JPH04118634A - 情報記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、可逆的、光学的に超大容量のデータを記憶す
る情報記憶媒体を用いた情報記憶装置に関し、特に高分
子液晶化合物を記録層に用いた情報記憶装置に関する。

［従来の技術］ 現在、光記憶方式は大容量かつランダムアクセスに侵れ
たものとして実用化されている。その方式も多岐にわた
り、再生専用としてディジタルオーディオディスク（Ｃ
Ｄ）やレーザービデオディスク（ＣＤ）が実用化されて
いる。光記録が可能なものとしては追記型光ディスク（
ＷＯ）　、光カード（ＯＣ）が知られており、金属薄膜
の相変化を用いるものや、有機染料のビット形式を用い
るものがある。

さらに、書き換え型光ディスクの研究が進められており
、光磁気効果を用いたもの、相変化を用いたものの実用
化が図られている。その中にあって高分子液晶も情報記
憶媒体として提案されている（特開昭５９−１０９３０
号公報、特開昭５９−３５９８９号公報、特開昭６２−
１５４３４０号公報）。その中では、記録方式としてコ
レステリック性高分子液晶のらせんピッチ長を変えるか
、あるいは無配向状態のビット形成によって光反射率を
多値的に変化せしめる方式も提案されている（特開昭６
２−１０７４４８号公報、特開昭６２−１２９３７号公
報）。

また、高分子液晶は複屈折性を有していることがら配向
処理を行い、その複屈折を用いた方式についてもい（つ
かのものが提案されている。（特開昭６３−１５３５２
０号公報、特開昭６３−２６６６４７号公報、特開平１
−１６２２４５号公報） このような高分子液晶を用いた情報記憶媒体は、蒸着等
によって製造される光磁気媒体や無機相変化媒体と比較
して媒体の作成が容易であり、光学特性にも優れている
。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記従来例では、記録層における吸収・
散乱・回折等による反射光量の変化を検出するものであ
り、特に再生時に照射光の利用効率が低くなりやすいた
めに、電気的な増幅、ノイズ除去等を十分に行なう必要
があった。

また、ディジタルオーディオディスクは良好な光学特性
を有しているが、再生専用であり、かつ大量生産しない
限り高価となる欠点があった。

本発明は、この様な従来技術の欠点を改善するためにな
されたものであり、高い反射率と良好なコントラストを
得ることができる情報記憶装置を提供することを目的と
するものである。

［課題を解決するための手段］ 即ち、本発明は、基板上に高分子液晶化合物を含有する
記録層と反射層を有し、前記高分子液晶化合物を含有す
る記録層が一軸配向しており、そのリターデーション（
Δｎｄ）（Δｎ＝ｎ１−ｎ工、ｄ：記録層の膜厚（μｍ
）を表す。但し、ｎは屈折率を表す。）がλ（ｍ上１／
４）（ｍ：０〜３の整数、ｍ＝Ｏのとき＋１／４のみを
、ん：再生光の波長（μｍ）を表す。）である情報記憶
媒体と、円偏光を照射する手段と、右・左円偏光を分離
する手段と、反射光の強度を検出する手段を有すること
を特徴とする情報記憶装置である。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明は、−軸配向した高分子液晶化合物を含有する記
録層と反射層とを基板上に有する情報記憶媒体において
、前記記録層のりタープ−ジョン（１Δｎｄｌ）（Δｌ
”ｌ：ｉ’ｌ、−ｎ、、　ｄ　：記録層の膜厚（ｕｎ）
を表す。但し、ｎは屈折率を表す。）がλ（ｍ上１／４
　）　　（ｍ　：　０〜３の整数、ｍ＝Ｏのとき＋１７
４のみを、λ：再生光の波長（μｍ）を表す。）である
情報記憶媒体へ、円偏光を照射し、右・左円偏光を分離
することによって、反射光の強度を検出するように構成
され、これにより高い反射率と良好なコントラストを実
現するようにしたものである。

