導電膜11を形成し、こ
の導電膜11の端部よりしみ出た液体状有機金属片を約
500℃〜100℃の温度で加熱し、これを焼結させて
正帯電膜12を形成することも可能である。この場合導
電膜11の端部に領域Aよりも短い領域に正帯電膜12
が形成されるため、正帯電膜12を形成する作業を簡素
化することができる。
次に、第8図に本発明の他の実施例を示す。
本実施例は、ネックガラス3に正帯電膜および負帯電膜
を形成する代りに、ネックガラス3自体を正帯電性材質
ガラス13と負帯電性材質ガラス14で構成したもので
ある。正帯電性材質ガラス13は正帯電性物質を配合し
たガラスであり、負帯電性材質ガラス14は負帯電性物
質を配合したガラスである。
を形成する代りに、ネックガラス3自体を正帯電性材質
ガラス13と負帯電性材質ガラス14で構成したもので
ある。正帯電性材質ガラス13は正帯電性物質を配合し
たガラスであり、負帯電性材質ガラス14は負帯電性物
質を配合したガラスである。
本実施例によれば、正帯電性材質ガラス13が導電膜1
4近傍の一定の領域A内に形成されていると共に他の領
域に負帯電性材質ガラス14が形成されているため、第
6図に示す実施例と同様な効果が得られると共に、ネッ
クガラス3表面に正帯電膜および負帯電膜を形成する必
要がないので、作業を簡素化することができる。
4近傍の一定の領域A内に形成されていると共に他の領
域に負帯電性材質ガラス14が形成されているため、第
6図に示す実施例と同様な効果が得られると共に、ネッ
クガラス3表面に正帯電膜および負帯電膜を形成する必
要がないので、作業を簡素化することができる。
また、第9図に示されるように、ネックガラス3自体を
正帯電性材質ガラス15で構成し、このガラス15の内
壁面のうち導電膜4から一定の領域Aを外れた他の領域
に負帯電膜16を形成しても、第5図に示されるような
ものと同一な効果を得ることができる。
正帯電性材質ガラス15で構成し、このガラス15の内
壁面のうち導電膜4から一定の領域Aを外れた他の領域
に負帯電膜16を形成しても、第5図に示されるような
ものと同一な効果を得ることができる。
前記各実施例においては、本発明をカラーブラウン管に
適用したものについて述べたが、前記実施例のものは、
X線管などの直流高電圧真空管に適用することができる
と共に、直流高電圧の加わる直流電気機器あるいは真空
設備に適用することができる。この場合、直流高電圧の
電位差のある真空絶縁物表面で陽極側あるいは電位の正
方向で最も高い電位電極側の端部に接した極部表面の領
域に正帯電膜を形成する。このようにすれば、陽極側あ
るいは正側電位電極に接した局部的表面で正帯電が生じ
るので、この部分における絶縁破壊を防止することがで
きる また真空電気機器あるいは真空設備の直流高電圧電位差
のある絶縁物表面の領域に正帯電物質で構成された絶縁
材料フィルムを貼り付けることも可能である。
適用したものについて述べたが、前記実施例のものは、
X線管などの直流高電圧真空管に適用することができる
と共に、直流高電圧の加わる直流電気機器あるいは真空
設備に適用することができる。この場合、直流高電圧の
電位差のある真空絶縁物表面で陽極側あるいは電位の正
方向で最も高い電位電極側の端部に接した極部表面の領
域に正帯電膜を形成する。このようにすれば、陽極側あ
るいは正側電位電極に接した局部的表面で正帯電が生じ
るので、この部分における絶縁破壊を防止することがで
きる また真空電気機器あるいは真空設備の直流高電圧電位差
のある絶縁物表面の領域に正帯電物質で構成された絶縁
材料フィルムを貼り付けることも可能である。
また正帯電膜を形成するに際しては、有機物塩基と金属
イオンとが結合した有機物金属塩の水溶液をネックガラ
スの領域Aに塗布し、温度500℃〜1000℃の雰囲
気中でネックガラス3の表面を加熱する。この加熱によ
り有機物金属塩の有機物塩基が熱的分解によって離脱し
、領域Aに金属元素が残留する。残留した金属元素が酸
化し、金属酸化物が領域A内に形成される。そして金属
酸化物としてAl2O3、MgO,CuO1が形成され
る。
イオンとが結合した有機物金属塩の水溶液をネックガラ
スの領域Aに塗布し、温度500℃〜1000℃の雰囲
気中でネックガラス3の表面を加熱する。この加熱によ
り有機物金属塩の有機物塩基が熱的分解によって離脱し
、領域Aに金属元素が残留する。残留した金属元素が酸
