JPH04113715A - Iil回路の低温動作保証回路 - Google Patents

Iil回路の低温動作保証回路

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JPH04113715A
JPH04113715A JP2235305A JP23530590A JPH04113715A JP H04113715 A JPH04113715 A JP H04113715A JP 2235305 A JP2235305 A JP 2235305A JP 23530590 A JP23530590 A JP 23530590A JP H04113715 A JPH04113715 A JP H04113715A
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JP
Japan
Prior art keywords
circuit
current
iil
ecl
connection terminal
Prior art date
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Pending
Application number
JP2235305A
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English (en)
Inventor
Naoyuki Kato
直之 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体集積装置を構成するIIL回路の低
温動作保証回路に関するものである。
〔従来の技術〕
IIL回路を有する半導体集積回路装置において、プロ
セス要因による素子バラツキの大きい(例えば、電流増
幅率hFIE、トランジスタのコレクターエミ・ツタ間
耐圧B V cz o等)IIL回路の低温での動作を
保証するためには、低温テストを実施する必要があった
っ また、全敬低温テス)・実施が不可能な場合等、IIL
回路をモニターするための単体トラノジスタ゛を半導体
集積装置を構成するチ・ツブ上の一角に入れておき、そ
の単体トラノジスタの特性をウエハテス1−で測定し、
規格外のものをリボエフ1−する方法も考えられるが、
チップ内の素子特性のバラツキや素子の均一性の問題が
あり、実際には低温不良率を1100pp程度以下に押
さえることは不可能であった。
〔発明が解決しようとする課題〕
したがって、1100pp以下のしベルで低温不良率の
低減が要求される場合、どうしても全数低温テストを実
施する必要があり、低温テスト時の温度管理が手間取る
2ハンドラー化が容易でないなどの理白により、テスI
・費用のアップにつながり、ひいては製品のコストアッ
プとなる問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するなめになさ
れたもので、低温テストを実施することなしに、IIL
回路の低温動作保証を高信頼度で達成できる回路を提供
することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係るIIL回路の低温動作保証回路は、バイ
アス安定化用コノデシサ接続端子を有するECL (エ
ミッタ・カップノしド・ロジック)回路をテストされる
へきIIL回路と積層に構成するようにしたものであり
、前記バイアス安定化コンデンサ接続端子を流用してE
CL回路のバイアス電流(これはとりもなおさずIIL
回路のイ。
ジエクンヨノ電流となる。なぜなら積層構造をなってい
るからである。)を可変する電流設定手段を設けたもの
である。
〔作用〕
この発明においては、IIL回路のインジェクション電
流を可変してテストすることにより、常温テス)・のみ
てもかなりなしベルで動作マージノのチエツクができる
ため、低温での動作保証が可能になり、1100pp以
下の低温不良率が要求された場合でも、低温テストを実
施する必要がなくなる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図面につL)で説明する。
図において、1はECL回路て、Q+〜Q4は1、う、
ジス々、Isは定電流源である4、2はIIL回路、3
はバイアス安定化用コ、プレ叶接続端子である。、4は
前記IIL回路2のイ、コエクタ端子であり、ECL回
路1とIIL回路2が積層に接続されているので、EC
L回路1の回路電流がIIL回路2のインンエク、ヨJ
電流として供給されることになる。5は前記バイアス安
定化用コノデノサ接続端子3に電流を流入したり、流出
したりしてイノジエクノヨノ電流を変更する電流設定手
段であり、流入させるには抵抗器を介して電圧を印加し
たり、あるいは流出させるにはレヤノ1〜抵抗器を接続
したりすればよい、:、そして、ECL回路1のバイア
ス安定化用コ、デーサ接続端子3は、通常使用時はコン
デンサが接続されている。
前記回路により、IIL回#52のテストを行う場合に
ついて考える。
バイアス安定化用コンデシサ接続端子3に接続された電
流設定手段5により外部から電流を流し込んだり、引っ
張り出したりすることにより、ECL回路1の電流が可
変できることは図より明らかである。
ECL回H1r1の電流を可変する乙とはIIL回路2
のインジェクション電流を可変することになり、種々の
電流レベルでのチエツクが可能となるため、IIL回路
2の動作マージノを厳密に確認することができる。
一例として、電流増幅率h FKが低めにばらついて、
低温時にhriが低下するため、次段がドライブできな
くなる低温不良について考えてみる。この場合、バイア
ス安定化用コノデシサ接続端子3より電流を引っ張り出
すことにより、インジェクション電流を減らしてテスト
することにより、常温状態で低温不具合症状を再現する
ことができ、常温のみのチエツクで低温不良品を発見で
きる。
なお、上記実施例では、ECL回路1の内部回路構成と
して図面に記載のものについて説明したが、種々変型が
考えられることばいうまでもない。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明は、バイアス安定化用コ
ノデノサ接続端子を有するECL回路とテストされるへ
きIIL回路を積層に構成し、バイアス安定化用コシデ
ンサ接続端子に接続した電?a 設定手段によりIIL
回路のイルエクショノ電流を可変できろようにしたので
、IIL回路の動作マーじ、チエ・ツクが常温のみて容
易に行え、低温テス1−を実施する必要がなくなるため
、テス)〜費用の削減の効果がある。
また、通常使用時の端子を使用して、テストが行えるた
め、デス1−用の端子を設ける必要もなく、実使用上は
何ら制約を受けない利点を有する。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明の一実施例によるIIL回路の低温動作
保証回路装置を示す図である。 図において、1はECL回路、2はIIL回路、3ばバ
イアス安定化用コ、デ、す接続端子である。 乙はIILのイJジェクタ端子、5は電流設定手段であ
ろう 1:EC1回路

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ECL回路とIIL回路とを積層構造に設け、前記EC
    L回路のバイアス安定用コンデンサ接続端子より電流を
    流入または流出させて、前記IIL回路のインジェクシ
    ョン電流を変更する電流設定手段を設けたことを特徴と
    するIIL回路の低温動作保証回路。
JP2235305A 1990-09-03 1990-09-03 Iil回路の低温動作保証回路 Pending JPH04113715A (ja)

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JPH04113715A true JPH04113715A (ja) 1992-04-15

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ID=16984151

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JP (1) JPH04113715A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10569266B2 (en) 2016-06-22 2020-02-25 Toyota Boshoku Kabushiki Kaisha Ion exchanger

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