本発明においては、記録層に用いられる高分子液晶化合
物は高い複屈折率（Δｎ）を有しており、従来の延伸高
分子等でλ／４のリターデーションを得るために必要な
厚みと比較して、１／１０〜１／１０００の厚みで十分
な利点がある。また、ガラス転移点や粘性効果を用いる
ことにより、配向状態もしくは複屈折率を変化させ、か
つ固定することが可能である。

本発明において用いられる高分子液晶化合物の複屈折率
は通常０．旧〜２．０、好ましくは０．０５〜１．０が
望ましく、０．０１未満では必要なりタープ−ジョンを
得るために必要な記録層の膜厚が太き（なり過ぎて記録
層の製造上困難な問題があり、記録感度も低下する。ま
た２、０を越えると最低次のりタープ−ジョンを与える
記録層の膜厚が小さ（なり過ぎるために、均一に作成す
ることが困難となり良好な光学的特性が得られない。

本発明における情報記憶媒体の記録層に用いることが可
能な高分子液晶化合物としては、次のようなものがある
。

（下記式（１）　〜（１３）中、ｐ＝は５〜１０００．
１≦ｎ　＋　＜　１５である。） Ｈ３ （下記式（１４）〜（１７）中、 ｐ＝５〜１０００゜ ＋ｐ２＝ ５〜１０００ ｑ　＝　　Ｌ　Ａ−１６゜ ＝　１〜１６゜ ｑｉ＝ｌ　〜１６ である。

ＣＨ。

→ＣＨ，−Ｃ→「 →ＣＨ、−Ｃ−）Ｔ− （式中、 Ｒニー　ＣＦｌ　ｓ　。

−Ｈまたは−Ｃｐ を示す。

→ＣＨｘ−Ｃ→「 （式中、 Ｒ＝−ＣＨＩ。

−Ｈまたは−ＣＲ を示す。

（下記式（１８）〜（４７）中、 ＊は光学活性炭素原子 を示し、 ｎ＝５〜１０００である。

（ｍ、＝２〜１０） （ｍ、−２〜１０） Ｈ３ （Ｉ１１２＝２〜１５） （ｍ２＝２〜１５） （ｍ２＝２〜１５） （ｍ２＝２〜１５） （ｍ２＝２〜１５） （ｍ、＝２〜１５） （ｘ＋ｙ＝ｌ、ｐ４．ｐ５＝１〜１５、ｑ３ｑ４＝１〜
１０） （Ｒ −Ｃ）Ｉ　３ Ｈまたは−ｃＩ！。

＝１〜１０） Ｌ （ｐ４＝１〜１５） （ｍ−＝２〜１５゜ ｘ＋ｙ＝１） （ｘ＋ｙ：ｌｌｍ２＝２〜１５） （ｘ＋ｙ＝１ ｍ２＝２〜１５） （ｘ＋ｙ＝１ ＋１１２：２〜１５） （Ｉ１１３＝１〜５） （ｘ＋ｙ＝１） （ｍｓ＝ｏ〜５） （ｍｓ＝ｏ〜５） 只ｒ （ｑｓ＝１〜１０゜ ｘ＋ｙ＝：１） 前記高分子液晶化合物は単独で用いることも、２種以上
を混合もしくは共重合して使用することも可能である。

また、記憶安定性をそこなわない範囲で低分子液晶と混
合することも屈折率の制御を行なうために好ましい。

以上のような高分子液晶化合物もしくは組成物はその記
憶内容を安定に保持するためにガラス転移点を有してい
ることが好ましい。ガラス転移点以下で書き込み内容を
保持することが記憶の保存安定性にとって特に好ましい
。

記録層の膜厚は通常０．０５〜１０μｍ、好ましくは０
．１〜５μｍが望ましい。また、記録層は基板上にデイ
ピング法、バーコード法、スピンコード法等により容易
に形成することができる。