化し、金属酸化物が領域A内に形成される。そして金属
酸化物としてAl2O3、MgO,CuO1が形成され
る。
また正帯電膜8の形成法として、AQ20.。
MgO,CuO1あるいはBa塩等の正帯電物質とCr
2O3等の負帯電物質とを配合することにより、E2が
大きく、δm<1.5の正帯電膜を形成することも可能
である。この場合には、正帯電膜8のE2、δmの値を
任意に物質の配合によって調整することが可能となる。
2O3等の負帯電物質とを配合することにより、E2が
大きく、δm<1.5の正帯電膜を形成することも可能
である。この場合には、正帯電膜8のE2、δmの値を
任意に物質の配合によって調整することが可能となる。
以上説明したように、本発明によれば、真空容器のうち
陰極を基準として静電界の電位が最も高いところから一
定の領域内を、真空中で直流電解を受けて正帯電する絶
縁材で構成したため、陽極端における電界強度を低くす
ることができ、陽極端近傍の真空容器が絶縁破壊される
のを防止することができる。
陰極を基準として静電界の電位が最も高いところから一
定の領域内を、真空中で直流電解を受けて正帯電する絶
縁材で構成したため、陽極端における電界強度を低くす
ることができ、陽極端近傍の真空容器が絶縁破壊される
のを防止することができる。
第1図は本発明の一実施例を示すカラーブラウン管の要
部断面図、第2図はネックガラス表面の電位分布特性図
、第3図はカラーブラウン管の構成図、第4図は一次電
子のエネルギーと二次電子放呂係数との関係を示す特性
図、第5図は本発明の第2実施例を示す断面図、第6図
は本発明の第3実施例を示す断面図、第7図は本発明の
第4実施例を示す断面図、第8図は本発明の第4実施例
を示す断面図、第9図は本発明の第5実施例を示す断面
図である。 1・・・ファンネルガラス、2・・・電子銃、2a・・
・陽極、2b〜2f・・・電極、3・・・ネックガラス
、4・・導電膜、5・・・接触子、6.7・・・端子、
8・・正帯電膜、 9.10・・・負帯電膜、11・・・導電膜、12・・
・正帯電膜、13・・・正帯電性材質ガラス、14・・
・負帯電性材質ガラス、 15・・・正帯電性材質ガラス、 16・・・負帯電膜。
部断面図、第2図はネックガラス表面の電位分布特性図
、第3図はカラーブラウン管の構成図、第4図は一次電
子のエネルギーと二次電子放呂係数との関係を示す特性
図、第5図は本発明の第2実施例を示す断面図、第6図
は本発明の第3実施例を示す断面図、第7図は本発明の
第4実施例を示す断面図、第8図は本発明の第4実施例
を示す断面図、第9図は本発明の第5実施例を示す断面
図である。 1・・・ファンネルガラス、2・・・電子銃、2a・・
・陽極、2b〜2f・・・電極、3・・・ネックガラス
、4・・導電膜、5・・・接触子、6.7・・・端子、
8・・正帯電膜、 9.10・・・負帯電膜、11・・・導電膜、12・・
・正帯電膜、13・・・正帯電性材質ガラス、14・・
・負帯電性材質ガラス、 15・・・正帯電性材質ガラス、 16・・・負帯電膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、陽極と陰極を内蔵する真空容器の内壁面のうち陰極
を基準電位として静電界の電位が最も高いところから一
定の領域内に、真空中で直流電界を受けて正帯電する絶
縁材を固着してなるカラーブラウン管。 2、陽極と陰極を内蔵する真空容器の内壁面のうち陰極
を基準電位として静電界の電位が最も高いところから一
定の領域内に、真空中で直流電界を受けて正帯電する絶
縁材を固着し、この絶縁材から一定の距離を隔てた陰極
側の領域内に、真空中で直流電界を受けて負帯電する絶
縁材を固着してなるカラーブラウン管。 3、陽極と陰極を内蔵する真空容器の内壁面のうち陰極
を基準電位として静電界の電位が最も高いところから一
定の領域内に、真空中で直流電界を受けて正帯電する絶
縁材を固着し、この絶縁材と隣接する陽極側の領域内に
、真空中で直流電流を受けて負帯電する絶縁材を固着し
てなるカラーブラウン管。 4、陽極と陰極を内蔵する真空容器のうち陰極を基準電
位として静電界の電位が最も高いところから一定の領域
内の容器を、真空中で直流電界を受けて正帯電する絶縁
材で構成し、この絶縁材と隣接する陰極側領域内の容器
を、真空中で直流電流を受けて負帯電する絶縁材で構成