本発明の情報記憶媒体の高分子液晶の初期配向のために
、配向膜として水平配向性のＰＶＡ、Ｐ工、ポリアミド
、ポリアミドイミド等の高分子膜やＳｉＯ□等の無機物
の斜め蒸着膜を用いることが可能である。これらの配向
膜をラビング等の一軸配向処理によって処理することも
可能である。同様にシェアリングによっても一軸配向処
理することができる。

本発明において、反射層としては、Ａｊ）、　Ａｕ、　
Ａｇ等の金属膜もしくは誘電体ミラー等を用いることが
でき、その膜厚はＯ，０Ｌ＝ｌＱ０４ｍ、好ましくは０
．０５〜１０ＩＬｍが望ましい。

また、基板としては、ガラス基板、プラスチック基板等
を用いることができる。

基板の形状は、シート状、カード状、ディスク状、テー
プ状等を用いることができるが、情報記憶装置による書
き込み、再生に適したものであればよい。

本発明の情報記憶装置の記録、再生、消去に用いるため
の光源としては、Ｈｅ−ＮｅガスレーザーＡｒ”ガスレ
ーザー、　Ｎ２ガスレーザー等のガスレーザーや、ルビ
ーレーザー、ガラスレーザーＹＡＧレーザー等の固体レ
ーザーや、半導体レーザー等を用いることが望ましい。

また、　６００ｎｍ〜１６００ｎｍの波長範囲の半導体
レーザーが好ましく用いられる。特に好ましくは６００
〜９００　ｎｍの波長範囲の半導体レーザーが用いられ
る。また、これらのレーザー光の第２高調波、第３高調
波を用いれば短波長化が可能となる。

レーザー光等にて書き込み、消去を行なう場合には、レ
ーザー光吸収層を設けるか、もしくは高分子液晶化合物
を含有する記録層中にレーザー光吸収化合物を添加する
ことによって感度を向上させることができる。

高分子液晶層へ添加するレーザー光吸収化合物の例とし
ては、アゾ系化合物、ビスアゾ系化合物、トリスアゾ系
化合物、アンスラキノン系化合物、ナフトキノン系化合
物、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合
物、テトラベンゾポルフィリン系化合物、アミニウム塩
系化合物、ジイモニウム塩系化合物、金属キレート系化
合物等がある。

前記のレーザー光吸収化合物のうち半導体レーザー用化
合物は近赤外域に吸収をもち、安定な光吸収色素として
有用であり、かつ高分子液晶化合物に対して相溶性もし
くは分散性がよい。また、中には二色性を有するものも
あり、これら二色性を有する化合物を高分子液晶中に混
合すれば、熱的に安定なホスト−ゲスト型のメモリー及
び表示媒体を得ることもできる。

また高分子液晶化合物中には上記の化合物が二種類以上
含有されていてもよい。

また、上記化合物と他の近赤外吸収色素や２色性色素を
組み合せてもよい。好適に組み合せられる近赤外吸収色
素の代表的な例としては、シアニン、メロシアニン、フ
タロシアニン、テトラヒドロコリン、ジオキサジン、ア
ントラキノン、トリフエツジチアジン、キサンチン、ト
リフェニルメタン、ビリリウム、クロコニウム、アズレ
ンおよびトリフェニルアミン等の色素が挙げられる。

なお、高分子液晶化合物に対する上記化合物の添加量は
重量％で、０．１〜２０％程度、好ましくは、０．５〜
ｌＯ％がよい。本発明で用いる高分子液晶化合物は高分
子サーモトロピック液晶であり、中間相であるネマチッ
クやスメクチックやカイラルスメクチックやコレステリ
ックの相を利用する。

より具体的な光吸収染料としては、 下記のもの を使用することができる。

Ｄｉｒｅｃｔ　Ｒｅｄ　２ｇ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｖｉｏｌｅｔ　１２ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｂｌｕｅ　１ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｂｌｕｅ　１５ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｂｌｕｅ　９８ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｂｌｕｅ　１５１ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｒｅｄ　８１ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｙｅｌｌｏｗ　４４ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｙｅｌｌｏｗ　１２ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｏｒａｎｇｅ　３９ Ｎｔｈ ＯＮＨ２ ０Ｈ Ｄｉｓｐｅｒｓｅ　Ｂｌｕｅ　２１４ Ｄｉｓｐｅｒｓｅ　Ｒｅｄ　６０ Ｄｉｓｐｅｒｓｅ　Ｙｅｌｌｏｗ　５６５Ｆａｅ ｃｐｏ、。

配向制御膜としては、例えば−酸化珪素、二酸化珪素、
酸化アルミニウム、ジルコニア、フッ化マグネシウム、
酸化セリウム、フッ化セリウム。

シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物などの
無機絶縁物質やポリビニルアルコール、ポリイミド、ポ
リアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリパラキシレ
リン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルア
セタール、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチレン
、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂やアクリ
ル樹脂などの有機絶縁物質を用いて被膜形成した配向制
御膜を設けることができる。

この配向制御膜は、前述の如き無機絶縁物質又は有機絶
縁物質を被膜形成した後に、その表面をビロード、布や
紙で一方向に摺擦（ラビング）することによって得られ
る。

本発明の別の好ましい具体例では、ＳｉＯやＳｉｎｇな
どの無機絶縁物質を基板の上に斜め蒸着法によって被膜
形成することによって配向制御膜を得ることができる。

また、別の具体例ではガラス又はプラスチックからなる
基板の表面あるいは基板の上に前述した無機絶縁物質や
有機絶縁物質を被膜形成した後に、該被膜の表面を斜方
エツチング法によりエツチングすることにより、その表
面に配向制御効果を付与することができる。

前述の配向制御膜は、同時に絶縁膜としても機能させる
ことが好ましく、このために、この配向制御膜の膜厚は
一般に１００人〜１μｍ、好ましくは５００人〜５００
０人の範囲に設定することができる。

また、本発明においては、記録層の高分子液晶化合物の
分子配列を確実に行うものとしては、軸延伸、二軸延伸
、インフレーション延伸等の延伸法やシェアリングによ
る再配列が好ましい。単独ではフィルム性がなく延伸が
困難なものはフィルムにサンドイッチすることで共延伸
し、望ましい配向を得ることができる。

その他の配向方法としては、電場や磁場による配向やシ
ェアリングによる配向等を用いることができる。

また、本発明の情報記憶媒体は、トラッキングのために
グループを有していることが好ましい。

基板上に設けた高分子液晶化合物を含有する記録層の溝
１３の形状の一例を第３図（ａ）〜（ｄ）に示す。又、
実験の結果から、第４図に例示する溝の大きさ、すなわ
ち溝の深さａ、溝の幅す、溝のランド部幅Ｃは、溝の深
さａは０．０５μｍ〜０．４μｍ、溝の幅すは０．５ル
ｍ〜５．０ｇｍ、溝のランド部の幅Ｃは０．５〜５．０
　ｇｍ、特に溝の深さａは０．１　μｍ　〜０．３−ｍ
、溝の幅すは０．５μｍ〜２．Ｏμｍ、溝のランド部の
幅ｃは１．０μｍ〜３．Ｏμｍが好ましいことが確認で
きた。ただし、上記条件の３つとも全てを満たさずとも
、上記条件の中で溝の深さを少なくとも上記範囲内に設
定しておけばそれでも効果は得られる。又、溝の形はさ
ほど影響しないことも確認できた。

上述の特定のディスク基板を用いて情報記憶媒体を得る
と、この基板にはさまれた高分子液晶層を等方性液体温
度以上に昇温し、徐冷して配向させるとスパイラル状又
はコンセントリック状の溝方向に均一配向する情報記憶
媒体を得ることができる。