してなるカラーブラウン管。 5、陽極と陰極を内蔵する真空容器を、真空中で直流電
界を受けて正帯電する絶縁材で構成し、この真空容器の
内壁面のうち陰極を基準電位として静電界の電位が最も
高いところから一定の距離を隔てた陰極側の領域内に真
空中で直流電界を受けて負帯電する絶縁材を固着してな
るカラーブラウン管。 6、真空中で直流電界を受けて正帯電する絶縁材は、二
次電子放出係数δの最大値をδmとし、δ=1となる一
次電子エネルギーをE_1、E_2(ただし、E_1<
E_2)としたときに、δm≧1.5、E_2≧2.0
keVの条件を満たす二次電子放出特性を有する固体絶
縁物の薄膜で構成されている請求項1、2、3、4又は
5記載のカラーブラウン管。 7、真空中で直流電界を受けて正帯電する絶縁材は、A
l_2O_3、MgO、CuO等の金属酸化物とNaB
r、KI等の金属塩のうちのいずれかあるいはこれらの
混合物で構成されてなる請求項1〜6のうちいずれか1
つの項に記載のカラーブラウン管。 8、Al_2O_3、MgO、CuO、NaBr、KI
等の正帯電性の固体絶縁物とCr_2O_3等の負帯電
性の固体絶縁物との配合によりδm、E_2の値が設定
されてなる請求項6記載のカラーブラウン管。 9、陽極と陰極を内蔵する真空容器の構成として、請求
項1〜8のうちいずれか1つの項に記載のものを適用し
てなる直流高電圧真空管。 10、陽極と陰極を内蔵する真空容器の構成として、請
求項1〜8のうちいずれか1つの項に記載のものを適用
してなる真空電気機器。 11、陽極と陰極を内蔵する真空容器の構成として、請
求項1〜8のうちいずれか1つの項に記載のものを適用
してなる真空設備。 12、陽極と陰極を内蔵する真空容器の内壁面に、有機
物金属円水溶液と黒鉛水溶液との混合液を塗布して導電
性塗膜を形成し、この塗膜の端部から液体状誘起金属塩
の一部としてしみ出た金属酸化物を有機物がガス化する
温度で加熱し、金属酸化物の焼結による正帯電膜を前記
真空容器の内壁面に形成する正帯電膜形式方法。 13、陽極と陰極を内蔵する真空容器の内壁面に、有機
物塩基と金属イオンとの結合による有機物金属塩の水溶
液を塗布して、これを500℃〜1000℃の雰囲気中
で加熱し、焼結によりAl_2O_3、MgO、Fe_
2O_3等の金属酸化物の正帯電薄膜を真空容器内壁面
に形成する正帯電膜形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23973890A JP2949304B2 (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | カラーブラウン管および正帯電膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23973890A JP2949304B2 (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | カラーブラウン管および正帯電膜形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04121929A true JPH04121929A (ja) | 1992-04-22 |
JP2949304B2 JP2949304B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=17049198
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23973890A Expired - Lifetime JP2949304B2 (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | カラーブラウン管および正帯電膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2949304B2 (ja) |
-
1990
- 1990-09-10 JP JP23973890A patent/JP2949304B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2949304B2 (ja) | 1999-09-13 |
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