また、第５図で示すように電界を印加することを可能に
したディスク構成も用いられる。その１つの例として、
第５図では、基板１の上にＩＴＯ蒸着膜のような導電性
膜１４を設け、その上に溝構造をもつ膜１５を形成した
基板と、導電性膜（反射層２）を設けたもう一方の基板
５との間に高分子液晶化合物を含有する記録層３を配置
した断面構造より成っている。

第１図は本発明の情報記憶装置に用いられる情報記憶媒
体の一例を示す断面図、第２図は本発明の情報記憶装置
の一例を示す概略図である。

第１図において、本発明の情報記憶媒体は、下基板１上
に反射層２を設け、また上基板５の上に配向制御膜４を
設け、前記両基板間に高分子液晶化合物を含有する記録
層３を挟持した構成からなり、記録層の高分子液晶化合
物は配向制御膜４によって同心円状もしくは放射状に一
軸配向処理されて配向軸１１を示している。

第２図に示すように、この配向軸１１に対して半導体レ
ーザー６より照射したレーザー光を偏光ビームスプリッ
タ−７によって直線偏光とし、配向軸１１に対して角度
θを有するように情報記録媒体へ入射させる。この直線
偏光は１７４波長板ｌＯを通過することによって円偏光
となり、その状態で情報記憶媒体の記録層３へ照射され
る。このとき角度θは３５〜５５°で用いられ、より好
ましくは４５″で用いられる。

このとき情報記録媒体の記録層の膜厚ｄ（μｍ）はりタ
ープ−ジョン（Δｎｄ）がλ（ｍ±１７４）（ｍ：０〜
３の整数、ｍ＝ｏのとき＋１へのみをえは再生光の波長
（μｍ）を表す。）となるように作成される。実際には
え（（ｍｆｌ／４）±１７８）の範囲となる膜厚で用い
られる。なお、Δｎ＝ｎ７−ｎｉであり、ｎは屈折率を
表す。

ｍ＞３のときには、記録層の膜厚が厚くなりすぎるため
に記録層の配向や感度が低下して好ましくない。より好
ましくは、ｍ＝ｏまたは１で用いられる。

偏光ビームスプリッタ−７を通過した直線偏洸を１／４
波長板１０へ４５°の角度で入射すると円偏光となる。

この円偏光を前記直線偏光とθの角度となるように一軸
配向された記録層へ入射させる。

このときりタープ−ジョンがλ（ｍ±１７４）であると
きは直線偏光となり、そのまま反射され、もう−度、記
録層、１７４彼長板を通過することによって、入射直線
偏光と同じ偏光面の直線偏光が出射される。

記録層が複屈折を有しない場合もしくはθが０３もしく
は９０°となり、リターデーションを生じさせないとき
は、反射光は入射直線偏光と９００偏光面の回転した１
線偏光となる。

偏光ビームスプリッタ−を用いることにより、検出器８
へ入射され、良好なコントラストと高い光量が得られる
。

本発明の円偏光を発生する手段は、円偏光スプリッター
もしくは偏光子と１７４波長板からなるものが用いられ
る。この円偏光を発生する手段は、右・左円偏光を分離
する手段と兼用することが可能であり、装置を簡便化す
る上で望ましい。

本発明の情報記憶装置において、記録層へ入射し、反射
層で反射された光は、右もしくは左円偏光となっている
。このときに、右もしくは左円偏光のみを通過もしくは
反射する円偏光スプリッターを用いることにより良好な
Ｓ／Ｎが得られる。

用いられる円偏光スプリッターとしては、ｌ／４波長板
と偏光子を組み合わせたものか、もしくはコレステリッ
クらせん構造の選択散乱を用いることが出来る。

このような、コレステリックらせん構造を用いた円偏光
子スプリッターの例としては、特開昭５６−１３９５０
６号公報に記載されているような、コレステリック液晶
を重合性モノマーに溶解し、らせんピッチを調節したの
ち重合固定したものが知られている。その他にも、グル
ダミン酸γ−ペンジルーグルダミン酸γ−アルキル共重
合体のようなサーモトロピック高分子液晶のらせんピッ
チの温度変化を利用したものも用いられる。（特開昭６
２−１１６６２９号公報） このような円偏光スプリッターを可視光域で用−いるた
めには、らせんピッチの異なったものを組み合わせるこ
とが好ましい。

本発明において、記録層の記録、非記録部は、次に示す
状態、 ■等方相 ■ネマチック相垂直配向 ■ネマチック相水平配向 ■スメクチック相垂直配向 ■スメクチック相水手配向 ■カイラルスメクチック相垂直配向 ■カイラルスメクチック相水平配向 から選択し、それらに合わせて直接あるいはレーザー照
射等による加熱、電界の印加等の書き込み条件を選定す
ることにより、各々を配向軸方向や複屈折率の異なる状
態に固定することができる。

［実施例］ 以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。

実施例１ 下記構造式（Ｉ）で示される高分子液晶化合物をシクロ
ヘキサノンに溶解して２０ｗｔ％の溶液とした。次に、
構造式（ＩＩ）で示されるＩＲ吸収色素を高分子液晶化
合物に対して１．５ｗｔ％添加した。

−＋−ＣＨ−ＣＨ，← （Ｃ山）、Ｎ（Ｙ ＋Ｎ（Ｃ−Ｈｓ）２ ｃＩｌｏ４゜ （ＩＩ） グループを形成した厚さ １．２ｍｍのディスク状ガ ラス基板にＡ４＋を１０００人の厚さに蒸着し、その上
にポリイミド配向膜（日産化学工業■製、高純度ポリイ
ミドワニス、サンエバー１００）を形成した。

ラビング法によってグループ方向に一軸配向性を与えた
。

この基板へ上記の高分子液晶化合物の溶液を２００Ｏｒ
μｍでスピナー塗布し、乾燥後の厚みを１．２μｍとし
た。１０５℃で３ｈｒ熱処理し、−軸配向させた。その
リターデーション（Δｎｄ）を偏光顕微鏡を用いてベレ
ックコンベンセーター（測定光波長５００〜６００止）
により測定したところ２０５ｎｍであった。

この記憶媒体の配向軸に対して４５°の角度になるよう
に８３０ｎｍ半導体レーザーと偏光ビームスプリッタ−
を配置し、１７４波長板を通した後、レンズによって２
＃ＩＩＩφに集合した。０．５ｍＷの再生レーザー光を
入射したところ、Ａｉ）反射板のみのときの全反射構成
の反射率の７％が検出された。ｌＯｍＷ。

１０ｇ５ｅｃのパルスを入射し記録部を形成したところ
０、５ｍＷでの反射率は４５％となり、良好なコントラ
ストが得られた。

さらに、ディスクを１５０Ｏｒμｍで回転させ、オート
フォーカス、オートトラッキングをかけながら上記と同
一の条件で記録再生を行なったところ、再生Ｃ／Ｎ　　
（分解能帯域幅３ＫＨｚ）は４９ｄＢであった。

次に、記録部ヘデフオーカスした５ｍＷのレーザー光を
ｌｏＯｍｓｅｃ照射したところ概略消去出来た。

なお、ｎｌは異常光屈折率、ｎ上は常光屈折率で、Δｎ
＝複屈折率である。

比較例１・２ 実施例１と同様にして記録層の膜厚のみを変更した結果
を下記の表１に示す。

表　　１ 比較例３ 実施例１において、直線偏光と配向軸のなす角度を３０
°としたところ、未記録部の反射率は９％、記録部の反
射率は３１％であった。

実施例２ 下記構造式（Ｉｎ）および（ｒＶ）の単量体をそれぞれ
０．６３　ｇと０．６７　ｇを乾燥トルエン中に溶解し
、３　ｍｏｊ）％ＡＩＢＮを加え、凍結脱気後６０℃で
２４時間反応させた。メタノール中で再沈殿をくり返し
共重合ポリマー０．６８ｇを得た。（収率５２％）（Ｉ
ｌｌｒ） ＣＨ＝ＣＨ。

（ｒＶ） 数平均分子量 重量平均分子量 相転移温度（”Ｃ） 旋光度　　［α］二’＝＋８．９°（ＣＨＣβ、）上記
の高分子液晶共重合体をクロロホルムへ溶解し２０ｗｔ
％とし、さらに近赤外吸収色素（山水化成■製、ＮＩＲ
−１３）を高分子液晶に対して１．５ｗｔ％添加した。

次に、ＡＲを３０００人の厚さに蒸着したカード状ガラ
ス基板へポリイミド配向膜（日照化学工業■製、高純度
ポリイミドワニス　サンエバー１００）を形成ル、ラビ
ング法により一軸配向性を与えた。　ＩＴＯを１０００
人の厚さに蒸着したガラス基板へも同様の処理を施した
。該ＩＴＯ付ガラス基板へ上記の高分子液晶共重合体溶
液をスピナー塗布し、乾燥後１．１ｋｍの膜厚としたも
のへ、前記ＡｉＪ付ガツガラス基板着して加熱冷却し、
配向を行い、情報記憶媒体を得た。

次に、上下基板間へ＋４０Ｖを印加し、９０℃から冷却
することで一軸配向した。偏光顕微鏡によるリターデー
ション（Δｎｄ）（測定光波長　５００〜６００　ｎｍ
）は２００ｎｍであった。

この情報記憶媒体を実施例１の記憶装置で入射直線偏光
と配向軸のなす角度θをＯｏとして、１７４波長板を通
して測定したところ反射率は４０％であった。次に、室
温で上下基板間へ一４０Ｖを印加して５ｍＷの８３０１
半導体レーザーを１０ｍ５ｅｃパルスとして集光照射し
たところ、照射部分の配向軸が４０°傾いた。反射率は
５％となり良好なコントラストが得られた。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、−軸配向したり
タープ−ジョンの制御された高分子液晶化合物を含有す
る記録層と反射層を有する情報記憶媒体へ円偏光を照射
することにより、記録、再生、消去が可能な情報記憶装
置において、良好なコントラスト、Ｃ／Ｎを得ることが
できる。

また、反射率も高（することが可能となり、電気的な信
号処理も容易となる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の情報記憶装置に用いられる情報記憶媒
体の一例を示す断面図、第２図は本発明の情報記憶装置
の一例を示す概略図、第３図（ａ）〜（ｄ）は記録層の
トラッキング用グループの形状を示す断面模式図、第４
図は配録層のトラッキング用グループの形状の大きさを
示す説明図、および第５図は情報記憶媒体の他の例を示
す部分模式％式％ ５・・・上基板　　　　　６・・・半導体レーザー７・
・・偏光ビームスプリッタ− ８・・・検出器　　　　　９・・・集光レンズ１０・・
・１／４波長板 １１・・・配向軸 １２・・・円偏光 １３・・・溝 １４・・・導電性膜 １５・・・溝構造をもつ膿 １６・・・記録・消去・再生光

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　基板上に高分子液晶化合物を含有する記録層と反射層
   を有し、前記高分子液晶化合物を含有する記録層が一軸
   配向しており、そのリターデーション（Δｎｄ）（Δｎ
   ＝ｎ＿〃−ｎ＿⊥、ｄ：記録層の膜厚（μｍ）を表す。 但し、ｎは屈折率を表す。）がλ（ｍ±１／４）（ｍ：
   ０〜３の整数、ｍ＝０のとき＋１／４のみを、λ：再生
   光の波長（μｍ）を表す。）である情報記憶媒体と、円
   偏光を照射する手段と、右・左円偏光を分離する手段と
   、反射光の強度を検出する手段を有することを特徴とす
   る情報記憶装置。